自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。
英飞凌CIPOS™ Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC™发射极开路智能电源模块，采用36x23D DIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围(高达80 Hz)，提供了功能齐全的紧凑型逆变器解决方案。
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
东芝电子元件及存储装置株式会社在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET：TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z。从今天开始批量出货。
3月11日，东芝电子元件及存储装置株式会社将通过日本的Kaga Toshiba Electronics Corporation建设300mm晶圆制造厂，扩大功率器件的产能。新生产线的量产将于2023财年上半年开始。
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。