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作者：Prasad Paruchuri，安森美技术营销部

随着技术的不断进步，我们如今能够研发出比以往更紧凑、功率更大、使用寿命更长且充电速度更快的电池。

在道路上，由电池驱动的车辆数量日益增多。在家庭中，从手持电动工具到割草机，各类设备都已实现无线化。在建筑领域，锤钻、冲击扳手、圆锯、射钉枪等设备也都依靠电池供电。在仓库里，叉车、托盘搬运车、自动引导车辆 (AGV) 等物料搬运设备，都因电池性能的提升而获益匪浅。

随着电池供电设备变得越来越普及，快速充电对于提升此类设备的便利性至关重要。本文讨论了设计高效电池充电系统时必须考虑的标准，介绍了较为常用的拓扑，并阐述了安森美 (onsemi) 的功率半导体如何助力实现高性能方案。

电池充电系统

电池充电系统适用于多种类型的化学电池，包括铅酸电池、镍氢电池和锂离子电池。目前，大多数电池供电设备采用 12V 至 120V 的锂离子或磷酸锂电池。电池充电器必须根据应用的要求和工作环境进行设计。对于手持式电动工具而言，电池充电器必须紧凑轻便，并且能够在无需强制散热的情况下运行。此类小型高效充电器需要高能量密度，这要求充电器必须具备低功率损耗和更小的散热器，而快速充电则需要高频充电器。

在工业应用中，充电器必须坚固耐用，能够承受恶劣的室内外环境，并且可能需要由 120-277 V 交流电源，甚至 480V 交流电源来供电。

因此，设计人员必须为其最终应用谨慎选择最佳拓扑，并优化器件选择，以满足性价比要求。

电池充电拓扑

图 1 显示了典型电池充电系统的框图。在前端，来自市电的输入电压经滤波后，通过功率因数校正 (PFC) 电路转换为直流电压。该系统的第二级由 DC-DC 转换和恒压/恒流控制功能组成，用以提供所需的充电输出。

图 1：典型电池充电系统框图

许多设计利用微控制器对充电器进行编程，以提供不同的电池电压和电流能力。

为应用选择最佳拓扑

接下来，我们将分析几种电路拓扑，并讨论它们在不同电池供电应用中的适用性。

1.PFC 拓扑

连续导通模式升压拓扑（图 2）是最简单且成本最低的 PFC 拓扑，它由输入 EMI 滤波器、桥式整流器、升压电感器、升压 FET 和升压二极管组成。

图 2：连续导通模式升压拓扑

使用固定频率平均模式控制器，例如安森美的 NCP1654 和 NCP1655 CCM PFC 控制器，可以实现更高的 PFC 和更低的总谐波失真 (THD) 水平。这些器件极大地简化了 PFC 的实现，有效减少了外部元件的数量，同时集成了输入功率失控箝位电路等多种安全特性。

对于更高功率的应用，安森美的 FAN9672 和 FAN9673 PFC 控制器是不错的选择。碳化硅 (SiC) 在充电应用中具有显著优势，包括低开关损耗和高工作频率。因此，在 PFC 设计中建议使用 SiC 升压二极管。在 2KW 至 6.6KW 的高功率应用中，输入桥的损耗明显更高，通过用 Si MOSFET 或 SiC MOSFET 等有源开关代替二极管，可以降低这些损耗。

其他常见的拓扑包括半无桥 PFC 和图腾柱 PFC (TPFC)，它们消除了桥式整流器，并且损耗更低。TPFC（图 3）由 EMI 滤波器、升压电感器、高频半桥、低频半桥、双通道栅极驱动器和固定频率 TPFC 控制器组成。

图 3：图腾柱 PFC 拓扑

TPFC 电路的高频桥臂要求功率开关中集成具有低反向恢复时间的二极管，SiC 和 GaN 功率开关均适合此级。安森美建议，对于 600W 至 1.2KW 的功率水平，使用集成栅极驱动器的 GaN，而对于 1.5KW 至 6.6KW 的应用，则使用 SiC FET。集成 SiC 二极管的 IGBT 可用于 20-40KHz 的较高频率应用。电路的低频桥臂可以使用低 RDS(on) 超级结 MOSFET 或低 V_CE(SAT) IGBT。对于更高功率（4.0 KW 至 6.6KW）的应用，设计人员应考虑采用交错式 TPFC 拓扑。

安森美 650V EliteSiC MOSFET 为 TPFC 设计的高频桥臂提供了一系列选择。对于 3.0kW 应用，可以考虑使用 NTH4L032N65M3S。对于高达 6.6kW 的应用，NTH4L015N65M2 和 NTH4L023N065M3S 是不错的选择。对于 TPFC 电路的低频桥臂，NTHL017N60S5 器件是一个合适的选择。

2.隔离式 DC-DC 转换器

对于隔离式 DC-DC 转换，根据应用的功率水平，可以采用多种不同的拓扑。

带有次级侧同步桥式整流器的半桥 LLC 拓扑（图 4）非常适合 600W 至 3.0KW 的充电器应用。根据功率水平的不同，可以使用 GAN 功率开关（NCP58921，600W 至 1.0KW）或 SiC MOSFET（2KW 和 3.0KW）。对于更高功率水平（4.0KW 至 6.6KW）的应用，设计人员应考虑采用全桥 LLC（图 5）或交错式 LLC 拓扑。

图 4：集成 Lr 的半桥 LLC

设计人员可以选择将 NTBL032N65M3S 或 NTBL023N065M3S EliteSiC MOSFET 用于初级侧半桥，而对于次级侧同步整流器，可以选用 80-50V PowerTrench^® MOSFET（例如 NTBL0D8N08X 和 NTBL4D0N15MC）。

图 5：带有次级电压倍增电路的全桥 LLC 拓扑

乘坐式割草机、叉车和电动自行车等应用可能需要功率水平介于 6.6KW 至 11.0KW 之间的双有源桥 (DAB) 充电解决方案。双有源桥拓扑（图 6）适用于 6.0KW 至 30.0KW 的应用，并且可以将多个 6.0KW 充电器并联使用来支持 12.0KW 至 30KW 的应用。

图 6：双有源桥技术

根据应用的具体要求，设计人员可以采用不同形式的双有源桥拓扑。对于采用 120-347V 单相交流输入电压的工业充电器，可以使用单级双有源桥拓扑（图 7），而对于功率水平在 4.0KW 至 11.0KW 的应用，则需要采用三相双有源桥，其初级拓扑中使用双向交流开关，次级拓扑中使用全桥。

图 7：单级双有源桥转换器

安森美的产品组合中包括适用于双向开关应用的 650-750V Elite SiC MOSFET 和 iGaN HEMT 器件。NTBL032N65M3S 和 NTBL023N65M3S EliteSiC MOSFET 建议用于初级双向开关，iGaN 技术同样也适用。

优化拓扑和器件选择

电动工具和设备的便捷性取决于电池能否实现快速高效充电。电池充电解决方案的设计人员必须考虑所需的功率水平和工作电压，精心选择最佳的拓扑。此外，设计人员为设计选择的器件必须能够满足应用的性能要求。

安森美的产品组合涵盖广泛的低压、中压和高压功率分立器件，其中包括二极管、MOSFET、IGBT 等硅基器件。基于 SiC 的开关器件正日益受到青睐，因为它们具有更快的开关速度和出色的低损耗运行特性，从而能够在不牺牲性能的情况下提高功率密度。 借助安森美的芯片和封装技术，安森美的功率器件具有出色的质量和稳健性，能够帮助您超越设计目标。

作者：电子创新网张国斌

5月22日，小米正式发布了自研手机SoC芯片"玄戒O1"，继苹果、三星、华为后，小米成为全球第四家拥有自研手机SoC的手机品牌。此举不仅标志着中国科技企业在芯片自主化道路上的又一重大突破，3nm工艺的"玄戒O1"也标志着小米在手机芯片先进工艺领域有重大突破。

随着"玄戒O1"的发布，网友也分为两派，有力挺的，也有质疑和谩骂的，我是怎么看小米造芯的呢，最近我看大家主要围绕“自研芯片”来展开的，所以首先我们从自研入手探讨一下两个概念就明白什么自研芯片了

1、不是自己制造的算不算自研？

大家要知道，全球芯片公司分两类，一类是IDM模式，就是从芯片设计、制造甚至封测都自己干，这样的典型代表就是英特尔，很多欧美模拟芯片公司也是IDM模式，如TI \ADI\英飞凌、NXP等。

另一类是Fabless模式，就是无晶圆模式，就是细化分工，自己只负责设计，其他公司负责制造和封测，这样可以轻资产运营，典型代表就是苹果、AMD、博通、联发科等等。小米就是属于第二类，是Fabless模式，所以即便芯片不是自己制造，也可以说自研芯片，这个没毛病，因为国家认定软件也是有著作权的。

2、买了IP搭出来的SOC是不是自研？

再就是买了IP之后采用公模设计是不是自研？ 这个可以打个比喻，就是我们盖房子，各种IP就相当于有人设计了一个房子里所需要的厨房、沙发，电视、床等，买了IP就相当于我不自己去设计制造这些东西了我自己拿来用，买了公模的CPU相当于我把设计好的一个开放式厨房设计直接放进自己的房子里，这样，我通过购买各种IP ，通过不同的组合设计出的房子算不算是自己设计的呢？当然算了。同理，买了IP 然后通过不同组合实现一个SOC也是需要自己投入设计和付出的，所以这也属于自研的范畴。

实际上，几乎所有公司都会购买其他公司IP的，包括苹果这么牛的公司，它是GPU 也是购买了Imagination 公司的GPU IP，苹果几年前曾经挖了好多牛人自己造GPU 结果搞了几年搞不出来，最后还是认怂选择继续从Imagination 公司授权GPU IP了，这样做不丢人，也不妨碍苹果说他的A16，A17是自研的，好像大家也没去质疑过吧。

理解了上述概念后大家就清楚了自研芯片的概念了吧。所以小米说自研是没毛病的。

3、有人说，那买了IP设计出一款SOC岂不是跟搭积木一样容易？非也。

在购买了IP（知识产权）之后，要设计出一个SoC（System on Chip，片上系统）需要经过一系列复杂的工作流程。以下是主要的步骤和工作内容：

1. 需求分析与规划

明确目标：确定SoC的应用场景（如智能手机、物联网设备、汽车电子等），明确性能、功耗、面积、成本等关键指标。

IP选型与集成规划：根据需求选择合适的IP（如处理器IP、存储器IP、接口IP等），并规划它们在SoC中的布局和连接方式。

2. 系统架构设计

架构定义：设计SoC的整体架构，包括处理器、总线、存储器、外设等的连接关系。例如，确定处理器的类型（如ARM Cortex-A系列或RISC-V）、总线架构（如AMBA AXI或AHB）等。

性能分析与优化：通过仿真和建模工具（如SystemC）分析系统性能，优化架构以满足性能要求。

3. IP集成与验证

IP集成：将购买的IP核集成到SoC设计中。这包括硬件接口的适配、时钟和电源管理的配置等。

接口验证：验证IP之间的接口是否正确连接，确保数据传输的完整性和时序的准确性。

功能验证：通过仿真工具（如Vivado、Cadence等）对整个SoC进行功能验证，确保所有模块协同工作，满足设计要求。

4. 硬件设计

逻辑设计：使用硬件描述语言（HDL，如Verilog或VHDL）编写SoC的逻辑代码，包括自定义模块的设计和IP的集成。

综合与优化：使用综合工具（如Synopsys Design Compiler）将HDL代码转换为门级网表，并进行逻辑优化以满足性能和面积要求。

布局与布线：在EDA工具中进行物理设计，包括芯片布局、布线、时钟树设计等，确保信号完整性（SI）和电源完整性（PI）。

5. 软件开发与协同设计

驱动程序开发：为SoC中的硬件模块（包括IP）开发驱动程序，确保软件能够正确控制硬件。

固件与操作系统移植：将操作系统（如Linux、RTOS）移植到SoC上，开发启动代码（Bootloader）和运行时支持。

硬件与软件协同验证：通过硬件在环（HIL）仿真或FPGA原型验证，测试硬件和软件的协同工作情况。

6. 测试与验证

仿真测试：使用仿真工具对SoC进行全面的功能测试、性能测试和边界条件测试。

形式化验证：使用形式化验证工具（如Cadence Formality）检查设计的正确性，确保逻辑等价性。

流片前验证：在流片前，通过FPGA原型验证或仿真验证，尽可能发现并修复问题。

7. 流片与封装

流片：将设计提交给晶圆代工厂（如TSMC等）进行流片，选择合适的工艺节点（如7nm、5nm或者3nm）。这个过程是最烧钱的，随着半导体工艺的升级，芯片设计和流片费用都要呈指数级增长。有芯片大厂算过这么一笔账：

· 14nm工艺芯片，流片一次需要300万美元左右（折合人民币2170万）

·7nm工艺芯片，流片一次需要3000万美元（折合人民币2.17亿）

· 5nm工艺芯片，流片一次更是达到4725万美元（折合人民币3.41亿

如果搞3nm ,一次NRE费用要上亿美元了 ，也就是说如果芯片有BUG ，那个一次流片7个多亿就没了！ 7个多亿啊，据说小米的澎湃S1就流片了几次才成功的，那几次烧钱堪称也是惊心动魄啊。

雷军说目前小米玄戒研发投入已经有135亿，搞芯片确实烧钱！而且他说做 3nm这样级别的大芯片，每代投资大约10亿美元，如果能卖100万台，平摊下来，每台芯片研发成本就高达1000 美元，而小米15S Pro 售价才 5499 元人民币，现在短期内芯片项目是赔钱的。

之后是封装设计：根据应用需求选择封装类型（如BGA、QFN等），并进行封装设计和测试。

8. 后端测试与调试

芯片测试：在封装完成后，进行芯片的功能测试、性能测试和可靠性测试。

调试与优化：根据测试结果，对芯片进行调试，优化硬件和软件以解决发现的问题。

9. 产品化与量产

量产准备：完成量产所需的测试程序开发、生产流程优化等工作。

市场推广：根据SoC的特点和应用场景，进行市场推广和客户支持。

10. 持续维护与升级

软件更新：根据用户反馈和市场需求，持续更新固件和驱动程序。

硬件升级：根据技术发展和市场反馈，对SoC进行升级或改进。

所以，一款芯片最终上市需要投入大量的人力物力的，最终能做出芯片真的不容易。

此外，从上面的10个流程也可以看出，造芯需要大量的人员，所以，要衡量一个公司不是是真的造芯就看它的人员规模，世界上有名的手机芯片公司都有大量的研发人员，例如高通有5万人，联发科有1.3万人左右，紫光展锐有5000人规模，而小米已经有2500人以上的芯片团队，从规模上也是输入中国前三梯队的。

在今天的发布会上，雷军也感慨造芯之路有很多挑战，很多人会认为他是在煽情，其实确实如此，看看上面造芯的流程大家就有更深的理解了，这里也分享一下雷军秀的一些参数，他主要是跟苹果A18对比，有明显的超越，个人感觉还是不错的！

小米造芯的战略意义

小米自研芯片的战略意义在哪里？我是这么看的。

于小米而言：

1、掌握了核心技术，减少被卡脖子的风险，自研芯片使小米能够掌握核心技术，减少对外部供应商的依赖，降低因外部因素（如供应链中断、技术封锁）导致的风险。有人说那不代工了是不是完犊子了？那倒不是，如果以后台积电不给小米做3nm代工，我们国内还是实现7nm量产的，有了3nm完整的设计经验，对于7nm也是可以应对的。

2、提升创新能力：自研芯片可以根据小米的产品需求进行定制化设计，优化性能、功耗和功能，特别是在人工智能、5G通信、影像处理等关键技术领域。

3、提升产品差异化竞争力：自研芯片能够为小米的产品提供独特的性能优势和功能差异化，有助于在高端市场与苹果、三星等竞争对手抗衡。另外小米自研的不是一款芯片而是多款，由此，此次自研芯片的量产，更多是为未来跨终端生态（手机 + IoT + 汽车）打下基础，而不仅仅是单款手机的性能升级。

4、增强市场话语权：拥有自研芯片后，小米在与高通、联发科等芯片供应商谈判时将拥有更多的话语权，能够更好地控制成本和供应链稳定性。

5、 成本控制与利润提升，自研芯片有望降低小米产品的物料成本，提升利润率。据估算，自研芯片可使小米单台手机的成本降低20%-25%。减少对单一供应商的依赖，降低因供应中断或价格波动带来的风险。

6. 生态系统构建构建闭环生态：自研芯片能够与小米的操作系统（如澎湃OS）和硬件设备（如智能手机、智能家居、汽车）进行深度协同优化，实现更高效的互联互通和无缝的用户体验。小米的“人车家全生态”战略需要强大的芯片支持，自研芯片能够为智能家居、智能汽车等领域提供定制化的解决方案。

7、品牌形象与技术实力--成功推出高端自研芯片是小米技术实力的重要体现，有助于提升品牌形象，摆脱“性价比”的固化认知，向高端市场转型。

引领行业发展：小米的自研芯片项目不仅推动了自身的技术进步，也为中国半导体产业的发展提供了新的动力。

于国家而言：

1、 推动国产芯片生态：小米的自研芯片项目将进一步激活国内芯片产业链，推动EDA工具、IP核设计等环节的国产化进程，大家要知道，本土EDA、IP要发展需要芯片设计的支持和验证的。

2、推动了中国手机芯片向高级工艺冲击，在华为被美国疯狂打压之后，手机芯片向高级工艺演进变得很非常曲折，小米自研3nm芯片成功也标志本土手机芯片冲击高级工艺阶段。

3、小米的自研芯片项目符合国家推动科技自立自强的战略背景，有助于提升中国半导体产业的整体实力，也通过这个项目培养了人才，这对于我们国家未来的半导体发展都是至关重要的。

但是，我也想说，小米自研3nm芯片"玄戒O1"仅仅是一个开始，从雷军对它未来的销量预期看，目前也是有试水的感觉，要看小米造芯是否很的成功还需要长期观察，看小米是否能坚持下去？毕竟这百万级的出货也难以弥补目前烧掉的135亿。

在3月中旬的时候我与雷军在北京小米科技园进行过一次深入交流，雷军表示小米造芯有四个原则 1、取长补短，以学习为主  2、长期主义，就是要长期投入，按雷军的说法，小米已经拿出500亿现金用于造芯。3、不设大目标--就是不设立所谓的盈亏目标，前期就是造芯，从手机会延伸到汽车家用领域 服务集团业务，这个模式跟海思很像。4、高端芯片延续火种--按雷军的说法小米号称硬科技公司，造芯是需要要走的一步，同时，造芯也是延续中国高端芯片的火种。

总之，我们没必要因为小米一款自研3nm芯片就将其夸上天，也没必要将其踩到地底下，造芯成功也不能通过一颗芯片来评判，小米未来一定还有后续系列，时间会给出我们的答案，我们每个人只要做好自己的事情就行，如任正非所言：“我们14亿人每个人做好一件事，拼起来就是伟大的祖国！”

一点感想，不喜勿喷！

注：本文为原创文章，未经作者授权严禁转载或部分摘录切割使用，否则我们将保留侵权追诉的权利

作者：电子创新网张国斌

一周前，当地时间 2025 年 5 月 13 日，美国商务部正式发布文件废除拜登政府的人工智能扩散规则，同时宣布采取三项额外政策措施加强对全球半导体的出口管制，并规定在世界任何地方使用华为的昇腾芯片！

其第一项措施看似是封杀华为昇腾芯片，实则封杀中国所有算力芯片（见上截图），后来美将禁用华为昇腾芯片改为警告使用，但是其他内容并未改变，也就是说起封杀中国AI芯片这条规定依然有效，其中提到的中国3A090集成电路不是一个芯片而是一个类别！--“中国3A090集成电路”是美国在出口管制政策中使用的一个特定术语，主要涉及高性能计算芯片及相关产品。根据美国的出口管制条例（EAR），3A090是指具有领先算力和传输能力的半导体集成电路，包括图形处理单元（GPU）、张量处理单元（TPU）、神经处理器（NPU）、存储器内嵌处理器、视觉处理器、文本处理器、协处理器/加速器、自适应处理器、现场可编程逻辑器件（FPGA）和专用集成电路（ASIC）等。

这些芯片的技术指标需要同时满足：

基础计算单元算力之和大于或等于4800 TOPS（每秒万亿次运算）。

双向传输速率大于600 Gbps（每秒6000亿比特）。

在这项封杀令出台之后，我撰写了文章《中国必须反击！美国封杀的不止是华为昇腾芯片！》明确提出要对美国这项规定反击！众多网友也以留言形式表达了同样的期待。

昨天5月21日，商务部对此做出了回应，商务部表示：

中方注意到，美国商务部近日发布指南，以所谓推定违反美出口管制为由，企图在全球禁用中国先进计算芯片，包括特定的华为昇腾芯片。美方措施是典型的单边霸凌和保护主义做法，严重损害全球半导体产业链供应链稳定，剥夺其他国家发展先进计算芯片和人工智能等高科技产业的权利。

中方认为，美方滥用出口管制，对中国进行遏制打压，违反国际法和国际关系基本准则，严重损害中国企业正当权益，危害中国发展利益。

中方强调，美方措施涉嫌构成对中国企业采取的歧视性限制措施。任何组织和个人执行或协助执行美方措施，将涉嫌违反《中华人民共和国反外国制裁法》等法律法规，须承担相应法律责任。

创新发展、合作共赢是大势所趋。中方敦促美方立即纠正错误做法，遵守国际经贸规则，尊重其他国家科技发展权利。中方支持全球企业按照市场原则，深入开展科技合作，实现互利共赢，共同推动科技创新造福世界各国人民。中方密切关注美方措施执行情况，将采取坚决措施维护自身正当权益。

这项规定用法律的武器捍卫我们的权益，网友称反击得太到位了！

《中华人民共和国反外国制裁法》是中国为了维护国家主权、安全和发展利益，反对外国对中国实体和个人的“单边制裁”和“长臂管辖”行为而制定的专门性法律。该法于2021年6月10日正式公布实施。2025年3月23日，国务院又公布了《实施〈中华人民共和国反外国制裁法〉的规定》，进一步细化和完善了相关反制措施和程序。

该法适用范围就是一个是针对外国制裁行为：外国国家违反国际法和国际关系基本准则，对中国公民、组织采取歧视性限制措施，干涉中国内政，或者实施、协助、支持危害中国主权、安全、发展利益的行为。

另外就是针对外国主体：包括直接或间接参与制定、决定、实施上述制裁行为的个人、组织，以及与这些主体相关的组织和个人。

根据《反外国制裁法》和《实施〈中华人民共和国反外国制裁法〉的规定》，反制措施主要包括以下几方面：

限制入境和签证措施：不予签发签证、不准入境、注销签证或者驱逐出境。

财产冻结与查封：查封、扣押、冻结在中国境内的动产、不动产和其他各类财产，包括现金、票据、银行存款、有价证券、基金份额、股权、知识产权、应收账款等。

限制交易与合作：禁止或限制中国境内的组织、个人与被制裁对象进行交易、合作等活动，涵盖教育、科技、法律服务、环保、经贸、文化、旅游、卫生、体育等领域。

其他必要措施：包括但不限于禁止或限制从事与中国的进出口活动、在中国境内投资、向其出口相关物项、向其提供数据或个人信息，取消或限制相关人员在中国的工作许可、停留或居留资格，以及处以罚款。

该法规定国务院有关部门有权开展调查和对外磋商，反制措施的决定应当明确适用对象、具体措施和施行日期，并通过官方网站等途径发布。根据实际情况，国务院有关部门可以暂停、变更或取消反制措施。

该法通过法律手段明确对外国制裁行为的反制措施，有力地维护了国家主权、安全和发展利益。为中国公民和组织提供了法律保护，防止其因外国制裁行为而遭受不公正待遇。体现了中国在国际事务中坚持法治、维护国际法和国际关系基本准则的立场。通过法律手段对外国制裁行为进行反制，提升了中国在国际舞台上的影响力和话语权。

提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将于5月28-30日举办2025贸泽电子技术创新论坛首场活动。本期论坛将深度聚焦“边缘AI与机器学习”，云集Analog Devices, Amphenol, NXP, Silicon Labs, VICOR等业界知名厂商及产学研专家阵容，共同解构AI浪潮下企业数字化转型的创新路径和可持续发展战略，携手创造智能化未来。

贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平表示：“边缘AI与机器学习不断协同创新，帮助各行各业提升效率并迅速做出智能化决策。未来，随着算力成本下降和技术的成熟，边缘AI与机器学习的结合将构成数字经济时代的‘新基建’。本期专题活动，贸泽特别邀请到业内知名厂商和重点高校的技术专家们，从不同的角度分享边缘AI和机器学习在不同场景下的核心技术与创新方案，助力工程师们构建面向下一代智能系统的创新思维。”

随着边缘AI与机器学习的深度融合应用，多个行业正不断从理论化数字处理转向现实高效响应，构建更可控、更安全和更可持续的数字化生态。本期活动将重点探讨下一代GPU & ASIC供电、边缘低功耗AI微处理器、新一代机器人系统大模型技术、物联网边缘智能、通用微控制器AI方案、高速互联解决方案赋能边缘AI和机器学习、边缘智能系统中的可信机器学习技术等内容，展现AI应用多样性，推动AI与社会更好地连接。

想要了解2025贸泽技术创新论坛首场-边缘AI & 机器学习专题活动的更多内容，请访问：https://www.mouser.cn/edge-ai-technical-forum/ 。

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