8月1日，京瓷（kyocera）宣布推出一款新型Peltier（热电）模块，其最大吸热率（即模块在最大电流下工作时吸收的热量）比京瓷传统产品高出21%，从而显著提高了冷却性能。
新型Peltier尺寸规格（宽40毫米x深40毫米x高2.17毫米）
Peltier模块结构
京瓷表示，Peltier模块主要用于汽车电池和座椅的温度控制，冷却性能的提高将有助于延长电池的使用寿命。这种能量转换装置，其半导体元件夹在铜基板之间。当电流通过时，基板的一侧吸收热量（冷却），而另一侧释放热量（加热）。这使得表面温度在加热和冷却之间快速变化，并能够调节或保持特定温度。
Peltier模块的行业需求包括：高吸热率、高响应性、高可靠性以及可定制。除了热电半导体元件，氧化铝基板作为该器件的重要组成，用于两侧包裹热电元件，提供结构完整性和电气绝缘性。而除了用于汽车工业，热电模块还主要用于无法使用传统冷却方案的场景，比如冷却CPU和GPU等。
来源：粉体圈
作为全球领先的数据存储解决方案提供商，西部数据公司（NASDAQ: WDC）在2024全球闪存峰会（FMS 2024，展位号607）上带来了一系列开创性的存储解决方案与技术演示，显著提升了存储的性能、容量和能效标准，以应对变革性人工智能数据周期（AI Data Cycle）的复杂工作负载。这些创新成果涉及多个细分领域，涵盖从超大规模云计算、汽车及消费端存储的全方位应用。当地时间8月6日星期二下午3点，西部数据公司执行副总裁兼闪存业务总经理Rob Soderbery还将面向与会者发表主题演讲，深入探讨推动从数据中心到边缘的NAND闪存、人工智能和数据存储技术未来的战略性进展。
Rob Soderbery 表示：“随着人工智能技术的持续发展以及在日常生活中的不断渗透，人们对于存储的需求必将与日俱增。西部数据对旗下存储产品以及技术路线图做出了战略性规划，为用户提供性能卓越和高可靠性的存储解决方案，以帮助他们在瞬息万变的人工智能浪潮中保持竞争优势。西部数据采取的综合性策略确保用户能够根据各自的不同需求量身定制更高能效、更高性能、更大容量的存储解决方案。我们很高兴带来了丰富的产品组合和新兴技术，并现场演示这些创新成果如何在当前乃至未来推动人工智能领域的变革。”
从数据中心到边缘的人工智能创新
随着人工智能、机器学习以及大语言模型（Large Language Models, LLMs）的迅速崛起，企业正面临着来自两个方面的挑战。一方面，数据的生成和使用量正在激增；另一方面，企业迫切需要快速从海量数据中挖掘重要价值。随着存储需求的持续攀升，存储解决方案的性能、可扩展性和效率对于人工智能技术堆栈变得至关重要。西部数据公司提供了丰富的存储产品组合，旨在满足人工智能数据周期各阶段的多样化需求。西部数据公司此次展出的亮点包括：
数据中心：
西部数据此次展出了已于6月份发布的领先的数据中心解决方案，包括：专为计算密集型应用场景而设计的行业领先的PCIe™ Gen5企业级固态硬盘（eSSD）、适用于存储密集型应用的全新64TB eSSD以及专为海量数据存储需求而打造的32TB ePMR SMR HDD。
< Ultrastar DC SN861 SSD >
西部数据在现场对拥有超高容量128TB BiCS8 QLC eSSD进行了在构造高速人工智能数据湖及巨量数据存储性能应用场景的技术演示。
西部数据的全新技术可以将PCIe SSD信号转换为以太网信号，从而使PCIe eSSD能够在以太网交换架构或PCIe交换架构中灵活部署，正如在增强型OpenFlex Data24 4200 NVMe-oF™存储平台上所体现的一致。分解式NVMe-oF存储技术是促使人工智能工作流程更高效、更易管理的关键驱动力。敬请各位莅临现场，欣赏由Ingrasys ES2100存储系统所带来的精彩演示。Ingrasys ES2100存储系统采用了NVIDIA Spectrum Ethernet交换技术和NVIDIA GPUDirect™ Storage（GDS）技术，可以实现大规模3D数据集的实时可视化与分析。这一演示展现了NVMe-oF存储与GPU内存之间的直接数据路径，从而在密集型人工智能应用中对存储和GPU资源进行可扩展、高性能和高效率的利用。RapidFlex Interposer 现已正式推出，目前正由Ingrasys 进行授权许可。
< OpenFlex Data24 4200 NVMe-oF™存储平台 >
客户端：
西部数据在现场演示了BiCS8技术以及适用于人工智能电脑、游戏设备、工作站、笔记本电脑以及其他移动客户端电脑的主流PCIe Gen5 NVMe™ SSD产品。
汽车：
全新推出的西部数据 AT EN610是一款车规级，高性能，支持宽温工作范围的存储解决方案，专为满足下一代高性能中央计算（High-Performance Centralized Computing, HPCC）架构的严苛需求而设计。AT EN610采用了大容量TLC闪存，并为用户提供了将全部或部分存储空间配置为高耐久性的SLC模式的灵活选择。AT EN610使用M.2 1620 BGA封装，并拥有高达1TB的存储容量。西部数据 AT EN610产品现已开始提供样品。
< 西部数据 AT EN610 >
公司也展示了即将推出的全新西部数据 iNAND™AT EU752，该解决方案主要面向高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载信息娱乐系统（IVI）以及其它自动驾驶系统。AT EU752是目前市场上领先的车规级存储解决方案，符合UFS 4.0规范并附加了诸多额外功能，如自动数据刷新以防止数据损坏、100%内容预烧录等，旨在提升产品的性能和可靠性。AT EU752采用BiCS8 NAND闪存，可提供高达1TB的存储容量和超高数据传输速度。AT EU752预计将于2025年第一季度开始提供样品。
< 西部数据 iNAND™AT EU752 >
消费端：
西部数据不断突破技术边界，首秀旗下颠覆性的大容量、高性能闪存消费端产品，包括全球领先的4TB* SanDisk™ microSDUC™ UHS-I存储卡以及8TB* SanDisk™ SDUC™ UHS-I存储卡，专为未来智能手机、游戏设备、无人机、相机和笔记本电脑所设计。
西部数据现场展示了超大容量的SSD产品，包括首次亮相的16TB*移动固态硬盘概念产品以及16TB*闪迪备份小魔方™桌面固态硬盘，这两款产品均能够提供海量的存储空间和卓越性能，旨在满足当今消费者对于存储海量高品质多媒体数字内容的迫切需求。
欲了解更多关于西部数据公司的信息，请访问：https://www.westerndigital.com/zh-cn.
关于西部数据公司
西部数据始终致力于发掘数据价值，创造更多可能。凭借在闪存和HDD领域的整合积累，以及在内存技术领域的推进发展，西部数据持续突破创新，不断推出强大的数据存储解决方案，以支持全球数字化未来的远大进程。同时，西部数据将可持续发展作为公司核心价值观，深刻理解应对气候变化的紧迫性，并积极实现科学减碳倡议组织（Science Based Targets initiative, SBTi）的宏伟减碳目标。欲了解更多西部数据公司及旗下Western Digital™（西部数据）、SanDisk™（闪迪）和WD™（西数）品牌的信息，请访问：https://www.westerndigital.com/zh-cn。
* 1TB=1万亿字节。根据操作环境，用户实际可用容量将有所不同。
近日，高性能、高可靠性模拟及混合信号芯片公司纳芯微宣布与全球领先的电子元器件分销商DigiKey达成战略合作协议，建立全球分销战略合作伙伴关系。百余款纳芯微明星产品现已上架DigiKey平台，为全球客户提供更加多样化和优质的电子元器件选择。
双方的合作旨在充分发挥各自优势，促进互利共赢。通过DigiKey广泛的全球分销网络和强大的市场影响力，纳芯微得以将其产品推广至更广泛的客户群体，拓展全球市场。而DigiKey则能够丰富其产品目录，进一步满足全球客户多样化的需求。
纳芯微此次登陆DigiKey的产品覆盖多个品类，包括传感器、数字隔离器、接口、驱动器、放大器、ADC以及各类电源管理芯片，能够满足客户在汽车、工业、信息通讯及消费电子等不同应用场景下的系统需求。
一直以来，纳芯微秉持“可靠 可信赖”的质量方针，致力于为工业和汽车等高壁垒市场提供更安全、更可靠和更高性能的产品。以汽车电子为例，2023年，纳芯微汽车业务占比已达30.95%，全年汽车业务出货量超1.6亿颗。
此次与DigiKey的战略合作是纳芯微全球化战略的重要一步，未来，纳芯微将继续与DigiKey等伙伴携手，为全球客户提供更便捷的采购渠道，加速客户系统设计的落地和推广。
关于纳芯微
纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码688052）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自 2013 年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。
纳芯微以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。
了解详情及样品申请，请访问公司官网：www.novosns.com。
三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用
LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性
2024年8月6日，三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
三星LPDDR5X DRAM
凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。
三星LPDDR5X DRAM封装示意图
“LPDDR5X DRAM在具备卓越的移动端低功耗性能的同时，还能在超轻薄的封装中提供先进的热管理功能，为高性能端侧AI解决方案树立了新标准。”三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongCheol Bae表示。“三星将持之以恒地与客户密切合作，不断创新，提供能够满足符合时代的低功耗DRAM解决方案。
凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内最薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
三星LPDDR5X DRAM紧有0.65mm，薄如指甲
通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。
三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
除非经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。
[1] 四层堆叠封装，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成 |
[2] 用于保护半导体电路免受高温、冲击和潮湿等外部环境影响的材料。 |
[3] 研磨晶圆的背面使厚度变薄的工艺 |
关于三星电子
三星以不断创新的思想与技术激励世界、塑造未来。重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统、存储、系统集成电路、半导体代工制造及LED解决方案。通过SmartThings生态系统、以及与伙伴的开放合作，为消费提供无缝衔接的顺滑体验。欲了解更多最新消息，请访问三星新闻中心：news.samsung.com
稿源：美通社
消费者需求不断攀升，电动汽车 (EV) 必须延长续航里程，方可与传统的内燃机 (ICE) 汽车相媲美。解决这个问题主要有两种方法：在不显著增加电池尺寸或重量的情况下提升电池容量，或提高主驱逆变器等关键高功率器件的运行能效。
为应对电子元件导通损耗和开关损耗造成的巨大功率损耗，汽车制造商正在通过提高电池电压来增加车辆的续航里程。
图 1：生产中的电动汽车以及所需的复杂系统
由此，800 V 电池架构越来越普及，并可能最终取代目前的 400 V 技术。然而，电池容量越大，所需的充电时间就越长，这正是车主的另一个顾虑，意味着若在抵达目的地前需中途充电，将要等待很长时间。
因此，就像需要提高电池电压一样，汽车整车厂商也必须跟上电动汽车车载充电器 (OBC) 的发展步伐，而首先要考虑的是必须支持 800 V 电池架构和处理更高的电压。为此，现行的标准 650 V 额定芯片元件需过渡到额定电压最高达 1200 V 的芯片元件。此外，为加快电池充电速率，对更高额定功率 OBC 的需求也在日益增长。
OBC 能够将交流电转换为直流电，因而可以让汽车利用电网等交流电源进行充电。充电站的输出峰值会明显限制充电速度，同样的，OBC 的峰值功率处理能力也是充电速度的一大影响因素。
在目前的充电基础设施中，充电桩分为三个等级：
1 级的最大功率为 3.6 kW
2 级的功率为 3.6 kW 到大约 22 kW ，与 OBC 的最大容量相当
3 级提供直流电，无需使用 OBC，功率为 50 kW 到 350+ kW
尽管速度较快的 3 级直流充电站已投入使用，但其在全球范围内分布有限，因此 OBC 仍然不可或缺。此外，许多企业正尽可能提高现有 2 级充电基础设施的性能并促进更高电压电池技术的采用，市场对更高能效 OBC 的需求预计仍将持续增长。
表 1：OBC 的不同功率等级及其对 80 kWh 电池充电时间的影响
表 1 列举了常见的 OBC 功率等级及大致充电时间。为加快充电速度、满足消费者需求，行业已开始转向更强大的三相 OBC。然而，电动汽车的实际充电时间取决于多个因素。
首先我们需要明确一点，充电并不是一个线性过程。当电池接近满容量（通常超过 80%）时，充电速度会减慢，以保护电池健康。简单来说，电池电量越满，接受电能的速度就越慢。电动汽车通常不是满电状态，许多电动汽车制造商通常也不建议频繁待电量耗至 0% 再充满至 100%，而是只需充一部分（例如最高充到 80%），这样可显著缩短充电时间。此外，电气化趋势正逐渐延伸到公共汽车、货车、重型车辆和农业用车等各种车辆类型甚至是船舶，OBC 还将继续发展，目标是实现 22 kW 以上更高功率等级。
汽车整车厂商可以通过构建更强大的 OBC 来提高 2 级充电站的充电速度，但这需要利用经济高效且性能可靠的电子元件，来实现更高的电压（800 V，而非 400 V）和更高的功率等级。
对于更高性能的 OBC，除了额定功率和电池电压之外，还有许多因素需要考虑。其中包括散热管理、封装限制、器件成本、电磁兼容性 (EMC) 以及对双向充电的潜在需求。
谈到散热管理，很容易想到增加 OBC 的尺寸和重量。然而，这种简单的方案并不理想，因为电动汽车的空间有限，难以容纳过于庞大 OBC，而且重量增加也会导致缩短车辆的续航里程。
800 V 电池架构可以带来诸多益处，例如减少导通损耗、提高性能、加快充电和电力输送速度等，但也为设计师带来了许多复杂难题：
器件供应：寻找适合 800 V 安全运转的器件可能会很困难。
降额以确保可靠性：即使是合格的器件也可能需要降额，也就是以低于最大容量的功率运转，以确保长期可靠性。
安全问题：更高电压的系统需要强大的绝缘和安全功能。
测试和验证：验证高电压系统更为复杂，可能需要专门的设备和专业知识。
为此，需要用到击穿电压更高的元件，对于 MOSFET 而言尤其如此。事实证明，在需要更快 MOSFET 开关的更高电压应用（例如 OBC）中，改用高性能碳化硅 (SiC) 元件将大有裨益。开发 PCB 布局时，考虑电压等级也至关重要，因为可能需要相应地扩大元件间距和 PCB 走线之间的距离。同样，暴露于更高电压的其他器件（例如连接器、变压器、电容）也需要更高的额定值。
安森美 (onsemi) 是一家值得信赖的高功率汽车应用功率模块供应商，可以为向 800 V 电池系统过渡提供强大支持。安森美先进的 EliteSiC 1200 V MOSFET 和汽车功率模块 (APM) 能够实现更高的功率密度，在汽车设计领域一直深受认可。
图 2：EliteSiC 1200V MOSFET 采用 TO247-4L 封装，提供开尔文源极连接（第 3 根引线），
可消除栅极驱动环路内共源极寄生电感的影响
APM32 功率模块系列集成安森美先进的 1200 V SiC 器件，针对 800 V 电池架构进行了优化，更适用于高电压和功率级 OBC。APM32 系列包括用于功率因数校正 (PFC) 级的三相桥模块，例如采用 1200 V 40 mΩ EliteSiC MOSFET（集成温度感测）的 NVXK2VR40WDT2。该模块专为 11 – 22 kW OBC 终端应用而设计。
相较于分立方案，APM32 模块技术具有多种优势，包括尺寸更小、散热设计更佳、杂散电感更低、内部键合电阻更低、电流能力更强、EMC 性能更好、可靠性更高等，从而有助于创建高性能双向 OBC（图 3）。这不仅能够增强车辆 OBC 的功能，还能让电动汽车充当移动的电池储能器。
图 3：采用 EliteSiC 1200V APM32 功率模块的高功率 (11 kW-22 kW) 双向 OBC 方案
图 3 的 OBC 功率级示例中包含升压型三相 PFC 和双向 CLLC 全桥转换器，用于提供必要的功率和电压处理及先进的双向充电功能。
在全球各地逐渐转向太阳能和风能等可持续能源之际，电网的电力供应有时可能供不应求。充满电的电动汽车能够作为重要的储能资源，用来支援电网的峰值需求，或者在建筑物主要电源受损的紧急情况下使用。利用安森美 APM32 等模块，OBC 可以实现电动汽车电池的双向能量传输。由此，电池存储的能量可以短暂地为房屋供电，之后还能随时充电。
与一些将封装技术外包的竞争对手不同，安森美的 APM 系列均在内部设计和制造，因而能够更好地掌控散热优化。此外，安森美为制造商提供了一系列封装和制造选项，包括裸片、分立元件或模块，从而确保有合适的方案支持任何先进的 OBC 设计。
OBC 技术正蓬勃发展，不仅能帮助汽车制造商满足消费者对电动汽车的需求，还能有效应对 800 V 电池架构等新技术趋势。利用安森美系统方案（例如 APM32 功率模块），汽车设计人员可以简化流程并有效满足新需求，从而在大量减少设计工作的同时，确保更高的质量、可靠性和供应链一致性。
此外，安森美还提供广泛的技术支持、仿真及其他电源方案，其中包含 EliteSiC 1200 V M1 和 M3S MOSFET、EliteSiC 1200V D1 和 D3 二极管，以及电隔离栅极驱动器、CAN 收发器和可复位保险丝等配套器件，旨在助力实现全面、高性能的 OBC 设计。
下载我们的 OBC 系统方案指南，探索采用安森美的各种器件和方案，实现高性能 OBC。
电源是芯片的能量来源，也是逻辑状态的参考基准。如果电源的纹波和噪声过大，会在高速变化的逻辑信号上产生大量抖动，进而产生误码(注:误码即错误的码元，将逻辑1当成逻辑0,或者将0当成1)，影响芯片的性能，甚至导致芯片无法正常工作。高速信号验证中非常重要的随机抖动和低频的周期性抖动，就是由于电源的噪声和纹波所引入的。
图1：电源纹波和噪声
图2：纹波的频域分析
图3：纹波对信号完整性的影响仿真分析工具
电源的纹波和噪声测量，一直都是电源工程师们最关注的问题之一。 算力芯片更低的工作电压，导致电源留给纹波和噪声的裕度变得更小了，部分算力芯片及其外围交换机芯片的电源纹波和噪声的峰峰值要求低至3mV，给设计和测试都带来了难题。
设计上，算力芯片普遍采用POL的降压方式，将DC-DC变压器尽可 能靠近负载端，可以有效避免传输链路上引入的外部干扰。
测试上，使用更高精度、更低底噪的示波器，和专用的电源纹波探头， 降低测量系统引入的噪声，才能更准确地测量电源纹波和噪声。
解决方案构成
泰克MSO6B示波器拥有12-bitsADC和泰克专利的Tek061前端芯片，使示波器的底噪达到了惊人的8.68uV(有效值)。同时利用专有的频域测试功能，让纹波成分无所遁形，配合专用的TPR电源轨探头，测量系统底噪低至300uV峰峰值，为精确测量低电压、高精度的电源噪声提供了可能。MSO64B的底噪和市场上其它同类示波器相比，优势非常明显。
图4：使用MSO6B和TPR探头测试电源纹波
图5：MSO6B示波器和竞品的底噪对比
泰克的电源轨探头TPR系列，20MHZ带宽下的底噪的峰峰值（注意是峰峰值）低至300uV。而且TPR探头还支持高达60V的偏置电压，多种多样的探头附件，不仅测得准，用起来还很方便。
图6：TPR探头指标
实测案例分享
数据中心里的交换机，是算力单元协同合作、构建算力网络的桥梁。我们用来实测的这个交换机，核心芯片电源约为1V，规范要求其噪声峰峰值在3mV以内。
图7:使用MSO6B和TPR探头实测数据中心交换机芯片的电源纹波和噪声
我们分别使用三种探头测量这个交换器的电源纹波和噪声。使用普通无源探头和地线环，测量电源噪声的结果，最大峰峰值为7.97mV。使用有源差分探头，测量待测物的电源噪声，最大峰峰值为4.92mV。使用TPR电源轨探头，电源纹波的峰峰值居然只有惊人的为714uV），远小于规范要求的3mV。这个产品的电源设计其实非常优秀，但如果用常规的无源探头或有源差分探头，根本测不出它真实的噪声水平。
图8：分别使用无源探头，有源差分和TPR电源轨探头，对比实测结果
总结
在电源纹波和噪声要求越来越高的今天，示波器和探头所引入的系统底噪不容忽视。测量结果不达标可能是因为示波器和探头的精度不够，而不是待测物设计地不够好。使用泰克高精度示波器MSO6B和专用的电源纹波探头TPR系列，仪器底噪低至300uV，为精确测量低电压、高精度的电源噪声提供了可能。了解MSO6B更多，https://www.tek.com.cn/products/oscilloscopes/6-series-mso。
关于泰克科技
泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市，致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案，解决各种问题，释放洞察力，推动创新能力。70多年来，泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅，敬请登录：tek.com.cn
数字座舱已成为汽车行业的发展趋势，仪表盘上的按钮和控制装置将被先进的显示屏所取代。作为汽车的关键系统之一，数字座舱系统需要为汽车用户提供高性能功能，同时满足功能安全目标。实现这些目标的传统方法是在带有管理程序的高性能系统级芯片（SoC）上运行数字座舱系统。然而，开始使用这种系统所需的前期投资在七位数左右，而且总成本会因操作系统和管理程序的许可费而进一步增加。因此，对中低端车型而言，该系统在经济效益上缺乏吸引力。
TRAVEOTM-T2G
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与联发科（MediaTek）及其设计合作伙伴一道，基于英飞凌的 TRAVEO™ CYT4DN MCU系列和联发科的Dimensity Auto SoC入门级解决方案，开发出一种易于使用的座舱解决方案，降低了软硬件的系统总物料（BOM）成本。在这款易于使用的座舱解决方案中，英飞凌CYT4DN MCU作为SoC的安全辅助系统， 符合汽车座舱ASIL-B功能安全等级要求。TRAVEO™ MCU监控SoC 呈现的内容，并在出现错误时接替其工作，但功能有所减弱。另外，它还提供了正常的辅助功能，例如与车载网络通信等。
联发科汽车产品线副总经理熊健先生表示：“我们的汽车 SoC 与英飞凌的TRAVEO™ T2G MCU将组合成一款低成本的座舱解决方案，为OEM和一级供应商带来新的可能性。这款产品将大幅提升入门级车型座舱的性能和功能。”
英飞凌科技车规级微控制器副总裁Ralf Koedel 表示：“现代化座舱可为驾驶员提供支持，并提高所有车内人员的乘坐舒适度。因此，让低成本的车型也能配备数字解决方案十分重要。我们很高兴与联发科及合作伙伴一起，为打造适用于所有车辆的数字座舱奠定基础。TRAVEO™ T2G CYT4DN MCU集成了我们的低功耗闪存以及多种高性能模拟和数字外设，为创建一个安全的计算平台提供了支持。”
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年（截至9月30日）的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
更多信息，请访问www.infineon.com
更多新闻，请登录英飞凌新闻中心：https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/
英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
为稳定智能手机和可穿戴终端的无线功能做贡献
主要特点
优化天线特性
节省空间并改善天线间干扰（0.6mm x 0.3mm x 0.2mm）
丰富的产品阵容
株式会社村田制作所（以下简称“村田”）开发了村田首款*1 “天线抗干扰器件‘Radisol’”，这是一款可配备到天线上来抑制无线性能下降的新产品。量产于2024年6月开始。
近年来，智能手机和可穿戴终端已开始配备Wi-FiTM、Bluetooth®和GPS等很多无线通信功能，并且高密度地安装了与每种无线通信标准相对应的天线来发射和接收信号。此外，为了提高通信质量，组合使用多个天线的MIMO*2和非地面网络（NTN*3）逐步普及，因此，终端中配备的天线数量有进一步增加的倾向。如果高密度地安装频带相近的天线，一些本应放射到空间的功率会干扰近邻天线并流入其中，导致天线的放射特性降低。通过让天线彼此保持足够的距离可以确保隔离并预防干扰，但对于智能手机和可穿戴终端来说，在狭小的外壳内确保空间非常困难。因此，迄今为止，通常使用分立元件在干扰天线上形成被称为储能电路*4的滤波器功能来抑制天线间的干扰。然而，该方法存在一个问题：由于受到储能电路的插入损耗*5影响，虽然受到干扰的天线的特性得到了改善，但插入储能电路一侧的天线特性会劣化。
因此，村田通过特有的陶瓷多层技术和RF电路设计技术，开发了兼顾高精度滤波器特性和低插入损耗的Radisol。通过在天线周边使用Radisol，能以较低的插入损耗来预防近距离天线之间的干扰。此外，Radisol体积小，因此有助于在智能手机和可穿戴终端等在有限空间内配备多个天线的设备中稳定无线通信功能。
本产品已被Motorola Mobility LLC（总部：美国伊利诺伊州利伯蒂维尔，总裁：Sergio Buniac）用于从2024年8月开始销售的智能手机“Edge系列”新机型。摩托罗拉通过采用Radisol改善了其Wi-Fi 天线的性能。
今后，村田将继续根据市场需求努力扩充Radisol的产品阵容，以应对更加多样化的天线组合。此外，村田还将支持电子设备的小型化和使用先进的无线技术，致力于实现繁荣富足的社会。
主要特点
优化天线特性
可以将对天线通频带的影响降至很低，并针对天线之间的干扰引起的放射效率降低采取措施。可以提高天线效率、稳定无线通信质量并降低设备的耗电量。
节省空间并改善天线之间的干扰
使用分立元件来实施干扰对策时，需要一定的空间，本产品是尺寸为0603的小型产品，单片即可满足需求，因此可以用超小的空间改善天线之间的干扰。
丰富的产品阵容
使用分立元件形成储能电路时，需要花时间对常数进行调整。Radisol已经预先假设可能需要实施对策的天线组合并准备了11种类型的产品阵容。
主要规格
产品名称 | 天线抗干扰器件 “Radisol” |
型号 | LXTS03系列 |
尺寸（Typ.) | 0.6mm×0.3mm×0.2mm（0603尺寸） |
衰减@10Ω（Typ.） | 9～23dB ※因品种而异 |
插入损耗@50Ω（Typ.） | 0.1～0.4dB ※因品种而异 |
工作温度范围 | -40～85℃ |
输入功率 | 30dBm※ ※占空比为100％的连续波、50Ω的信号源 |
注释
※1 村田2024年8月4日调查结果
※2 MIMO：Multi Input Multi Output的缩写。在发射器和接收器双方使用多个天线来提高通信质量和速度的技术
※3 NTN：Non-Terrestrial Network的缩写。包括移动通信在内的无线通信网络的一种，指的是将地面基站、海上船舶、高空无人机（HAPS）和配置在太空的通信卫星进行多层连接而形成的网络
※4 储能电路：将电感器和电容器并联而形成的谐振电路。在特定的谐振频率下，能产生电感器和电容器好像都不存在的效果。在干扰对策中，它被作为将特定范围内的频率分量截断的带阻滤波器（BSF）使用
※5 插入损耗：信号通过传输路径时损失的功率量
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关于村田制作所
村田制作所是一家全球性的综合电子元器件制造商，主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售业务。致力于通过自身开发积累的材料开发、工艺开发、商品设计、生产技术以及对它们提供支持的软件和分析评估等技术基础，创造独特产品，为电子社会的发展做出贡献。
《汽车工业》杂志专访伟创力汽车事业部战略与营销副总裁Nicole Stevenson
随着电气化和软件定义汽车技术的快速发展，汽车行业正在经历革命性转变。在与《汽车工业》杂志的独家专访中，来自伟创力汽车事业部战略与营销副总裁Nicole Stevenson分享了行业变化对传统商业模式的影响，以及行业该如何适应不断变化的消费需求。
汽车工业：您认为，就汽车行业而言，电气化和软件定义汽车技术的技术革新将如何影响汽车制造商的传统商业模式？
Nicole：我认为将软件定义汽车比作“车轮上的智能手机”，能够很恰当的说明它正在成为消费者日常生活中交互最频繁的高性能计算设备。大规模的汽车技术变革促使汽车制造商成为提供技术、软件和内容的出行服务公司，同时拥有自己的知识产权，以提供差异化的产品和服务来满足消费者需求。这是对传统汽车OEM（原始设备制造商）思维方式的巨大改变。
为了更快地完成转变，以便与新进入者竞争，汽车制造商必须改变旧的商业模式，并借鉴科技行业的做法，与新的合作伙伴密切合作，开发并推广完整的移动解决方案。通过加速生态系统的开放，汽车制造商可以更快地采取行动，并将投资集中在独特的、体现品牌特色的客户体验上。我们将其称为“合作竞争”，即汽车制造商在非差异化功能上进行合作。例如，OEM可以优化工程资源，共享中间件平台等非差异化功能，并将资源集中在差异化功能，如OTA软件和AI软件框架上。从本质上讲，这扩大了他们的软件和系统集成能力，并创造了区分于其他产品和服务的自有知识产权。这可以提供更高的可靠性、恢复能力和速度，实现无缝系统集成。
新生态系统是行业历史结构的演变，其中OEM在金字塔的顶端，拥有全方位服务的一级供应商负责设计和制造包括软件和硬件在内的零部件。现在它更像是一个中心辐射模型，其中合作伙伴包括半导体公司、软件创新公司、科技初创公司以及设计和制造合作伙伴。OEM根据每个合作伙伴的特点进行合作。这正是我们在伟创力采取的方法，我们与整个汽车生态系统合作，包括主要的全球半导体合作伙伴。
汽车工业：持续的半导体短缺给汽车行业带来了挑战。汽车制造商和半导体合作伙伴之间的合作如何确保半导体供应并加快行业的创新周期？
Nicole：拥有支持下一代移动出行的芯片和硬件，才能实现这一目标。为了确保供应链安全并实现创新，汽车行业应当直接与半导体供应商进行协作，并让他们尽早参与到产品开发过程中。为了充分释放软件定义汽车的潜力，我们需要在提升计算能力的同时，为其必然的增长预留空间。这些计算机需在成本效益、功耗和重量之间取得平衡，以优化能效。展望未来，这甚至可能包括可升级的计算硬件的前景。这一切都需要与半导体公司建立更紧密的合作伙伴关系，以开发合适的解决方案，同时避免使用未经优化的高价芯片。
全球汽车咨询机构AutoForecast Solutions预测，自芯片短缺开始以来，近1800万辆汽车已被从生产计划中移除。一方面，汽车行业需要避免未来出现类似危机。另一方面，我们必须做好准备，迎接向软件定义汽车转变所带来的巨大需求增长，预计到 2028 年，基础汽车ECU市场将增长到约 1500 亿美元。这两个因素的碰撞凸显了扩大汽车半导体产能的必要性。而这需要一项投资计划，需要整个生态系统的支持。好消息是，我们看到半导体公司越来越重视汽车行业。根据毕马威2024年全球半导体行业展望，半导体领导者将汽车行业列为推动半导体公司收入的最重要应用领域。
汽车工业：扩大汽车半导体产能的必要性已经被强调了。那么半导体行业可以采取哪些具体措施来投资汽车产能，以及这种投资如何解决汽车制造商当前面临的挑战？
Nicole：自从芯片短缺开始以来，汽车供应链一直面临着巨大的挑战。短缺造成的损失暴露了可靠的半导体供应对整个价值链的重要性，这凸显了产业链中各个环节的脆弱性。我们现在看到汽车制造商已经开始以不同的方式思考和规划。一些OEM甚至较大的一级供应商直接与半导体供应商签订合同以锁定供应。许多公司也开始放弃曾经让许多企业没有缓冲库存的准时制制造模式。汽车制造商还利用先进技术来减轻风险并增强恢复能力。
随着软件定义汽车和电动汽车的快速发展，移动出行行业已经开始应用来自高科技行业的工业4.0制造最佳实践，包括人工智能和集成数据处理工具，以更好地预测制造和供应链需求。因此，整个系统的革新可以延伸到跨行业供应链，并交织在一起。在伟创力，我们的联合风险管理应用程序是一个成功的范例，我们使用它与客户合作，在产品生命周期的早期阶段评估和降低供应链风险。利用人工智能和机器学习驱动的分析，联合风险管理帮助客户评估风险并制定缓解方案，从而提高供应链的弹性。
现场可编程门阵列（FPGA）在当今的众多技术中发挥着重要作用。从航空航天和国防到消费电子产品，再到关键基础设施和汽车行业，FPGA在我们生活中不断普及。与此同时对FPGA器件的威胁也在不断增长。想要开发在FPGA上运行（固件）的IP需要花费大量资源，受这些FPGA保护的技术也是如此。这使得FPGA成为IP盗窃或破坏的潜在目标。
防止IP盗窃、客户数据泄露和系统整体完整性所需的安全功能已经不可或缺。它们是许多FPGA应用的基础，在某些地区有相应法律要求（例如，欧盟的GDPR、美国的HIPAA、英国的2018年数据保护法等）。轻松实现这种安全性是莱迪思的基本目标，其屡获殊荣的中端FPGA平台莱迪思Avant™和莱迪思Avant-X™ FPGA器件就是最好证明。
莱迪思Avant-X FPGA集成了许多先进的安全功能，旨在保护IP和器件免受未经授权的访问和攻击，同时又不在SWaP-C（尺寸、重量、功耗和成本）上做出妥协。以下是Avant-X FPGA中实现的一些关键安全特性：
物理不可克隆功能（PUF）：Avant-X FPGA通常利用 PUF 技术为每个单独的器件创建唯一的指纹。该指纹既用于生成和保护加密密钥，也可用于验证FPGA。所有这些都为基于硬件的可信根（HRoT）奠定了基础。
加密和解密：Avant-X FPGA支持对敏感数据和位流进行加密和解密，以保护它们在传输或存储过程中免受拦截和未经授权的访问。Avant-X支持多种 AES加密强度（128/256）、多种模式（包括GCM）以及差分功耗分析保护，可以满足各种市场的数据需求。
身份验证：任何安全平台的基础都是在使用前验证数据（配置或用户）真实性。为了满足这一需求，Avant-X提供了对称认证（AES-GCM）以及各种非对称方法，包括但不限于ECDSA（P384或P521）和RSA（2048和4096）。
高速安全启动：为确保仅将授权的配置加载到FPGA上，Avant-X器件利用PUF、身份验证（ECDSA P521或RSA4096）和加密/解密（AES256/GCM）来实现安全启动。这需要在应用配置位流之前对其进行加密身份验证，防止篡改和任何未经授权的更改。在实现这一点的同时，Avant-X的配置速度比相同密度范围的任何其他FPGA（包括具有“瞬时启动”功能的FPGA）都快，这是该器件之所以领先行业的众多原因之一。最大的Avant-X器件其安全可靠的启动时间低于60毫秒。
防篡改功能：Avant-X FPGA集成了物理安全机制，用于检测和响应篡改企图。包括检测物理入侵的传感器，例如电压和温度变化，或通过JTAG探测器件。
密钥管理：Avant-X器件包括安全的密钥存储和管理功能。这可确保用于身份验证、加密和其他安全功能的加密密钥安全地（以黑盒形式）存储在器件中，并且未经授权的实体无法访问。
安全调试：可以保护Avant-X FPGA上的调试接口，以防止未经授权的访问。这包括将调试操作限制为授权用户或器件，从而最大限度地降低被利用的风险。Avant-X器件上实现了几种阻止、限制或临时启用（通过内部接口）JTAG接口的方法。
真随机数生成器（TRNG）：Avant-X可以生成密钥和唯一ID，提供符合NIST SP 800-90A/B/C标准的TRNG。
安全通信：为了支持FPGA配置后系统中数据的安全传输，Avant-X可以使用所有安全硬核（拥有可扩展密钥大小和模式）。这使客户可以将FPGA的一部分逻辑专用于硬核IP，而非用于保护IP的工具。Avant-X使用的所有加密核心都经过NIST CAVP验证。
量子敏捷性：考虑到量子计算机对加密系统的威胁迫在眉睫，建立针对此类攻击的抵御力和恢复方案十分必要。目前，尽管有几种后量子计算（PQC）算法已经获得认可，但目前还没有发布正式的标准。对于像莱迪思这样的企业来说，在芯片实现方案依赖已发布的标准。Avant-X分两个阶段应对这一挑战。首先，它依赖于AES256-GCM（一种高密钥强度对称算法）作为其主要身份验证模式（量子攻击对RSA或ECDSA等非对称算法特别有效）。其次，它还采用了一种前瞻性策略：双启动配置。初始配置将包含NIST批准的非对称PQC算法和启动加载代码，并由已具备量子抗性的AES256-GCM提供保护。然后，启动第二阶段引导，加载用户最终的FPGA设计。
随着数字环境愈发危险，莱迪思Avant站在了安全领域的巅峰，配备了一系列创新功能，旨在帮助抵御最强大的威胁。通过强调加密、认证、防篡改、高速安全启动和量子弹性，莱迪思Avant为那些以安全性和可信度为生命力得应用提供了可靠的防御能力。在为确保数据安全而不懈的斗争中，莱迪思Avant将成为守护数字前沿的终极战友。
如需了解更多关于莱迪思Avant-X FPGA和安全解决方案如何帮助您增强和保持网络弹性的信息，请立即联系我们的团队。