All Node List by Editor

全球权威行业咨询公司GlobalData近日发布2024年《波分竞争力评估报告》，华为旗舰光传送产品OptiX OSN 9800系列凭借其领先的技术架构、超大容量、智能运维能力及成熟的全球商用实践，再次以最高评分蝉联骨干波分和城域波分领域“领导者”称号。

华为OptiX OSN 9800系列通过多项技术突破，实现了从传输性能到网络管理的全方位领先：

1. 超高速率与超大容量

• 支持单波长400Gbps~1.2Tbps可编程速率，支持向更高速率2Tbps演进，采用PBC非线性补偿算法及新材料技术，传输距离提升20%以上。400G解决方案已在全球100多个国家的200多张网络中规模部署，推动400G+网络商用加速。

• 单纤容量达96Tbps，通过Super C+L超宽频谱技术满足未来十年容量需求，同时支持单框“P”级别光交换容量，为数据中心互联提供高效支撑。

2. 绿色节能与高效能

• OSN 9800 K36是业界首款面向AI时代的OTN平台，采用双3D正交架构和智能散热技术，单槽位交换容量提升1倍，每Gbit功耗降低65%，并通过前进风后出风设计优化机房能效，助力运营商构建绿色数据中心。

• OSN 9800 P32/P32C全光交叉产品相比传统方案节省90%空间和60%能耗，实现业界最佳能效比。

3. 超高可靠与自动化运维

• 华为NCE-T数字地图解决方案，提供波长扩容规划自动化功能，将网络扩容周期从月级降低到天级；同时，提供可靠性隐患主动保障、故障精准诊断等功能，结合ASON建立预防-恢复-修复的E2E可靠性体系，网络可用率提升至99.999%，运维成本显著降低。

OptiX OSN 9800系列已广泛应用于全球运营商网络，适用于算间高速互联、家庭宽带、移动承载、企业和政府专线等综合传输场景等场景。其灵活的光电融合架构支持OTN/SDH/分组/OSU统一交换，并集成全光交叉功能，为运营商提供超宽、弹性、智能的传输解决方案。

GlobalData报告指出，华为在线路端口、交换容量、传输能力、网络管理等维度领先竞争对手。GlobalData研究总监Emir Halilovic特别强调，OSN 9800系列产品“在超大容量和智能特性上定义了行业新标杆”。

来源：华为

从AI服务器到AI PC，如何快速的用上DeepSeek成为热门问题。无论DeepSeek Janus-Pro把多模态提升到了一个新层次，还是媲美主流的DeepSeek-V3，或者应用于本地的DeepSeek-V3，对存储都提出了新的需求。以完整未蒸馏的DeepSeek R1模型为例，这是一个拥有6710亿参数的混合专家（MoE）模型，未量化版本的文件体积高达720GB，而动态量化版本也达到150GB到400GB之间。

DeepSeek让GPU算力一下子得到了空前的释放，允许厂商将更多的资源集中到其它关键硬件中，比如更强大的并行能力，以及更优秀的存储方案。很显然，常规的存储方案已经不能很好的解决效率和存储的问题，在企业级和数据中心级SSD为AI提供存储支持时，以QLC和CXL为例的新技术也正在协助AI以更低成本和更高的效率运行。

QLC与CXL：为AI铺路

由于DeepSeek不仅降低了计算成本，多模态处理能力、说是知识图谱和推理能力的优秀表现，使得厂商拥有足够的资源调用更多的数据。这使得原本大量的冷数据变成了温数据。温数据对存储有着更高的要求，需要相对HDD更快的传输速率，并且存储数据可能每年以EB级增长。这导致SSD的需求往大容量和低成本的方向发展。

其中QLC能够更好的在单位空间内提升存储容量，第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，为业界提供领先的4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。

这意味着，未来采用第八代BiCS FLASH QLC的存储产品在存储空间拥有质的飞跃，可以轻松将企业级SSD和数据中心级SSD容量提升至120TB以上。

密集的DeepSeek计算也意味着对内存有着海量的要求，但动辄数百GB的训练模型全部存储在内存中也意味着高昂的成本，如何利用BiCS FLASH™降低成本也是未来的思考方向。例如利用相变存储原理，基于BiCS FLASH™结构打造的XL-FLASH存储级内存（Storage Class Memory, SCM）与CXL相结合，开发相较内存功耗更低、位密度更高，相较闪存读取速度更快的存储器。这不仅会提高存储器利用效率，还有助于节能。

CXL技术本身通常也意味着更先进的PCIe版本支持，铠侠则是积极响应PCIe升级的存储制造商之一。例如，铠侠率先推出支持PCIe^® 5.0的企业级固态硬盘CM7系列。PCIe^® 5.0 SSD与传统存储设备（如PCIe^® 4.0 SSD）的对比测试，结果显示， CM7系列SSD在多个GPU并行访问时，能够提供91%的I/O吞吐量提升，此外，它的读取延迟比传统SSD低57%。同时，PCIe^® 5.0 SSD能机器学习训练时间能够得到显著减少。以16个GPU并行处理为例，使用PCIe^® 5.0 SSD可以减少32到44天的训练时间。

特别是在PCIe^® 5.0与NVMe™规范下实现可靠的RAID兼容性和互操作性能。特别是生成式AI与检索增强生成 (RAG) 系统的重要性更胜以往，关系数据库PostgreSQL和向量数据库需求变得格外重要。例如通过Xinnor的RAID 解决方案的兼容性和互操作性测试，与采用相同硬件配置的软件 RAID 解决方案相比，在数据降级模式下执行PostgreSQL，效能更提升达25倍。

抢先布局

任何前沿技术不可能一蹴而就，AI技术的积累更是如此。流畅体验的AI服务对数据传输速度有着很高的要求。在多年前，铠侠已经开始对AI展开布局，并致力于为人工智能的发展提供高性能的存储解决方案。

为了推动检索增强生成（RAG）扩展获得更好的性能支持，并进一步降低成本。铠侠在近期宣布开源AiSAQ™技术，这是一项专为SSD优化的新型“近似最近邻”搜索（ANNS）算法，跳过将索引数据载入内存（DRAM）的步骤，直接在SSD上执行检索操作，帮助企业/应用针对特定数据优化，从而实现帮助大语言模型（LLM）训练节省成本。

利用高性能存储特性，铠侠在AI前沿进行了诸多尝试。包括通过Memory-Centric AI技术解决企业级SSD中图像分类任务中灾难性丢失问题，在神经网络不通过调整的前提下，在深度学习中快速获得图像特征辨别和标签添加。并在数年前与NVIDIA展开深度合作，从加速StyleGAN、NeRF等算法，到协助NVIDIA搭建Omniverse平台，包括搭建最新的物理AI开发平台NVIDIA Cosmos，为LLM训练整理自定义数据集的NVIDIA NeMo Curator。

针对前瞻性存储，铠侠在近期还正式发布了全新XD8系列PCIe^® 5.0 EDSFF（企业和数据中心标准型）E1.S固态硬盘。它是铠侠第三代E1.S固态硬盘，符合PCIe^® 5.0（32 GT/s x 4）和NVMe™ 2.0规范，并支持开放计算项目（OCP）数据中心NVMe SSD v2.5规范。

铠侠XD8系列专为云和超大规模环境设计，满足数据中心对高性能、高效率和高可扩展性的日益增长的需求。通过这款新的固态硬盘，云服务提供商和超大规模企业能够优化基础设施，在保持运营效率的同时提供卓越的性能。

让AI移动起来

DeepSeek另一个实现领域则是在移动平台。即便是春节假期，多个版本针对AI PC本地化AI部署的DeepSeek R1已经成型，例如蒸馏版本的7B和14B参数模型在笔记本和消费级台式机电脑上，可利用NPU和GPU实现离线运作，进一步确保了私有信息的安全。

对于AI PC而言，除了提供独立GPU或者NPU进行AI加速，大容量NVMe SSD也同等重要，另外还要考虑到有限的AI PC内部空间，固态硬盘需要同时兼顾性能与散热。以铠侠BG6系列为例，铠侠 BG6 系列在AI PC上能够展现卓越的性能和灵活性。采用 PCIe^® 4.0 和 NVMe 1.4c 规范，搭载高达2,048GB存储空间。顺序读取速度最高可达 6,000 MB/s，随机读取速度更是高达 900,000 IOPS。这使得BG6系列成为紧凑型固态硬盘中的佼佼者，为用户提供了更快速、更高效的数据处理体验。

另外BG6 系列提供了多种容量选择，包括 256GB、512GB、1,024GB 和 2,048GB，适用于不同用户需求。其采用 M.2 Type 2230 和 Type 2280 模组封装，可灵活应用于各类薄型设备，如超薄笔记本电脑、嵌入式设备。也给不同形态的AI PC部署本地AI提供了丰富的解决方案。

从数据中心、服务器，到个人计算机，铠侠为AI计算提供了丰富、高效的存储方案，并与合作伙伴展开深度合作，从软件和硬件层面入手，利用高性能固态硬盘的特性，为AI计算提供可靠的存储后盾，共同探索更多AI的可能性，充分利用AI与数据，创造更多价值。

在物联网、智能穿戴、汽车电子等新兴产业快速发展的背景下，市场对高性能、长寿命电池的需求日益旺盛。面对这一市场需求，闻泰科技半导体业务推出了智能电池寿命增强器IC，不仅解决了微型设备在电池续航和性能稳定性上的关键问题，更推动了整个半导体行业的可持续发展和技术进步，彰显公司深厚的技术积累与创新精神。

微型设备，以其小巧的体积、高度集成的功能以及便捷的携带性，在通信、汽车、医疗、工业控制、消费电子等众多领域发挥着不可替代的作用。然而，对于微型设备而言，电池寿命和性能稳定性始终是制约其发展的关键因素。

传统的一次性纽扣锂电池在提供高脉冲电流时，往往会出现电压快速下降的情况，这不仅影响了设备的正常运行，还会缩短电池的整体寿命。针对这一痛点，闻泰科技半导体业务推出了专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设计的智能电池寿命增强器——NMB7100、NBM5100和通过AEC-Q100认证的系列。

1. 延长微型设备的续航时间，降低电池更换成本

   通过先进的电路设计和优化算法，闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC确保电池在高脉冲电流需求下仍能保持稳定的输出电压。与未使用电池增强器的典型纽扣电池相比，使用该增强器不仅可以将该类电池寿命延长10倍，还可以将电池的峰值输出电流能力提高至25倍，从而延长微型设备的续航时间，同时降低与电池更换相关的维护成本。

2. 广泛应用于不同领域，推动相关产业的创新发展

   凭借出色的电池管理能力和广泛的应用兼容性，闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC正在成为各类微型设备不可或缺的核心组件。从智能穿戴设备到医疗设备，从汽车电子到物联网传感器，这些增强器都能提供稳定、高效的电池支持，使其在复杂多变的环境中保持最佳运行状态，从而提升微型设备的整体性能和用户体验，更为相关产业的创新发展注入了新的活力。

3. 增加环境效益，促进绿色可持续发展

   通过有效延长电池的使用寿命，闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC显著减少了废旧电池的产生和处理压力，降低了对环境的潜在污染。同时，它们还促进了资源的循环利用，降低了能源消耗，为实现脱碳的可持续发展目标作出了重要贡献。

闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC不仅代表了公司半导体技术在电池管理领域的重大创新，更展现了公司在推动绿色、可持续发展方面的积极贡献。

闻泰科技始终注重研发创新，持续加大研发投入。2024年上半年，公司半导体业务研发投入达到8.74亿元。公司在对现有产品进行迭代升级推出新产品的基础上，持续开发高功率分立器件（IGBT 、SiC 和 GaN）和模块、模拟 IC组合、功率管理 IC 和信号调节 IC 等产品领域，持续推出多个新产品。未来伴随更多高 ASP 产品投入市场，公司产品 ASP 将实现几倍甚至十几倍的提升，从而进入下一个更大的增长周期中。

立足当下，闻泰科技将继续秉承科技创新的理念，不断探索新技术、新领域，同时积极履行社会责任，推动绿色生产。展望未来，闻泰科技有望在科技创新和可持续发展的道路上越走越远，为投资者创造更加长远且可持续的内在价值。

来源：闻泰科技

随着清洁能源需求增长，太阳能的潜力日益受到关注，太阳能电池通过吸收光子释放电子，将阳光直接转化为电能。电气测试广泛用于研发和生产中，以表征其性能，包括直流/脉冲电压测量、交流电压测试等，分析关键参数如输出电流、转换效率和最大功率输出，常结合不同光强和温度条件进行。

4200A-SCS参数分析仪可简化这些电气测量过程，集成直流和快速I-V、C-V测量功能，具备控制软件、图形绘制和数学分析能力。它适用于多种测量，包括直流/脉冲I-V、C-V、C-f、驱动级电容分析(DLCP)、四探针电阻率和霍尔电压测量。本应用说明描述了如何使用4200A-SCS对光伏电池进行这些电测量。为了简化光伏材料和电池的测试，4200A-SCS配有对应的测试和一个可以轻松地进行多项常用相关测量的项目，包括I-V、电容和电阻率测量，还包括提取最大功率、短路电流、缺陷密度等公共参数的公式。

直流电流/电压（I-V）测量

太阳能电池的多项参数可通过电流-电压 (I-V) 测量获得。使用4200A-SCS的源测量单元 (SMU) 便可完成此任务，它既可作为电压源，又可测量电流。4200A-SCS的SMU具有四象限工作能力，能够以施加电压的函数吸收电池电流，并提供四种型号：4200-SMU/4201-SMU（最大100mA）和4210-SMU/4211-SMU（最大1A）。若电池电流超出以上范围，可通过减小电池面积或使用吉时利SourceMeter®仪器获得更高电流支持。

从I-V测量得到的参数

太阳能电池的等效电路模型包括光感应电流源 (I_L)、二极管、串联电阻 (rs) 和分流电阻 (r_sh)，其中串联电阻影响短路电流和输出功率，理想值为0Ω，而分流电阻反映漏流损耗，理想值为∞。当光照射在太阳能电池上并连接负载电阻时，总电流为 I=l_s(e^qV/kT−1)−I_L。表征电池效率的关键参数包括最大功率点 (Pmax)、能量转换效率 (η) 和填充因子 (FF)，最大功率点对应电池I-V曲线的“拐点”，此处输出功率达到最大。

连接到太阳能电池进行I-V测量

图1显示了使用4200A-SCS连接太阳能电池进行I-V测量的配置。太阳能电池通过四线连接测试，其中一对引线 (Force) 提供电压，另一对引线 (Sense) 测量压降。这种配置可消除引线电阻的影响，确保测量的准确性，同时Sense端引线能补偿电压偏差，确保电池电压与设定值一致。

图1. 4200A-SCS连接到太阳能电池进行I-V测量

正向偏置I-V测量

太阳能电池的正向偏置I-V测量在受控光照下进行，通过“fwd-ivsweep”测试由4200A-SCS的SMU完成，电压从0扫至开路电压 (V_oc)。短路电流 (I_sc) 和开路电压 (V_oc) 可直接从扫描数据中提取，其他参数如转换效率 (η) 和电流密度 (J) 可通过公式器计算。I-V扫描结果可生成半对数图或倒置图形，以支持不同分析需求。

串联电阻 (rs) 可通过不同光强下的正向I-V曲线确定，方法为连接线性区域点并测量其斜率的倒数。4200A-SCS的SMU具有极低的电压负荷，仅几百μV，与传统数字万用表相比，更适合太阳能电池的低电压测量，减少测试误差。

反向偏置I-V测量

从反向偏置I-V数据可以推导出太阳能电池的漏电流和分流电阻 (r_sh)。测试通常在暗室中进行，通过逐步增加电压至击穿电平并测量电流绘制曲线。SMU的前置放大器支持pA级甚至更小的精确测量，使用低噪声电缆和屏蔽盒可进一步减少干扰，屏蔽连接至4200A-SCS的Force LO端子。

分流电阻 (r_sh) 可通过反向偏置I-V曲线的线性区域斜率计算（如图2所示）。Solar Cell Reverse I-V Sweep (“rev-ivsweep”) 测试可生成实际的反向偏置特性曲线，半对数图显示了电流绝对值与反向偏置电压的关系（如图3所示），用于更直观的分析。

图2. 太阳能电池典型的反向偏置特性

图3. 用SMU测量硅太阳能电池的反向偏置 I-V

电容的测量

C-V测量在推导太阳能装置的特定参数时是非常有用的。根据太阳能电池的类型，电容-电压 (C-V) 测量可用于推导掺杂浓度和结的内置电压等参数。电容 - 频率(C-f) 扫描可用于提供耗尽区是否存在陷阱（空穴/阱 电 容）。4200A-SCS的可选4210-CVU或4215-CVU作为电容计，测量电容的相关函数：施加的直流电压 (C-V)，频率 (C-f)，时间 (C-t)，或施加AC电压。CVU还可以测量电导和阻抗。

为了进行电容测量，如图4所示，将太阳能电池连接到CVU上。与使用SMU进行的I-V测量一样，电容测量也涉及四线连接以补偿引线电阻。HPOT/HCUR端子连接到阳极，LPOT/LCUR端子连接到阴极。将CVU的直流高压源端连接到阳极。

图4. 将太阳能电池连接到CVU电容计

图4显示了来自电容计四个端子的四根同轴电缆的屏蔽连接。来自同轴电缆的屏蔽必须尽可能靠近太阳能电池连接在一起，以获得最高的精度，因为这减少了测量电路中电感的影响。这对于在更高的测试频率下进行电容测量尤其重要。

考虑到电池的电容与器件的面积直接相关，在可行的情况下，可能需要减小电池本身的面积，以避免电容可能过高而无法测量。此外，将CVU设置为在较低的测试频率和/或较低的AC驱动电压下测量电容，将允许测量较高的电容。

C-V扫描

C-V测量可在正向或反向偏置下进行，但正向偏置时需限制直流电压，以避免过高电导导致测量失败，且直流电流不得超过10mA，否则仪器可能进入钳位状态。反向偏置条件下，通过Solar Cell C-V Sweep测试生成的C-V曲线如图5所示。

图5. 硅太阳能电池的C-V扫描

为了进一步分析，可绘制1/C²与电压的关系曲线（如图6所示）。内置电压可通过1/C²曲线与横轴的交点推导，掺杂密度则作为电压的函数显示在Analyze窗口中。用户可使用公式器输入电池面积以计算这些参数，或通过线性拟合选项直接获取内置电压值。

图6. 1/C2 vs. 硅太阳能电池的电压

C-f扫描

CVU选项还可以测量电容、电导或阻抗与测试频率的函数。频率范围从1kHz到10MHz。图7中的曲线是使用Solar Cell C-f sweep或“cfsweep”测试生成的。扫描频率的范围和偏置电压都可以调节。所需的参数，如陷阱密度，可以从电容与频率的数据中提取。测量可以在不同温度下重复进行。

图7. Solar Cell的C-f扫描

驱动级电容分析 (DLCP)

驱动级电容分析 (DLCP) 是一种技术，用于确定陷阱密度 (NDL) 随光伏电池结深的变化。在DLCP测量中，AC电压的峰峰值进行扫频，同时直流电压随着电容测量而变化。与传统C-V测量不同，DLCP保持总施加电压 (AC+直流) 恒定，通过调节直流电压偏置来改变样品内固定位置 (X_e)，从而确定裸露电荷密度 (ρ_e)。

DLCP的关键优势是能够通过调整直流偏置，分析陷阱密度随距离变化的特性，还可进行特定深度的能量分析。此外，测量中可改变测试频率和温度，以实现基于能量的更详细分析。

脉冲式I-V测量

脉冲式I-V测量用于分析太阳能电池参数，如转换效率、最小载流子寿命和电池电容影响。通过4225-PMU模块进行测量，可输出脉冲电压、捕获高速波形并吸收电流，支持单通道或双通道配置，采用2线技术校正电缆电压损失，无需4线测量。

为确保测量准确性，需验证脉冲宽度足够长，波形捕获模式可用于动态测试和脉冲设置优化。对电容较大的太阳能电池，可通过减小电池面积减少稳定时间。图8显示的结果表明，PMU吸收电流，电流曲线延伸至第四象限。

图8. 使用 4225-PMU对太阳能电池进行脉冲I-V测量

电阻率和霍尔电压测量

电阻率的大小直接影响太阳能电池的性能，因此测量电池材料的电阻率是一项常见的电学测试。半导体材料的电阻率通常采用四探针法测量，该方法能有效消除探头电阻、扩展电阻以及金属触点与材料之间接触电阻引起的误差。

常用的电阻率测量技术包括四探针法和范德堡法。SolarCell项目中包含了用于执行这两种测量的多项测试，还提供了测量范德堡系数和霍尔系数的独立测试。用户可在Select视图的搜索栏中输入相应测试名称（如vdp-surface-resistivity、vdp-volume-resistivity或hall-coefficient）以快速找到所需测试。

四探针测量法

四探针技术是将四个等间距的探针与阻值未知的材料接触。如图9所示，探针阵列被放置在材料的中心。两个外部探针用于加载电流源，两个内部探针用于测量通过材料表面产生的电压差。

图9. 四探针测电阻率

已知加载电流和被测电压计算表面或薄膜电阻率 :

如果样品的厚度已知，则体电阻率可以按如下方式计算:

用范德堡法测量电阻率

范德堡(vdp)技术测量电阻率使用四个孤立的触点在一个扁平的，任意形状的样品。电阻率是根据图10所示在样品周围进行的8次测量得出的。

图10. 范德堡电阻率测量方法

一旦完成了所有的电压测量，就可以推导出两个电阻率值ρ_A 和ρ_B：

采用vdp-resistivity subsite和vdp法进行测试

为了实现vdp电阻率测量的自动化，solarcell项目有一个vdp-resistivity subsite，包含四个测试：“i1-v23”、“i2-v34”、“i3-v41”和“i4-v12”。测试的截图如图11所示。

图11. 范德堡测试的截图

图12. 范德堡测量的SMU配置

样品的每个端子都连接到SMU的Force HI端子，因此需要带有四个SMU的4200A-SCS。四个SMU在每个测试中的配置不同：一个SMU提供测试电流，两个配置为电压表，一个设置为公共端。在样品周围重复此测量设置，四个SMU中的每一个都在四个测试中的每个测试中发挥不同的功能。图12显示了每次测试中每个SMU的功能。

霍尔电压测量

霍尔效应测量对于半导体材料的表征很重要，因为霍尔电压可以导出导电类型、载流子密度和霍尔迁移率。在外加磁场的情况下，可以使用图13所示的配置来测量霍尔电压。

图13. 霍尔电压测量

SolarCell项目不包括测量霍尔电压的具体测试；然而，可以在subsite上增加四个测试，以确定霍尔系数和迁移率。考虑到霍尔测量的配置与范德堡电阻率测量非常相似，可以复制和修改vdp测试以进行霍尔电压测量。这些修改涉及改变SMU的功能。如果使用永磁体，则可以使用动作库中的动作来创建一个对话框项目提示，该对话框将停止项目树中的测试序列，并指示用户更改应用于样品的磁场性。项目提示符是一个对话框窗口，它暂停项目测试序列并提示用户执行某些操作。有关如何使用对话框动作的说明，请参阅4200A-SCS参考手册。最后，在subsite的Calc表中推导出霍尔系数和迁移率。这些数学函数可以加到其他公式中，用于测定电阻率。

结论

测量太阳能电池的电特性对于确定设备的输出性能和效率至关重要。4200A-SCS通过自动化I-V、C-V、脉冲I-V和电阻率测量来简化电池测试，并提供图形和分析功能。对于大于1A的电流测量，Keithley提供可用于太阳能电池测试的源表仪器。代替使用四个独立的测试在subsite的Cals表格中进行霍尔电压测量，从库中添加霍尔系数测试，它将所有测量和参数提取合并到一个测试中。了解4200A更多，https://www.tek.com.cn/products/keithley/4200a-scs-parameter-analyzer。

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市，致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案，解决各种问题，释放洞察力，推动创新能力。70多年来，泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅，敬请登录：tek.com.cn