MOSFET

Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能
超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率
英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。
Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封装融合卓越散热性能、紧凑尺寸与便捷封装特性，适用于高功率应用场景
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台，旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现
Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。
【测试案例分享】如何评估热载流子引导的MOSFET衰退
本文说明描述了如何在Keithley 4200-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。
Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET
单/双封装比传统封装具有更优异的热性能