MOSFET

东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET,助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。


Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET

要求严苛的高电压汽车与工业应用理想解决方案


Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET

非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用


启方半导体与威世签署功率MOSFET长期生产代工协议,旨在扩大汽车半导体的供应

韩国8英寸纯晶圆代工厂启方半导体(Key Foundry)今日宣布,该公司已经与威世集团(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)签署了多款功率MOSFET产品的长期供应协议。

Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

第四代器件提高额定功率和功率密度,降低导通和开关损耗,从而提升能效


ROHM新增5款100V耐压双MOSFET,以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻

非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机,有助于设备进一步降低功耗和节省空间


英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容

英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS功率MOSFET进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案,在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。

英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件,用于静态开关应用

为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。


东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化

采用最新一代工艺,可提供低导通电阻和扩展的安全工作区


东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。