Vishay最新推出可满足严苛要求的高精度60mm感应式位置传感器 winniewei -- 周五, 02/07/2025 - 09:55 RAIK060可在靠近电机处使用,比磁编码器更轻薄,而且转速更高,延迟时间更短
Vishay推出适用于恶劣环境应用的的微型密封多匝SMD微调电位器 winniewei -- 周四, 02/06/2025 - 09:43 这些节省空间的器件采用3 mm x 4 mm x 4 mm的尺寸紧凑,具有IP67密封等级,可在+150 °C的高温下运行
Vishay 推出新款精密薄膜MELF电阻,可减少系统元器件数量,节省空间,简化设计并降低成本 winniewei -- 周四, 12/19/2024 - 10:52 器件采用0102、0204和 0207封装,TCR低至 15 ppm/K,公差仅为 0.1 %,阻值高达10 M
Vishay全集成接近传感器荣获2024年度中国IoT创新奖和2024年度EE Awards亚洲金选奖 winniewei -- 周四, 12/12/2024 - 14:37 VCNL36828P采用VCSEL和智能双I2C从机地址,在紧凑的2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm SMD封装中提供低至5 μA的待机电流
Vishay 推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器 winniewei -- 周三, 12/11/2024 - 10:58 这款节省空间的工业级器件提供了典型值为 0.3 ms的快速导通时间和2 nA的低漏电流
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET winniewei -- 周三, 12/04/2024 - 16:22 器件占位面积小,采用BWL设计,ID高达795 A,可提高功率密度,而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能
Vishay推出采用eSMP®系列SMF(DO-219AB)封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器 winniewei -- 周二, 11/26/2024 - 14:49 器件Qrr低至105 nC,VF为1.10 V,在降低开关损耗的同时,可降低寄生电容并缩短恢复时间
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能 winniewei -- 周三, 11/20/2024 - 14:06 TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装,RthJC低至0.45 C/W,ID高达144 A,从而提高功率密度
Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器 winniewei -- 周五, 11/15/2024 - 14:20 新的TS7系列采用 6.7 mm x 7 mm的紧凑尺寸,功率密度高,可提供0.5 W的额定功率和IP67密封等级
Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC热敏电阻,可提高有源充放电电路性能 winniewei -- 周三, 10/30/2024 - 16:02 自我保护器件R25阻值达1.5 k,可处理电压高达1200 VDC,能量吸收能力达340 J,可减少元件数量