ROHM

顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。
ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。
ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”，使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。 
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！
5月28日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 
ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案
通过PMIC与DrMOS的组合，实现更适合SoC的电源设计，并满足未来高性能化的需求
ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS®*开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 
ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。 
ROHM推出超小型无线供电芯片组
全球知名半导体制造商ROHM 今日宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术（NFC，近距离非接触式无线通信技术）的无线供电IC芯片组“ML7670（接收端）”和“ML7671（发射端）”。