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在物联网、智能穿戴、汽车电子等新兴产业快速发展的背景下,市场对高性能、长寿命电池的需求日益旺盛。面对这一市场需求,闻泰科技半导体业务推出了智能电池寿命增强器IC,不仅解决了微型设备在电池续航和性能稳定性上的关键问题,更推动了整个半导体行业的可持续发展和技术进步,彰显公司深厚的技术积累与创新精神。

微型设备,以其小巧的体积、高度集成的功能以及便捷的携带性,在通信、汽车、医疗、工业控制、消费电子等众多领域发挥着不可替代的作用。然而,对于微型设备而言,电池寿命和性能稳定性始终是制约其发展的关键因素。

传统的一次性纽扣锂电池在提供高脉冲电流时,往往会出现电压快速下降的情况,这不仅影响了设备的正常运行,还会缩短电池的整体寿命。针对这一痛点,闻泰科技半导体业务推出了专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设计的智能电池寿命增强器——NMB7100、NBM5100和通过AEC-Q100认证的系列。

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  1. 延长微型设备的续航时间,降低电池更换成本

    通过先进的电路设计和优化算法,闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC确保电池在高脉冲电流需求下仍能保持稳定的输出电压。与未使用电池增强器的典型纽扣电池相比,使用该增强器不仅可以将该类电池寿命延长10倍,还可以将电池的峰值输出电流能力提高至25倍,从而延长微型设备的续航时间,同时降低与电池更换相关的维护成本。

  2. 广泛应用于不同领域,推动相关产业的创新发展

    凭借出色的电池管理能力和广泛的应用兼容性,闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC正在成为各类微型设备不可或缺的核心组件。从智能穿戴设备到医疗设备,从汽车电子到物联网传感器,这些增强器都能提供稳定、高效的电池支持,使其在复杂多变的环境中保持最佳运行状态,从而提升微型设备的整体性能和用户体验,更为相关产业的创新发展注入了新的活力。

  3. 增加环境效益,促进绿色可持续发展

    通过有效延长电池的使用寿命,闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC显著减少了废旧电池的产生和处理压力,降低了对环境的潜在污染。同时,它们还促进了资源的循环利用,降低了能源消耗,为实现脱碳的可持续发展目标作出了重要贡献。

闻泰科技半导体业务推出的智能电池寿命增强器IC不仅代表了公司半导体技术在电池管理领域的重大创新,更展现了公司在推动绿色、可持续发展方面的积极贡献。

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闻泰科技始终注重研发创新,持续加大研发投入。2024年上半年,公司半导体业务研发投入达到8.74亿元。公司在对现有产品进行迭代升级推出新产品的基础上,持续开发高功率分立器件(IGBT 、SiC 和 GaN)和模块、模拟 IC组合、功率管理 IC 和信号调节 IC 等产品领域,持续推出多个新产品。未来伴随更多高 ASP 产品投入市场,公司产品 ASP 将实现几倍甚至十几倍的提升,从而进入下一个更大的增长周期中。

立足当下,闻泰科技将继续秉承科技创新的理念,不断探索新技术、新领域,同时积极履行社会责任,推动绿色生产。展望未来,闻泰科技有望在科技创新和可持续发展的道路上越走越远,为投资者创造更加长远且可持续的内在价值。

来源:闻泰科技

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AI技术已成为驱动数字经济高速发展的核心引擎。从ChatGPT掀起的全球热潮,再到DeepSeek等多模态大模型加速产业迈向数智化升级,“AI+”应用已渗入各行各业发展壮大的血管经脉。

顺应时代发展浪潮,华北工控面向“AI+”场景应用持续工业计算机产品的创新与迭代,基于12/13/14代Intel Core系列处理器推出工控主板BPC-7151,提供增强的数据运算与实时响应能力,I/O接口丰富以确保灵活扩展,并具备工业级高可靠性,可以广泛应用于工业物联网、智慧城市、智慧医疗等行业领域。

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BPC-7151基于12/13/14代Intel Core系列处理器的性能混合架构提高了计算性能,最大支持24核心32线程,可以处理多任务并行处理负载。板载16GB DDR5内存颗粒+1*DDR5 SODIMM插槽,最大支持48GB运行内存,并提供SATA 3.0、M.2 M KEY 2280接口进一步扩大存储容量,以满足大内存、实时响应的产品要求。该主板可集成Intel®超核芯显卡,并提供VGA、DP++显示接口承载计算机视觉、视频监控等技术应用。

整板配置了丰富的I/O接口,包括千兆RJ45网口、USB3.2 GEN1 5Gbps接口、USB2.0接口等,可以提供更高速的数据传输速率和处理效率。此外还配置了Line out、Mic in、JAMP功放接口,以及PCIe x8(8-lanes)插槽,JLPC、JPCIE、JCOMUSBDDI扩展接口等,方便满足用户的个性化需求。

BPC-7151适配Windows 10(1809版本之后)、Linux操作系统,支持看门狗和Intel AMT and Intel vPro Technology基于专用硬件的安全性增强功能(搭配Z690桥片时不支持AMT),可以为用户提供更安全稳定的系统运行环境。满足-20℃~70℃宽温作业标准,并具备抗电磁干扰等复杂环境适应性,尺寸小巧(183mm x 198mm),易于部署。

BPC-7151主要产品特性:

· 支持12/13/14代Intel Core i3/i5/i7/i9处理器;

· 可选搭载Intel H610/Q670/Q670E/Z690芯片组;

· 支持2*LAN、1*USB2.0(内部)、4*USB3.2 GEN1 5Gbps

· 板载16GB DDR5内存颗粒+1*DDR5 SODIMM插槽,最大支持48GB;

· 支持1*PCIe x8(8-lanes)接扩展卡用于接显卡或PCI设备;

· 支持1*JCOMUSBDDI接扩展卡用于扩展串口/USB/显示接口;

· 支持1*JLPC接扩展卡用于扩展串口;

· 支持1*JPCIE接扩展卡用于扩展网口;

· 适配Windows 10(1809版本之后)、Linux系统;

· 尺寸为183mm x 198mm。

联系我们

华北工控是一家集行业专用嵌入式计算机产品研发、生产、销售及服务于一体的国家高新技术企业,也是国家级专精特新“小巨人”企业,可以为客户提供X86架构和ARM架构多样化嵌入式主板、嵌入式准系统/整机和工业平板电脑,以及产品的一体化客制服务!

如果您对产品感兴趣,可联系华北工控当地业务咨询购买,或关注华北工控官网进一步了解:www.norco.com.cn

来源:华北工控_NORCO

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随着清洁能源需求增长,太阳能的潜力日益受到关注,太阳能电池通过吸收光子释放电子,将阳光直接转化为电能。电气测试广泛用于研发和生产中,以表征其性能,包括直流/脉冲电压测量、交流电压测试等,分析关键参数如输出电流、转换效率和最大功率输出,常结合不同光强和温度条件进行。

4200A-SCS参数分析仪可简化这些电气测量过程,集成直流和快速I-V、C-V测量功能,具备控制软件、图形绘制和数学分析能力。它适用于多种测量,包括直流/脉冲I-V、C-V、C-f、驱动级电容分析(DLCP)、四探针电阻率和霍尔电压测量。本应用说明描述了如何使用4200A-SCS对光伏电池进行这些电测量。为了简化光伏材料和电池的测试,4200A-SCS配有对应的测试和一个可以轻松地进行多项常用相关测量的项目,包括I-V、电容和电阻率测量,还包括提取最大功率、短路电流、缺陷密度等公共参数的公式。

直流电流/电压(I-V)测量

太阳能电池的多项参数可通过电流-电压 (I-V) 测量获得。使用4200A-SCS的源测量单元 (SMU) 便可完成此任务,它既可作为电压源,又可测量电流。4200A-SCS的SMU具有四象限工作能力,能够以施加电压的函数吸收电池电流,并提供四种型号:4200-SMU/4201-SMU(最大100mA)和4210-SMU/4211-SMU(最大1A)。若电池电流超出以上范围,可通过减小电池面积或使用吉时利SourceMeter®仪器获得更高电流支持。

从I-V测量得到的参数

太阳能电池的等效电路模型包括光感应电流源 (IL)、二极管、串联电阻 (rs) 和分流电阻 (rsh),其中串联电阻影响短路电流和输出功率,理想值为0Ω,而分流电阻反映漏流损耗,理想值为∞。当光照射在太阳能电池上并连接负载电阻时,总电流为 I=ls(eqV/kT−1)−IL。表征电池效率的关键参数包括最大功率点 (Pmax)、能量转换效率 (η) 和填充因子 (FF),最大功率点对应电池I-V曲线的“拐点”,此处输出功率达到最大。

连接到太阳能电池进行I-V测量

图1显示了使用4200A-SCS连接太阳能电池进行I-V测量的配置。太阳能电池通过四线连接测试,其中一对引线 (Force) 提供电压,另一对引线 (Sense) 测量压降。这种配置可消除引线电阻的影响,确保测量的准确性,同时Sense端引线能补偿电压偏差,确保电池电压与设定值一致。

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图1. 4200A-SCS连接到太阳能电池进行I-V测量

正向偏置I-V测量

太阳能电池的正向偏置I-V测量在受控光照下进行,通过“fwd-ivsweep”测试由4200A-SCS的SMU完成,电压从0扫至开路电压 (Voc)。短路电流 (Isc) 和开路电压 (Voc) 可直接从扫描数据中提取,其他参数如转换效率 (η) 和电流密度 (J) 可通过公式器计算。I-V扫描结果可生成半对数图或倒置图形,以支持不同分析需求。

串联电阻 (rs) 可通过不同光强下的正向I-V曲线确定,方法为连接线性区域点并测量其斜率的倒数。4200A-SCS的SMU具有极低的电压负荷,仅几百μV,与传统数字万用表相比,更适合太阳能电池的低电压测量,减少测试误差。

反向偏置I-V测量

从反向偏置I-V数据可以推导出太阳能电池的漏电流和分流电阻 (rsh)。测试通常在暗室中进行,通过逐步增加电压至击穿电平并测量电流绘制曲线。SMU的前置放大器支持pA级甚至更小的精确测量,使用低噪声电缆和屏蔽盒可进一步减少干扰,屏蔽连接至4200A-SCS的Force LO端子。

分流电阻 (rsh) 可通过反向偏置I-V曲线的线性区域斜率计算(如图2所示)。Solar Cell Reverse I-V Sweep (“rev-ivsweep”) 测试可生成实际的反向偏置特性曲线,半对数图显示了电流绝对值与反向偏置电压的关系(如图3所示),用于更直观的分析。

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图2. 太阳能电池典型的反向偏置特性

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图3. 用SMU测量硅太阳能电池的反向偏置 I-V

电容的测量

C-V测量在推导太阳能装置的特定参数时是非常有用的。根据太阳能电池的类型,电容-电压 (C-V) 测量可用于推导掺杂浓度和结的内置电压等参数。电容 - 频率(C-f) 扫描可用于提供耗尽区是否存在陷阱(空穴/阱 电 容)。4200A-SCS的可选4210-CVU或4215-CVU作为电容计,测量电容的相关函数:施加的直流电压 (C-V),频率 (C-f),时间 (C-t),或施加AC电压。CVU还可以测量电导和阻抗。

为了进行电容测量,如图4所示,将太阳能电池连接到CVU上。与使用SMU进行的I-V测量一样,电容测量也涉及四线连接以补偿引线电阻。HPOT/HCUR端子连接到阳极,LPOT/LCUR端子连接到阴极。将CVU的直流高压源端连接到阳极。

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图4. 将太阳能电池连接到CVU电容计

图4显示了来自电容计四个端子的四根同轴电缆的屏蔽连接。来自同轴电缆的屏蔽必须尽可能靠近太阳能电池连接在一起,以获得最高的精度,因为这减少了测量电路中电感的影响。这对于在更高的测试频率下进行电容测量尤其重要。

考虑到电池的电容与器件的面积直接相关,在可行的情况下,可能需要减小电池本身的面积,以避免电容可能过高而无法测量。此外,将CVU设置为在较低的测试频率和/或较低的AC驱动电压下测量电容,将允许测量较高的电容。

C-V扫描

C-V测量可在正向或反向偏置下进行,但正向偏置时需限制直流电压,以避免过高电导导致测量失败,且直流电流不得超过10mA,否则仪器可能进入钳位状态。反向偏置条件下,通过Solar Cell C-V Sweep测试生成的C-V曲线如图5所示。

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图5. 硅太阳能电池的C-V扫描

为了进一步分析,可绘制1/C²与电压的关系曲线(如图6所示)。内置电压可通过1/C²曲线与横轴的交点推导,掺杂密度则作为电压的函数显示在Analyze窗口中。用户可使用公式器输入电池面积以计算这些参数,或通过线性拟合选项直接获取内置电压值。

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图6. 1/C2 vs. 硅太阳能电池的电压

C-f扫描

CVU选项还可以测量电容、电导或阻抗与测试频率的函数。频率范围从1kHz到10MHz。图7中的曲线是使用Solar Cell C-f sweep或“cfsweep”测试生成的。扫描频率的范围和偏置电压都可以调节。所需的参数,如陷阱密度,可以从电容与频率的数据中提取。测量可以在不同温度下重复进行。

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图7. Solar Cell的C-f扫描

驱动级电容分析 (DLCP)

驱动级电容分析 (DLCP) 是一种技术,用于确定陷阱密度 (NDL) 随光伏电池结深的变化。在DLCP测量中,AC电压的峰峰值进行扫频,同时直流电压随着电容测量而变化。与传统C-V测量不同,DLCP保持总施加电压 (AC+直流) 恒定,通过调节直流电压偏置来改变样品内固定位置 (Xe),从而确定裸露电荷密度 (ρe)。

DLCP的关键优势是能够通过调整直流偏置,分析陷阱密度随距离变化的特性,还可进行特定深度的能量分析。此外,测量中可改变测试频率和温度,以实现基于能量的更详细分析。

脉冲式I-V测量

脉冲式I-V测量用于分析太阳能电池参数,如转换效率、最小载流子寿命和电池电容影响。通过4225-PMU模块进行测量,可输出脉冲电压、捕获高速波形并吸收电流,支持单通道或双通道配置,采用2线技术校正电缆电压损失,无需4线测量。

为确保测量准确性,需验证脉冲宽度足够长,波形捕获模式可用于动态测试和脉冲设置优化。对电容较大的太阳能电池,可通过减小电池面积减少稳定时间。图8显示的结果表明,PMU吸收电流,电流曲线延伸至第四象限。

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图8. 使用 4225-PMU对太阳能电池进行脉冲I-V测量

电阻率和霍尔电压测量

电阻率的大小直接影响太阳能电池的性能,因此测量电池材料的电阻率是一项常见的电学测试。半导体材料的电阻率通常采用四探针法测量,该方法能有效消除探头电阻、扩展电阻以及金属触点与材料之间接触电阻引起的误差。

常用的电阻率测量技术包括四探针法和范德堡法。SolarCell项目中包含了用于执行这两种测量的多项测试,还提供了测量范德堡系数和霍尔系数的独立测试。用户可在Select视图的搜索栏中输入相应测试名称(如vdp-surface-resistivity、vdp-volume-resistivity或hall-coefficient)以快速找到所需测试。

四探针测量法

四探针技术是将四个等间距的探针与阻值未知的材料接触。如图9所示,探针阵列被放置在材料的中心。两个外部探针用于加载电流源,两个内部探针用于测量通过材料表面产生的电压差。

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图9. 四探针测电阻率

已知加载电流和被测电压计算表面或薄膜电阻率 :

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如果样品的厚度已知,则体电阻率可以按如下方式计算:

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用范德堡法测量电阻率

范德堡(vdp)技术测量电阻率使用四个孤立的触点在一个扁平的,任意形状的样品。电阻率是根据图10所示在样品周围进行的8次测量得出的。

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图10. 范德堡电阻率测量方法

一旦完成了所有的电压测量,就可以推导出两个电阻率值ρA 和ρB

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采用vdp-resistivity subsite和vdp法进行测试

为了实现vdp电阻率测量的自动化,solarcell项目有一个vdp-resistivity subsite,包含四个测试:“i1-v23”、“i2-v34”、“i3-v41”和“i4-v12”。测试的截图如图11所示。

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图11. 范德堡测试的截图

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图12. 范德堡测量的SMU配置

样品的每个端子都连接到SMU的Force HI端子,因此需要带有四个SMU的4200A-SCS。四个SMU在每个测试中的配置不同:一个SMU提供测试电流,两个配置为电压表,一个设置为公共端。在样品周围重复此测量设置,四个SMU中的每一个都在四个测试中的每个测试中发挥不同的功能。图12显示了每次测试中每个SMU的功能。

霍尔电压测量

霍尔效应测量对于半导体材料的表征很重要,因为霍尔电压可以导出导电类型、载流子密度和霍尔迁移率。在外加磁场的情况下,可以使用图13所示的配置来测量霍尔电压。

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图13. 霍尔电压测量

SolarCell项目不包括测量霍尔电压的具体测试;然而,可以在subsite上增加四个测试,以确定霍尔系数和迁移率。考虑到霍尔测量的配置与范德堡电阻率测量非常相似,可以复制和修改vdp测试以进行霍尔电压测量。这些修改涉及改变SMU的功能。如果使用永磁体,则可以使用动作库中的动作来创建一个对话框项目提示,该对话框将停止项目树中的测试序列,并指示用户更改应用于样品的磁场性。项目提示符是一个对话框窗口,它暂停项目测试序列并提示用户执行某些操作。有关如何使用对话框动作的说明,请参阅4200A-SCS参考手册。最后,在subsite的Calc表中推导出霍尔系数和迁移率。这些数学函数可以加到其他公式中,用于测定电阻率。

结论

测量太阳能电池的电特性对于确定设备的输出性能和效率至关重要。4200A-SCS通过自动化I-V、C-V、脉冲I-V和电阻率测量来简化电池测试,并提供图形和分析功能。对于大于1A的电流测量,Keithley提供可用于太阳能电池测试的源表仪器。代替使用四个独立的测试在subsite的Cals表格中进行霍尔电压测量,从库中添加霍尔系数测试,它将所有测量和参数提取合并到一个测试中。了解4200A更多,https://www.tek.com.cn/products/keithley/4200a-scs-parameter-analyzer

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市,致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案,解决各种问题,释放洞察力,推动创新能力。70多年来,泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅,敬请登录:tek.com.cn

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在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)一直站在创新前沿,利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。

配图:CoolGaN.jpg

CoolGaN

英飞凌在其 2025GaN功率半导体预测报告》中强调,GaN将成为影响游戏规则的半导体材料,它将极大改变大众在消费、交通出行、住宅太阳能、电信和AI数据中心等领域提高能效和推进低碳化的方式。GaN可为终端客户的应用带来显著优势,包括提高性能效率、缩小尺寸、减轻重量和降低总体成本。如今USB-C充电器和适配器在GaN的应用方面已经处于领先,有更多行业即将达到GaN应用的临界点,从而极大地推动了基于GaN的功率半导体市场的发展。

英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示:“英飞凌致力于通过基于包括SiSiCGaN在内的全部半导体材料的创新来推动低碳化和数字化转型。凭借在效率、密度和尺寸方面的优势,GaN将在综合功率系统中发挥日益重要的作用。而且鉴于GaNSi的成本差距正在缩小,我们预计GaN的利用率将在今年及未来持续增长。

氮化镓技术对于人工智能的供能需求至关重要。随着AI数据中心算力和能源需求的快速增长,市场愈发需要能够处理AI服务器相关巨大负载的先进解决方案。曾经管理3.3 kW功率的电源现在正向着5.5 kW发展,预计未来每台将达到12 kW或更高。使用GaN可以提高AI数据中心的功率密度,这直接影响到在给定机架空间内可提供的算力。虽然GaN具有明显的优势,但将其与SiSiC结合使用才是满足AI数据中心要求,并在效率、功率密度和系统成本之间实现综合权衡的理想选择。

在家电市场,由于洗衣机、烘干机、冰箱和水泵/热泵等应用需要达到更高的能效等级,因此英飞凌预计GaN将实现快速发展。例如:在800 W应用中,GaN可使能效提高2%,从而帮助制造商实现A 级能效。根据英飞凌的研究,基于GaN的电动汽车车载充电器和DC-DC转换器将具有更高的充电效率、功率密度和材料可持续性,而且正向20 kW以上的系统转型。GaN还将与高端SiC解决方案一同实现更加高效的400 V800 V电动汽车系统牵引逆变器,增加电动汽车的行驶里程。

由于GaN材料能够提高紧凑性,机器人行业将在2025 年及以后广泛使用GaN,这将推动送货无人机、护理机器人和人形机器人的发展。而随着机器人技术与自然语言处理、计算机视觉等先进AI技术的融合,GaN将提供实现紧凑、高性能设计所需的效率。例如:将逆变器集成在电机机箱内,既可以避免使用逆变器散热片,同时又能减少每个关节/轴的线缆,并简化EMC设计。

为了解决在成本和可扩展性方面的挑战,英飞凌正进一步增加对GaN研发的投资。凭借丰富的产品和 IP 组合、严格的质量标准,以及300 mm GaN晶圆制造和双向开关(BDS)晶体管等前沿创新技术,英飞凌正以包括GaN在内的所有相关半导体材料为基础,巩固自身在推动低碳化和数字化方面的领先地位。

供货情况

点击此处下载电子书《2025GaN预测报告》。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工(截至20249月底),在2024财年(截至930日)的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。

更多信息请访问www.infineon.com

更多新闻请登录英飞凌新闻中心https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自199510月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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美光业界首款高性能 1γ节点技术,为数据中心、客户端及移动平台带来卓越的性能与能效

美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的1-gamma)第六代(10 纳米级)DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在1-alpha)和1-betaDRAM 节点的领先优势,1γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备(如 AI PC、智能手机和汽车)等未来计算平台的创新发展。美光 1γ DRAM 节点将首先应用于其 16Gb DDR5 DRAM 产品,并计划逐步整合至美光内存产品组合中,以满足 AI 产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。该款 16Gb DDR5 产品的数据传输速率可达 9200MT/s,与前代产品相比,速率提升高达 15%[1],功耗降低超过 20%[2]

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美光 1γ (1-gamma) DRAM 节点解说图示

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美光 1γ (1-gamma) DRAM 节点新一代技术突破信息图

1γ DRAM 节点的重要性

随着 AI 在数据中心和端侧设备的普及,用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向 1γ DRAM 节点,将助力客户应对亟待解决的核心挑战:

  • 提升性能基于节点的 DRAM 性能卓越,能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展,满足未来 AI 工作负载的需求

  • 降低功耗— 美光 1γ 节点采用下一代高 K 金属栅极 CMOS 技术,结合设计优化,功耗降低了20% 以上,并实现更优的散热。

  • 提升容量密度产出— 美光 1γ 节点采用 EUV 光刻技术,通过设计优化和制程创新,使单片晶圆的容量密度产出较上一代提升 30% 以上[3],从而实现更高效的内存供应扩展能力。

美光执行副总裁暨首席技术与产品官 Scott DeBoer 表示:“美光凭借开发专有 DRAM 技术的专长,结合对 EUV 光刻技术的战略运用,打造出基于节点的先进内存产品组合,助力推动 AI 生态系统发展。1γ DRAM 节点实现了更高的容量密度产出,彰显了美光卓越的制造实力和效率,并使我们能够扩大内存供应的规模,满足行业日益增长的需求。”

美光在经过多代验证的 DRAM 技术和制造策略的基础上,成功打造出优化的节点。1γ DRAM 节点的创新得益于 CMOS 技术的进步,包括下一代高 K 金属栅极技术,它提升了晶体管性能,实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸,从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。此外,通过采用 EUV 光刻技术,节点利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征,从而获得了业界领先的容量密度优势。同时,通过在全球各制造基地开发节点,美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

美光执行副总裁暨首席商务官 Sumit Sadana 表示:“美光再次引领行业,推出全球领先的内存技术。1γ DRAM 制程凭借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就。美光 1γ DRAM 产品将提供可扩展的内存解决方案,涵盖从数据中心到端侧设备等各个领域,助力 AI 生态系统发展,确保我们的客户能够应对行业日新月异的需求。”

推动云端至端侧的产品变革

节点作为未来产品的基石,将被全面整合到美光的内存产品组合中:

  • 数据中心 基于 DDR5 内存解决方案为数据中心提供高达 15% 的性能提升,增强能效,并支持服务器性能的持续扩展,使数据中心能够在未来的机架级功耗和散热设计中实现优化。

  • 端侧 AI — 1γ 低功耗 DRAM 解決方案可提供更高的能效及带宽,提升端侧 AI 解决方案的用户体验。

    AI PC — 1y DDR5 SODIMMs 可提升性能并降低 20% 的功耗[4],从而延长续航,优化笔记本电脑的用户体验。

    移动设备 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的 AI 体验,延续美光在移动设备领域的领先地位。

    汽车基于 1γ LPDDR5X 内存可提升容量、耐用性和性能,同时传输速率高达 9600MT/s

行业引语

AMD 服务器平台解决方案工程部门企业副总裁 Amit Goel 表示:“我们很高兴看到美光在 1γ DRAM 节点方面取得的进展,并已开展对美光 1γ DDR5 内存的验证工作。我们致力于通过下一代 AMD EPYC(霄龙)数据中心产品以及全系列消费级处理器,持续推动计算生态系统的发展,因此与美光的紧密合作至关重要。”

英特尔内存与 IO 技术副总裁兼总经理 Dimitrios Ziakas 博士表示:“美光节点的进步为英特尔服务器和 AI PC 带来了显著的功耗及容量优化。我们很高兴看到美光在 DRAM 技术方面的持续创新,并期待基于这些优势进一步提升服务器系统的性能和 PC 的续航。英特尔正在通过其严格的服务器验证流程,对美光 1γ DDR5 内存样品进行验证,从而为我们的客户提供高品质、体验一流的服务器系统。”

符合条件的客户及合作伙伴可以加入美光的 DDR5 技术支持计划(TEP),提前获取技术信息、电气和热模型,以及关于设计、开发和推出下一代计算平台的支持。

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关于 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)

美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商,致力于通过改变世界使用信息的方式来丰富全人类生活。我们专注不懈地致力于满足客户需求,发展先驱技术,制造出众产品和实现卓越运营。凭借旗下全球性品牌 Micron®(美光)和 Crucial®(英睿达),向客户交付一系列丰富的高性能内存和存储产品组合——包括 DRAM、NAND 及 NOR。美光优秀人才打造的创新产品,每一天都助力数据经济的发展,促进人工智能(AI)和计算密集型应用的进步,带来无限潜能——从数据中心到智能边缘,以及丰富客户和移动用户的体验。如需了解 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)的更多信息,请访问 micron.cn


[1] 数据传输速率的提升基于对 1γ DDR5 内存产品预期速率的估算。

[2] 功耗降低效果依据 1γ DDR5 内存与 1β DDR5 内存的功耗(瓦特)对比计算所得。

[3] 单片晶圆容量提升的百分比,依据 1β 与 1γ 制程下晶圆整体容量密度的对比结果计算得出。

[4] 功耗降低效果依据 1γ DDR5 SODIMM内存与 1β DDR5 SODIMM内存的功耗(瓦特)对比计算所得。

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Nuvoton Technology Corporation Japan (NTCJ)已开发出用于48V型锂电池的工业应用17通道BM-IC产品“KA49701A”和“KA49702A”。这两款产品预计将于2025年4月开始量产。这些产品提高了电池系统的安全性,并确保系统构建简单且安全。

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1. 电池监控IC的作用是在电池出现过充或过放等异常情况时,确保系统安全运行。然而,如果执行电芯电压测量的主要电路,如BM-IC的模数转换器(AD转换器)或多路复用器发生故障,就需要通过外部保护电路来确保系统安全,但这会增加电路板面积和系统成本。该产品的主要内部电路配备了诊断和失效保护功能。这种诊断功能可以检测出主要电路的故障并控制断路开关,既提高了电池管理系统(BMS)的安全性,又降低了系统成本。

示意图(英文):

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示意图(简体中文):

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示意图(繁体中文):

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2. 通过降低16位AD转换器的噪声水平并集成数码滤波器,NTCJ实现了行业领先的电压测量精度,达到+/-2.9mV (*1)。提高电压测量精度可以充分利用电池的最大容量。此外,在较宽的温度范围内也实现了精确的电压测量。它还适用于在寒冷和炎热环境中需要进行高精度电压测量的应用场景,例如符合中国相关国家标准的固定电池系统(*2)。

(*1) 根据Nuvoton截至2025年2月在工业级BM-IC领域进行的调查。
(*2) GB/T34131-2023,系统 +/-5mV以下-20°C至65°C

3. 通过缩短耗电较高的电芯电压测量时间,工作电流已降至260微安,不到NTCJ之前标准的十分之一。这延长了电池的驱动时间。此外,通过优化电路设计,关机电流消耗降低到0.1微安或以下。使用NTCJ的集成电路,可以最大限度地减少自放电,防止锂离子电池在长途运输和长期储存过程中因过放电而导致性能下降。

如需了解该产品的更多详细信息,请浏览:https://www.nuvoton.com/products/battery-management/battery-monitoring-i...
关于Nuvoton Technology Corporation Japan:https://www.nuvoton.co.jp/en/

稿源:美通社

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通过RE性能的大幅度优化,NSIP984x和NSIP954x系列可轻松通过CSIPR32 Class B测试

近年来,光伏、储能、充电桩、汽车 BMS、电力设备、服务器电源以及医疗设备(如监护仪、心电图机等)等对隔离接口供电有需求的系统应用小型化的趋势日益显著,如何在有限的空间内实现更强大的功能,并回应与之伴生的EMI问题,成为众多工程师的系统设计挑战。

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纳芯微今日宣布推出集成隔离电源的四通道数字隔离器NSIP984x和NSIP954x系列,新系列是对纳芯微NSIP8xxx 系列的全方位升级。凭借已申请专利的EMI改善技术,NSIP984x和NSIP954x实现了器件级RE (Radiated Emission,辐射发射)性能的大幅优化,能够有效降低电磁干扰对系统的影响,显著简化了工程师的电路设计工作,为相关行业的用户提供性能、尺寸、成本兼得的器件选择。

RE性能大幅优化,轻松通过CISPR32 Class B测试

纳芯微NSIP984x和NSIP954x系列针对EMI的RE性能进行了大幅优化,在两层PCB板、外围电路无磁珠、无拼接电容,输入5V,带载100mA的测试条件下,NSIP984x和NSIP954x系列均可轻松通过CISPR32 Class B 测试,并保有裕量。外围电路的简化和业内卓越的EMI性能可大大降低系统BOM成本和设计调试难度,缩短终端产品的上市时间。

出色的隔离性能,全面满足安规要求

纳芯微NSIP984x和NSIP954x系列采用市场主流的SOW16封装,隔离耐压高达5kVrms,满足加强绝缘认证标准,可提供CQC、VDE、UL、TÜV等国内外主流认证机构的权威报告,助力用户简化系统设计和测试流程。NSIP984x和NSIP954x系列的爬电距离亦高达8.15mm,能够满足IEC 62477-1:2022标准中直流1500V、过电压等级I级、污染等级II、5000米海拔基本绝缘的应用需求。

通过内置变压器缩小系统尺寸、提升可靠性

传统方案中,数字隔离器需单独配置电源进行供电,无论是采用电源模块还是外置变压器,分立方案对系统尺寸和可靠性均会带来挑战。NSIP984x和NSIP954x系列内部集成变压器和四通道数字隔离器,属于二合一产品,外围电路无需单独配置电源,相比分立方案可显著降低系统尺寸,尤其在外置电源模块和变压器的方案中,可能因额外的器件和多次焊接带来系统可靠性的问题,而NSIP984x和NSIP954x系列采用全半导体生产工艺,可显著降低相关风险,提升系统可靠性。

封装和选型

NSIP984x和NSIP954x全系采用SOW16宽体封装,系列命名中x代表数字隔离器的反向通道数。引脚配置方面,NSIP984x系列的PIN7为VDDL引脚,支持逻辑电平可选;NSIP954x系列的PIN7为NC引脚,可与纳芯微上一代产品NSIP8xxx以及竞品同类器件实现完全P2P兼容,工程师在进行产品升级时,无需重新设计,极大地降低了设计难度和开发周期。

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NSIP984x和NSIP954x全系采用SOW16宽体封装

NSIP984x和NSIP954x全系列均可提供工规和车规版本,工作温度均可达到-40℃~125℃。目前NSIP984x和NSIP954x系列即将全面量产。可联系纳芯微销售团队(sales@novosns.com)咨询产品详情或进行样片申请。

丰富的“隔离+”产品,满足多元化应用需求

凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品,包括隔离式运放/隔离式模数转换器NSI13xx系列;隔离式比较器NSI22C1x系列;推挽式变压器驱动NSIP605x系列;集成了变压器的隔离式RS485收发器NSIP83086,和隔离式CAN收发器NSIP1042;其中NSIP83086的升级款NSIP93086也将于近期推出,欢迎垂询。纳芯微全面的“隔离+”产品布局可满足各种类型客户多样化的系统设计需要,为不同客户提供一站式的芯片解决方案。

关于纳芯微

纳芯微电子(简称纳芯微,科创板股票代码688052)是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自 2013 年成立以来,公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向,为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。

纳芯微以『“感知”“驱动”未来,共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命,致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。

了解详情及样品申请,请访问公司官网:www.novosns.com

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Digikey 是全球领先的电子元器件和自动化产品库存分销商,提供品类齐全且可立即发货的产品。DigiKey 与全球领先的连接和电源解决方案提供商之一的 Qorvo® 今日宣布达成一项全球分销协议。此次合作将进一步提升 Qorvo 高性能解决方案在全球客户中的认知度、可用性以及交付速度。

DigiKey Qorvo Partnership.JPG

DigiKey 将在全球分销 Qorvo 领先的连接和电源解决方案。

DigiKey 的合作让 Qorvo 的产品进一步扩展至北美、欧洲、中东、非洲以及亚太地区,确保为诸如物联网、国防、航空航天、汽车、电源和无线基础设施等市场的客户提供快速交付服务及额外支持。通过利用 DigiKey 强大的物流和分销能力,Qorvo 将能够满足日益增长的市场需求,并缩短其产品的上市时间。

Qorvo 全球分销高级总监 Corbin Graham 表示: Qorvo 而言,为客户提供创新的高性能解决方案是我们的首要任务,而我们与 DigiKey 达成的协议进一步强化了这一承诺。此次合作扩大了我们产品的全球覆盖范围,确保我们的客户能够以更高的效率和卓越的支持获得他们所需的先进技术

DigiKey 提供品种丰富的产品,涵盖 1,590 多万种产品,让 Qorvo 的客户能够轻松地在一个地方完成整个物料清单的采购,并快速高效地接收订单,让交货周期得以最大限度地缩短,并加快了项目进度。

DigiKey 高级半导体业务总监 Ken Paxton 表示:我们很高兴与 Qorvo 合作,将他们的创新射频和功率半导体解决方案带给我们全球的客户。通过让全球工程师和创新者轻松地了解并接触到 Qorvo 品种丰富的产品组合,帮助我们推动无线、智能生活、电力、国防技术和汽车等行业的未来发展

DigiKey 是全球增长最快的电子元器件分销商之一。DigiKey 以其产品品种丰富和确保客户满意度的承诺而著称,DigiKey 通过为工程师提供所需工具,助力他们将项目推向市场,以支持各行各业的创新。

如需了解有关Qorvo的更多信息以及订购该公司的产品组合,请访问 DigiKey 网站

关于 DigiKey

DigiKey 总部位于美国明尼苏达州锡夫里弗福尔斯市,是全球电子元器件和自动化产品前沿商业分销领域公认的领航者和持续创新者。我们通过分销来自 3,000 多家优质品牌制造商的 1,590 多万种元器件获得了强大的技术优势,并凭借行业领先的产品存货广度和深度以及立即发货的能力,确立了我们在分销领域的领导地位。DigiKey 还为工程师、设计师、创建者和采购专业人员提供丰富的数字解决方案、无障碍互动和工具支持,以帮助他们提升工作效率。如需了解更多信息,请访问www.digikey.cn 并关注我们的微信微博腾讯视频 BiliBili 账号。

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为新一代设备提供业界卓越的数据吞吐量、能效和网络连接能力

MediaTek将于2025 年世界移动通信大会(MWC 2025)期间推出5G-A调制解调器解决方案M90。MediaTek M90符合3GPP Release 17和Release 18标准,提供高达12Gbps的下行传输峰值速率,可通过3GPP Release 17 2T-2T上行链路传输切换技术(Uplink TX switching)提升20%性能。MediaTek M90 支持Sub-6GHz(FR1,至高可达6CC-CA)和毫米波(FR2,至高可达10CC-CA)网络连接,并提供5G双卡双通、双数据传输功能。

【参考配图】MediaTek M90.jpg

MediaTek M90内置MediaTek调制解调AI技术(MediaTek Modem AI,MMAI),引入了可提升设备能效和通信性能的AI模型。AI模型可识别数据流量模式以优化功耗和延迟,还可通过检测设备方向和使用场景提供更出色的网络连接体验。MMAI中的智能天线(Smart Antenna)技术可利用AI,借助聚合的大规模天线阻抗和信号数据,训练高性能模型,以 99.5%的准确率实现精确的使用环境识别,并通过优化用户连接助力数据吞吐量提升高达24%。

MediaTek 无线通信技术本部群资深本部总经理范明熙表示:“M90 调制解调器的先进AI和5G功能可为设备制造商提供更大的设计灵活性,从而实现更具差异化的性能表现。作为经过高度集成和优化的整体解决方案,MediaTek M90可在各类设备中带来卓越的用户体验。MediaTek致力于推动5G-A的发展,同时我们已在构建向6G网络演进的技术。”

MediaTek M90还集成了卫星通信(非地面网络)技术,支持面向低速率连接应用的3GPP IoT-NTN和面向高速率连接服务的NR-NTN技术,展现MediaTek基于非地面网络全面的连接解决方案。

此外,M90采用了MediaTek UltraSave省电技术,与上一代产品相比,平均功耗降低可达18%,可延长设备的电池续航时间并发挥更佳的整体性能。

MediaTek持续积极发展全球蜂窝网络合作伙伴生态系统,涵盖3GPP标准组织、设备制造商、基础设施提供商、运营商、前端和测试设备提供商等。MediaTek M90的全球能力不仅推动了蜂窝网络连接性能的进一步升级,还可帮助设备无缝整合进全球蜂窝网络系统中,为用户带来更快、更可靠的新一代5G体验。

MediaTek M90的卓越特性展示包括:

  • 与是德科技(Keysight)合作完成5G NRDC FR1+FR2双连接,下行传输速率可达11.6Gbps

  • 与Verizon和三星电子(Samsung)合作的5G FR1 SA 6CC载波聚合测试,通过虚拟化无线接入网络(Virtualized RAN),下行传输速率可达5.5Gbps

  • 与Telstra和爱立信(Ericsson)合作完成5G NRDC FR1+FR2双连接实网测试,下行传输速率近10Gbps

MediaTek M90已通过行业标准测试,将于2025年下半年送样。了解更多关于 MediaTek 5G 调制解调器的信息,请至世界移动通信大会MWC 2025 MediaTek展台#3D10,或访问:https://www.mediatek.cn/innovations/5g/5g-modem

关于MediaTek 联发科技

MediaTek联发科技是全球无晶圆厂半导体公司,在移动终端、智能家居、无线连接及物联网产品等市场位居领先地位,一年约有20亿台搭载MediaTek芯片的终端产品在全球上市。MediaTek致力于技术创新并赋能市场普及前沿科技,为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能电视、语音助手、可穿戴设备、汽车等终端提供高性能低功耗的移动计算技术、先进的通信技术、丰富的多媒体功能。MediaTek相信科技能够改善人类的生活、与世界连接,每个人都有潜力用科技创造无限可能(Everyday Genius)。了解更多资讯,请浏览:www.mediatek.com

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亮点:

  • 解决方案集成: 将经过硅验证的 Magillem 5 和 Semifore CSRCompiler 产品集成到下一代 “单一数据源”软件产品中,用于寄存器管理和软硬件接口自动化。

  • 适用于各种设计:执行效率最高提升3倍,可扩展性提升5倍,从简单的IoT设备到最先进的复杂 AI SoC 的各类 SoC 和 FPGA 设计均可适用。

  • 广泛的标准支持:在现有 IEEE 1685-2009 (IP-XACT) 标准支持的基础上,新增对 2014 和 2022 版本的支持,同时支持 Accellera SystemRDL 标准的 SystemRDL 2.0 版本,以实现更好的软硬件集成。

加利福尼亚州坎贝尔,2025年2月25 - 致力于加速系统级芯片 (SoC) 开发的领先系统 IP 提供商 Arteris 公司(纳斯达克股票代码:AIP)今天宣布,正式推出用于SoC集成自动化的最新一代Magillem Registers技术。该产品使设计团队能够实现软硬件集成流程的自动化,与公司自主研发的解决方案相比,可将开发时间缩短 35%,并能帮助设计团队应对设计复杂性的挑战,释放资源以推动新的创新。

Magillem Registers 是一款全面的寄存器设计和管理产品,能够精确地自动化软硬件接口(HSI),从而快速开发从IoT设备到复杂的AI数据中心的多芯片系统级芯片(multi-die SoC)的芯片和芯粒。该产品可帮助芯片架构师、硬件设计师、固件工程师、验证团队和文档团队克服复杂性,满足实时、高效的跨职能团队沟通需求。它通过统一的规范和编译流程降低了标准过时的风险,从而生成精确的设计。

最新版的 Magillem Registers 以经过硅验证的 Magillem 5 和 CSRCompiler 技术为基础,旨在通过提供集成的单一数据源基础架构来规范、记录、实现和验证 SoC 地址映射,从而简化和优化工作流程。这种方法通过促进高效 IP 重用和确保相关设计团队的一致性来提高生产率。凭借超过1,000 项语义和语法检查,Magillem Registers可确保高质量输出,验证第三方 IP、内部 IP 和整体系统集成,从而显著降低芯片流片失败的风险。此外,与手动解决方案相比,智能自动化功能可将 HSI 开发时间减少 35%,使开发团队能够自信地应对紧迫的项目期限。

最新版的本 Magillem Registers 在性能、容量、标准支持和易用性方面带来了显著提升。与 Magillem 5 相比,它的性能提升高达 3 倍,可在几分钟内编译数百万个寄存器,同时自动生成可综合的寄存器RTL 。它支持的设计规模增加了 5 倍,可以从小型设计无缝扩展到包含数百万个控制寄存器的超大型多芯片设计。

Magillem Registers广泛支持行业标准,包括新增对 IEEE 1685-2022 (IP-XACT) 和 SystemRDL 2.0 的支持,同时兼容之前的版本。这增强了IP的重用性,扩大了与第三方 IP 供应商的兼容性,优化了 SoC 集成。易用性的增强进一步提高了团队的工作效率,提供了一个快速、高度迭代的设计环境,包括简化输入、直观的文档导航、可定制的工作流程等功能,并通过先进的自动化消除了重复性的耗时且易出错的手动任务。Magillem Registers 以卓越的效率和可扩展性满足了现代设计环境日益增长的需求。

“由于70%以上的芯片需要版本迭代,对SoC团队来说,有效解决软硬件集成问题已经是一个相当大的挑战,特别是随着AI逻辑注入所带来的复杂性和芯片规模的增长。”Arteris总裁兼首席执行官K. Charles Janac表示,“开发AI SoC 和 FPGA 成本高昂又耗时,因此自动化效率对成本控制至关重要,我们最新发布的 Magillem Registers 可确保 SoC 工程生产率最大化,并显著降低项目风险。”

Arteris的SoC集成自动化产品,包括Magillem Registers,旨在通过自动化应对复杂性,释放团队生产力,加快高质量芯粒和SoC设计流程。欲了解更多信息,请访问 arteris.com/magillem-registers。

关于 Arteris

Arteris 是领先的系统 IP 提供商,致力于加速当今电子系统中的系统级芯片 (SoC) 开发。Arteris 的片上网络 (NoC) 互连 IP 和 SoC集成自动化技术可以实现更高的产品性能、更低的功耗和更快的上市时间,从而提供更好的 SoC 经济性,使其客户可以专注于构想未来。了解更多信息,请访问 arteris.com

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