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MOSFET
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容,此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案,在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件,用于静态开关应用
为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。
东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化
采用最新一代工艺,可提供低导通电阻和扩展的安全工作区
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
Nexperia首创交互式数据手册,助力工程师随时随地分析MOSFET行为
无需人工计算,参数可随用户输入动态响应
Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性,有助于提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET),管脚尺寸缩小60%
RDS(on)额外降低40%,功率密度提高58倍,适合电信和热插拔计算应用
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
如今,出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战,特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外,随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能,必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。
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