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2024年10月24日,新华三集团"乘势﹒进化﹒臻于智境"智算新品发布会在京举行,忆联总经理寇朋韬受邀出席新品发布仪式,与新华三和行业伙伴携手开放协同、共话产业创新。发布会上,新华三正式发布全新一代多元异构算力平台H3C UniServer G7系列,并搭载忆联新一代PCIe Gen5企业级SSD,全速推进业务创新与数字化变革。

忆联总经理寇朋韬出席智算新品发布会

忆联总经理寇朋韬出席智算新品发布会

忆联旗下企业级和数据中心级SSD产品阵列也在本次发布会中亮相,适配企业数智化建设和数据中心全场景需求,产品组合涵盖PCIe Gen4及Gen5 SSD,以及SAS 3.0、SATA 3.0 SSD,以海量存力满足数据中心和云环境对高带宽、低延迟的需求,有力支撑AI应用落地。

忆联展出企业级和数据中心级SSD等产品

忆联展出企业级和数据中心级SSD等产品

PCle5.0时代,企业级SSD性能飞跃

此次发布的H3C UniServer G7系列服务器支持多达18个PCIe 5.0标准槽位以及多个NVMe硬盘的扩展,搭载忆联新一代PCIe Gen5 企业级SSD UH812a/UH832a产品,使得这两款服务器在数据存储和I/O性能方面具备极强的能力,能够高效处理大规模数据集;同时,SSD采用先进的DRAM缓存技术和智能算法,通过优化数据处理流程和降低写放大效应,可有效提升存储系统的整体效率和可靠性,为数据中心多元应用场景提供高可靠、高性能的解决方案。

UH812a/UH832a规格参数

UH812a/UH832a规格参数

强劲性能再升级:新一代企业级PCIe 5.0高速接口,对比上一代PCIe 4.0接口,性能全面升级。顺序读写和随机读写性能提升2倍,QD1时延改善33%。

全场景高效适配:更强IO能力,满足企业OLTP数据库等高度随机读写和低时延业务;多样化容量、形态组合,满足超大规模数据中心混合业务、中心云/边缘云存储需求;领先的SR-IOV能力,满足HCI和虚拟化需求;混合场景性能调优,满足AI训练和推理、OLAP和大数据、HPC、BI等多场景需求。

全系列稳态可靠:多种先进智能算法,产品可靠性进一步提升,支持全系列产品双端口。MTBF>250万小时、UBER<1E-18。

全方位卓越能效:基于核心控制器7nm工艺及低功耗设计,功耗表现相比上一代有大幅提升,同等业务负载下可提供更低系统TCO。

忆联 X 新华三,开放协同、持续推进业务创新

忆联与新华三在SSD领域一直有着紧密的合作,从忆联企业级SSD产品阵列与H3C服务器的全面适配(如:搭载忆联企业级SSD UH8系列的H3C UniServer G6服务器),到联合打造超融合架构下的高性能存储方案,以及搭载忆联SSD产品的H3C服务器以高分通过国际权威SPECstorage Solution 2020评测,双方一直向着打造高端存储方向迈进。

未来,忆联与新华三将持续深化合作,推进业务联合创新,通过提供稳定、可靠、安全的存储产品与服务,为合作伙伴创造更大价值,加速构建高效、绿色、可持续的智算生态。

稿源:美通社

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近日,TCL智能终端安全实验室(以下简称"TCL")获得国际权威第三方检测认证机构TÜV南德意志集团(以下简称"TÜV南德")首个网络安全标准ETSI EN 303 645 CB CTFCustomer's Testing Facilities)认可测试实验室资质和WMTWitnessed Manufacturer's Testing目击测试实验室资质。这将在今后的测试和认证过程中有效缩短项目周期,为TCL提高产品认证效率、保障快速进入市场、提升市场竞争力提供了极大支持。TCL实业软件工程中心总经理王凌晨、TCL智能终端安全实验室负责人陈东、TÜV南德深圳分公司总经理及市场部总监姚雁玲、TÜV南德大中华区电子电气研发部高级经理唐杰等嘉宾共同出席了本次仪式。

TÜV南德与TCL双方代表颁证合影

TÜV南德与TCL双方代表颁证合影

ETSI EN 303 645 是消费类物联网设备的国际网络安全标准,目前已在全球范围内得到广泛的应用,同时,该标准还被纳入了CB方案的标准范围,这意味着制造商在遵循该标准的同时,可以更轻松地获得全球多个国家和地区的认证,从而为其物联网设备的网络安全合规提供极大的便利。

TÜV 南德依据国际电工委员会电工产品合格测试与认证组织(IECEE)的要求、ISO/IEC 17025:2017标准及相关认可规则、以及ETSI EN 303 645标准等,对TCL进行了严格的评估和审核。最终,TCL顺利通过资质审核,这标志着TCL在测试设备、测试环境、质量体系及实验室人员等关键要素方面充分满足相关标准和认可规则的要求。

该CTF实验室资质的获取已经是TCL在TÜV南德的第二次升级,每一次升级都彰显了TCL实验室管理水平与测试能力的提升,更是实验室符合 IECEE CB规则的进一步体现。资质的获得, 也体现了TCL可利用自身的检测资源,在第三方机构目击见证下,依据标准要求对自己生产的产品进行现场检测,并获得由TÜV 南德出具的报告和证书。这将有效缩短产品的认证测试项目周期、减少费用支出,帮助TCL快速应对市场变化,推动产品更快、更稳定地进入海外市场。

TCL实业软件工程中心总经理王凌晨在会上表示,如今市场对产品的网络安全水平提出了越来越高的要求,产品网络安全问题日益受到广泛关注。TCL实业一直高度重视网络安全能力建设,并持续投入资源。此次授权不仅展示了TCL在网络安全测试领域的专业技术能力和规范管理,同时也彰显了TCL对产品网络安全及用户隐私保护的高度重视。TCL致力于为消费者打造更加安全的智能产品,并期待与TÜV南德深化合作,共同发挥各自的技术与品牌优势。

关于TCL智能终端安全实验室

TCL实业控股股份有限公司于2022年6月成立了TCL智能终端实验室,该实验室聚焦智能终端业务的标准安全检测技术、场景化渗透专业能力及安全可信生态建设,致力于实现管理和技术体系化,助力提升TCL智能终端产品的行业认知度和用户信任感。

关于TÜV南德意志集团

TÜV南德意志集团成立于1866年,前身为蒸汽锅炉检验协会。发展至今,已成为了全球化的机构。TÜV南德意志集团在50个国家设立了1,000多个分支机构,拥有近28,000名员工,致力于不断地提高自身的技术、体系及专业知识。集团的技术专家在工业4.0、自动驾驶及可再生能源的安全与可靠性方面均作出了显著的技术创新。

www.tuvsud.cn

稿源:美通社

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2024年10月24日,由大陆集团主办的2024大陆集团中国技术体验日(2024 Continental China Experience Day)在江苏省高邮市举行。来自汽车产业链上下游近两百位嘉宾受邀赴会,并围绕汽车产业的协同发展和未来趋势,展开深度对话,共同探讨未来的市场形态和机遇,纳芯微创始人、董事长、CEO王升杨,纳芯微传感器产品线总监赵佳博士应邀出席。活动期间,纳芯微和大陆集团宣布达成战略合作,双方将共同开发汽车压力传感器芯片。

在此次合作中,双方将聚焦于联合研发具有功能安全特性的汽车级压力传感器芯片。全新开发的压力传感器芯片将基于大陆集团的下一代全球平台,在可靠性和精度等方面进行重点提升,可用于实现更加安全、可靠的汽车安全气囊、汽车侧面碰撞监测和电池包碰撞监测系统。

大陆集团安全与动态控制事业群中国区总裁张晓敏表示:“在汽车产业日新月异的今天,芯片已经成为支撑汽车系统创新的关键基础。此次与纳芯微的合作将充分发挥双方优势,在促进大陆集团供应链韧性的同时,为行业用户提供更具竞争力的产品和解决方案,持续巩固我们的领先优势。”

纳芯微创始人、董事长、CEO王升杨表示:“纳芯微和大陆集团具备良好的合作基础,此次深化合作,不仅标志着大陆集团对纳芯微的认可,更是纳芯微全球化战略的重要里程碑。与大陆集团的紧密合作,让我们能够更好地理解市场需求,将纳芯微在芯片开发和定制方面的丰富经验和专业知识转化为贴合实际应用的产品和解决方案,满足市场差异化创新的需要。”

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签约仪式现场合影

左一:大陆集团安全与动态控制事业群中国区总裁张晓敏

左二:大陆集团汽车子集团采购部亚太区负责人陈琰

右一:纳芯微创始人、董事长、CEO王升杨

右二:纳芯微传感器产品线总监赵佳博士

此外,体验日期间,在以“汽车芯片的中国创新路径”和“软件定义汽车发展的中国路径”为话题的圆桌论坛中,王升杨向与会嘉宾分享了国产汽车芯片企业视角下的观点和洞见。他提到,国产汽车芯片已经基本完成了“从无到有”的历史进程,目前纳芯微正围绕系统应用需求,积极进行产品的优化迭代;另一方面,纳芯微也正加强和产业链各方面的协作,强化系统理解和技术、工艺开发,推动国产汽车芯片在性能、质量、成本等方面实现“从有到优”的进一步升级。

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王升杨在圆桌论坛中进行分享

凭借在汽车领域的多年耕耘,纳芯微已实现了全面的模拟及混合信号芯片布局,可在新能源汽车三电、热管理、车身控制、智能座舱、整车域控、智慧照明等系统中,提供涵盖传感器、信号链、电源管理等完善的芯片产品,是汽车电子领域领先的国产供应商。2024年上半年,纳芯微汽车电子领域收入占比达33.51%,汽车芯片自2022年以来累计出货超4亿颗,汽车客户覆盖所有主流新能源主机厂和零部件企业。

纳芯微是汽车电子委员会(AEC)组件技术委员会成员,致力于成为全球汽车产业首选的供应链合作伙伴,以系统级理解、一站式解决方案、可靠的质量表现和灵活的定制化能力,助力全球汽车客户提升差异化竞争力,共赢市场机遇,共赴安全、绿色、可持续的产业未来。

关于纳芯微

纳芯微电子(简称纳芯微,科创板股票代码688052)是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自 2013 年成立以来,公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向,为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。

纳芯微以『“感知”“驱动”未来,共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命,致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。

了解详情及样品申请,请访问公司官网:www.novosns.com

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作者: 汪月亮 英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区 高级主任工程师

摘要: 在电源芯片的数字控制方法中,经常引入延迟环节。在引入延迟环节后,分析电路响应的方法特别是定量计算会变得比较复杂。本文通过对一种有延迟环节的burst控制方法的分析,提出一种可用于工程实践的方法,那就是通过电路分析,用在静态工作点作瞬态响应仿真的方法得到参数调试方向。

1.引言

在现代电源芯片设计中,模数结合的方法已经很常见。数字控制的方法的好处是:抗干扰能力强; 控制精确; 灵活性好; 系统的兼容性好; 方便实现电源管理。在数字控制模式中,可以轻松引入延迟环节,让控制更加灵活,高效。这种方法带来的问题是,在引入延迟环节后,在电源工程设计中,最常见的用零极分布来分析电路响应的方法不再适用。引入延迟环节后,通常传递函数用(G(s)=1730104241654.jpg)来表示,但在真实过程中,τ 的不确定性让分析难度加大。在工程实践中, 仿真的办法,是快速理解与找到解决问题的有效手段。那么如何设定仿真模型可以得到理想的结果就很重要。本文将基于对一种burst控制方法的理解,给出一种在静态工作点作瞬态响应仿真的方法来获得对这类问题的理解与工程解决方法。

2.一种有延迟环节的burst控制方法

在这种控制方法里,如图一所示,当芯片进入主动BURST 模式后,芯片停止发出驱动脉冲,也就是图中VCS信号没有出现的区间,因为输出电压的下跌,反馈作用的拉电流(一般是光藕的作用)消失,芯片的FB引脚上的电压在内部电流的作用下开始快速上升,直到VFB_BON 信号,并重新唤醒芯片发出驱动脉冲,让下跌中的输出电压回归正常值。

上面的分析过程是一种设计想得到的理想状态。在实际应用中,我们会发现,在输出电容较小,不合理的反馈设计下,FB引脚上的电压快速上升的时间会远大于芯片理想的设计时间,输出电压的跌落幅度变得不可接受。理论上应该消失的从光藕反馈过来的拉电流并不会因为输出电压的跌落马上消失,这将导致,输出电压跌落过多,而且传统经典的适用于线性时不变系统的控制理论,无法很好的解释与解决这个问题。

burst 控制方法如下图

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图一:burst 控制方法

3.常见的控制电路及静态工作点的分析

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图二:常见反馈电路

如图二所示,这是一种常见的由TL431 与光藕组成反馈电路,反馈补偿是类补偿电路。输出电压为12V。静态工作点主要是确定两个反馈电容在稳态时的电压值。

首先定义光藕的工作状态:  CTR :50%;  VF: 1.45V

定义光藕的工作电流:IF: 0.33mA (备注:此电流由芯片工作状态决定)

定义TL431参考脚电压: Vref: 2.5V

定义输出电压:Vout=12V

反馈补偿的电容(C1,C2)上的电压为: Vout-VF-(IF*R5)-Vref

得到反馈补偿的电容(C1,C2)上的电压为: 12V-1.45V-(0.33mA x1k)-2.5V 8V

由此得到在12V稳态下,C1,C2上的电压为8V

4.仿真建立方法与等效仿真模型

实际工程样机为一台60W,12V/5A的电源,控制芯片的burst 控制方法如前图一所示

1.假定设计目标为进入burst态,重新发出驱动时,12V 输出电压的跌落小于0.5V,以此设定仿真的电压源,如图所示,12V 的输出,电压源取11.5V

2.反馈网络取值等同于实际电路取值

3.用二极管取代光藕,去光藕的CTR 动态

4.用流经二极管的电流等效芯片反馈(FB)电压的变化速率

5.设定反馈电容的初始电压为系统输出电压为12V 稳态时的初始电压(如图为8V

6.选定SIMETRIX为仿真工具,分析模型选择瞬态分析。

建立的仿真电路如下图三所示。

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图三:仿真电路

这种仿真分析方法的目的是用来帮助理解电路的工作与工程实践中的元件参数的调试方向。很明显,流经此二极管的电流会影响电源控制芯片反馈(FB 脚上电压的上升,控制的目标就是,让这一路电流尽快掉到最小,以得到反馈(FB)电压的上升。

仿真结果如下:

电路的初始参数如图三所示

选取不同的反馈电阻值,如图三中的R23k-100k),对流经光藕的电流IPROB2分析,得到图四,图五,不同反馈补偿电阻值下的光藕电流随时间变化规律。

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图四:不同反馈补偿电阻值下的光藕电流随时间变化规律

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图五:不同反馈补偿电阻值下的光藕电流随时间变化规律(放大版)

选取不同的反馈电容值,图三中的C1(10nF-1uF) ,对流经光藕的电流IPROB2分析,得到图六。

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图六:不同反馈补偿电容(C1)值下的光藕电流随时间变化规律

选取不同的反馈电容值,图三中的C2(1nF-100nF),对流经光藕的电流IPROB2分析,得到图七。

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图七:不同反馈补偿电容(C2)值下的光藕电流随时间变化规律

5.仿真结果分析

从仿真的结果看,环路补偿的三个参数对流过光藕的电流,即同比于FB上升(延时)到重新开启输出驱动的时间,影响很不相同。电阻R2的选择影响很大,超过一定值后,开始收敛,影响开始变化不大。选好较大值的R2 后,与之串联的C1,对结果影响很小。而极点电容C2 ,值选的越大,结果越差。

从理论分析来看,如图三所示,当电源主控芯片停止发驱动, 输出下跌后,TL431的参考电压低于TL431的基准电压2.5V,TL431的阴极电压就会上升,这个上升的电压会通过反馈补偿网络R1C1C2补偿TL431的基准电压,如果基准电压被重新抬升到2.5VTL431会重新导通,产生拉电流,这个电流会有部分流过光藕,影响了流过光藕的电流收敛速度,并与阴极上升的电压建立一定程度的动态平衡。这与仿真的结果是一致的。

6.实验验证

在实际应用中,C2的值一般都比较小,主要考虑R2 C1的影响,为此实验选择了一台60W,输出12V/5A 的电源,按照图三的反馈网络,选取不同参数,测试FB引脚上的电压快速上升的时间(TR),来验证仿真结果。实际测试中,为了得到系统进出Burst的条件,负载设为动态,从1A0.3A动态变化。波形八到十三的图中,曲线C1为实测的FB 引脚上的电压波形,曲线C2为芯片的驱动波形。

1)选取参数如下:首先定义电容C2的值为1nF,定义电容C1 的值为100nF,选取不同的电阻R2 的值: 3K9.1K20K75K(结果见图八,图九,图十, 图十一)

2)选取参数如下:首先定义电容C2的值为1nF, 定义R2 的值为75K,选取不同的C1 的值:  1uF10nF. (结果见图十二,十三)

实际测试结果如下表一和表二

C2=1nFC1=100nF

R2

3K

9.1K

20K

75K

TR

740uS

582.6uS

427.8uS

259uS

表一: 上升时间随R2 变化表

C2=1nF; R2=75k

C1

10nF

100nF

1uF

TR

250.6uS

259uS

276.6uS

表二: 上升时间随C1的变化表

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图八:3K/100nF 740Us

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图九:9.1K/100nF 582.6US

10.png

图十:20K/100nF 427.8uS

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图十一:75k/100nF 259uS

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图十二:75K /1uF 276.6uS

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图十三:75K/10nF 250.6uS

7.结论

从实测的结果来看,反馈电压(FB)的上升时间与仿真的结果,变化的方向完全一致。因而,这种仿真方法能在这种有延迟环节的burst控制方法中得到响应时间的变化规律,在反馈补偿网络中,选择较大的反馈电值,与较小的极点电容,有利于让流过光藕的电流快速收敛至最小值。利用在静态工作点作瞬态响应仿真的方法可以快速得到近似工程解。

参考文献:

1.ICE5ARXXXBZS 数据表,英飞凌科技股份有限公司

2.DEMO 5GSAG 60W1演示板,英飞凌科技股份有限公司

3.Model 310 0.01 Hz - 30 MHz Frequency Response Analyzer

4.开关电源环路中的TL431 Christophe Basso

5.Designing control loops for linear and switching power supplies, Christophe Basso

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德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术,现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品

新闻亮点:

  • 德州仪器增加了 GaN 制造投入,将两个工厂的 GaN 半导体自有制造产能提升至原来的四倍。

  • 德州仪器基于 GaN 的半导体现已投产上市。

  • 凭借德州仪器品类齐全的 GaN 集成功率半导体,能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。

  • 德州仪器已成功开展在 12 英寸晶圆上应用 GaN 制造工艺的试点项目。

德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码:TXN)近日宣布,公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产,加上德州仪器现有 GaN 制造产能,德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。

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德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示:“基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识,我们已成功验证了德州仪器 8 英寸 GaN 技术并将开始大规模生产。这种 GaN 制造方式在目前阶段拥有显著的可扩展性和成本优势,颇具里程碑意义,可助力我们不断扩大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年,我们的自有制造产能将增至 95% 以上,同时实现从多个德州仪器工厂供货,从而确保我们高功率、高能效 GaN 半导体产品全系列的可靠供应。”

GaN 技术:功能强大,潜力无限

作为硅的替代品,GaN 是一种在能源效率、开关速度、电源解决方案尺寸和重量、总系统成本以及高温和高压性能方面颇具优势的半导体材料。GaN 芯片可提供更高的功率密度,即在较小的空间内提供更大功率,因此可用于笔记本电脑和手机中的电源转换器以及暖通空调系统和家用电器中的更小型、更高能效电机驱动。

如今,德州仪器提供品类齐全的 GaN 集成功率半导体,涵盖低压和高压类别,可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的电子产品。

德州仪器高压电源部门副总裁 Kannan Soundarapandian 表示:“借助 GaN 技术,德州仪器可以更高效地在紧凑空间内提供更大功率,这也是驱动我们很多客户进行创新的主要市场需求。服务器电源、太阳能发电和交流/直流适配器等系统的设计人员面临着降低功耗并提高能效的挑战,他们越来越需要德州仪器稳定供应基于 GaN 的高性能芯片。德州仪器的集成式 GaN 功率级产品系列可助力客户实现更高功率密度、更好易用性和更低系统成本。”

此外,德州仪器 GaN 芯片采用了德州仪器专有的硅基氮化镓 (GaN-on-silicon) 工艺,经过超 8 千万小时的可靠性测试并具有集成保护特性,可保持高压系统的安全性。

GaN 制造技术:卓越性能,引领前沿

德州仪器采用了当今市面上先进的 GaN 芯片制造设备,其新增产能可提升产品性能、制造工艺效率并带来成本优势。

此外,德州仪器在提升 GaN 产能过程中采用了更先进、更高效的机台,可以生产出体积更小但是功率更大的芯片。这种设计创新可在制造中使用更少的水资源、能源和原材料,采用 GaN 芯片的终端产品也能拥有同样的环境效益。

面向未来,不断扩展

德州仪器新增的 GaN 产能所带来的性能优势还包括,可以支持公司将GaN芯片应用扩展到更高的电压范围,起始电压为900V,并随时间推移扩展至更高电压,进一步推动机器人、可再生能源和服务器电源等应用在功效和尺寸方面的创新。

德州仪器的扩大投资还包括今年年初成功开展的在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺的试点项目。此外,德州仪器扩展后的 GaN 制造工艺可全面转为采用 12 英寸技术,使公司可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为 12 英寸技术做好准备。

致力于负责任、可持续的制造

扩大GaN 技术的芯片供应和创新应用,是德州仪器践行负责任、可持续制造理念的新一举措。德州仪器还承诺了 2027 年美国业务全面实现可再生电力使用,并在 2030 年全球业务全面实现该目标。

详细了解 GaN 技术和德州仪器制造业务:

关于德州仪器 (TI)

德州仪器是一家全球性的半导体公司,从事设计、制造和销售模拟和嵌入式处理芯片,用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用,让世界更美好。如今,每一代创新都建立在上一代创新的基础上,使我们的技术变得更可靠、更经济、更节能,从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用。登陆TI.com.cn了解更多详情。

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在人工智能、安全和互连不断发展的时代,我们为您准备了FPGA创新的最前沿资讯,助您进一步提升系统设计和开发水平。您可以在莱迪思开发者大会上探索相关趋势、挑战和机遇,发现最新的低功耗FPGA解决方案!

莱迪思开发者大会将于2024年12月10日至11日在线上线下双渠道举办,届时莱迪思和其他行业领导者将带来精彩的主题演讲、小组讨论和培训课程,以及最先进的FPGA技术演示。

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您将在2024莱迪思开发者大会上看到哪些精彩内容?

·莱迪思、戴尔、SICK、微软和Teledyne FLIR将在主题演讲中重点介绍各种终端市场的网络边缘人工智能、安全和高级互连用例的最新趋势和创新FPGA解决方案。

·莱迪思和其他行业领导者将在技术小组会议上重点介绍低功耗FPGA的优势、使用传统和新兴技术进行设计以及在工业、汽车、通信、计算和消费市场的应用。

·来自莱迪思和30多家FPGA合作伙伴和客户的尖端技术演示,应用领域包括网络边缘人工智能、自动化和机器人、数据中心安全、ADAS、电信等。       

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参加莱迪思2024开发者大会的理由:

  • 紧跟最新趋势——深入了解网络边缘人工智能、安全和先进互连的主要新兴趋势和行业领先的低功耗解决方案。

  • 会见专家和行业领导者——与行业领导者、各领域专家和生态系统社区成员交流,增强技术见解,获取技术指导。

  • 丰富您的FPGA知识——探索各种重要课题,包括莱迪思在FPGA和其他尖端技术方面的最新进展。您还可以体验创新的演示,参加小组会议洞察行业趋势,探讨未来技术及其如何改变我们的世界。

  • 发展关系网络——如果您亲自前往加利福尼亚州圣何塞,还可在聚会和交流活动中与同事和行业领袖交流,促进合作。

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请访问莱迪思开发者大会门户网站注册参会,并了解更多有关议程、演讲者阵容和技术演示的详细信息!

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电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带(WBG)半导体,比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能,被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高,SiC技术正被应用于电动汽车动力系统,而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试,但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。

为确保这些设备的可靠性,双脉冲测试(DPT)已发展成为一种行业标准技术,用于测量开启、关闭和反向恢复期的一系列重要参数。双脉冲测试系统包括示波器、信号源和电源,它们必须协同工作进行测试和测量。本应用说明介绍了一个Python脚本示例,该脚本利用示波器和函数发生器的内置双脉冲测试功能,自动执行双脉冲测试。演示脚本以一个工作框架的形式呈现,供寻求实现DPT自动化的工程师使用, 并可通过泰克GitHub获取。

使用Python可以实现全自动测试解决方案,包括:探头设置配置、通道纠偏配置、直流电流校准(例如罗氏线圈)、垂直刻度设置自动调整、水平刻度设置自动调整、创建测试列表、获取测试结果、测试屏幕/波形保存,以及用于稳定性分析的可重复测试回路。

在本文中,使用5B系列MSO示波器和AFG31000任意函数发生器,在PC上使用Python自动化执行双脉冲测试 (DPT)。文章详细概述了Python脚本的流程,演示脚本本身可用作特定远程接口命令的示例,并可针对特定应用进行调整。示波器配有选件5-WBG-DPT,可提供专用的双脉冲测量,并具备完整的远程接口。在此应用中,可使用4B系列MSO或6B系列MSO代替5B系列MSO。

测试系统

典型的双脉冲测试系统如图2所示,用于测量低侧自动开关参数和时序分析。这种设置需要一个具有四个或更多通道的4B、5B或6B系列MSO。对于DPT开关参数,需要测量低压侧的VDS、ID和VGS ,因此需要三个探头——两个用于电压测量,一个用于电流测量。自动化脚本还可以通过与适当的探头进行高压侧连接来支持高压侧测试。

被测设备 (DUT) 的栅极由AFG31000任意/函数发生器驱动。图2显示了驱动VDD的大电流电源,这是典型的双脉冲测试设置。不过,在这个低电流示例中,使用了吉时利三输出电源为栅极驱动器供电,并提供VDD。示例设置的照片如图3所示。

示波器配备了选件5-WBG-DPT,可提供专用的双脉冲测量和完整的远程接口。示波器中的 WBG 软件还可用于控制AFG31000任意/函数发生器并生成栅极驱动信号。在本示例中,个人计算机、示波器和函数发生器均通过局域网连接(图1)。

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图1. 电脑、示波器和函数发生器通过局域网进行通信

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图2. 双脉冲测试系统示例的原理图,配置用于对低压侧FET进行测量。

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如图3所示,本文中的实际设置使用了低电流电源

图3中,本文使用的系统包括MSO58B示波器、VDS上的THDP0200高压差分探头、ID上的TCP0030A电流探头、VGS上的TPP1000单端电压探头、用于栅极脉冲的AFG31252函数发生器,以及输出端为栅极驱动器和VDD供电的2230G-30-1三路输出电源。图3显示了示波器、函数发生器和电源与DUT的连接。屏幕截图(图4)显示了示波器上DPT分析软件生成的丰富测量数据,包括导通电量Eon、关断电量Eoff、峰值电压Vpeak、峰值电流Ipeak、开启延时Td(开启)、关断延时Td(关闭)、上升时间Tr、下降时间Tf、导通时间Ton、关断时间Toff、电压转换速率d/d。死区时间测量虽然不用于此设置,但可用来测量低压侧和高压侧开关之间的时序。

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图4. 示波器屏幕截图显示了双脉冲电压和电流波形以及测量结果

测试自动化脚本

本节将介绍Python脚本示例,包括总体流程和组成脚本的功能块。脚本由四大功能模块组成:

示波器和探头初始化

●  探头通道配置

●  探头设置配置

●  示波器初始化和模式设置

示波器垂直设置自动设置

●  产生脉冲

●  根据捕捉到的波形调整所有模拟通道的垂直设置

双脉冲测试初始化

●  测试项目的选择

●  测试项目配置

●  AFG脉冲创建和连接

双脉冲测试和结果保存

●  脉冲发生

●  测试结果的获取和保存

测试流程如下图所示。在演示脚本中,测试参数和测试开关(例如:是否使用自动设置或调整当前通道偏置)在脚本开始时设置为常量,初始化部分结束后,配置仪器,执行测试主循环并生成结果。

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功能块说明

如前所述,DPT测试自动化演示脚本由四个功能块组成。本节将解释各功能块的设计理念和操作方法。关于输入参数配置,请参阅脚本开头 " 用户输入设置 " 部分的注释。

功能模块1 - 示波器和探头初始化

该功能用于初始化探头和示波器系统。要测量VDS、ID和VGS,需要两个电压探头和一个电流探头。

探头初始化过程如下:

禁用通道1并从屏幕上删除通道1显示。

1)启用三个通道(用户在参数设置中定义的两个电压通道和一个电流通道);

2)设置电流通道的极性,因为用户可能会因连接错误或其它测试要求而希望翻转电流方向;

3)根据需要设置替代单位比率,如安培/伏特(例如,使用分流电阻器测量电流时);

4)在设置中配置用户定义的通道纠偏参数。

示波器初始过程如下:

1)如果用户自定义设置 "rst_scope_ena " 被设为1,则恢复默认设置;

2)启用高分辨率模式,提供更精确的测量能力;

3)将水平设置模式切换为手动模式,根据测试要求设置采样率和记录长度;

4)根据用户定义的脉冲设置输入计算所需的采样率;

5)根据用户定义的值设置触发位置。如果用户定义的值小于0,则使用默认值25,即屏幕上25%的水平位置;

6)将触发类型设为边沿触发;

7)将触发源设置为VGS通道输入;

8)将触发模式设置为正常和单次触发;

9)开始采集。

功能模块2 - 示波器垂直设置和自动设置

如果通过将用户定义参数 "autoset_vertical_ena " 设为1打开了垂直自动设置功能,则将启用自动设置功能,并根据输入信号幅度自动调整垂直刻度和偏置。

如果禁用自动设置功能,则所有三个通道的垂直刻度设置都将使用参数输入界面进行用户定义垂直设置。所有三个通道都有自己的子开关切换,可分别独立启用/禁用每个通道的自动设置。三个通道的垂直刻度自动设置步骤相同。

详细的自动设置步骤如下:

a)根据用户定义的输入信号幅度初始化通道刻度,例如,Vgs为 "vgs_amplitude",Vds为 "vds_amplitude",Id为"id_amplitude"。

b)将自动设置进程状态标志设置为0并启动循环。当标志到达3时,当前通道的自动设置完成,循环将停止。

c)添加 "WBGEON" 测量项目,并在测试项目中配置AFG以产生脉冲。

d)启用输入通道的最大和最小测量功能,并将标志设置为1。

e)获取当前垂直设置以及通道输入信号的最小和最大测量值。

f)使用用户定义的 "vertical_autoset_ratio" 快速收敛输入信号的幅度到有效通道测量范围,并将标志设置为2。

g)继续获取当前垂直分辨率以及通道输入的最小值和最大值。微调通道刻度和偏置,以满足用户定义的误差范围。

h)编程设置并继续执行相同的程序,直到达到用户定义的目标误差范围。标志将设置为3,自动设置完成。

i)删除测量项目并结束循环。

在本应用示例中,脚本包含用于设置垂直刻度设置的代码。不过,使用WBG-DPT软件包中的预置功能通常会更方便。WBG-DPT预置简化了自动设置程序。它使用用户指定的双脉冲设置来预设示波器的最佳垂直、水平、触发和采集设置。预置后,只需从WBG-DPT测量面板运行栅极激励,即可让AFG31000生成双脉冲输出。

功能模块3 - 双脉冲测试初始化

1)将所有测试项目添加到测试列表中。演示脚本支持以下测量:导通电量(Eon)、关断电量 (Eoff)

2)Vds(峰值)发射极至集电极电压、Id( 峰值 )、导通延时时间td(on)、关断延时时间td(off) 、 上升时间Tr、下降时间Tf、导通时间t(on) 、关断时间t(off) 、WBGDDTdv/dt和di/dt。

3)可根据用户需求和脚本修改支持更多测试项目。

a)为每个测试项目设置信号源。

b)将设置写入AFG以生成测试脉冲。请注意,5B系列MSO固件V2.6.38要求通过WBG命令发送的AFG设置与最后配置的测量相关联。

功能模块4 - 双脉冲测试和保存结果

a)发送触发命令 "WBGGSTIM",启动测试循环并产生脉冲。

b)等待采集完成。

c)通过命令行读取并显示全部11个项目的测试结果。

d)如果 "remote_table_save_ena" 设置为1,则测试结果表将保存到示波器上的文件中。

e)如果 "remote_screen_save_ena" 设置为1,屏幕截图将保存到示波器上的文件中。

f)如果 "remote_wfm_save_ena" 设置为1,波形将被保存到示波器上的文件中。

g)如果 "remote_session_save_ena" 设置为1,会话将被保存到示波器上的文件中。

h)如果 "local_wfm_save_ena" 设置为1,波形将被保存到运行Python脚本的PC上的文件中。

i)如果 "local_table_ save_ena" 设置为1,测试结果表将保存到运行Python脚本的计算机上的文件中。

j)重复测试,直到达到用户定义的循环次数。

k)释放内存并结束测试。

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市,致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案,解决各种问题,释放洞察力,推动创新能力。70多年来,泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅,敬请登录:tek.com.cn

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10月26日,OPPO在成都欢乐谷举行首场OPPO X 双城之战主题观赛活动,与广大英雄联盟玩家共享赛事激情。随着英雄联盟全球总决赛如火如荼地进行,OPPO也开启了全国多场线下观赛活动。11月2日,全球电竞爱好者瞩目的S14全球总决赛冠亚军决赛即将震撼上演,OPPO届时还将在北京、成都、广州、武汉、石家庄、合肥、贵阳等城市同期举办观赛活动,吸引成千上万粉丝到场为喜爱的战队加油助威。

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成都欢乐谷占地约2000m2的“双城之战”主题区域,全面模拟了《英雄联盟:双城之战》的故事背景、特色人物及设计元素,将海克斯飞门、皮尔特沃夫、祖安等游戏特色场景搬入现实。OPPO X 双城之战主题快闪活动,融合游戏元素设置了多个OPPO专属互动展位,配合丰富的互动玩法,沉浸式满足年轻粉丝们的体验需求。主题区域在10月25日-11月9日,为期15天时间持续开放。同时,OPPO还在成都欢乐谷中心广场设置超大的S14观赛舞台,并在10月26日、10月27日半决赛日,以及11月2日决赛日三天全面开放,粉丝们可在OPPO展位参与互动打卡,领取S14限定版赛事周边。

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此外,OPPO|一加旗舰店(贵阳万象城)、OPPO|一加旗舰店(广州正佳广场)两家旗舰店也将在半决赛日和决赛日分别举办粉丝观赛活动,邀请广大玩家在“年轻人的城市公园”里共享尽兴时刻。针对11月2日举行的冠亚军决赛,OPPO还将在北京海淀区西三旗万象汇、广州海珠区京东MALL、武汉洪山世界城光谷步行街喷泉广场、成都锦江锦华万达广场、石家庄新华区京东MALL庙里湾步行街、合肥蜀山区万象汇六地同时举行观赛活动,一同见证冠军登顶时刻。

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作为英雄联盟全球总决赛的官方合作伙伴,也是全球合作伙伴中唯一的中国品牌,OPPO已经与英雄联盟全球总决赛合作6年。过去几年间,OPPO见证了英雄联盟电竞赛事的许多重要时刻。在不久前OPPO Find X8系列发布会上,OPPO还与拳头游戏一同宣告了另一里程碑讯息——2025全球总决赛将在中国举办。

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从Find X2英雄联盟S10限定版、Reno7 Pro英雄联盟手游限定版,到Find X8英雄联盟总决赛纪念礼盒等极具诚意的产品定制,再到首创全国门店观赛、沉浸式影院观赛等丰富观赛体验,OPPO始终聚焦年轻人喜爱的电竞领域,用心为用户创造惊喜。未来,OPPO也将与赛事一起,持续为广大用户创造更多有趣、有共鸣的产品及体验。

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为了满足广大电子工程师在测试中对于电压的更高需求,Aigtek一直在不断推进ATA-7000系列高压放大器产品的研发升级,现特推出了ATA-7100高压放大器,20kVp-p(±10kVp)高压,助您放大无忧!

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01 简介

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Aigtek安泰电子ATA-7100高压放大器,是一款理想的可放大交、直流信号的高压放大器。单端输出20kVp-p(±10kVp)高压,带宽(-3dB)DC~1.2kHz,功率20Wp,电流2mAp,针对各类高压型负载有着亮眼的驱动效果,增益数控可调,一键保存设置,提供了方便简洁的操作选择,可与主流的信号发生器配套使用,实现信号的放大。

02 产品特点

▶  数控增益、直流偏置数控可调;

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▶  一键保存常用设置;

▶  可兼容市面主流任意波形函数信号发生器;

▶  电压电流可监测,测试动态一手掌握;

▶  限流保护加持,高压测试更安心

▶  液晶显示屏,图形化展现,界面一目了然;

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▶  USB程控选件,可电脑远程程控,便于项目集成;

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▶  支持主从机模式,可多台设备级联,实现多通道的独立输出和同步输出;

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▶  支持动态调整,可针对各种负载参数,优化交流响应

▶  个性化需求,可按需定制

03 应用场景

ATA-7100高压放大器可以轻松驱动各类高压型负载,在介电弹性体测试、EHD电流体打印、铁电测试、等离子体测试、3D打印、材料极化、静电纺丝、微流控等高压测试领域有着亮眼表现。

04 产品细节展示

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05 技术指标

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来源:Aigtek安泰电子

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微源半导体在液晶显示面板偏置电源芯片设计持续耕耘,已经量产多款液晶显示面板的电源管理芯片,可适配a-Si,LTPS,IGZO等不同工艺的液晶显示面板,包括PMIC(偏置电源管理集成芯片),PGMA(可编程伽马参考电压芯片),LS(GOA驱动电平转换芯片),OPA(Source/Sink大电流能力集成运算放大器)等。

LP6294HSPF 是一款4通道大电流集成运算放大器, 具有45V/uS的高转换速率,静态电流仅4mA,最大不超过10mV的偏移电压,最大峰值电流能力高达1.5A,4KV HBM ESD能力;同时具有全面的保护功能,包括对地短路、对源短路、器件过热保护,这些特性的组合非常适用在液晶显示产品,可灵活应用在 VCOM Buffer,HAVDD Buffer,PGMA Buffer,VCOM Compensation等。

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(LP6294HSPF 典型应用电路图)

具体性能参数指标可联系微源获取数据手册。

LP6294HSPF 主要特点

输入特性:

  • 输入电压: 4.5V to 20V

  • 静态电流: 4mA典型值

输出通道主要特性:

  • 偏移电压范围:±10mV

  • 持续电流能力:±400mA

  • 峰值电流能力:±1500mA

  • 短路保护电流:±200mA

  • 转换速率:45V/uS典型值

  • -3dB带宽:35MHz典型值

  • HBM Ability: 4KV ESD

保护功能:

  • 过温保护功能

  • 短路保护

  • ETSSOP-14

关于微源半导体

微源半导体是行业领先的模拟芯片设计公司,持续专注以电源管理芯片为主的模拟芯片领域,全球布局研发中心和销售中心,致力于为客户提供完整的电源管理解决方案和技术服务。产品广泛应用于电池系统、显示系统、无线通讯系统和个人穿戴系统等3C市场相关产品。 自成立以来,微源半导体快速成为全球领先的电源管理方案提供商,以上千种产品、超十亿颗级别使用量服务于上万家客户。微源始终坚持产品质量第一,持续高研发投入,致力于设计更可靠、品质更安全、交付更有保障,努力成为客户首选电源合作伙伴。

网址:www.lowpowersemi.com 

电话:86-0755-33000088 

地址:深圳市福田区车公庙泰然大厦C座1505

来源:微源半导体

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