英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容

小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外,更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司FSE代码IFX / OTCQX代码IFNNY)近日推出先进的全新OptiMOS功率MOSFET进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案,在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用,如服务器通信便携式充电器无线充电器中开关电源(SMPS)里的同步整流等。此外,新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。

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全新的OptiMOS 6 40V功率MOSFET以及OptiMOS 5 25V30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm²封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。这些新器件拥有业界极低的导通电阻和业界领先的性能指标(FOMs, QGQOSS),能够实现出色的动态开关性能。因此,这些具有超低开关损耗和低导通损耗的 MOSFET器件能够保证极佳的能效和功率密度,同时简化热管理。

OptiMOS功率开关采用紧凑的PQFN 2x2 mm2封装,能够缩小系统尺寸,让终端用户应用的几何外形变得更加小巧、灵活。通过减少并联需求,这些MOSFET器件提升了系统设计的可靠性,显著降低了占板空间和系统成本。

供货情况

全新OptiMOS 6 40V功率MOSFETISK057N04LM6)的导通电阻值为5.7 mΩOptiMOS 5 25V功率MOSFETISK024NE2LM5)和OptiMOS 5 30V功率MOSFETISK036N03LM5)的导通电阻值分别为2.4 mΩ3.6 mΩ这些MOSFET器件均采用改进的PQFN 2x2 mm2 封装,现已开放订购。如需了解更多信息,请访问 www.infineon.com/optimos-6-40vwww.infineon.com/pqfn-2x2

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约56,200名员工,在2022财年(截至930日)的收入约为142亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。

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英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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