MOSFET

安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗
干货 | 10 A电子保险丝可为48 V电源提供紧凑型过流保护
本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的10 A电子保险丝，它没有上述这些无源保险丝缺点。电子保险丝可在高达48 V的DC电源轨上提供过流保护。
ROHM的600V耐压超级结MOSFET 新增“R60xxVNx系列”的7款机型
非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查
英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准
英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
【AFG专题系列72变】之二：无刷电机调速器我可以
本文通过使用任意波发生器对电子调速器进行驱动和测试，在精准测量出各路桥臂时延特性后，经过驱动软件优化让电路达到了最佳控制效果。
从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 m
小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性