MOSFET

Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用
启方半导体与威世签署功率MOSFET长期生产代工协议，旨在扩大汽车半导体的供应
韩国8英寸纯晶圆代工厂启方半导体(Key Foundry)今日宣布，该公司已经与威世集团(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)签署了多款功率MOSFET产品的长期供应协议。
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET，以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为
无需人工计算，参数可随用户输入动态响应