作者：电子创新网张国斌

高性能计算和人工智能正在形成推动半导体行业飞速发展的双翼。面对摩尔定律趋近极限的挑战，3DIC Chiplet先进封装异构集成系统越来越成为产业界瞩目的焦点。这种创新的系统不仅在Chiplet的设计、封装、制造、应用等方面带来了许多突破，同时也催生了全新的Chiplet EDA平台，共同为创造下一代数字智能系统赋能。

10月25日，2023芯和半导体用户大会在上海召开，超过600人涌进会场，站无虚席，聆听嘉宾精彩分享。

本次大会以“极速智能，创见未来”为主题，以“系统设计分析”为主线，以“芯和Chiplet EDA设计分析全流程EDA平台”为旗舰，以“EDA²，上海市集成电路行业协会和上海集成电路技术与产业促进中心”为指导单位，包含主旨演讲和技术分论坛两部分，主题涵盖芯片半导体与高科技系统领域的众多前沿技术、成功应用与生态合作方面的最新成果。

主旨演讲部分，由中国集成电路协会副理事长于燮康作开幕致辞。芯和半导体的几位重量级用户和生态合作伙伴大咖纷纷上台，从汽车电子、5G通讯、数据中心等方面发表演讲，芯擎科技的创始人、董事兼CEO 汪凯博士的演讲主题是《高算力车规芯片推动域控融合新趋势》，紫光展锐封装设计工程部部长姚力的演讲主题是《设计仿真合作共赢》，中兴微高速互连总工程师吴枫的演讲主题是《算力时代的Chiplet技术和生态发展展望》，清华大学集成电路学院副院长尹首一教授的演讲主题是《大算力芯片发展路径探索》。

“数据爆炸增长激发了对算力的持续需求，随着摩尔定律放缓，处理器架构正从单芯片系统发展到多芯片系统，目前多芯片系统正在快速发展，chiplet技术受到追捧，从基于chiplet的芯片案例来看，异构集成成为主流。他认为chiplet的核心要素就是IP、EDA和封装。”芯和半导体创始人、CEO凌峰博士在致辞中表示：“大算力时代正在深刻改变我们半导体产业链的方方面面，带来各种新的创新和应用。芯和的Chiplet EDA设计平台，在过去几年已被多家全球领先的芯片设计公司采用来设计他们下一代面向数据中心、汽车和AR/VR市场的高性能计算芯片。我们将继续与用户和生态圈合作伙伴紧密合作，解决Chiplet和高速高频系统带来的挑战。”

芯擎科技CEO汪凯博士分享了汽车智能座舱芯片以及未来智驾芯片发展趋势。

紫光展锐在chiplet技术上的布局以及一些和芯和的合作案例。

中兴微电子认为chiplet要从产品族来看才能体现出优势，chiplet目前还有三个局限性，一个是能不能取代先进制程，二是互联标准取代完善，三是成本优势有条件--不能只看硅成本要从系统角度看，从未来趋势看3D IC是趋势，2D会有一些信号存在延迟。chiplet需要生态助力，他认为chiplet三大关键技术是：一是封装设技术，二是die to die高速接口，三是系统级协同设计。它是基座技术，最终产品竞争力要靠设计，差异化是系统级协同设计。chiplet的生态和标准需要开放的生态和业界各方协作。

清华大学集成电路学院副院长尹首一教授的演讲主题是《大算力芯片发展路径探索》，他在演讲中分析了美国政府最新对中国人工智能出口限制规则，指出本次限制提出了性能密度的概念，基本堵死了购买渠道。

他指出算力是数字经济的核心竞争力，呈现爆炸性增长，而国家计算力指数和GDP是正相关的，计算力指数每提高一点，国家的数字经济和GDP分别提升3.5%和1.8%！

他指出要提升芯片算力，要通过这三个途径来实现，分别是晶体管密度、芯片面积和算力/晶体管（计算架构）。

他指出由于美国对中国人工智能芯片的工艺封锁，所以晶体管密度这条路也被堵死。

而高算力GPU单芯片已达到面积极限所以芯片面积这条路也基本走不通。

剩下的就是走芯片架构创新这条路，他举出了几个创新的思路，例如三维集成、数据流芯片、晶圆级芯片、存算一体芯片等等。

最后他指出架构创新+先进集成可以突破芯片算力瓶颈！

在大会主旨演讲的最后，芯和半导体进行了盛大的2023EDA发布。通过研发开拓创新与客户应用支持的内外联动，芯和不断夯实三大硬核科技：差异化的仿真引擎技术、AI智能网格剖分融合技术、HPC高性能分布式计算技术；形成了从芯片、Chiplet、封装到PCB的半导体设计分析全流程EDA平台；发布了20多款EDA工具横跨12大应用解决方案，服务智能终端、通信基站、数据中心、物联网、汽车电子、新能源、工业装备7大终端行业。其中，2023年的两款旗舰产品——3DIC Chiplet 全流程设计平台和封装与PCB一站式设计平台更是屡获殊荣。

本届大会共安排了两个分论坛，其中高速高频分论坛中，芯和半导体携积海半导体、燧原科技、中兴通讯、中航光电等用户专家分享了众多高速数字设计和射频微波设计的最新应用；而在AI-HPC-Chiplet分论坛，来自CUMEC、芯耀辉、奕成科技、瀚博半导体和奇异摩尔的专家演示了Chiplet技术在设计、分析、工艺等在人工智能、高性能计算方面的各种进展和案例。

被称为半导体芯片之母的EDA的成功有赖于生态圈伙伴的鼎立合作，本届大会的芯和EDA生态伙伴展示区中云集了来自EDA、IP、晶圆制造、封装、测试行业的佼佼者，包括概伦电子、思尔芯、芯耀辉、芯动科技、Tower半导体、通富微电、锐杰微和罗德与施瓦茨等，他们与芯和半导体一起，共同展示了最新的产品和应用，助力用户的产品成功。

这是一个展现中国EDA创新实力的舞台，这是一个预见下一代中国数字智能系统的舞台。通过这个专业的技术交流平台，设计师与来自芯片设计、制造、封装等企业的专家和工程师分享设计理念和成功经验，畅享行业智慧，拥抱国内集成电路发展的新机遇。

关于芯和半导体

芯和半导体是一家从事电子设计自动化（EDA）软件工具研发的高新技术企业，以仿真驱动设计，提供覆盖IC、封装到系统的具备完全自主知识产权的全产业链 EDA 解决方案，支持先进工艺与先进封装，致力于赋能和加速新一代高速高频智能电子产品的设计，已在5G、智能手机、物联网、人工智能和数据中心等领域得到广泛应用。

芯和半导体创建于2010年，运营及研发总部位于上海张江，在苏州、武汉、西安设有研发分中心，在美国硅谷、北京、深圳、成都、西安设有销售和技术支持部门。如欲了解更多详情，敬请访问www.xpeedic.com。

• 完成与高通最新移动处理器的兼容性验证，正式开始向客户提供产品

• "将通过加强与高通的合作，实现智能手机发展为AI时代的核心应用。"

SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）25日宣布， 公司开始推进"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近获得了将LPDDR5T DRAM适用于美国高通技术公司（Qualcomm Technologies，以下简称高通）最新第三代骁龙8移动平台（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的业内首次认证。

SK hynix LPDDR5T

*LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新规格为第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业内首次开发的产品，是第八代LPDDR6正式问世之前，将第七代LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。

自今年1月开发出LPDDR5T DRAM以来，SK海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。

SK海力士强调："公司的LPDDR5T DRAM成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动AP（Application Processor）供应商的性能验证，今后移动设备中LPDDR5T DRAM的布局将迅速扩大。"

公司计划向客户提供以LPDDR5T DRAM单品芯片结合而成的16GB（千兆）容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77GB，其相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级电影。

另外，LPDDR5T DRAM可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压标准范围1.01~1.12V（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。

SK海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM问世前，LPDDR5T DRAM在移动DRAM市场上占据很大比重。

*HKMG：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺。

高通技术公司产品管理高级副总裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代骁龙8产品可以低功耗下无延迟驱动生成型AI为基础的大语言模型（LLM）和大视觉模型（LVM）。骁龙移动平台和SK海力士的最高速移动DRAM相结合，智能手机用户将能够体验惊人的AI功能。"

SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功满足了全球客户对超高性能移动DRAM需求，对此感到很高兴。"

柳副社长还补充道："预计今后智能手机将成长为驱动AI技术的核心应用。为此，需要通过移动DRAM持续提高智能手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。"

Snapdragon is a trademark or registered trademark of Qualcomm Incorporated.
Snapdragon is a product of Qualcomm Technologies, Inc. and/or its subsidiaries.

关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

SK hynix LPDDR5T

稿源：美通社

作者：Tom Au-Yeung，产品应用工程师

摘要

本文将探讨适合乙醇和一氧化碳(CO)等电化学气体传感器应用的运算放大器。还将讨论此类应用所需的放大器性能，帮助便携式设备以更低功耗准确测量乙醇和CO，并获得更理想的结果。

简介

电化学气体检测元件需要恒定的偏置才能正常准确地运行，这可能会消耗大量功率。当器件处于空闲或休眠模式时，正常的电源管理系统往往会试图让这些器件都保持关断状态。然而，电化学传感器需要数十分钟甚至几个小时才能稳定下来。因此，检测元件及其偏置电路必须处于“始终接通”状态。此外，对于使用单节AA电池的消费电子应用，所需的偏置电压通常非常低。

MAX40108是一款低功耗、高精度运算放大器（运放），工作电源电压低至0.9 V，专为仪器仪表类应用而设计。此外，该器件具有轨到轨输入和输出特性，典型电源电流消耗仅25.5 µA，并且随着时间和温度变化，其典型零漂移输入失调电压为1 µV。因此，非常适合各种低功耗应用，例如乙醇和CO气体传感器等消费电子产品。

概述

图1显示了乙醇或CO等电化学传感器的框图。系统中采用了低压运算放大器，后者直接由1.5 V AA/AAA电池供电，为电化学传感器提供偏置电流，而系统的其余部分则处于休眠模式，以节省功耗。第一个运放U1为电化学传感器的参比电极供电。第二个运放U2配置为跨导放大器，将传感器的电流输出转换为电压输出，经放大后由微控制器进行数字化处理。电压信号通过MAX44260（即U3）放大，它是一款1.8 V、15 MHz、低失调、低功耗、轨到轨输入/输出(I/O)运算放大器。ES代表电化学传感器。

图1.使用MAX40108的电化学传感器的框图

点击此处可在线获取该电化学传感器的原理图。

乙醇传感器评估

在乙醇传感器评估中，使用的传感器是图2所示的SPEC 3SP_Ethanol_1000封装110-202。

图2.乙醇传感器SPEC 3SP_Ethanol_1000封装110-202

此SPEC乙醇传感器产生与捕获的气体量成比例的电流。它是一个三电极器件：WE、RE和CE。

WE：工作电极。WE偏置电压为0.7 V，用于检测气体蒸气。

RE：参比电极。此RE在电解质中提供0.6 V偏置电压的稳定电化学电位，不接触气体蒸气。CE：对电极(CE)。当存在气体时，CE导电。导电水平与气体浓度成正比，这样系统就可以对气体浓度进行电测量。

在该气体传感器评估中，气体颗粒需要与SPEC传感器物理接触。换句话说，乙醇传感器基本上只测量传感器本身所在位置存在的气体。因此，为了准确有效地检测乙醇和CO等气体，应将传感器放置在预计气体浓度会扩散到的位置。在此实验中，将棉签浸入乙醇溶液中，并将其放在SPEC传感器的正前方。

图3显示捕获到乙醇蒸气，如蓝色曲线所示。绿色曲线是包括微控制器在内整个系统的电流消耗，典型值为90 mA。然而，当V_DD = 0.9 V、T_A = 25°C时，MAX40108本身的电流消耗仅为25.5 µA，如图4所示。

当处于空闲模式时，微控制器每10秒唤醒一次，进行乙醇蒸气监测。当存在蒸气时，微控制器开始测量蒸气浓度，如蓝色曲线所示。红线显示AA电池电压约为1.5 V，黄线为CE电压。

为了观察乙醇传感器对蒸气浓度的响应度，将棉签移至离传感器更远的位置。捕获的结果如图5所示。正如预期的那样，蒸气浓度的幅度（蓝色曲线）相应地减小了。

图3.乙醇传感器的性能

图4.在各种电源电压下和工作温度范围内的电流消耗

图5.蒸气远离SPEC传感器时乙醇传感器的性能

CO传感器评估

与乙醇不同，CO是一种潜在有毒气体，汽油甚至无害蜡烛燃烧不完全时都会产生一氧化碳。因此，当进行CO气体实验时，采取适当的通风措施以确保健康和安全非常重要。在CO传感器评估中，我们使用蜡烛在遮住的广口瓶中产生CO气体，并使用相同的传感器SPEC 3SP_Ethanol_1000封装110-202来捕获CO气体浓度。

图6显示捕获到CO气体，如蓝色曲线所示。绿色曲线是包括微控制器在内整个系统的电流消耗，典型值为90 mA。

与乙醇评估一样，当处于空闲模式时，微控制器每10秒唤醒一次，进行CO气体监测。当检测到该气体时，微控制器开始测量其浓度，如蓝色曲线所示。红线显示AA电池电压约为1.5 V，黄线为CE电压。

图6.MAX40108 CO传感器的性能

结论

为使消费电子和工业应用能够准确测量乙醇和CO气体，需要一种工作电源电压低至0.9 V的低功耗、高精度运算放大器。MAX40108器件专为有效捕获和测量乙醇和CO等常见气体而设计，电流消耗低至25.5 µA，尺寸仅为1.22 mm × 0.92 mm，采用8引脚WLP封装。该放大器具有关断模式，可进一步节省功耗，对于可穿戴设备、便携式医疗系统和工业物联网(IIoT)（例如压力、流量、液位、温度和接近测量），这一特性优势至关重要。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司，致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁，以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案，推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展，应对气候变化挑战，并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2022财年收入超过120亿美元，全球员工2.4万余人。携手全球12.5万家客户，ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息，请访问www.analog.com/cn。

关于作者

Tom已在Maxim（现为ADI公司的一部分）工作了20多年。他在射频/无线和模拟技术方面，例如混频器、放大器、功率放大器、压控振荡器、ADC和DAC等，拥有丰富的经验。

他拥有加州州立理工大学（美国加利福尼亚州圣路易斯奥比斯波）的电气工程学士学位和圣克拉拉大学（美国加利福尼亚州圣克拉拉）的电气工程硕士学位。

作者：Gartner研究副总裁陈勇

多年来，人才和技能的缺乏一直被中国的首席信息官（CIO）视为提高数字业务发展速度的最大障碍之一。中国的CIO一直尝试用传统的方式来解决人才缺口的问题。然而，Gartner最近与许多CIO和其他高管的谈话表明，尽管做出了诸多努力，人才缺口依然存在。

企业CIO解决人才缺口的传统方法通常包括培训内部IT人员，雇用外部技术人才，以及与传统IT供应商（例如IT服务提供商或咨询公司）合作利用他们的人才资源。而发展业务技术人员，和利用非传统的外部人才资源是CIO需要考虑的两种非传统方式。

图1：解决人才缺口的方法

CIO必须牢记，非传统人才是对传统人才的补充，传统的解决方法仍需继续使用。CIO应挖掘对公司及其文化有全面了解的IT员工，提升他们的技能，因为这将提供最大的回报。数字公司的裁员为CIO雇佣外部人才提供了更多的机会。

以下是CIO应考虑的两种非传统方式。

发展业务技术人员

业务技术人员是IT部门之外具有技术能力的员工。他们最重要的优势是比专职的IT人员拥有更多的业务知识。业务技术人员可分为两种类型：业务领导型IT人员和公民技术人员。

业务领导型IT人员指的是主要工作为技术工作但汇报线不属于IT部门的人员。18%的业务技术人员属于这个类型。公民技术人员也称为公民开发人员，公民技术人员的主要工作是业务工作，但他们本身具有一定技术能力，并会使用这些技术开发一些工具或解决方案，帮助其完成工作。超过80%的业务技术人员是公民技术人员。无代码/低代码技术的出现加速了公民技术人员的崛起。

业务技术人员可以解决人才缺口，但大多数企业目前尚未建立适当的流程。CIO应确保人力资源和业务领导者了解业务技术人员的优势，并与他们一起：

• 在整个企业内部发现业务技术人员并评估其能力

• 是业务技术人员的技能与数字业务需求保持一致

• 帮助业务技术人员提升其职责所需的数字技能

利用非传统的外部人才资源

几十年来，CIO一直在利用传统IT供应商（如咨询公司或服务提供商）的人才资源。而现在，他们已经开始寻求使用非传统的外部人才资源。

中国的CIO可能会更倾向于与以下非传统的外部人才合作，如：数字颠覆者、学术人员、客户、初创公司、学生、政府机构、非政府组织（如行业协会）等。非传统人才资源也构成了未来的招聘渠道，提升了人才的多元、平等与包容水平。

CIO应了解企业机构内部的人才需求，并明确最合适的人才资源渠道。然后，就可以利用这些资源来解决人才缺口，加速数字业务发展。

关于Gartner

Gartner（纽约证券交易所代码：IT）为企业机构提供可行动的客观洞察，推动企业在最关键的优先事项上作出明智决策，实现卓越业绩。欲了解更多信息，请访问http://www.gartner.com/cn。