MOSFET

英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为
无需人工计算，参数可随用户输入动态响应
Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
如今，出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战，特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能，必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。