Vishay

Vishay推出适用于恶劣环境应用的的微型密封多匝SMD微调电位器
这些节省空间的器件采用3 mm x 4 mm x 4 mm的尺寸紧凑，具有IP67密封等级，可在+150 °C的高温下运行
Vishay 推出新款精密薄膜MELF电阻，可减少系统元器件数量，节省空间，简化设计并降低成本
器件采用0102、0204和 0207封装，TCR低至  15 ppm/K，公差仅为  0.1 %，阻值高达10 M
Vishay全集成接近传感器荣获2024年度中国IoT创新奖和2024年度EE Awards亚洲金选奖
VCNL36828P采用VCSEL和智能双I2C从机地址，在紧凑的2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm SMD封装中提供低至5 μA的待机电流
Vishay 推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器
这款节省空间的工业级器件提供了典型值为 0.3 ms的快速导通时间和2 nA的低漏电流
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能
Vishay推出采用eSMP®系列SMF（DO-219AB）封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器
器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度
Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
新的TS7系列采用 6.7 mm x 7 mm的紧凑尺寸，功率密度高，可提供0.5 W的额定功率和IP67密封等级
Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC热敏电阻，可提高有源充放电电路性能
自我保护器件R25阻值达1.5 k，可处理电压高达1200 VDC，能量吸收能力达340 J，可减少元件数量
Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压
器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns