MOSFET

脉冲 I V 测试在 MOSFET 器件表征中的应用与实现
在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。
意法半导体低电阻 MOSFET可节省电能，缩减 PCB面积，适合配电应用
新系列产品采用先进的智能 STripFET F8功率技术，静态性能更高，芯片尺寸更小
湖南静芯推出应用于消费类电子的ESD增强型MOSFET ESGNJ03R048K
在笔记本电脑、平板电脑、智能手机以及便携式游戏机等消费电子产品中，电源按键和电池连接器等部位极易遭受静电放电冲击，会导致MOSFET栅极击穿，甚至损坏后级主控。
湖南静芯推出应用于PoE系统的MOSFET ESP10N10BK
湖南静芯推出耐压 (Vds) 为100V的N沟道增强型MOSFET ESP10N10BK，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域，完美匹配主流PoE功率级别。
专为AI服务器电源优化 | 25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装
新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能。
SK keyfoundry成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，斩获1200V新品订单，正式开启SiC业务全面布局
成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力
αMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台：满足新一代电源管理与高效能应用的需求
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出其全新的 aMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台。
为智能健身注入高效动能｜萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理
在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、
ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。 
长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET
长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平16.6%，系统损耗和温升得到大幅改善。