虹扬推出『高效率车用二极管』，Press Fit 压装式设计，型号UDC50 P(N), UPC50 P(N) ，符合AEC-Q101标准，并可以满足汽机车燃油发电机整流应用需求。

➤　产品说明：

一、此产品为车规高效率二极管整流组件，封装为 Press Fit。

二、此产品主要电性 VRRM=17V / VB=20~26V / I(AV)=50A。

三、产品符合AEC-Q101标准。

四、低功耗、高可靠性、高效率、高突波正向电流。

➤　如欲了解更多产品信息，请洽+886-2-8913-1399，

https://www.hygroup.com.tw/tw-ww/news/news.aspx?MID=3。

来源：扬州虹扬科技

3月27日，合肥市纳诺半导体有限公司在SEMICON 2025期间于上海浦东嘉里酒店成功举办7nm先进制程晶圆缺陷检测产品发布会。会议举办前期通过定向邀请目标客户与半导体行业投资机构，共同见证了纳诺半导体DFI-70/80/90产品升级迭代的整个发展历程。

此次发布会上推出的两款图形晶圆暗场缺陷检测设备分别为DFI-70（性能对标PUMA 9980），适用于2Xnm工艺制程 和 DFI-80 （性能对标Voyager 1015）， 适用于1Xnm 与 7nm 及以下更先进工艺制程。目前已完成一台 DFI-70 和一台 DFI-80 整机测试，具备发货条件。DFI-70/80的成熟应用将加速DFI-90（性能对标 Voyager 1035）产品的研发进程。

在芯片大规模制造（HVM）领域中，针对先进技术节点的逻辑和内存元件，DFI产品为良率提升，设备和工艺监控解决了两项关键挑战。 DFI-70和DFI-80 系统提供了行业领先的图形晶圆缺陷检测新技术，包括采用了深紫外DUV 激光光源，三通道信号采集和高效量子传感器，以及对功率密度的独特控制，在芯片制程的诸多关键节点尤其是在显影后（ADI）对敏感精细的光刻胶进行无损检测，填补了国产设备对14nm及更先进工艺制程缺陷检测方面的空白。

与此同时，纳诺半导体带着首款产品发布视频现身SEMICON CHINA展会，展位上人头攒动，大家对最新发布的DFI系列产品充满了浓厚的兴趣。

纳诺半导体作为一家专注于研发先进制程晶圆缺陷检测设备的高科技企业，他携手旗下的全资子公司三米科思（SemiX）正在国产替代自主研发晶圆缺陷检测产品的赛道上进行全力冲刺。公司秉持“自主创新、技术突破”的理念，坚持且非常注重产品技术的自主设计与研发，目前纳诺半导体研发的DFI设备，核心零部件国产化替代率达到90%，实现了自主可控，为后续DFI产品的升级优化提供了保障。

来源：合肥市纳诺半导体有限公司

2025年4月1日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供应Molex先进的射频与EMI元器件。这些元器件设计用于改善关键任务航空航天应用的信号完整性和电磁兼容性。

航空航天应用的连接器和元器件必须符合AS9100、DO-160等标准，以确保极端环境下的安全性和可靠性。这些连接器需要具备滤波功能，这在保护通信免受电磁干扰 (EMI) 和射频干扰 (RFI) 方面至关重要。它们还需要采用坚固耐用的元器件，确保自主系统在各种恶劣环境下的可靠性。

Molex固定式射频同轴衰减器可为高性能应用提供精确、稳定的功率等级和低无源互调 (PIM)。这些衰减器采用无焊接触点设计，可承受宽广的温度范围、冲击和震动力，以及恶劣的环境条件。这些固定式射频同轴衰减器的额定功率为0.5W至100W，频率范围为DC至50GHz。其连接器提供2.92mm、N型和SMA三种类型，并且与3.50mm、K型和MIL-STD-348连接器兼容。这些衰减器非常适合飞机、卫星通信上行链路、雷达系统、无线通信等应用。

Molex EMI滤波高性能D-Sub连接器提供了可靠的解决方案，可减轻要求严苛的环境电子系统中的电磁干扰。这些产品增强了信号完整性 (SI)，符合监管标准，并采用多功能、节省空间的设计，简化实施的同时还能提高系统应用的整体性能和可靠性。集成的EMI滤波器可为PCB板省下额外的空间，其一体式压铸连接器外壳则提供接地屏蔽接口。这些连接器非常适合用于飞行和发动机控制、导航系统、无人机 (UAV)、蜂窝基站和类似应用。

Molex EMI滤波板为高性能系统提供了先进的电磁干扰 (EMI) 保护，通过协助保护关键元器件来提高可靠性和系统性能，并可优化多条线路的功能。其设计无需将分立式滤波器组装到舱壁内，有助于缩短组装时间并降低成本。这些滤波板外形紧凑，最多可容纳50条线路，比分立式滤波器更省空间。Molex EMI滤波板符合严格的行业标准，非常适合航空航天和电信行业所面对的恶劣环境。

如需进一步了解，请访问https://www.mouser.cn/new/molex/molex-aerospace-defense-solutions/。

Molex先进的航空航天解决方案在贸泽2月25日发布的“New Tech Tuesday”博客《RF and EMI Solutions Built for Performance, Precision, and Protection》（专为性能、精确度和保护而打造的射频与EMI解决方案）中得到了专题介绍。

如需了解更多贸泽新闻和新品介绍，请访问https://www.mouser.cn/newsroom/。

作为全球授权代理商，贸泽电子库存有丰富的半导体、电子元器件以及工业自动化产品。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计，贸泽网站提供了丰富的技术资源库，包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、工程工具以及其他有用的信息。

工程师还可以一键订阅免费的贸泽电子报，及时了解业界新品动态和资讯。在订阅贸泽的电子报时，我们可以根据您不断变化的具体项目需求来提供相关的新闻报道和参考信息。贸泽充分尊重用户的权利，让您能自由掌控想要接收的内容。欢迎登陆https://sub.info.mouser.com/subscriber-sc注册，及时掌握新兴技术、行业趋势及更多资讯。

关于贸泽电子 (Mouser Electronics)

贸泽电子是一家授权半导体和电子元器件代理商，专门致力于向设计工程师和采购人员提供各产品线制造商的新产品。作为一家全球代理商，我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持，提供超过1200家品牌制造商的680多万种产品。我们通过遍布全球的28个客户支持中心，为客户提供无时差的本地化贴心服务，并支持使用当地货币结算。我们从占地9.3万平方米的全球配送中心，将产品运送至全球223个国家/地区、超过65万个顾客的手中。更多信息，敬请访问：https://www.mouser.cn。

为了减缓气候变化，人类在非化石燃料和可再生能源解决方案方面取得了显著进展，交通领域的电气化进程也在加速推进。这些新兴技术大多对电源提出了更高的要求，尤其是对大功率的需求。例如，电动汽车（EV）的电池包电压已高达900 VDC以上，容量可达95kWh；快充和超充系统功率更是轻松突破240kW。氢燃料电池堆作为另一种汽车供电技术，其功率可超过500kW，电流高达1000A。

市场需求下的挑战

一方面，我们需要摆脱化石燃料，另一方面，全球能耗又在不断攀升。服务器农场就是一个能源需求更高的例子。为了有足够的可再生能源来支撑运行，服务器场正从交流配电转型为直流配电，其工作电压达360VDC，电流容量达2000A。此外，许多新兴技术直接把电压拉到1800 VDC的级别。

面对测试这些大功率产品的市场要求，EA需要开发输出功率更大、输出电压更高、以及有助于减小测试系统体积并降低能耗成本的电源。

硅晶体管电源的局限性

基于硅的MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）设计需要三个开关晶体管才能实现5kW的功率输出。由于MOSFET的降额要求为30%，单个5kW功率模块需要串联三个500VDC模块才能达到1500VDC。三个5kW功率模块组成一个15kW的电源设备。为了满足150kW的负载需求，测试系统设计人员需要十个15kW的电源，这些电源足以填满一个42U高、19英寸宽的测试机架。如果负载需求进一步增加到450kW，测试系统将需要三个这样的机架，占用18平方英尺的空间。在这种情况下，如果这些电源以最大93%的效率运行，测试系统将产生31.5kW的热量，需要有效的散热措施来处理。

而考虑到实现新型电源所要达到的目标，更是困难重重，设计团队决定采用碳化硅功率晶体管。下文介绍了碳化硅技术相比硅的替代方案的优势。

碳化硅MOSFET的效率优于硅IGBT

三相系统电源的先代产品使用硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。IGBT能够支持1200V的电压并且提供大电流。然而，IGBT的导通和开关损耗很高。相比之下，碳化硅MOSFET作为一种高功率半导体器件，其导通和开关损耗显著低于传统硅IGBT。如图1所示，当用作开关时，碳化硅MOSFET的电压降明显低于等效IGBT。碳化硅MOSFET的导通电阻（RDS(on)）在低负载条件下也低于饱和IGBT的pn结电阻，从而降低了导通损耗。此外，开关损耗的差异更为显著。硅IGBT的电容更高，且关断时间更长。图1表明，碳化硅MOSFET的开关能量损耗仅为IGBT的1/10。

图1. 碳化硅MOSFET与硅IGBT之间的开关损耗和导通损耗比较

碳化硅晶体管的开关速度优于硅晶体管

由于碳化硅MOSFET的开关时间更短，因此这些晶体管可以以更快的开关速度运行。图2显示，碳化硅MOSFET的dv/dt速率几乎是硅MOSFET的两倍，无论是开启还是关断。

图2. 硅MOSFET（上图）与碳化硅MOSFET（下图）的开启和关断速率

碳化硅晶体管的可靠性更高

从可靠性角度来看，碳化硅MOSFET的实际击穿电压高于其数据手册规格（见图3）。这一特性表明碳化硅MOSFET在面对瞬态过压时具有更强的鲁棒性。在低温条件下，碳化硅MOSFET仍能保持特定的击穿电压，而IGBT制造商则无法保证其产品在低温下的击穿电压。例如，一个额定1200V的IGBT在-30°C时无法耐受1200V的电压，必须进行降额处理。

图3. 碳化硅MOSFET的实际击穿电压与温度的关系。该图表示了来自三个不同生产批次的15个组件的测量结果。

碳化硅晶体管空间占用更少

碳化硅和硅功率半导体之间的另一个显著差异是芯片尺寸。首先，碳化硅芯片比等效功率的硅晶体管芯片更小。其次，硅晶体管需要一个反向偏置二极管，以允许在集电极和发射极之间进行双向电流流动。碳化硅晶体管的源 - 漏通道可以在两个方向上导电。此外，碳化硅晶体管的寄生体二极管是晶体管结构的一部分。因此，硅晶体管所需的额外二极管对于碳化硅晶体管来说是不需要的。

以一个1200V的晶体管为例，碳化硅晶体管芯片面积大约是硅晶体管芯片面积的1/4。因此，碳化硅组件在功率电路中的布局可以表现出更低的杂散电感。总体而言，更小的碳化硅封装使得最终产品能够实现更高的功率密度。

EA10000系列电源实现的目标

EA公司凭借先进的碳化硅（SiC）技术，成功开发出4U/30kW和6U/60kW的高性能可编程电源，其输出电压最高可达2000V。与传统基于硅晶体管的同类产品相比，这些电源在多个关键性能指标上实现了显著提升：效率提高了3%，功率密度提升了37%，240W电源系统的占地面积减少了33%，热量产生降低了42%，每瓦成本也降低了15% - 20%。

EA10000系列开关模式交流-直流转换器利用碳化硅晶体管的高开关速度，其开关频率可达60kHz，比其他制造商电源中开关频率约为30 - 40kHz的直流 - 直流转换器快30%。这一更高的开关频率不仅使磁性元件和放大器的尺寸得以显著减小，还使磁性元件的质量减少了30%，并且设计中少了一个电感元件，从而节省了宝贵的空间并进一步减少了废热的产生。

EA10000系列可编程直流电源的开发目标是：

·实现比现有可编程电源更高的效率；

·将直流输出电压提升至2000V；

·提高功率密度以减小设备体积；

·降低每瓦成本。

在设计过程中，团队深入探讨了是采用传统的基于硅（Si）晶体管技术，还是采用更新的碳化硅（SiC）功率晶体管。如果使用现有的硅半导体技术，在开关模式设计下，电源设备的能效最高可达93%，并且当采用5kW功率模块时，可实现的功率密度为9.2W/in³。

更多了解EA大功率电源测试解决方案，https://www.tek.com.cn/products/ea。

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市，致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案，解决各种问题，释放洞察力，推动创新能力。70多年来，泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅，敬请登录：tek.com.cn