MOSFET

ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件
Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET
新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品在高负载条件下能够保持较低的传导损耗，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。
Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能
超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率
英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。
Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封装融合卓越散热性能、紧凑尺寸与便捷封装特性，适用于高功率应用场景
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台，旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现
Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现
提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力