ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET winniewei / 周四, 23 七月 2026 - 15:16 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,面向车载安全功能和保护电路开发出100V耐压MOSFET“RS4P063BPHZG”。 阅读更多 关于 ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET登录或注册以发表评论
顶面散热新封装!ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET winniewei / 周四, 9 七月 2026 - 17:03 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。 阅读更多 关于 顶面散热新封装!ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET登录或注册以发表评论
ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT winniewei / 周四, 25 六月 2026 - 14:17 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出650V耐压第4代IGBT,新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。 阅读更多 关于 ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT登录或注册以发表评论
ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板 winniewei / 周二, 23 六月 2026 - 15:50 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”,使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。 阅读更多 关于 ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板登录或注册以发表评论
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品 winniewei / 周二, 16 六月 2026 - 14:39 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 阅读更多 关于 ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品登录或注册以发表评论
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”! winniewei / 周四, 28 五月 2026 - 17:28 5月28日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,面向车载应用中日益普及的48V电源系统,推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 Tags ROHM AG16xFNxx MOSFET 阅读更多 关于 ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!登录或注册以发表评论
ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案 winniewei / 周二, 19 五月 2026 - 14:58 通过PMIC与DrMOS的组合,实现更适合SoC的电源设计,并满足未来高性能化的需求 Tags ROHM SOC BD968xx-C BD96340MFF-C 阅读更多 关于 ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案登录或注册以发表评论