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人工智能正推动着对更高计算密度的需求。但满足这一需求并非是把更多服务器塞进机架那么简单。

• 1兆瓦（MW）机架即将到来，标志着机架功率水平呈指数级跃升

• 这些新型机架将需要强大的液冷系统

• 它们还需要全新的物理设计，以实现电力分配与计算模块的分离

伟创力总裁Chris Butler在一次采访中谈及，1兆瓦（MW）机架即将成为现实。这一话题听起来似曾相识，因为就在几天前，液冷技术产品研发商LiquidStack的战略主管Angela Taylor也提到了同样的事情。

Butler表示：“我认为在未来一年至一年半内，这将大规模成为现实。”尽管“大规模”是相对概念，且这些（1兆瓦机架）不会取代数据中心的所有机架，但他指出，目前已有大规模计划将其应用于所有GPU相关的应用场景。

需要说明的是，1兆瓦（MW）等于1000千瓦（kW），与目前数据中心中普遍使用的15千瓦以下的机架功率相比，是一个巨大的飞跃。即便是与人们最初认为AI所需的40-100千瓦高性能机架功率水平相比，这也是一个巨大的跨越。

但是在英伟达2027年路线图中，GPU单机架功率需求将达600千瓦。因此，云服务提供商正着眼于大规模布局以迎接未来——真正意义上的“大规模”。

散热挑战

问题在于，这种功率跃升对电力和散热系统具有重大影响。

正如Butler所言，1兆瓦机架的散热靠风冷根本行不通。因为这类系统散发出的热量足以为多栋房屋供暖。这意味着必须引入液冷系统，并相应地设计数据中心基础设施。

鉴于伟创力如今已收购数据中心液冷公司JetCool，Butler显然有理由坚持液冷是必需的。戴尔奥罗集团数据中心物理基础设施研究总监Alex Cordovil也认同这一观点。

“要支持如此高密度的IT负载，液冷将成为必不可少的配置。”他说道。

因此，全行业供应商都在为这一必然趋势做准备。正如Taylor提到的，LiquidStack设计了一种新型模块化冷却液分配单元（CDU），该系统可根据机架需求动态调整冷却能力。新CDU以2.5兆瓦模块为单位，整体系统可扩展至10兆瓦。

“我们现在讨论的不仅是600千瓦，而是1兆瓦机架。因此，你需要应对这一挑战：如何设计冷却系统，既能满足当下需求，又能适应未来发展。这正是我们选择模块化设计的原因。”Taylor说道。

Cordovil指出，单相直接芯片冷却系统（目前最主流的技术，也是LiquidStack新CDU支持的类型）有望持续进化以满足不断攀升的功率需求。就目前来看，1兆瓦机架似乎仍在其技术范围内。

但他也提到，“单相系统将在何种机架密度下达到散热上限”尚未明确。而当这一上限到来时，双相直接液冷系统将迎来机会，例如Zutacore和Accelsius所提供的解决方案。

电力升级

要实现1兆瓦机架，需变革的不止是散热系统，电源供应系统也是另一关键组件。

伟创力目前正研发400伏（V）直流电（DC）系统，而Butler透露，伟创力已在着眼未来的800VDC甚至1500VDC技术。

如前所述，从当今的48V系统升级至400V直流电（DC）不仅需要大幅增强安全措施，还需对工作人员进行重新培训。但Cordovil与Butler均指出，这一转变也将重塑机架的物理设计。

目前，将配电架与计算服务器置于同一机架内是常见做法。然而，功率水平的指数级提升意味着电力分配与计算模块可能很快需要独立部署。

“谷歌与微软等企业正与开放计算项目（Open Compute Project Foundation）合作开发新设计，代号‘迪亚布洛山’。”Cordovil解释道，“该设计将整个电力架构移至相邻的机架侧柜，从而让同一机架内能容纳更多服务器。”

他还认为释放服务器机架的空间,对于实现机架内更高效的南北向快速通信、承载更多IT负载至关重要，正是这一转变将推动行业迈向“传说中的1兆瓦”机架。

当然，数据中心内部功率水平的提升也会对公用事业等外部领域产生影响。点击此处了解更多关于发电与能源供应层面的分析。

本文翻译自FierceNetwork记者对伟创力嵌入式电源和关键电源业务总裁ChrisButler的采访，于2025年6月6日发表。

亚洲清洁行动积极响应“世界清洁日”倡议，推动区域环保行动

• 亚洲六个国家和地区同步开展清洁行动

• 9月-10月期间，举办多场覆盖陆地、山野、河流与海洋的环保活动

9月20日是“世界清洁日”，这是由非政府组织“Let's Do It World”（LDIW）发起并获得联合国认可的国际性环保社会行动日，旨在动员全球个人和社区“用一天的时间清理我们的地球”。作为一家致力于引领材料创新，驱动全球变革的企业，应用材料公司高度重视环境可持续发展，并积极鼓励员工志愿服务的企业文化。

亚洲不仅是应用材料公司的重要市场，更是公司推动社区参与及推动可持续发展的关键力量。今年，应用材料公司亚洲各地分支机构将共同响应2025年世界清洁日的官方主题“Strive for Five（5%行动，100%影响）”倡议，携手本地非营利组织发起区域环保行动，为建设更清洁、更可持续的未来贡献力量。

应用材料公司亚洲清洁行动（Applied Asia Cleanup）：亚洲六地联动，携手共建更清洁的地球

面对日益加剧的全球垃圾污染趋势，世界银行预测，到2050年全球垃圾总量将达到34亿吨，相比2016年增长约70%。根据经济合作与发展组织（Organization for Economic Cooperation and Development, OECD）的有关数据，到2050年东南亚及其它主要亚洲国家的塑料废弃物泄漏预计将比2022年增加近70%。

为积极应对这一日益增加的环境挑战，9月至10月，应用材料公司亚洲六地分支机构将联合本地非营利组织，发起覆盖陆地、河流与海洋等生态系统的一系列清理行动，同时开展环保教育倡议和社区参与等公益项目。通过凝聚员工、社区与合作伙伴的集体力量以推动环境改善、减少垃圾污染、缓解气候危机，为社区带来切实的环保影响。

应用材料公司亚洲清洁行动亮点：

• 中国：在上海、西安和厦门开展清洁活动，同时积极推动员工参与由LDIW发起的数字清洁活动，以扩大参与度和影响力；

• 中国台湾省：在台南的台江公园开展湿地清洁活动——这是一个生态丰富但脆弱的海岸入口——员工及其家人将协力保护生态系统，并加强社区互动；

• 印度：在五个城市协调清洁工作，员工将通过亲身参与环保行动，协助恢复湖泊、公园和海滩的环境；

• 日本：在东京的荒川河沿岸开展清洁活动，以应对河流和海洋污染，同时鼓励员工重新与自然建立联系，为环境保护贡献力量；

• 新加坡：在该国独特的红树林生态系统中组织清洁活动，同时向员工宣传红树林作为天然海岸保护者的重要作用——减少侵蚀、储存碳并支持生物多样性；

• 韩国：通过“拯救我们的河流”活动开展清洁行动，员工及其家人将制作并投放有效微生物泥球到当地溪流中，同时进行溪流清洁和垃圾收集活动，以支持水道修复。

持续履行环保承诺，推动社区可持续发展

应用材料中国公司在华深耕超过40年，始终将环境保护与可持续发展作为企业社会责任的基石。我们积极推动绿色行动，共同守护我们的地球家园。

应用材料公司副总裁、中国公司总裁姚公达表示：“在应用材料公司，我们的使命不仅仅是技术创新——我们同样致力于为地球建设一个可持续的未来。通过与非政府组织的合作以及积极的利益相关方参与，我们发起区域性环保倡议，旨在为社区带来有意义的改变。我们也鼓励员工及其家人积极参与这些行动，携手共建一个更清洁、更可持续的世界。”

自2021年以来，应用材料中国公司积极支持世界清洁日中国的官方组织者——“捡拾中国”，并鼓励员工在全国范围内参与环保活动。截至2024年底，已有近500名员工及其家属参与其中，共清理垃圾超过900公斤。秉持“随手志愿，随手清洁”的理念，我们希望激励更多人加入这一行动，共同改善环境。

在2025年世界清洁日活动期间，应用材料中国公司将在上海、西安和厦门举办一系列环保活动，包括海滩清洁、山地垃圾收集和森林生态系统修复。除了现场活动外，还鼓励员工参与数字清洁等线上倡议，提升环保意识，扩大绿色行动的影响力。

关于应用材料公司

应用材料公司（纳斯达克：AMAT）是材料工程解决方案的领先企业之一，该领域是世界上几乎所有新型半导体和先进显示的基石。我们的技术对于推动人工智能发展和加速下一代芯片的商业化至关重要。在应用材料公司，我们不断挑战科学和工程的极限，致力于引领材料创新，驱动全球变革。欲知详情，请访问www.appliedmaterials.com。

TC-SAW

TC-SAW(Temperature Compensated SAW Filter，温度补偿型声表面波滤波器)是一种采用铌酸锂压电衬底，表面覆盖氧化硅温度补偿层，的高端滤波器。其基本结构最早能追溯到1984年，由日本东北大学山内教授首次发明[1]。最近十几年，TC-SAW凭借显著的性能和价格优势，成为大多数双工器和高端TRx滤波器市场的主流技术。

2012年，苹果在iPhone 5手机中首次采用集成了TC-SAW及BAW滤波器的射频前端模组芯片。在此后的十多年间，TC-SAW一直是iPhone的标配。从最开始的每个Die只支持一个频段，到如今支持最多6个频段、2个FDD双工，TC-SAW技术也随着市场爆发迎来发展和进步。从初次集成TC-SAW至今，苹果共销售了将近26.8亿部iPhone，TC-SAW的总消耗量将近270亿颗，平均每部iPhone消耗10多颗TC-SAW滤波器。为了抢占先发优势，Skyworks在2014年与Panasonic成立了专攻TC-SAW滤波器的合资公司，并于2016年对该公司完成了全额收购。自此，TC-SAW正式成为了造就Skyworks在射频前端行业领先地位的重要一环。

图1 iPhone 16 Pro 低频L-PAMiD模组(全部采用TC-SAW)

提起TC-SAW，人们第一印象大多是低温漂(TCF，Temperature Coefficient of Frequency)。因为TC-SAW的温漂通常低于-28 ppm/℃，最低甚至能达到0 ppm/℃，远优于Normal-SAW -40 ppm/℃左右的值。实际上，TCF低只是TC-SAW众多优势中的一个方面，其中最重要也是最根本的一点是，TC-SAW具有更高的谐振器Q值，其一般在1800~2600之间，而Normal-SAW则一般在600~1200之间。Q值作为影响滤波器插损和滚降这两项核心指标的关键因素，决定了大部分双工器和高端TRx滤波器只能由TC-SAW实现。

TC-SAW和Normal-SAW有何不同？

1. 声学模式不同

1）Normal-SAW工作在SH Wave(Shear Horizon，水平剪切)模式，又被称为Leaky Wave(漏波)模式。
Normal-SAW沿着衬底向前传播时，有两个明显的特征：a. 表面的振动类似于蛇蜿蜒前行时的左右扭动。单独看每个质点的振动方向（Y轴）与衬底表面平行且与波的传播方向（X轴）垂直，质点的轨迹呈现为垂直于传播方向的左右晃动；

图2  Normal-SAW 工作的波模式： SH Wave (水平剪切波)，又称Leaky Wave (漏波)

b. Normal-SAW传播的过程中，因为SH Wave的波速高于剪切(SV)体波的波速，所以会不断地向衬底一侧辐射体波，造成声学能量的损失，而产生持续衰减[2]。这也是它为什么被称为 Leaky Wave 的核心原因。
事实上，Normal-SAW 滤波器采用的钽酸锂(LiTaO₃，简称LT)，常用的切割方向选择 42° YX 切型就是为了最小化 Leaky Wave 的损失[2]。然而，即便使用了 42° LT，因为底层物理原理的限制，也依然存在可观的能量泄露。这就是 Normal-SAW 滤波器性能不佳的主要原因。

2) TC-SAW 工作在Rayleigh Wave(瑞利波)模式，又被称为Nonleaky Wave(非漏波)模式。当 TC-SAW 沿着压电衬底向前传播时，它的特征与 Normal-SAW 截然不同：
a. 表面振动如同海浪的上下起伏，质点振动的主分量垂直于衬底表面(Z 轴)，次分量平行于波的传播方向(X 轴)，质点的轨迹呈现为一连串逆传播方向的椭圆形；

图3  TC-SAW 工作的波模式：Rayleigh Wave

b.在垂直方向上，瑞利波的振幅随着衬底深度的增加而急剧下降，遵循指数衰减规律，它的能量绝大多数集中在衬底表面一倍波长的深度内。相比之下，瑞利波的波速低于所有类型的体波，在传播时没有向衬底辐射的体波泄露，损耗极低[2]。所以TC-SAW有时也被称为Nonleaky Wave。

因为以上这些特点，瑞利波成为地震学中最受关注的波(衰减极低，传播距离远，破坏力高)。而在滤波器领域，瑞利波的这些特点，则为它带来了极大的优势——高Q值。

2. 基础性能不同

图4 展示了TC以及Normal-SAW谐振器在工作时的位移仿真图，对比两者位移颜色的强度不难发现， Normal-SAW 在衬底中有极其明显的能量泄露，而TC-SAW 几乎没有泄露。这正是TC-SAW的核心优势——Nonleaky。

图4  Normal-SAW与TC-SAW谐振器在工作时的位移截面图：（a）Normal-SAW；（b）TC-SAW

Leaky的多少与压电材料以及衬底的切角密切相关。Normal-SAW工作在SH波模式，为Leaky Wave。图5是Normal-SAW的传播声损耗与衬底切角的关系。对于无限薄的铝电极，Normal-SAW的最小声损耗衬底切角是36.75°，随着铝电极厚度的增加，该角度逐渐向右移。通过衬底切角的选择，Normal-SAW的传播声损耗可以做到最小，但仍然不可忽略。

图5 Normal-SAW传播声损耗与衬底材料切型的关系。对于无限薄的铝电极，Normal-SAW最小声损耗衬底切角是36.75° ，随着铝电极厚度增加，该角度逐渐向右移[3]

TC-SAW工作在瑞利波模式，为Nonleaky，这是因为瑞利波的波速足够小，低于包括SH、SV在内的各种体波。计算证明，LN上的瑞利波，声波能量集中在表面很浅的表层，没有任何向衬底的辐射[2].

没有了体波泄露这个Q值最大的限制，TC-SAW的Q值能达到Normal-SAW的两倍以上。图6是新声半导体Normal-SAW和TC-SAW的性能对比：红色TC-SAW的Q值峰值达到2600，而Normal-SAW仅在1200左右。

图6  TC-SAW与Normal-SAW的Q值对比图：(a)QBode，(b)Smith 圆图

3. 材料结构不同

Normal-SAW采用42° YX切型的钽酸锂作为衬底，采用低密度的铝作为IDT电极。它的首次出现是1977年，当时选择的是36° YX切型的LT，在1997年，千叶大学的桥本教授发现将切型微调为42°，可以获得更低的损耗，更优的性能[3]。此后的30年间，Normal-SAW的基础结构再也没有大的技术上的变化。

图7  Normal-SAW与TC-SAW的结构区别：(a)Normal-SAW，(b)TC-SAW

而TC-SAW采用铌酸锂(LiNbO₃，简称LN)作为衬底，高密度金属(铜、铂或者钼等)作为IDT电极，并且表面覆盖有氧化硅层。该经典结构在1984年由日本东北大学首次发明，自那时之后40余年一直是国际公认的TC-SAW结构[1]。事实上，钽酸锂以及铌酸锂同为三方晶系，他们的晶体结构都属于钙钛矿型。那么，为什么最终Normal-SAW的选择会是42° YX LT，TC-SAW的选择会是128° YX LN？对于Normal-SAW来说，选择LT是因为：早期工艺能力受限，对应于SH 波的K²恰好可以满足滤波器带宽的基本需求，以及LT本身拥有较低的TCF(-40ppm/C°)；选择42° YX切角是因为：早期的研究认为LT中声传播损耗最小切角在36°附近，但此后随着梯形以及DMS滤波器的普及，损耗在滤波器设计中越来越重要，1997年桥本教授在综合了杂波、损耗与IDT电极特性之间的关系后确定了最佳切角为42°[3]。

图8 Leaky SAW (SH Wave)，Nonleaky SAW(Rayleigh Wave)波速与衬底转角的关系。图中实线对应自由表面，虚线对应带有金属电极的短路表面，两者的波速差可以得出 K²≈2×(ν_o-ν_s)/ν_o [4] : (a) 钽酸锂的Nonleaky SAW 波速差几乎为0，只有Leaky SAW的波速差可以达到多数频段 K²需求；(b)铌酸锂的Nonleaky SAW的波速差在128°附近达到最高，满足多数频段的 K²需求[2]

对于TC-SAW来说，选择LN是因为：1）LN的机电耦合效率更高，Leaky与Nonleaky SAW的K²都远高于LT，这给了LN更多的选择性；2）对于无损耗的瑞利波来讲，其机电耦合效率在128°附近达到最高(例如对于铜电极的TC-SAW，其K²一般在8.4%附近)，可以满足大多数滤波器带宽的要求。

TC-SAW滤波器的性能优势

回到滤波器产品本身，有三个参数指标极其关键：

a. 插损（Insertion Loss）决定了系统的功耗水平，数值越低越好；

b. 滚降（Roll-Off）决定了对系统带外干扰的抑制能力，越陡峭越好；

c. 带宽（Band Width）由通信系统制式决定，为固定值。

滤波器领域的技术创新与研发重点始终都是围绕着提升以上这三个关键参数展开。

对于基于声学原理的SAW和BAW而言，带宽主要由构成滤波器材料的机电耦合系数(K²)决定。而插损和滚降则主要由构成滤波器的基本单元——谐振器的Q值决定。

值得注意的是，Normal-SAW和TC-SAW两者的K²相近,都是8.4%左右，两者之间本质的差异是Q值——TC-SAW的Q值通常在2000以上[4]，而Normal-SAW仅为1000左右。这一差异也让它们的性能及价值截然不同。

1. TC-SAW插损比Normal-SAW好0.5dB以上

高Q值就意味着低插损，这一直以来都是射频行业内的共识，对LC、对腔体、以及对于SAW滤波器都是如此。

以新声半导体Band8频段 RX 滤波器的对比测试为例。如图9所示，分别采用TC-SAW和Normal-SAW技术进行加工设计出来产品的性能对别显示，TC-SAW的各项性能指标全面碾压Normal-SAW。我们可以看到，在整个通带范围内，TC-SAW插损保持了0.5dB左右的优势，关键的边带区域能接近0.8dB。

图9  用TC-SAW和Normal-SAW设计的同频段Band8 Rx滤波器插损对比

2. TC-SAW滚降比Normal-SAW陡峭

随着5G手机需要支持的通信频段数量持续增加，为了避免频段间的干扰，对滤波器的边带滚降要求越来越高。

与LC滤波器类似，Q值同样是影响SAW滤波器滚降的首要因素。高Q值的SAW谐振器在谐振频率附近的储能能力更强，能够更有效地阻止频率偏离谐振点的信号通过，从而使滤波器的频率响应曲线在截止区域的斜率更陡。Q值越高，滤波器整体形状的矩形度就越好，对频率的选择性(滤波能力)就越高。

图10  分别用TC-SAW和Normal-SAW设计的Band 13双工器Tx左侧Roll-Off性能对比

如图10 所示，对于Band 13双工的发射Tx频段(777～787 MHz)其起始频率仅比美国公共安全无线电频段NS07高2MHz。为避免手机发射信号对公共安全通信信道造成干扰，Verizon等运营商要求，必须将手机在NS07频段内产生的带外噪声发射水平控制在极低范围内。
要实现这一目标，Band 13的Tx滤波器必须在NS07频段内提供至少20 dB以上的抑制能力。只有TC-SAW滤波器的滚降能满足运营商对于合规性的要求。滤波器设计行业有一个相对简单的标准，双工间隔小于1.5%的频段被认为是“高难度频段”，如Band3、Band8、Band20，Band26等。这些有着非常小Duplex Gap的双工频段，Normal-SAW无法满足需求，只能采用Q值更高，性能更好的滤波器技术，比如TC-SAW。

表1  Tx~Rx频率间隔极小的频段

图11 展示了新声半导体Band 20 TC-SAW双工器的TCF测试结果，该颗双工器Tx频段的插损在全温范围内小于2.1dB，Rx小于2.5dB；隔离度方面，在常温下，Tx大于63dB，Rx大于58dB，全温范围内Tx大于60dB，Rx大于58dB。新声半导体的Band20 TC-SAW双工器在TCF、插入损耗和隔离度等各项参数指标上均已达到国际先进水平。

图11  新声半导体NS73220B，Band20 TC-SAW双工器全温插损及隔离性能(1612尺寸)

图12展示了新声半导体Band26 TC-SAW双工器的小信号TCF测试结果，该颗双工器Tx频段的插损在全温范围内小于2.0dB，Rx小于2.5dB；隔离度方面，在常温下，Tx大于56dB，Rx大于54dB，全温范围内Tx大于54dB，Rx大于52dB。这款产品同样在TCF、插入损耗和隔离度等各项参数指标上均已达到国际先进水平。

图12  新声半导体NS73226A，Band26 TC-SAW双工器全温插损及隔离性能(1612尺寸)

3. TC-SAW的功率耐受比Normal-SAW高

滤波器的功率耐受失效多数情况下为通带高频侧信道的失效。这是因为滤波器通常具有负的TCF，当面对通带高频侧的功率输入时，会出现：温度上升→通带频率降低→功率吸收增加→温度进一步上升……这一恶性循环，直到其中一环增量为0或器件烧毁，循环才会停止。Normal-SAW的TCF通常高于-40ppm/C°，TC-SAW的热稳定性更高，TCF通常低于-28 ppm/C°，最低甚至能达到0 ppm/C°。在面对功率输入时，TC-SAW的频率偏移更少，达到循环停止的时间更早，可以耐受更强的功率。通常TC-SAW比Normal-SAW的输入功率耐受高2~3dB。

图13  新声分别采用不同技术制作的Band8双工器功率耐受对比：TC-SAW相比Normal-SAW输入功率耐受高2.0dB（输入信号：Tx高频边带，测试条件：2 min@85°C）

写在最后

在竞争激烈的市场环境中，任何一项能够长期占据主流地位的产品，必然能凭借自身独特的优势，持续满足客户的本质需求。

TC-SAW滤波器相较于Normal-SAW 滤波器，其最显著的的优势并不仅仅是TCF，而更在于其由Rayleigh Wave带来的高Q 值。作为影响滤波器性能的核心指标，这一关键特性直接决定了TC-SAW滤波器在高端应用中的卓越表现，使其成为大部分双工器和高端TRx滤波器的不二之选。

在当前行业高速发展与充分竞争的背景下，要在TC-SAW这个高端滤波器的“主流赛道”中，和“主流玩家”角力并非易事。本土厂商需在核心技术研发与创新上投入更多努力——例如通过优化IDT设计、改进压电薄膜材料以及提升封装工艺等，进一步发挥TC-SAW高Q值、低损耗的性能潜力，推动产品向更高频、更宽带、更可靠的方向演进。只有持续强化技术根基，在性能与品质上实现真正对标甚至超越，才能在全球高端滤波器市场中，确立属于中国厂商的“主流地位”。

本文参考文献

[1] K. Yamanouchi, and S. Hayama, "SAW Properties of SiO2/128° Y-X LiNbO₃ Structure Fabricated by Magnetron Sputtering Technique," in IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, vol. 31, no. 1, pp. 51-57, Jan. 1984

[2]  K. Y. Hashimoto, “Surface acoustic wave devices in telecommunications. Modelling and simulation”. 10.1007/978-3-662-04223-6. 2000

[3] K. Y. Hashimoto, M. Yamaguchi, S. Mineyoshi, O. Kawachi, M. Ueda and G. Endoh, "Optimum leaky-SAW cut of LiTaO₃ for minimised insertion loss devices," 1997 IUS, Toronto, ON, Canada, 1997, pp. 245-254 vol.1

[4]  J. J. Campbell and W. R. Jones, "A method for estimating optimal crystal cuts and propagation directions for excitation of piezoelectric surface waves," in IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, vol. 15, no. 4, pp. 209-217, Oct. 1968[5] B. Abbott et al., "Temperature compensated SAW with high quality factor," 2017 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), Washington, DC, USA, 2017,

产品概述

随着科技的发展，TWS耳机、手表、手环等智能穿戴设备已经成为了人们日常生活中的常见物品。智能穿戴产品的性能要求不断提升推动着电池管理芯片不断向着高精度、低功耗、小型化、智能化等方向发展。 

力芯微推出了针对智能穿戴设备和遥控器应用的超低功耗小型化高性能充电芯片ET95101。ET95101的输入端最大耐压可达30V，同时当输入电压大于6.5V时，电路会进入过压保护状态，停止充电；能提供完整的自动充电过程，具有涓流充电、恒流充电、恒压充电、充电截止和充电状态显示等功能。

ET95101具有高精度的CC充电电流和截止电压，充电电流可通过外置RISET电阻编程调节；BAT端静态功耗电流75nA（max），极大降低自身对电池的损耗，非常适合应用于穿戴设备和遥控器等低功耗场合；同时遵循JEITA充电标准，保持电池在安全温度范围内充电，温度过高或者过低时停止充电。

产品特性

• BAT端超低功耗电流75nA(max);

• 1%充电截止电压精度；

• 10%的CC充电电流精度；

• 支持充电电流10mA~250mA可调；

• 支持1mA的充电截止电流；

• 支持输入电压动态调整（DPM）；

• 遵循JEITA充电标准；

• 支持电池在位检测功能；

• 输出短路保护和ISET短路检测；

• 封装CSP6(1.3mm*0.9mm)；

管脚定义

典型应用

来源：力芯微电子