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新品
英飞凌OptiMOS™ 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
英飞凌科技股份公司宣布,其采用紧凑型5x6 mm² 双面散热(DSC)封装的OptiMOS™ 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家领先处理器制造商AI服务器平台的 IBC级。
2025-05-16 |
英飞凌
Melexis的MLX90427更安全,更可靠,性能更高且成本更低
全球微电子工程公司Melexis宣布,其支持SPI通信的嵌入式位置传感器MLX90427的应用范围已扩展至工业、建筑、农业及医疗领域中的操纵杆和人机界面(HMI)。
2025-05-16 |
Melexis
,
MLX90427
高通推出第四代骁龙7移动平台,赋能出色的下一代移动娱乐体验
第四代骁龙7移动平台为更多消费者带来备受喜爱的移动体验,包括令人惊艳的全新影像功能、激动人心的游戏体验和先进的终端侧AI功能等。
2025-05-16 |
高通
,
第四代骁龙7移动平台
金升阳推出10-60W超薄塑壳导轨电源系列
为满足工业自动化等领域的紧凑机箱对电源轻薄化、高可靠性的需求,金升阳推出了超薄塑壳导轨电源L110/20/40/60-20BxxPU系列。该系列集全球通用输入、高隔离耐压、超薄设计于一身,助力客户简化系统布局,提升整体可靠性。
2025-05-15 |
金升阳
立錡科技全新推出低功耗.高音质 ─ RT9125 双声道 30W 音频放大器
立錡科技全新推出 RT9125 音频放大器,专为 LCD/OLED 电视、Soundbar 与家庭影院系统设计。
2025-05-15 |
立錡科技
,
RT9125
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放大器
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET,助力快速充电应用
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”,其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm,导通电阻低至2.0mΩ(Typ.),达到业界先进水平。
2025-05-15 |
ROHM
,
MOSFET
,
AW2K21
Qorvo® Matter™ 解决方案新增三款QPG6200系列SoC
近日,全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)宣布拓展其QPG6200产品组合,全新推出三款Matter系统级芯片(SoC)。
2025-05-15 |
Qorvo
,
Matter
,
SOC
,
QPG6200
Rambus推出面向下一代AI PC内存模块的业界领先客户端芯片组
推出面向高性能笔记本电脑、台式电脑和工作站的业界领先LPDDR5 CAMM2 PMIC和DDR5第二代客户端PMIC及客户端时钟驱动器和SPD集线器
2025-05-15 |
Rambus
瑞芯微推出RK3506行业定制主控板评估套件
RK3506是瑞芯微新推出的高性能、低功耗三核应用处理器芯片,内置多种功能强大的嵌入式硬件引擎,具有高性能存储器接口。
2025-05-15 |
瑞芯微
,
RK3506
Supermicro 推出全新 MicroCloud,为轻量级入门级工作负载提供多节点解决方案
密度比传统 1U 服务器高 3.3 倍,最大程度节省数据中心机架空间和电力,并降低总体拥有成本
2025-05-15 |
Supermicro
,
MicroCloud
Abracon推出ASWD-S2系列高线性度宽带射频开关
Abracon新推出的ASWD-S2系列高线性度宽带射频开关,在DC至 8.5GHz的频段内表现出色,支持蓝牙、Wi-Fi 6E/7、GNSS、LoRa、LTE、UWB以及 5G 技术。
2025-05-14 |
Abracon
,
ASWD-S2
,
宽带射频开关
MediaTek发布天玑9400e,为移动游戏、AI、通信等应用带来旗舰体验
MediaTek发布天玑9400e旗舰移动芯片。作为天玑旗舰家族的新成员,天玑9400e采用MediaTek先进的全大核架构,以澎湃性能和杰出能效,为广泛的智能手机用户带来卓越的移动游戏、人工智能、影像和通信体验。
2025-05-14 |
Mediatek
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天玑9400e
Littelfuse推出首款采用 DO-214AB 紧凑型封装的 2kA 保护晶闸管
节省空间的设计为恶劣环境提供汽车级高浪涌电流保护
2025-05-14 |
Littelfuse
,
保护晶闸管
MediaTek发布T930 5G平台,以先进5G-A和AI技术推动FWA宽带应用发展
具备10Gbps传输性能、率先上市技术,以及打造新一代生成式AI网关的能力
2025-05-14 |
Mediatek
,
T930
,
5G平台
Vishay新款汽车级SMD厚膜功率电阻提供更强大的短时瞬态脉冲保护能力
这些器件采用TO-263(D2PAK)封装,具有高达15 J/0.1 s的高脉冲吸收能力和35 W的功率耗散能力
2025-05-14 |
Vishay
,
SMD
,
D2TO35H
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