MOSFET

Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。
东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化
TCK42xG系列支持外部背对背MOSFET
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA（安全工作区） Trench技术，可提供出色的瞬态线性模式性能，为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。
安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗
干货 | 10 A电子保险丝可为48 V电源提供紧凑型过流保护
本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的10 A电子保险丝，它没有上述这些无源保险丝缺点。电子保险丝可在高达48 V的DC电源轨上提供过流保护。
ROHM的600V耐压超级结MOSFET 新增“R60xxVNx系列”的7款机型
非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查
英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准
英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。