MOSFET

ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。 
长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET
长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平16.6%，系统损耗和温升得到大幅改善。
湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ESP10N10K
湖南静芯推出耐压 (Vds) 为100V的ESD增强型MOSFET ESP10N10K，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域，完美匹配主流PoE功率级别。
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。
ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。
英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7 功率MOSFET
通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。
Nexperia推出应用专用MOSFET，为高功率工业应用提供增强的动态均流功能
省去繁琐且高成本的器件阈值电压匹配环节
东芝推出采用最新一代工艺技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。
英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC™ 650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。
Nexperia推出100 V MOSFET，为高要求汽车应用实现超低导通损耗
车规级CCPAK1212封装可提高48 V设计的功率密度