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近日,台积电、博世、英飞凌和恩智浦半导体宣布,有计划将共同投资位于德国德累斯顿的欧洲半导体制造公司(European Semiconductor Manufacturing Company,以下简称“ESMC”),以提供先进的半导体制造服务。ESMC的成立代表300毫米晶圆厂建造将迈出重要一步,以满足快速增长的汽车及工业领域产能需求,其最终投资定案尚待政府补助水准确认后决议。该项目基于欧盟委员会公布的《芯片法案》框架进行规划。

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按计划,工厂预计使用台积电28/22纳米平面互补金属氧化物半导体(CMOS)和16/12纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺技术,每月生产约40000个300毫米(12英寸)晶圆。通过引入先进的鳍式场效应晶体管技术,欧洲的半导体制造生态系统将得到进一步加强,并创造约2000个高新技术就业岗位。ESMC的目标是在2024年下半年开始建造工厂,计划于2027年底投入生产。

计划中的合资公司将由台积电持股70%,博世、英飞凌和恩智浦半导体各持股10%,但该构成仍需获得监管部门的批准并满足其他条件。该项目的投资总额预计将超过100亿欧元,其中不仅包括股权注资与借债,还包含欧盟和德国政府提供的有力支持。该晶圆厂将由台积电负责运营。

“此次在德国德累斯顿的投资展现了台积电致力于满足客户战略和技术需求的承诺,我们很高兴有机会加深与博世、英飞凌和恩智浦半导体的长期合作伙伴关系。”台积电总裁魏哲家博士表示,“欧洲对于半导体创新来说是个大有可为之地,尤其在汽车及工业领域。我们期待与欧洲的人才携手,将这些创新引入我们先进的硅技术中。”

博世集团董事会主席史蒂凡·哈通博士表示:“半导体不仅对博世而言是取得成功的关键因素之一,可靠的供应对于全球汽车产业的发展也至关重要。一方面,博世在持续扩大我们自有的制造生产能力,另一方面,博世作为汽车供应商,也进一步通过开展合作以保障供应链。博世很高兴能够与台积电这样的全球创新领导者携手,以强化博世德累斯顿晶圆厂周边的半导体生态系统。”

“我们的共同投资对于加强欧洲半导体生态系统而言是一个重要里程碑。借此,德累斯顿进一步巩固了自身作为全球最重要的半导体枢纽之一的地位。英飞凌最大的前端制程基地便坐落于此,”英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示,“英飞凌将利用此全新产能,满足欧洲客户日益增长的需求,尤其是在汽车和物联网领域。先进的制造能力将为开发创新技术、产品和解决方案奠定基础,以应对低碳化和数字化等方面带来的全球挑战。”

“恩智浦半导体始终致力于加强欧洲地区的创新和供应链韧性。”恩智浦半导体总裁兼首席执行官Kurt Sievers表示,“我们感谢欧盟、德国和萨克森州认可半导体产业的关键角色,并对促进欧洲半导体生态系统做出实际承诺。这座崭新且具有标志性的半导体晶圆厂的建成,将为因快速发展的数字化和电气化而需要各式硅制品的汽车和工业领域,提供所需的创新和产能。

关于博世

博世在中国生产和销售汽车零配件和售后市场产品、工业传动和控制技术、电动工具、安防和通讯系统、热力技术以及家用电器。博世在1909年进入中国市场。截止至2022年,博世在华销售额达到1321亿元人民币,员工人数超过58000名。

有关博世中国的更多信息,请访问:www.bosch.com.cn

博世集团是世界领先的技术及服务供应商。博世集团约421000名员工(截至20221231日)。2022财年创造了882亿欧元的销售额。博世业务划分为4个领域,涵盖汽车与智能交通技术、工业技术、消费品以及能源与建筑技术。作为全球领先的物联网供应商,博世为智能家居、工业4.0和互联交通提供创新的解决方案,旨在打造可持续、安全和轻松的未来出行愿景。博世运用其在传感器技术、软件和服务领域的专知,以及自身的云平台,为客户提供整合式跨领域的互联解决方案。利用带有人工智能(AI)功能或在开发和生产过程中运用人工智能技术的产品和解决方案,推进互联生活。通过产品和服务,博世为人们提供创新有益的解决方案,从而提高他们的生活质量。凭借其创新科技,博世在世界范围内践行科技成就生活之美的承诺。集团包括罗伯特博世有限公司及其遍布超60个国家的约470家分公司和区域性公司。如果将其销售和服务伙伴计算在内,博世的业务几乎遍及全世界每一个国家。博世集团于2020年第一季度在全球400多个业务所在地实现了碳中和。博世的长远健康发展建立在创新实力上。博世的研发网络拥有约85500名研发人员,其中有近44000名软件工程师,遍布全球136个国家和地区。

公司是由罗伯特博世(1861-1942)1886年在斯图加特创立,当时名为精密机械和电气工程车间。博世集团独特的所有权形式保证了其财务独立和企业发展的自主性,使集团能够进行长期战略规划和前瞻性投资以确保其未来发展。慈善性质的罗伯特博世基金会拥有罗伯特博世有限公司94%的股权,其余股份则分属于罗伯特博世有限公司和博世家族拥有的公司。多数投票权由罗伯特博世工业信托公司负责。该信托公司也行使企业所有权职能。

有关博世的更多信息,请访问:www.bosch.com, www.iot.bosch.com, www.bosch-press.com, www.twitter.com/BoschPresse.

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非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机,有助于设备进一步降低功耗和节省空间

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用,开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列”和“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”两个系列,共5款新机型

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近年来,在通信基站和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源,考虑到电压波动,起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面,提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高,效率会变差,因此,如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻,是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动,为了节省空间,对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

在这种背景下,ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片,并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式,开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。

新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装,实现了业界超低的导通电阻(Ron)*3(Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。与普通的双MOSFET相比,导通电阻降低达56%,非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外,通过将两枚芯片一体化封装,可以减少安装面积,有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品,如果替换掉两枚单MOSFET(仅内置1枚芯片的TO-252封装),可以减少77%的安装面积。

新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个(样品价格 550日元/个,不含税)的规模投入量产。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360电商平台均可购买。

目前,ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容,同时也在开发低噪声产品。未来,将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间,为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。

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<产品阵容>

Nch+Nch 双MOSFET

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Nch+Pch 双MOSFET

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* 预计产品阵容中将会逐步增加40V、60V、80V、150V产品。

<应用示例>

・通信基站用风扇电机

・FA设备等工业设备用风扇电机

・数据中心等服务器用风扇电机

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<通过与预驱动器IC相结合,为电机驱动提供更出色的解决方案>

ROHM通过将新产品与已具有丰硕实际应用业绩的单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合,使电机电路板的进一步小型化、低功耗和静音驱动成为可能。通过为外围电路设计提供双MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持,为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。

与100V耐压双MOSFET相结合的示例

■HT8KE5(Nch+Nch 双MOSFET)和BM64070MUV(三相无刷电机用预驱动器IC)

■HP8KE6(Nch+Nch 双MOSFET)和BM64300MUV(三相无刷电机用预驱动器IC)等

<电商销售信息>

开始销售时间:2023年8月起

网售平台:Ameya360

新产品在其他电商平台也将逐步发售。

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<电机用新产品的规格书数据下载页面>

从ROHM官网可以下载包括新产品在内的低耐压、中等耐压和高耐压MOSFET的规格书。

https://www.rohm.com.cn/new-product/middle-power

<术语解说>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构。被用作开关器件。

*2) Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动,因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET,漏极与源极之间的导通电阻更小,因此可减少常规损耗。

*3) 导通电阻(Ron)

使MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。

【关于罗姆(ROHM)】

罗姆(ROHM)成立于1958年,由起初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆(ROHM)在中国的业务发展】

销售网点:起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体(上海)有限公司, 2006年成立了罗姆半导体(深圳)有限公司,2018年成立了罗姆半导体(北京)有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求,罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色,积极开展“密切贴近客户”的销售活动,力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点,其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司(分公司:大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州)。并且,正在逐步扩大分销网络。

技术中心:在上海和深圳设有技术中心和QA中心,在北京设有华北技术中心,提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员,可以从软件到硬件以综合解决方案的形式,针对客户需求进行技术提案。并且,当产品发生不良情况时,QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地:1993年在天津(罗姆半导体(中国)有限公司)和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产,在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产,作为罗姆的主力生产基地,源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献:罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作,积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议,积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年,在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”,并已于2011年4月竣工。2012年,在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”,从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术(结构设施健康监测)、人工智能(机器健康检测)等联合研究项目。除清华大学之外,罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作,不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础,通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制,与客户构筑坚实的合作关系,作为扎根中国的企业,为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

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以“OPEN MOMENTUM:智能化·可持续·拓展性”为主题,由全球最具影响力的开放计算组织OCP基金会主办的第五届OCP China Day全球技术峰会中国专场将在北京香格里拉酒店隆重开幕。全球领先的综合电子元器件制造商村田中国(以下简称“村田”)将在本次峰会上重点展示符合OCP标准的ORV3集中式供电电源及电池备份单元,为数据中心的节能、安全、智能、高效运行提供有力支撑。

根据“东数西算”政策规划,预计“十四五”期间,大数据中心投资还将以每年超过20%的速度增长,累计带动各方面投资将超过3万亿元,整体发展空间巨大。随着数据中心的迅猛发展,其能耗问题也越来越突出,可靠的数据中心电源解决方案,是提高数据中心电能使用效率,降低设备能耗的有效方式。村田的供电电源及电池备份解决方案,通过安全、高性能的集中式供电,追根溯源,提供底层解决方案,有效降低数据中心运行过程中产生的热量,并将其转换为算力,从而提升数据中心的能耗使用效率。

村田电源产品技术专家杨宁将在下午出席“数据中心基础设施论坛”并分享《用于整机柜供电的多种电源产品方案》,在论坛上,他将介绍村田的电源产品及解决方案如何以创新、绿色技术为数据中心提供可靠、长久地支持,包括可满足使用Open Compute Open Rack V1、V2和V3标准的数据中心部署标准要求的整体电源解决方案。

村田电源产品市场部经理曹宇表示:“作为OCP的成员之一,我们非常荣幸能再次参加今年的OCP大会,这是一个与数据市场各领域的技术领先者进行交流、分享最新技术的重要平台。村田一直以来专注于数据中心市场的开拓,通过村田智能、可靠的电源产品和解决方案致力于为数据中心行业提供更高效、可持续的能源供应。我们期待与业界同仁深入探讨,共同推动数字化时代的发展。”

基于其在电源解决方案领域的多年深耕经验,村田持续突破技术壁垒,不断迭代电源产品和解决方案。村田此次展示的用于开放计算和数据中心的整机柜电源解决方案,拥有更高的PSU电源输出功率,单电源框可配置多达6片PSU模块以及1片RMU,同时多个电源框可以并联以输出更高功率。相较于传统电源模式,村田创新的电池备份单元BBU,能够在数据中心发生意外掉电事故时,为服务器提供一定时间的供电备份,以机架内的灵活备电方式有效保障数据安全。

此外,村田还将展出超高容量MLCC,电感,铁氧体磁珠,热敏电阻等产品和先进技术。现场观众可前往村田中国展台了解更多电源完整解决方案信息。

关于村田制作所

村田制作所是一家全球性的综合电子元器件制造商,主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售业务。致力于通过自身开发积累的材料开发、工艺开发、商品设计、生产技术以及对它们提供支持的软件和分析评估等技术基础,创造独特产品,为电子社会的发展做出贡献。


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作者:Frederik Dostal,现场应用工程师

问题:

为什么需要电平转换?

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答案:

反相降压-升压电路通常用于从正电压产生负电源电压。最重要的一步是确保正确产生负电压。但是,如果电源由主应用电路控制或监控,则可能还需要电平转换电路。该电路以地为基准,而反相降压-升压电源电路的GND引脚连接到所产生的负电压。

简介

反相降压-升压电路产生的负电压幅度可以高于或低于可用正电压的幅度。例如,从+12 V可以生成-8 V,甚至-14 V。当使用具有反相降压-升压电路的开关稳压器IC时,系统可能需要设计通信引脚。如果确实需要,设计人员必须进行充分的电平转换,以便可以利用同步和使能信号。

设计电平转换电路的注意事项

反相降压-升压拓扑是基本开关稳压器拓扑之一,只需要一个电感、两个电容和两个MOSFET开关。其中的开关可由任意降压稳压器或控制器驱动。因此,可供使用的开关稳压器构建模块有很多。图1显示了具备所有必要元件的反相拓扑。

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1.利用降压开关稳压器生成负电压的反相降压-升压拓扑

图2显示了带有ADP2386降压稳压器的降压-升压电路。如果反相电路使用了降压稳压器IC,则该IC的接地连接需连接到生成负电压的地方。降压稳压器的原始输出电压连接到系统地。而因为输出电压连接到系统地,所以反相拓扑中降压稳压器自身的地以生成的负电压为基准。IC的基准电压地(图2中的GND)未连接到系统地。因此,这两个地的电位不同。开关稳压器IC接地将成为所生成的负电压。开关稳压器IC上的所有引脚现在都以所生成的负电压为基准,而不是以系统地为基准。因此,从系统到IC或从IC到系统的通信线路和连接需要进行电平转换,以保障安全通信并防止损坏。通常,相关信号为SYNC、PGOOD、TRACKING、MODE、EN、UVLO和RESET。图2显示了电平转换电路的一个示例,使用了两个双极性晶体管和七个电阻(蓝色)来产生一个信号。该电路需占用一定的空间,并且增加了电路的复杂性和成本。前面提到的所有信号均必须单独部署这种电平转换器。当开关稳压器IC使用了电源管理总线(PMBus®)等数字总线时,情况将更为复杂。此时,整个总线连接必须采用电平转换或电气隔离才能运行。

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2.外部电平转换器用于为开关稳压器IC供电,使用外部时钟实现同步

专为反相电压设计的开关稳压器IC免去了对这种外部电路的使用需求。ADI公司根据降压稳压器IC设计了一系列开关稳压器IC,旨在为系统(即整个电子电路)和反相开关稳压器IC之间的通信提供便利。电路不需要使用如图2所示的外部电平转换结构。

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3.MAX17579设计为反相降压-升压稳压器,其中已集成电平转换功能

图3所示为MAX17579开关稳压器IC,可以从正电压产生负电压。显而易见的是,图3所示电路比图2要紧凑得多。

LTspice®或EE-SIM®设计与评估环境等仿真工具,可以帮助用户更好地了解反相拓扑中的稳压行为和潜在的电位差。这些工具还可以用来设计和优化电平转换电路。MAX17579之类的IC也可以利用EE-SIM设计工具轻松实现仿真。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司,致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁,以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案,推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展,应对气候变化挑战,并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2022财年收入超过120亿美元,全球员工2.4万余人。携手全球12.5万家客户,ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息,请访问www.analog.com/cn

关于作者

Frederik Dostal是一名拥有20多年行业经验的电源管理专家。他曾就读于德国埃尔兰根大学微电子学专业并于2001年加入National Semiconductor公司,担任现场应用工程师,帮助客户在项目中实施电源管理解决方案,积累了丰富的经验。在此期间,他还在美国亚利桑那州凤凰城工作了4年,担任应用工程师,负责开关模式电源产品。他于2009年加入ADI公司,先后担任多个产品线和欧洲技术支持职位,具备广泛的设计和应用知识,目前担任电源管理专家。Frederik在ADI的德国慕尼黑分公司工作。

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89日——莱迪思半导体公司NASDAQ: LSCC),低功耗可编程器件的领先供应商,今日宣布将举办免费的线上网络研讨会,会议的主题是探讨莱迪思控制FPGA——最近发布的MachXO5T™-NX FPGA系列产品。该产品旨在帮助客户解决日益增长的系统管理设计复杂性方面的挑战。

在研讨会期间,莱迪思将提供MachXO5T-NX高级系统控制FPGA产品系列的技术细节。该系列产品拥有先进的互连、更多逻辑和存储资源、稳定的可编程IO以及领先的安全性等特性

  • 举办方:莱迪思半导体

  • 内容:使用下一代控制功能简化您的设计管理

  • 时间:北京时间817日周四下午2:00

  • 地点:在此注册(需要提前注册)

关于莱迪思半导体

上海莱迪思半导体有限公司是全球低功耗FPGA的领先供应商,我们为不断增长的通信、计算、工业、汽车和消费市场客户提供从网络边缘到云端的各类解决方案。上海莱迪思自1993年设立上海研发中心至今已拥有成熟的研发团队,在上海、深圳、北京、西安和成都设有销售和技术支持办公室,我们的分销商遍及30多个省市,为我们的客户提供最可靠、专业的服务。我们的技术、长期的合作伙伴关系以及世界一流的技术支持,使我们的客户能够快速、轻松地开启创新之旅,创造一个智能、安全和互连的世界。

了解更多信息,请访问www.latticesemi.com/zh-CN您也可以通过领英微信微博了解莱迪思的最新信息。


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作者:James Goodland

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每年有数百亿个RAIN RFID标签穿梭于价值链,识别跟踪各类物品。在大多数情况下,只需少量的存储空间便可以存储产品和标签ID,从而区分各个物品,并报告物品在系统中的位置和/或状态。

那么,为什么某些RAIN RFID标签提供额外的存储空间呢?因为在某些情况下,特别是在供应链和工业物联网中(IoT),即使一点点额外的存储空间也会带来很大的影响。除了产品和标签ID外,扩展存储器标签可以存储其他信息,有助于提升效率、提高自动化水平并降低运营成本。

什么是扩展存储器标签?

提供扩展存储器的RAIN RFID标签与其他RAIN RFID标签基本相同,它们遵循相同的协议,并与更广泛的RAIN RFID生态系统完全可互操作,区别在于,前者包括可选存储器资源,而基本标签中则没有。

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UCODE标签存储器bank

所有RAIN RFID标签均使用GS1 UHF Gen2协议。根据该协议,RAIN RFID标签中的标准存储器分为4个bank:

1.保留存储器(Reserved Memory),存储用来锁定和解锁访问标签其他存储器bank的密码。它还提供“杀死”标签的能力,因此不会响应读取器。

2.标签ID(TID)存储器,用于存储制造过程中分配给标签的唯一编号TID。

3.电子产品代码(EPC)/唯一物品ID(UII)存储器,用于存储分配给与标签相关联的物品的EPC或UII。

4.用户存储器,存储系统可能需要的EPC/UII信息之外的任何其他数据。

标签存储器的前两个bank,即保留存储器和TID存储器,尺寸基本固定,但EPC存储器和用户存储器的尺寸可以变化。大多数标签提供EPC存储所需的最小存储容量(96或128位),几乎没有或根本没有用户存储器。另一方面,扩展存储器标签提供了更大的EPC存储器(高达496位),让用户能够在用户存储器中存储成百上千的比特。

扩展存储器带来扩展选项

提供额外的存储器会带来很多机会。标签可以存储较大的EPC ID以及基本ID的相关信息,例如制造状态、型号信息或价值链数据等。

此外,还可在信息可用时,记录使用单位序列号、原产地或特定化学品的浓度等重要细节,以及批号、有效期、复合日期或过期日期等。当产品在价值链的各个合作伙伴之间传输时,上述信息非常重要。数据需要传输,但如果没有复杂的安全保护机制和强大的连接,则数据无法传输。将重要数据与产品或物品ID一起存储在标签上,使下游合作伙伴能够在正确的时间获得必要的数据。

此外,存储在扩展存储器中的数据可以随时访问,即使在云连接不可用的情况下也可以,贴了标签的物品仍然可以随时随地通过读取器提供其所有信息,包括存储在扩展存储器中的数据。

下面列举了扩展存储器为行业提供的独特的优势:

制造操作:在生产线上,扩展存储器标签有助于监测复杂产品从开始到结束的进度,并记录组装过程中的状态和零部件ID。在航空和汽车领域,有关产品装配的详细信息可以在生产过程中记录下来,产品诞生后可以实施全面跟踪,而无需依靠系统连接。

库存管理:在物品和集装箱上添加标签可提供更详细的产品信息,支持数字化看板操作,使用存储器存储日期、批次或零部件生成信息,可确保正确的零部件用于生产线上正确的位置,按正确顺序进行操作。

自动工具管理:在工厂车间,扩展存储器支持自动工具管理和自动工具检查,从而提高工具可用性、工作人员的责任制度和工具保养计划的准确性。

供应链管理:贴有标签的零部件和集装箱可以自动提供发货证明、供应商提供的日期信息并开具自动收据,物流更高效,准时制供应链运行更顺畅。

航空行李跟踪:最新的行李跟踪使用高性能标签,部分带有额外的标签内存,可以存储有关行李、目的地和主人的信息,减少行李在运输过程中被放错的情况,让机场工作人员及时将行李放到正确的航班上,使航班能够准点起飞。

易腐品和药品:在许多行业,了解产品的有效期对保证安全至关重要。扩展存储器通常用于存储时间/日期和批次信息,在物品通过制造环节和供应链的过程中一直保存在物品上。存储的数据可以在产品生命周期的任意时刻查看,即使没有网络连接也可以查看。

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UCODE 9xm支持通过标签在物品和集装箱上存储更详细的产品信息

恩智浦的扩展存储器标签方法

如果客户需要额外的存储空间,恩智浦建议使用UCODE 9xm扩展存储器IC。UCODE 9xm提供与成功的UCODE 9相同的功能集和极高的射频性能,但具有3种灵活的存储器配置,可提供高达496位的EPC/ UI存储器和高达752位的用户存储器。

UCODE 9xm提供扩展存储器和扩展选项。观看点播培训视频,了解广泛的功能集和优势。UCODE 9xm介绍

如图所示,EPC/UII和用户存储器共享总计880位的存储空间,支持根据具体使用场景平衡不同的需求。例如,在制造业领域,用户存储器的全部752位可用于存储产品的详细信息,而汽车或航空公司则可以使用EPC/UII存储器的全部496位来符合相关数据标准。无论哪种方式,存储器配置都由客户在标签编码过程中进行编程,这意味着单个IC可以用于满足多个使用场景,有助于降低库存单位(SKU)的复杂性,并为客户提供配置灵活性,以适应目前某些复杂的价值链环境。

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客户可配置UCODE 9xm存储器

了解详情

通过存储基本EPC/UII ID之外的其他信息,扩展存储器UCODE标签可应对目前最迫在眉睫的物联网和供应链挑战。了解恩智浦如何使用nxp.com/UCODE9xm应对这些挑战。

作者:

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James Goodland

恩智浦半导体公司RAIN RFID解决方案主管

通过与企业合作伙伴的密切合作,他的眼光不再局限于IC领域,而是对准了完整解决方案的开发和实施。James在RFID技术领域拥有超过15年的经验,代表服务整个供应链的各企业,包括硬件制造商、系统集成商和终端用户。他曾为多个品牌企业和终端用户负责部署RFID技术,涵盖多个不同的行业和市场。

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引言

在许多应用场合,都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。在输出功率60W以内,工程会选用内置MOS的升压芯片,集成度高,外围元器件少。但是在更大功率的应用场合,如车载升压应用、户外大功率拉杆音箱等,需要升压电路将12V电源升压至24V~36V或以上,实现更大功率输出,内置MOS的升压芯片显然无法满足应用要求。

深圳市永阜康科技有限公司现在大力推广一颗外置MOS,36V输出大功率同步升压控制器-IU5706. 4.5V 30V宽范围输入,适用于不同类型的电池及电源输入;输出电压最高38V可驱动大电流MOSFET满足100-300W大功率的应用要求50KHz至1MHz的可调频率,同时提供外部时钟同步,EMI设计更为灵活;6μA关断电源电流,720μA静态工作电流;采用EQA-16小封装,整体方案尺寸小,设计简单,BOM成本低。

IU5706产品简介

概要

IU5706E是高性能宽输入范围(4.5V-30V)同步升压控制器,支持高达38V的输出电压。输出电压采用恒定频率电流模式脉宽调制(PWM)控制来实现调节。

芯片通过外部定时电阻器或通过与外部时钟信号同步来设置开关频率。在电阻编程模式下,开关频率可从50KHz编程到1MHz,也可以与300kHz至1MHz之间的外部时钟同步。

同步整流针对高电流应用而启用高效率,而且无损耗电感器DCR进一步提升了效率。IU5706E包括一个7.5V栅极驱动电源,此电源适合于驱动很多类型的MOSFET。

采用EQA-16封装。

描述

38V最大输出电压

4.5V 至30V输入电压范围

具有内部斜坡补偿的电流模式控制

与外部时钟的同步能力

50KHz至1MHz 的可调频率

外部可调软启动时间

输出电压电源正常指示器

±1%反馈基准电压

6μA关断电源电流

720μA静态工作电流

逐周期电流限制和热关断

可调欠压闭锁(UVLO) 和输出过压保护

IU5706应用信息

1、IU5706脚位图

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2、IU5706管脚说明

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3、IU5706 DEMO原理图

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4IU5706 DEMOPCB顶层设计图

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5IU5706 DEMOPCB底层设计图

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6、IU5706 DEMO板贴片图

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7、IU5706 DEMO板物料清单

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8、IU5706 DEMO实物图

(输出功率150W以上MOS需要外接散热器)

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(输出150W以内,MOS采用TO252贴片封装)

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搭载全新RapidFlex™ 高速网络架构设备和双端口Ultrastar® NVMe™ SSD的增强型OpenFlex™ Data24存储平台,支持简化下一代分解式存储的NVMe-oF™架构部署

从云端到边缘,再到企业,数据中心架构师们为了充分发挥人工智能、对象存储、文件共享等技术的潜力,正在部署更高级别的闪存产品。同时,他们也关注成本把控,亟需可以更高效地管理、扩展和利用存储资源的解决方案。基于此,能够提高存储资源性能、可用性和灵活性的共享分类NVMe闪存架构(NVMe-oF)逐渐成为趋势。

西部数据公司(NASDAQ:WDC)日前宣布推出增强型OpenFlex Data24 3200 NVMe-oF JBOF/存储平台、新一代RapidFlex A2000和C2000 NVMe-oF高速网络架构设备(FBD)和全新 Ultrastar DC SN655 PCIe™ Gen 4.0双端口 NVMe SSD,可帮助客户简化NVMe/NVMe-oF存储的部署。这些创新的存储解决方案构成了一个生态系统,为客户简化NVMe和NVMe-oF部署提供了更多的灵活性和选择。西部数据是一家具备垂直整合能力,能够对以太网两端,即从服务器发起方到存储目标提供数据传输解决方案的公司。

The Futurum Group 高级策略师Randy Kerns表示:“NVMe-oF将为当代数据中心基础架构带来颠覆性的改变,它能够充分发挥NVMe SSD的性能,并在多个服务器和应用之间高效地共享和扩展闪存。西部数据凭借不断扩展的NVMe-oF解决方案和产品组合,持续推动行业生态系统的发展和更多开放标准的制定,这也令公司在广泛的应用场景中处于优势地位。”

全面集成的OpenFlex Data24 3200 NVMe-oF存储平台

西部数据OpenFlex Data24 3200是一个全面集成的NVMe-oF存储平台,可将NVMe闪存的性能扩展到共享存储架构。通过将存储资源与计算分离并经由以太网共享,OpenFlex Data24可广泛用于多个应用和服务器,在无需超额配置存储资源的情况下提高存储利用率,从而实现更强大的资源控制和扩展。

Data24 3200采用了RapidFlex FBD,无需交换机即可连接多达六台主机。交换机连接的环境允许扩展更多主机和Data24平台,同时以极低的应用延迟提供从数百TB到数PB NVMe闪存的横向或纵向扩展能力。除了基于融合以太网的RDMA(RoCE)之外,增强型Data24还支持新的TCP连接协议。Data24 3200采用2U-24盘位机架,提供5年有限质保,并通过由低延迟、双端口PCIe Gen 4.0 SSD组成的平台提供高达368TB[i]的存储空间,旨在带来低功耗、高可用性和企业级可靠性。

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< 西部数据OpenFlex Data24 3200 NVMe-oF存储平台 >

下一代RapidFlex FBDA2000 ASICC2000高速网络架构PCIe适配器

RapidFlex系列基于NVMe-oF高速网络架构设备为OEM/ODM和大型组织提供了基础模块,并采用 DIY 方式构建软件定义的基础架构,从而在以太网架构上以高度可扩展的共享存储处理下一代工作负载。第二代低功耗、高性能的FBD拥有两个版本:RapidFlex A2000控制器和将A2000芯片放置在PCI适配器上的RapidFlex C2000,可用于驱动全新的OpenFlex Data24等解决方案。

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< 西部数据RapidFlex C2000 NVMe-oF高速网络架构设备 >

全新的RapidFlex FBD是一种独特的协议转换机,可通过以太网传输PCI总线协议,使外部连接的SSD类似于服务器本地SSD。新系列还新增了一个与 PCIe Gen 4.0 16通道相匹配的100 GbE端口(2x100Gb以太网端口),实现性能翻倍,并在所有NVMe全闪存阵列中提供了PCIe根互联交换,使其易于鉴定和部署。A2000和C2000 FBD在现有目标模式功能的基础上新增了启动器模式功能,因此,客户可以在服务器中部署更具成本效益和更低功耗的启动器来替代传统以太网适配器进行NVMe-oF连接。

企业级Ultrastar DC SN655双端口NVMe SSD

Ultrastar DC SN655是一款高性价比的双端口、大容量PCIe Gen 4.0 NVMe SSD,专为需要高性能、大容量的企业级存储客户设计,适用于如分解存储、对象存储、存储服务器和其他任务关键型应用程序和工作负载。

Ultrastar DC SN655是一款垂直集成的SSD,提供了简单且可扩展的单端口或双端口路径,确保满足企业高可用性要求下的持续数据访问。该产品还将容量从3.84TB扩展到15.36TB1,可满足存储和混合工作负载计算应用的要求,并将SSD的可靠性提高到250万小时的平均故障间隔时间(预计)。此外,SN655还为大型非结构化工作负载提供了超过100万的最大随机读取IOPs和更高的服务质量 (Qos)[ii]。产品采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸,并向下兼容U.2。SN655还提供了更多企业级功能,如电源故障保护和端到端数据路径保护,以确保在必要时的数据可用性。

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< 西部数据Ultrastar DC SN655 NVMe SSD >

西部数据公司副总裁兼中国区总经理蔡耀祥表示:“如今数据正以指数级地增长,而NVMe分解式存储已然成为现实。我们的目标是为数据架构师提供可靠并且值得信赖的SSD产品和简化的NVMe-oF解决方案,以规模化的卓越性能满足持续变化的工作负载需求,帮助他们实现面向未来的存储战略。通过将RapidFlex、Ultrastar与Data24结合,西部数据能够为企业级用户提供颠覆性的下一代闪存共享方式,为他们的业务创造更大的价值。”

OpenFlex Data24 3200 NVMe-oF存储平台、RapidFlex A2000和C2000 FBD系列以及Ultrastar SN655双端口NVMe SSD样品现已交付。

关于西部数据公司

西部数据始终致力于发掘数据价值,创造更多可能。凭借在闪存和HDD领域的整合积累,以及在内存技术领域的推进发展,西部数据持续突破创新,不断推出强大的数据存储解决方案,以支持全球数字化未来的远大进程。同时,西部数据将可持续发展作为公司核心价值观,深刻理解应对气候变化的紧迫性,并积极实现科学减碳倡议组织(Science Based Targets initiative, SBTi)的宏伟减碳目标。欲了解更多西部数据公司及旗下Western Digital™(西部数据)、SanDisk™(闪迪)和WD™(西数)品牌的信息,请访问:https://www.westerndigital.com/zh-cn


[i] 1 terabyte (TB) =一万亿字节。总可访问容量因操作环境而异。

[ii] 基于内部测试。性能将根据容量点或可用容量的变化而波动。详情请参阅产品手册。所有性能基于持续测试模式,取峰值数据。可能会有变化。

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低碳化趋势将推动功率半导体市场强劲增长,尤其是基于宽禁带材料的功率半导体。全球功率系统领域的领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正向构建新的市场格局迈出又一决定性的一步——英飞凌将大幅扩建居林晶圆厂,在20222月宣布的原始投资基础之上,打造全球最大的200毫米碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂。这项扩建计划得到了客户的支持,包括汽车和工业应用领域约50亿欧元的新设计订单以及约10亿欧元的预付款。

配图:英飞凌居林200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂.jpg

在未来五年内,英飞凌将再投入多达50亿欧元进行居林第三厂区(Module Three)的二期建设。到2030年末,这项投资再加上计划在菲拉赫与居林工厂的200毫米SiC改造,有望使SiC的年营收达到约70亿欧元。这座极具竞争力的生产基地将帮助英飞凌实现在2030年之前占据全球30% SiC市场份额的目标。英飞凌坚信,公司 2025 财年的碳化硅收入将超过 10 亿欧元的目标将实现。

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示:碳化硅市场正在加速增长,不仅在汽车领域,在太阳能、储能和大功率电动汽车充电等广泛的工业应用领域亦是如此。扩建居林工厂将确保我们在这一市场的领导地位。凭借业界领先的规模和独特的成本优势,我们正在充分发挥竞争优势,包括领先的SiC沟槽技术、全面的封装产品组合以及对应用的深刻理解。这些优势使我们在行业中脱颖而出并取得成功。

英飞凌已获得约50亿欧元的新设计订单,以及来自现有和新客户的10亿欧元左右的预付款,其中汽车领域包括六家整车厂,三家来自中国。客户包括福特、上汽和奇瑞。可再生能源领域的客户包括SolarEdge和中国三大领先的光伏和储能系统公司。此外,英飞凌和施耐德电气就产能预订达成一致,包括预付硅和碳化硅产品的费用。英飞凌和相关客户将在近期分别发布公告,披露更多细节。这些预付款将在未来几年为英飞凌的现金流做出积极贡献,并且最迟应在2030年根据协议销售量全额偿还。

可持续发展是规划、建设与运营该晶圆厂的关键要素之一。该厂的设计初衷是使英飞凌能够负责任地使用水、电等资源。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约56,200名员工,在2022财年(截至930日)的收入约为142亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。

更多信息请访问www.infineon.com

更多新闻请登录英飞凌新闻中心https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/press-releases/

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自199510月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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Pure Storage 丰富的产品组合涵盖高性能、大容量、高性价比的产品,且始终保持现代化

专为多云环境提供先进数据存储技术及服务的全球 IT 先锋 Pure Storage® (NYSE: PSTG)今日宣布其已实现一项愿景目标,即率先成为业界首家以全闪存解决方案满足客户全部存储需求的技术提供商。目前只有 Pure Storage 可以真正做到这一点,这主要归功于其在原生闪存管理、Purity架构、Evergreen®支持架构和云运营模式方面的独到之处。

Pure Storage董事长兼首席执行官 Charlie Giancarlo 表示:“我们倾力打造的业内最优秀的产品线,兼具出众的稳定性、先进性和可靠性,全面满足所有的企业级存储需求。迈入人工智能新时代,与硬盘和固态硬盘相比,Pure全闪存产品线在性价比、运行性能和环保方面展现出卓越优势,这对我们的客户来说比以往任何时候都更加重要。”

Pure Storage 中国区销售总监朱星勃表示:“这些最新的发布将对我们的中国客户和合作伙伴产生深刻影响。目前,构建全闪存数据中心从经济角度来说已非常可行,且考虑到对环境的影响和总体拥有成本,这也是顺理成章的选择。IDC最新发布的《2023年第一季度全球企业存储系统季度跟踪报告》显示,Pure在中国市场的增长率高达57.6%,远超3.4%的市场整体增长率,这充分证明我们有能力满足客户对创新和可持续技术解决方案的需求,并将继续保持良好的发展势头。”

对于Pure Storage全球11,500多家覆盖全行业和各种工作负载类型的客户而言,Pure已证明其能够:

将产品的性能可靠性较友商提高十倍;

在性能和空间利用率上比同类全闪存竞品高出两到五倍,比磁盘高出十倍;

将操作所需的人工投入比传统存储设备减少五到十倍;

实现总体拥有成本 (TCO) 比同类闪存和磁盘竞品至少低50%

赋能客户,消除用户环境中与磁盘相关的各种问题。

之所以能够实现上述成果以满足各种存储需求,是因为Pure Storage具有诸多与众不同且可持续的差异化优势:

Pure Storage DirectFlash®技术采用业界独一无二的控制器软件直接管理闪存芯片的架构,而友商使用的是价格贵、效率低且寿命短的SSD

Pure Storage高度整合的产品线由通用的Purity操作环境Pure1®管理系统组成,可在纵向和横向扩展平台上运行,而友商需要采用多种完全不同的软件和硬件平台才能覆盖相同的使用场景。

独特的Pure Storage Evergreen®体系架构和服务确保部署的产品永不过时,快速适应不断变化的需求,且可实现无中断升级。

Pure Storage云运营模式赋能客户像云端客户那样操作存储:高度自动化、合理编排且以即服务的形式提供可用性。

全新解决方案:

Pure Storage对以取代传统磁盘为目标的Pure//E™系列产品进行扩展,推出了全新的FlashArray//E™,真正兑现了Pure Storage帮助客户摆脱磁盘束缚的承诺。整个Pure//E系列是首款能够满足二级存储市场需求的全闪存存储系统,其价格和7200 RPM硬盘系统接近,但能耗、空间和运行成本却只是后者的一小部分。

新一代FlashArray//X™FlashArray//C™的推出将数据存储的性能、效率和安全性提高到了前所未有的水平。与前代相比,新款FlashArray™的性能提高了40%,可扩展存储容量的在线数据消重能力提高了30%,并且可通过无中断升级提供全新的勒索软件保护功能。

FlashArray//E

FlashArray//E为存储各类文件和块数据提供了闪存的简易性和高效率,让客户终于可以淘汰其数据中心中的最后一批磁盘。产品优势体现在:

满足任何规模化需求的高性价比:有了FlashArray//EPure//E系列的容量支持门槛从先前的4PB下调到了1PBPure//E提供每GB不到0.20美元的价格和持续三年的技术支持,并提供随时可用的数据存储服务,可应对呈指数级的数据增长,其性能水平居于业界前列 (能耗比磁盘低5)

业界容量最大的闪存盘:FlashArray//E将包含业界单盘容量最大的集成了NVRAM模块的75TB QLC DirectFlash介质 (DFMD)Pure Storage预计,到2026年,DirectFlash®将推出单盘容量300TB的闪存介质。相较于同类全闪存阵列竞品,客户将享受超凡的能耗和空间节省,20倍可靠性提升,性能提高4倍以上。

新一代FlashArray//XFlashArray//C

与前几代产品相比,最新一代FlashArray//XFlashArray//C R4取得了重大突破。客户将可以享受如下优势:

性能提升至多40%最新的R4型号性能提升高达40%,内存速度提高了80%以上,支持更大的工作负载整合,在线数据消重能力提升了30%,进一步扩展存储容量。FlashArray//XFlashArray//C R4基于PCIe Gen4技术构建,采用最新的英特尔至强芯片组和DDR5 DRAM,为客户提供更强大的功能,支持更多工作负载,且可节省高达74%的总体拥有成本。

为业务关键型工作负载提供更多选择:通过发布全新的FlashArray//C90扩展其FlashArray//C系列,Pure Storage为不需要亚毫秒 (2毫秒延迟的业务关键型工作负载和数据服务的客户提供了更多选择,使其成为运行数据库、工作负载整合、业务连续性/容灾和文件工作负载(包括VMwarePACS和文件存储)的完美平台。

业界容量最大的闪存盘:FlashArray//C将支持内置NVRAM75TB QLC DirectFlash®模块 (DFMD),与此同时,FlashArray//X也将包含36TB TLC DFM。这些DFM3U机架高度提供1.5PB的容量,1U机架高度的密度提高了106%DFMD最初是随FlashArray//XL发布,降低了对机架空间的需求,支持更大的容量扩展和更高的NVRAM吞吐量。与同类全闪存阵列竞品相比,DirectFlash的可靠性提高了20倍,性能提高了4倍以上。

增强的数据保护:闪存阵列自动开启SafeMode已扩展至现有阵列上的新建卷,其中包括新的默认快照计划和长达30天的快照保护。如此一来,客户无需额外投入即可为所有数据提供终极保护,还能按需确保粒度控制。

人工智能的首选存储合作伙伴

生成式人工智能掀起了新一轮人工智能的浪潮,今日发布的创新将进一步巩固Pure Storage作为人工智能项目首选存储合作伙伴的领导地位。Pure Storage为前沿人工智能项目提供支持,例如自动驾驶汽车研发公司,以及全球最大的人工智能超级计算机Meta AI的研究超级集群 (AI RSC) 等。在Pure的支持下,客户可从任何规模开启其人工智能之旅,并随需求变化而扩展。

Pure Storage早在多年前就预见了对人工智能的需求,并推出了FlashBlade® 以及与NVIDIA联合开发的AIRI®  (AI就绪的基础设施)解决方案。AIRI//S™Pure StorageNVIDIA联合开发的一款面向人工智能的NVIDIA DGX BasePOD参考架构,包括最新的FlashBlade//S存储。Pure StorageFlashBlade硬件产品组合支持GPU Direct Storage (GDS),近期也将推出可提供完整GDS支持的软件增强功能,从而进一步深化Pure StorageNVIDIA的合作,并优化DGX BasePOD认证解决方案。

关于Pure Storage

Pure Storage (NYSE: PSTG) 帮助技术专家节省更多时间。Pure Storage 提供现代化数据体验,赋能组织在多云环境中,以真实的、自动化的、存储即服务模型,无缝地运行程序。作为有史以来成长最快的 IT 企业之一,Pure Storage 帮助客户实现数据的应用,并降低管理基础设施的复杂程度和成本。目前,Pure 拥有行业内最高净推荐分数 (NPS),这也说明了 Pure 持续增长的客户是世界上满意度最高的客户。

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