Vishay

Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗

半桥器件采用Trench IGBT技术,可选低VCE(ON)或低Eoff,适用于大电流逆变级


Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212F封装,提高系统功率密度,改进热性能


Vishay推出超小型高集成度的可见光敏感度增强型高速PIN光电二极管

器件易于集成、支持精确信号检测、设计灵活,适于可穿戴设备心率监测和脉搏血氧监测应用


Vishay推出新款全集成超小型接近传感器,待机电流低至5 μA

器件采用垂直腔面发射激光器和智能双I2C从机地址,适用于真无线立体声(TWS耳机、虚拟现实/增强现实(VR / AR头盔等各种电池供电消费类电子应用


Vishay为其高性能红外接收器模块推出升级版

器件可提供即插即用方式替换现有解决方案,降低更宽电源电压范围内的供电电流,提高抗ESD可靠性、黑暗环境灵敏度和DC强光直射性能


Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供电电流低至5 mA,电压范围2.7 V至5.5 V

高速器件有助于工业应用节能,适用于低压微控制器和I2C总线系统


Vishay IHPT-1411AF-ABA触控反馈执行器荣获AspenCore全球电子成就奖

经过AEC-Q200认证的电磁器件获高性能被动电子/分立器件奖


Vishay推出SuperTan钽壳液钽电容器,抗冲击和耐振动能力达到高可靠性应用H级标准

低成本密封器件满足航空航天应用高可靠性需求


Vishay推出业内先进的小型6 A、20 A和25 A降压稳压器模块,提高POL转换器功率密度

microBRICK®器件采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封装,小于竞品解决方案69 %,输入电压4.5 V至 60 V


Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

第四代器件提高额定功率和功率密度,降低导通和开关损耗,从而提升能效