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技嘉科技宣布,电竞显示器 MO27U2 QD-OLED 正式上市。作为 27 寸  4K 240Hz QD-OLED 电竞显示器,MO27U2 以高达 166 PPI 的超高像素密度,带来前所未有的细腻画质。MO27U2 采用 Tandem OLED 面板技术,搭载升级版战术型功能与石墨烯散热膜技术,重新定义 QD-OLED 屏幕的视觉及游戏表现。

技嘉 MO27U2 4K 240Hz QD-OLED 电竞屏幕正式上市

技嘉 MO27U2 4K 240Hz QD-OLED 电竞屏幕正式上市

MO27U2 支持 G-Sync 功能,可以同时免除画面撕裂与刷新的停顿与迟缓,并支持最新 GeForce RTX™ 50 系列显卡,通过 DLSS4 技术实现 4K 240Hz 的极速游戏体验。而 166 PPI 的像素密度使影像细节更为清晰,加上 delta E ≤ 2 的色彩精准度、99% DCI-P3 的广色域,并通过 Pantone ValidatedR 认证,确保色彩还原更为精准。此外,0.03ms GtG 反应时间让画面更加流畅,确保低延迟的视觉表现。

MO27U2 不仅拥有令人惊叹的显示效果,更搭载技嘉升级版战术型功能,进一步提升游戏体验。其中,Tactical Switch 2.0 具备一键分辨率切换,支持 4:3 与 5:4 的显示分辨率,满足不同游戏需求;Ultra Clear 采用先进黑帧插入技术,有效降低动态模糊,确保高速画面依旧锐利;Black Equalizer 2.0 进一步强化画面清晰度,确保玩家在战场上也能维持最佳视野。同时,VRR 抗闪烁技术可精准调整 VRR(可变刷新率)范围,有效降低屏幕闪烁,在高速动态画面下仍能保持流畅舒适的游戏体验。

此外,MO27U2 采用石墨烯散热膜技术与四侧气流散热设计,即使长时间运行仍能保持稳定性能。此外,搭载技嘉 OLED Care AI 面板保护技术,通过智能调整有效减少 OLED 烙印风险,延长面板寿命,确保屏幕长期保持稳定与生动的色彩表现;并提供三年防烙印质保,让消费者可安心享受视觉盛宴。

MO27U2 专为高阶多任务玩家打造,无论是 AAA 大作、串流播放、工作,或轻度创作应用,都能提供无与伦比的影像精准度与流畅表现。此外,技嘉 OLED 电竞显示器系列还包含 MO27Q2,专为 FPS 及动作游戏玩家设计,提供超高速更新率以确保极致流畅体验;以及 MO32U,适合喜爱沉浸式影音体验的玩家,具备高画质与细腻影像表现,特别适合开放世界 RPG 与动作冒险游戏玩家。更多产品资讯请参阅官网: www.gigabyte.cn 

稿源:美通社

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小尺寸,低成本,高精度

对轴&离轴多种组合,高柔韧性

2025年3月13日消息,专注于 AMR(各向异性磁阻)和 TMR(隧道磁阻)技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd.,简称“MDT”) 为满足人形、犬型等机器人关节的闭环控制要求,推出多种基于TMR磁阻芯片的磁编码器方案。方案可以满足对轴和离轴多种组合使用,对安装要求低,具有小尺寸、低成本、高精度的特点。

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  磁编码器方案一  

一、对轴磁编码器方案

对轴磁编码器方案常规用于直流电机轴端角度检测,配合单对极充磁磁铁和一颗TMR3110或TMR3111来实现。

TMR3110、TMR3111具有自校准功能,配合单对极充磁磁铁,可以达到0.05°的绝对角度精度,满足40000RPM的转速需求。

TMR3110、TMR3111有SPI,ABZ和PWM输出方式,满足客户多种通讯接口需要。

其中,TMR3111D采用DFN10L(3mm × 3mm × 0.75mm)小尺寸封装,能够节约用户的PCBA布板空间。

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图1 对轴磁编码器方案原理图

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图2 TMR3110所测磁场角度定义(顶视图)

  磁编码器方案二  

二、离轴磁编码器方案

离轴方案常用于无框力矩电机端角度检测和减速器输出端角度检测。配合单对极充磁的磁环和线性TMR磁阻芯片来实现。

4颗TMR2615线性芯片按图3所示,在磁环外圈排列,排列相位为90°,通过4颗TMR2615的相互补偿,可以有效降低轴向和径向抖动带来的偏差。采用江苏多维科技的角度运算芯片MDT3259,可以自校准4颗TMR2615的输出信号,输出绝对角度信号,有SPI,ABZ和PWM输出方式,满足客户多种通讯接口需要。该方案可以满足±0.15°的离轴绝对角度精度, 3000RPM以上的转速需求。

TMR2615是江苏多维科技的线性TMR芯片,有DFN3L (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm) 小尺寸封装,其水平方向敏感,在单磁环离轴方案中,可以大大降低客户的整体机构厚度,也节约了客户的PCBA布板空间。

MDT3259是一颗角度编码器信号调理芯片,可以把正余弦电压芯片转换为数字角度信号,且具有多阶谐波校准功能,采用DFN24L(4mm × 4mm × 0.75mm)封装。

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图3 离轴磁编码器方案原理图

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图4 推荐电路图

  磁编码器方案三  

三、双对轴TMR3110/3111组合方案

针对直流电机和行星减速器组合的机器人关节方案,双对轴TMR3110/3111组合方案安装简单、成本低,江苏多维科技推出单对级磁铁磁屏蔽方案,可以有效消除输入输出轴端的两颗单对极磁铁相互影响。在组合使用中满足±0.15°的绝对角度精度需求。

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图5 双对轴TMR3110/3111组合方案原理图

  磁编码器方案四  

四、单对极磁铁对轴+单对极磁环离轴组合方案

针对直流电机和行星减速器的机器人关节方案,单对极磁铁对轴(TMR311x)+ 单对极磁环离轴(TMR2615×4 + MDT3259组合方案)结构更为简单。通过增加磁屏蔽,可有效消除磁铁和磁环的相互影响。在组合中满足±0.15°的绝对角度精度需求。

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图6 单对极磁铁对轴+单对极磁环离轴组合方案原理图

* 江苏多维科技可以提供用于机器人关节的完整磁编码器方案,如需详细方案和技术支持,请联系我们。

江苏多维科技倾力打造的磁传感器晶圆IDM模式制造平台,经过十多年不断地累积,高度整合了供应链资源,在满足客户的批量采购需求的同时,最大程度地保障供应产品的质量一致性及稳定性。江苏多维科技为满足客户多元化的定制需要,将努力提供更多、更好的优质磁传感器芯片产品。

来源:多维科技

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2月28日,瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2),为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试,并在光伏客户导入验证。

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这款模块产品(IV3B20023BA2)尺寸与标准的Easy 3B封装相同,壳体高度仅12mm,能压缩应用系统的体积;不同之处在于,3B封装加装了金属底座,如下图2,让模块安装更牢固,同时消除了塑料底座老化的隐患,更安全可靠。

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图1,模块外观

模块电路拓扑

这款模块产品(IV3B20023BA2)内部集成了4相升压电路,共用电源接地,分为2组,集成热敏电阻以监测温度,如下图3,可灵活适配2路或者4路直流输入(DC input),满足个性化设计需求。相对于分立器件方案,大幅提升功率密度,同时显著简化了电路的设计。

此外,该模块具有开尔文源极引脚,能在SiC MOSFET高速开关时,抑制驱动电压尖峰,保障系统安全和高效。

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图2,模块拓扑

2000V SiC MOSFET和SBD芯片

这款模块产品(IV3B20023BA2)中每一路升压电路由2000V 23mΩ MOSFET和2000V 40A SBD芯片组成。其中2000V SiC MOSFET采用成熟的第二代平面栅SiC MOSFET工艺技术,具有良好的性能和可靠性表现,支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压,室温额定电流65A;其中2000V SiC SBD的正向压降(Vf)具有正温度系数,有利于并联均流,保障系统安全稳定。

2000V SiC模块的应用价值

随着电力电子技术的发展,在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势:一是追求更高工作频率,以缩减电感和电容规格,降低物料成本,提升效率和功率密度;二是追求更高母线电压,以降低器件的导通电流和损耗,提升系统效率。

2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路(MPPT)。如下图3所示,在升压变换电路中,2000V SiC分立器件能简化电路拓扑、减少元器件数量,降低总物料成本,同时让应用控制更简单:

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图3,升压变换电路拓扑

对比分立器件的方案,若采用2000V SiC功率模块产品(IV3B20023BA2),除了上述优势,还进一步简化了电路设计,大幅提升了功率密度,如下图4所示:

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图4,光伏应用拓扑

来源:瞻芯电子

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"智构未来"引领工业级存储与边缘AI创新

全球领先的工业级存储解决方案提供商宜鼎国际于3月12日参加在深圳举办的2025中国闪存市场峰会(CFMS | MemoryS 2025)。本次峰会以"存储格局、价值重塑"为主题,汇聚全球存储产业链上下游企业及核心应用企业,共同探讨存储技术创新、市场策略及产业变革。在此次峰会上,宜鼎国际嵌入式闪存事业部总经理吴锡熙将发表主题为"智构未来"的演讲,分享公司在工业级存储与边缘AI创新发展的战略布局及最新成果。

宜鼎国际:以"智构未来"引领工业级存储与边缘AI创新发展

随着全球工业自动化、物联网和边缘AI的快速发展,工业级存储装置的需求持续增长。特别是在数据中心、边缘计算和智能制造等领域,对高性能、高可靠性存储解决方案的需求尤为显著。行业正朝着高性能、大容量、低功耗方向发展, 而边缘AI市场也在快速崛起。预计到2025年,全球边缘AI市场规模将达到约1500亿美元。在中国,边缘AI市场规模预计到2025年将达到3000亿元人民币,年复合增长率超过35%。

然而,尽管市场潜力巨大,行业仍面临诸多挑战。国际头部品牌占据主导地位,但新兴企业通过技术创新和差异化竞争逐步崛起。目前,宜鼎国际与行业友商都面临着全球芯片短缺和原材料价格波动对生产造成的影响。此外,随着存储设备在关键领域的应用增加,数据安全和可靠性成为企业的重要考量。

在中国市场,2023年中国企业级固态硬盘市场规模为152.9亿元人民币,同比负增长43.6%,但2024年因AI应用和服务器需求升温,市场规模有望大幅增长。预计未来五年,中国固态硬盘市场将以每年约15%的速度增长,到2030年市场规模预计达到近1000亿美元。目前国际品牌在中国市场占据较大份额,尤其在高端市场。宜鼎国际作为行业领先企业,一直通过技术创新,逐步提升在高端市场的竞争力。

宜鼎国际的"智构未来"战略布局

2024年,宜鼎国际正式提出"智构未来(Architect Intelligence)"品牌主张,旨在通过软硬件整合优势,推动AI技术在产业端与企业端的落地实践。在此框架下,宜鼎国际将众多产品线整合为九大智能产品类别(Intelligence),并在识别形象上导入多元色彩,象征AI应用的无限潜能及宜鼎的创新能力。

1. 智慧AI解决方案

宜鼎国际在2024年国际信息通信展上展示了其智慧AI解决方案,包括AI软件开发工具包和采用百度飞桨PaddleX AI智能模型的场景落地方案。这些方案通过低代码开发工具简化AI模型开发,助力企业快速部署AI应用。

2. 创新产品与技术

宜鼎国际持续推动技术创新,推出了包括CXL 2.0内存、16TB大容量SSD、PCIe 5.0 SSD等一系列高性能产品。此外,公司还自主研发了iVIT软件开发工具包(SDK),通过"No-code"特性简化AI模型开发。

3. 软硬件协同

宜鼎国际不仅在硬件领域保持领先,还强化软件布局,推出企业生成式AI工具,并升级iCAP云端管理平台,整合AI模型部署与边缘装置管理。通过软硬件协同,公司致力于为客户提供更高效的AI解决方案,进一步推动智能化转型。

4. 聚焦中国市场

宜鼎国际高度重视中国大陆市场,其大陆业务占公司全球业务的20%左右。公司计划在通信、服务器、充电桩、新能源汽车、智能交通等领域加大投入,助力中国新基建和数字化转型。此外,宜鼎国际在深圳、上海、北京、成都均设有办事处,以便更加快速地服务客户。

未来展望

未来,宜鼎国际将继续以"智构未来"为核心战略,推动AI技术在全球产业中的应用落地。通过与全球生态伙伴的合作,公司致力于构建智能化世界,引领AI在更多垂直市场的应用。在技术创新和市场拓展的双重驱动下,宜鼎国际有望在全球市场中继续保持领先地位,为中国及全球市场的智能化转型贡献力量。

关于Innodisk宜鼎国际

Innodisk宜鼎国际为全球AIoT解决方案与工业级存储领导品牌,营运总部设于台湾,事业版图遍及全球。自2005年成立以来,宜鼎国际已取得全球工业数据存储装置市占第一的领导地位[1],旗下工业级内存模块亦为全球前十强。如今随AI浪潮席卷全球,宜鼎国际更致力结合专业技术与洞察,以专业的软、硬件及固件团队,为企业量身订制最佳方案,致力透过软硬整合的核心精神,成为推动全球AIoT解决方案的先驱,全面布局AIoT应用市场、携手产业伙伴共筑智能化世界。关于宜鼎国际相关产品、技术、AIoT应用案例等详细信息,请参阅 http://www.myinnodisk.cn

[1] 自2018年起,Gartner全球市场调查报告中指出,宜鼎国际已连续五年蝉联全球工业级SSD市场市占率排名第一。

关于宜鼎及旗下解决方案,更多信息请参考:http://www.myinnodisk.cn 

宜鼎集团AIoT布局,请参考:https://www.innodisk.com/group_intro/tw.html

稿源:美通社

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3月11日,瞻芯电子推出1B封装1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景,提供了效、低成本的解决方案该产品已通过工业级可靠性测试。

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这款模块产品(IV1B12009HA2L) 尺寸与标准的Easy 1B封装相同,其壳体紧凑,高度仅12mm。该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板(DCB)上,具有内绝缘功能,可直接紧贴散热器,无需外加陶瓷绝缘垫片,安全可靠,散热更好;同时,模块采用弹簧安装座,组装方便,集成的安装夹使安装

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1,模块外观

模块电路拓扑

该模块产品内置1200V 9mΩ SiC MOSFET芯片组成半桥电路,具有较低的杂散电感,简化了应用电路的设计,相对于分立器件方案,提升了功率密度。同时集成热敏电阻(NTC)以监测温度。

该产品具有开尔文源极引脚,能在SiC MOSFET高速开关时,抑制驱动电压尖峰,保障高频开关应用的安全和可靠。

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2,模块拓扑

SiC MOSFET芯片

这款模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片,兼有良好性能和可靠性表现,支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压,额定电流100A。

应用场景

该产品适用于高频、高效率功率变换系统,具有安全可靠、尺寸紧凑、安装方便等特点,典型应用场景如下:

  1. 高频开关应用

  2. 高压直流变换器(DC-DC)

  3. 直流充电桩

  4. 不间断电源(UPS)

来源:瞻芯电子

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小体积大能量打造智能家居健康新空间

全球居先的综合电子元器件制造商村田中国(以下简称“村田”)将参加于2025年3月20-23日在上海新国际博览中心举办的中国家电及消费电子博览会(AWE),展位号W4馆4A40。本次展会,村田将携一系列创新产品重磅登场,包括正负离子发生器、锂离子电池、无线模块、传感器、以及MLCC等多元化产品组合,全面展示其在家电智能化领域的技术实力,助力消费者打造更加健康、舒适、智能的家居生活体验。

随着物联网和人工智能技术的迅速发展,家电行业正加速向智能化转型。消费者对智能家居的需求从单一功能转向全方位的健康、便捷和环保体验。而家电企业在智能化转型中面临技术升级与成本控制的双重挑战。作为“电子行业的创新者”,村田凭借在电子元器件领域的深厚技术积累,持续推出小尺寸、高集成度、低功耗、高效率的升级迭代产品,以创新技术推动家电行业智能化升级,满足家电产品在空间和功能上的双效需求。

此次展会,村田将携多款成熟的创新产品组合,展示其针对智能生活领域的产品和解决方案,覆盖智能生活的多个应用领域:

  • 持续创新升级,便利打造健康生活空间:展会现场村田将带来升级版正负离子发生器(MHM330)与负离子发生器(MHM324)。这次展出的新款正负离子发生器Auto Balance MHM330模块,凭借其专有的电路设计,可在1秒或更短时间内将±1000V的静电降低至±100V以下,并最终接近0V,具备非常强的除静电效果。同时该产品能够帮助保持肌肤水润。MHM330非常适合应用于商用扫地机、咖啡机、园林工具、美容仪器以及打印机、碎纸机等设备,解决静电困扰的同时提升用户体验。

    此外,升级版负离子发生器也在其特别的高压技术上进一步优化了电路参数,推出了更高负离子浓度的MHM324模块。该产品启动后可在很短时间内释放超过800万个/cc的负离子,迅速吸附烟雾、消除异味,适合搭载于多种空气、环境净化设备等。目前,该产品已大量应用于空气净化器、空调等家电设备,为家庭提供洁净健康的生活环境。

  • 安全可靠动力,保障稳定高效生活:本次展出的多款锂离子电池在保障家电设备的稳定、持久运行上具有优异表现。村田的锂离子电池产品阵容覆盖2.5~4.0Ah不同容量,支持10C大电流连续放电,具备低温增强、高温增强等不同特性,并具有高功率、高稳定性、快充、高安全性的特点。除传统电芯外,本次展会还加入了崭新全极耳工艺电芯展出,为高功率家电产品打开更多可能。村田电芯大范围应用于家用吸尘器、电动工具、园林工具等高功率可充电产品。

  • 灵活打造无缝互联,智能家居的核心驱动力:村田此次带来多款小尺寸、低成本无线模块产品,覆盖UWB和Wi-Fi®+蓝牙等技术,适合工业、商业、家庭、消费电子等多场景应用,为智能照明、智能家居、复杂物联网应用,乃至数字支付设备定位等提供强劲支持,助力设备实现互联互通,打造无缝智能生活体验。村田的UWB模块采用短距离射频技术,具有高精度、高可靠性、低功耗的特点。而村田的Wi-Fi®+蓝牙模组在保持高可靠性和安全性的同时具有高兼容性,设备制造商可便捷地定制解决方案、进行IOT设计等,提升产品竞争力,为消费者创建与现实世界交互的新型互联家居,提供科技价值。

此外,展会现场村田还会带来小型化、低功耗、高灵敏度的AMR传感器;小尺寸、高耐压值、高可靠性的高压电阻以及多款MLCC等创新产品和解决方案为智能家居终端设备提供灵活、有效的技术支持。

作为拥有逾80年深厚经验的全球综合电子元器件商,村田制作所将持续深耕家居健康领域,以创新技术和多元化解决方案,助力行业伙伴应对智能化转型中的挑战,共同开启智能健康的新时代。我们诚邀您莅临上海新国际博览中心W4馆,4A40村田展位,体验前沿科技,共话行业未来。

关于村田制作所

村田制作所是一家全球性的综合电子元器件制造商,主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售业务。致力于通过自身开发积累的材料开发、工艺开发、商品设计、生产技术以及对它们提供支持的软件和分析评估等技术基础,开发专有产品,为电子社会的发展做出贡献。

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功效比超高的DXTP GPU IP将为图形计算与边缘AI应用SoC的创新提供巨大的帮助

作者:北京华兴万邦管理咨询有限公司  翔煜  商瑞

Imagination于不久前正式发布了DXTP GPU IP,这款新产品的亮点在于,在标准图形工作负载下,其能效比(FPS/W)相比前代产品实现了高达20%的提升。作为GPU IP行业的领导者,截至2023年的公开数据显示,搭载Imagination IP授权的芯片累计出货量高达110亿颗。这些芯片广泛应用于移动设备(包括智能手机)、汽车、消费电子产品和电脑等多个领域。

此次功效得到大幅提升的DXTP GPU的发布,正值在DeepSeek等大模型技术的推动下,边缘AI设备广泛兴起的产业转型期,功效更高的GPU IP将为边缘端侧AI SoC的开发提供巨大的支持。同时,DXTP GPU也是Imagination继不久前发布比锁步和双备份成本低很多的、已获得ASIL-B认证的GPU分布式功能安全机制后又一个重大技术持续进步。

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而回顾GPU的技术升级浪潮,可以发现Imagination始终以创新为核心动力,在近几年不断推出具有突破性的IP产品,从根本上重塑了图形计算和人工智能领域的发展蓝图。因此,本文以Imagination在GPU领域的持续创新为例,通过盘点该公司近年来在GPU技术领域内的创新,分析其长期坚持的技术创新战略,以及这一战略与国内芯片设计公司在各个领域内协同创新的机会,共同探索如何成为行业引领者实现双赢,支持国内芯片企业去实现更多的创新与突破。

Imagination:持续的技术创新助其成为GPU行业的引领者

2021年,Imagination推出了业界首款在移动平台上支持硬件光线追踪的GPU IP——Imagination CXT GPU,这一创举在移动图形处理领域具有里程碑意义。在CXT诞生之前,移动设备受限于硬件性能和功耗等因素,图形渲染的真实感和沉浸感远不及桌面设备。

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CXT通过引入Imagination开发的PowerVR Photon架构的光线加速集群(RAC),成功解决了这一难题。RAC采用了先进的光线处理算法,能够高效处理光线的传播、反射、折射和阴影计算等复杂操作。

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CXT的光线追踪技术能够实时计算光线的传播路径,生成逼真的光影效果,使得游戏中的物体与场景之间的光影交互更加自然。此外,CXT在功耗控制方面也进行了优化。它采用了动态功耗管理技术,根据光线追踪任务的复杂度自动调整硬件资源的分配,在保证图形质量的同时,尽可能降低能耗。这使得移动设备在运行支持光线追踪的游戏时,不会因为功耗过高而导致发热严重或续航时间大幅缩短,为移动光线追踪技术的普及奠定了坚实的基础。

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2023年,Imagination推出新一代的IMG DXT GPU,在CXT GPU取得成功的基础上,进一步发展了光线追踪技术。DXT  GPU具备可扩展的光线追踪功能,这一创新特性使厂商能够根据不同的应用场景和设备性能需求,灵活调整光线追踪的精度和复杂度。对于高端游戏和专业图形设计领域,DXT能够提供更高质量的光线追踪。在有复杂渲染需求的大型游戏中,DXT不仅可以实现全域光照效果,并且模拟真实世界中光线在场景中的多次反射和折射,使整个游戏场景更加明亮和自然。同时,DXT上的扩展光线追踪技术在专业图形设计、建筑设计和影视特效制作等许多领域,可以帮助设计师实现更加真实的渲染效果和更加逼真的虚拟场景,提高成品质量和视觉冲击力。

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Imagination在其DXT GPU中还加入了多项创新,例如“2D双速率纹理映射”技术,该技术能在同一时间处理两种不同分辨率的纹理,通过智能切换纹理分辨率,在保证图形质量的同时,显著提升纹理处理速度,减少内存带宽占用。在复杂2D场景渲染中,例如手机游戏中的角色和场景绘制,它能根据画面元素的远近和重要程度,动态调整纹理分辨率,近景和关键元素采用高分辨率纹理以呈现精细细节,远景元素则使用低分辨率纹理,从而在不影响视觉效果的情况下,大幅提升渲染效率,优化图形处理性能。

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2023 年末,为了帮助桌面和数据中心客户实现高性能的云端GPU创新解决方案,Imagination推出了DXD GPU IP。该款GPU的创新之处在于首次将Imagination的API覆盖扩展至DirectX,这一举措显著提升了DXD与Windows平台上的应用程序和游戏的兼容性。同时,Imagination 的硬件虚拟化技术 HyperLane 在DXD中发挥了关键作用,该技术支持在单个GPU上安全且独立地运行多达八个操作系统,这意味着当 DXD部署在服务器中时,能够支持多达八个用户同时进行游戏,极大地提升了服务器的使用效率,降低了云游戏的运营成本,并为云游戏行业的发展带来了创新的运营模式。

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时间来到2024年9月,针对全球汽车智能化的需求,Imagination推出了其算力最高可扩展至24 TOPS INT8的DXS系列GPU,该系列IP不仅为智能驾驶舱和先进驾驶辅助(ADAS)等应用所需SoC带来澎湃的算力,而且转为诸如汽车处理器等对安全性要求极为严苛的应用,开发了结合GPU的计算模式特点并大幅降低成本分布式功能安全机制(DSM),这为汽车和工业等越来越多需要GPU的图形处理能力和计算能力的电子系统带来了巨大的创新

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通过引入DSM机制,Imagination DXS GPU能以比锁步或者功能备份等功能安全机制小得多的资源开销实现ASIL-B级别的功能安全,这在降低了高昂的成本的同时还提升了效率。采用DSM分布式安全机制的DXS GPU已经通过严格的ASIL-B认证,汽车SoC开发商仅需增加大约10%的芯片面积就实现了功能安全,如果结合该公司的HyperLane硬件虚拟化技术,还能大幅度提升这些汽车SoC的计算性能和效率。以自动驾驶系统为例,DXS能够实时、安全地处理海量的传感器数据,而HyperLane则通过虚拟化技术隔离数据和处理过程,在确保系统的安全性和可靠性的同时,为自动驾驶芯片的创新提供了坚实的支持。

集大成的D系列收官之作:DXTP 融合创新服务端侧AI

新推出的Imagination DXTP GPU是其D系列的巅峰之作,汇聚了前代产品的众多优点。它不仅继承了DXT系列GPU的图形处理能力和能效优势,例如“2D双速率纹理映射”技术,还融合了DXS系列的计算能力和能效优势,包括用于AI加速的大容量本地内存。在能效方面,DXTP GPU表现出色,在常规图形工作负载下,其功耗效率(FPS/W)比前一代产品DXT提升了高达20%。

在端侧AI应用场景中,这一特性对主控SoC尤为关键。以智能家居为例,搭载DXTP的芯片可以利用大容量本地内存快速存储和处理AI模型数据,用智能摄像头去实时识别画面中的人物、物体,还能借助DXTP的高性能计算能力对识别结果进行快速分析,例如判断是否有异常行为等,然后及时向用户推送警报信息,极大提升了智能家居主控SoC的智能特性和响应速度。

DXTP GPU卓越的能源效率使其能够在相同的功耗预算下实现更高的帧率(FPS),这使得下游相关方能够在不影响电池续航的前提下,为终端用户带来更先进的图形处理体验和计算功能。DXTP GPU为SoC芯片设计公司带来两个方面的创新:首先是“利用率”显著提升,它能将理论上的TFLOPS高效转化为实际的FPS,实现了极高的效率,同时将功耗浪费降至最低。

其次是DXTP GPU提供了芯片资源使用灵活性,它能够处理图形或AI工作负载,或者同时处理这两种计算需求,因此在AI功能已成为智能手机等设备差异化竞争的焦点的今天,DXTP能够支持在GPU上无需额外的芯片面积来专门用于AI处理,也不会牺牲用户界面或游戏体验,这体现了对芯片资源的高效灵活利用。

搭载DXTP GPU的新一代SoC已在设计之中

DXTP GPU提供DXTP-48-1536和DXTP-64-2048两种配置,两款产品均已经向芯片设计公司出售了授权,因此预计搭载该GPU的SoC将很快可以提供给系统厂商使用。其中,DXTP-64-2048在1GHz的运行频率下,具备64 GPixel/s的处理速度,能够实现2 TFLOPS的FP32、4 TFLOPS的FP16以及8 TOPS的INT8峰值计算性能;DXTP-48-1536同样具备48 GPixel/s的处理速度、1.5 TFLOPS的FP32、3.0 TFLOPS的FP16和6 TOPS的INT8性能。

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在功能特性上,DXTP引入全新的灵活任务调度机制。该机制可实时监测各个任务的状态和资源需求,依据任务优先级和实时需求动态分配计算资源。当同时运行图形渲染和AI计算任务时,能合理分配资源,确保系统高效运行,提升整体性能和响应速度,进一步提高能源利用效率,有力推动边缘AI应用发展。

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DXTP 的均衡架构设计同样是一项创新。这种架构通过优化渲染计算的吞吐量,相较于前代产品实现了高达50%的性能提升。通过扩展缓存容量和系统级带宽,DXTP 构建了更高效的通道,能够更有效地替代 GPGPU 完成各类复杂计算工作,完成数据存储和传输。在处理大规模数据集时,缓存能够暂存频繁访问的数据,从而减少读取时间;而更高的系统级带宽则确保了数据在不同组件间快速传输,有效避免了传输瓶颈。无论是实时渲染大型3D游戏,还是处理AI计算任务中的海量数据,DXTP 都能凭借其架构优势高效且稳定地执行。

此外,借助Imagination的低开销HyperLane技术,DXTP支持完全安全的GPU多任务处理,可同时运行图形和计算任务,极大地提升了系统灵活性。例如,在智能汽车场景中,车辆行驶时,DXTP 一方面要负责渲染高精度的 3D 地图,为驾驶员提供清晰直观的导航界面,实时呈现路况和周边环境信息;另一方面,还要同步处理来自多个传感器的 AI 计算任务,如对摄像头捕捉到的图像进行实时分析,识别行人和其他车辆,以辅助自动驾驶决策。这两项任务对计算资源的需求都很高,且对处理的及时性和准确性要求严格,DXTP 凭借 HyperLane 技术,能将图形渲染和 AI 计算任务高效分配到不同的虚拟环境中,让它们互不干扰地稳定运行,保障了驾驶过程中的安全性和用户体验。

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生态合作创新支持开发者更方便完成设计并复用成果

Imagination不仅在硬件技术上不断创新,还积极构建丰富的软件生态系统,推动 GPU 技术的广泛应用,展现了其全方位支持芯片设计企业及其用户去实现创新的能力。

Imagination与Android和Linux生态系统紧密协作,致力于挖掘GPU的计算潜力。通过与这些主流操作系统的深度整合,Imagination为开发者打造了一个更加便捷、高效的开发环境。同时,Imagination为开发者们提供了丰富的创新资源和强大的工具,包括定期更新的驱动程序、详尽的指南和示例代码,支持OpenGL/ES、OpenCL、Vulkan等多种标准。开发者可以根据项目需求选择最合适的开发框架,从而提升开发的灵活性和效率,为创新应用的开发提供了有力支持。

在图形处理、GPU计算和人工智能领域,Imagination与UXL基金会开展合作,利用其oneAPI等开放标准支持开发者去降低创新门槛并充分复用创新成果。例如通过结合使用Imagination的OpenCL工具包,相较于开源人工智能方案,能够实现高达4倍的人工智能应用性能提升。这一合作成果为人工智能开发者提供了更加强大、高效的开发工具,加速了人工智能应用在GPU上的开发和部署,推动了人工智能领域的创新发展。

Imagination还拥有一系列功能丰富的开发者工具,可用于性能分析与调试,同时还提供带有示例和指南的软件开发工具包(SDK)。这些工具和SDK可从开发者门户网站下载,并且已经被众多游戏工作室长期使用。Imagination的开发者社区充满活力,便于分享经验、解决问题。社区活动和竞赛激发创新,技术交流让开发者掌握最新动态,而竞赛则促进了思想交流和应用创新,营造了一个充满创新活力的生态环境。

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通过前面介绍的这些创新产品、技术和生态举措,可以发现Imagination一方面致力于从算力指标、整体功耗、芯片面积、功能安全和架构均衡性等基础性能上挖掘性能极限正在重新定义GPU,另一方面还在架构灵活性、用户体验、特色功能和AI支持能力等产品特色功能上支持SoC设计企业及其用户去引领或者适应新的商业模式,第三还联合产业内外各类创新主体携手推动这些技术更快转化为智能化转型的强大动力,共同去引领边缘AI时代的创新发展。在边缘AI快速发展的今天,Imagination在GPU领域的持续创新,不断为SoC设计企业带来可以引领市场的全新功能,还为整个图形计算和人工智能计算在端侧智能领域带来了新的发展机遇。

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在物联网领域中,无线射频技术作为设备间通信的核心手段,已深度渗透工业自动化、智慧城市及智能家居等多元场景。然而,随着物联网设备接入规模的不断扩大,如何降低运维成本,提升通信数据的传输速度和响应时间,实现更广泛、更稳定的覆盖已成为当前亟待解决的系统性难题。

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SoC无线收发模块-RFM25A12

在此背景下,华普微创新推出了一款高性能、远距离与高性价比的Sub-GHz无线SoC收发模块RFM25A12,旨在提升射频性能以满足行业中日益增长与复杂的设备互联需求。

值得一提的是,RFM25A12还支持Wi-SUN协议,可为超大规模的户外IoT网络提供通信基础,降低组网投入,是用于计量、照明和配电自动化的1GHz以下Wi-SUN的理想解决方案。

RFM25A12 射频收发模块:核心性能大揭秘

RFM25A12工作在470MHz、868MHz与915MHz等多种工作频率下,模块最大射功率为16dBm,接收灵敏度可低至-110dBm,可轻松穿透各种建筑与植被,满足多数物联网场景对于远距离和高稳定性的通信需求。

同时,RFM25A12还支持 Wi-SUN MR OFDM MCS 0-6、 802.15.4 SUN MR O-QPSK,带 DSSS、Wi-SUN FSK、 2(G)FSK与 (G)MSK等多种调制方式,能够灵活适配不同的网络架构和应用场景。

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RFM25A12 典型应用电路

RFM25A12在EM2深度睡眠模式下,睡眠电流仅为 5uA,功耗极低。RFM25A12的发射电流为65mA @16dBm 915MHz、66mA @16dBm 868MHz、70mA @16dBm 470MHz,接收电流为10mA,可极大地提升物联网设备的电池使用寿命,降低智能表计、传感器等设备的维护频率。

RFM25A12工作在Sub-GHz 频段中,可免受Wi-Fi、蓝牙等2.4GHz频率的干扰,具有天然的抗干扰优势,能准确地传输设备状态信息、控制指令等数据。

RFM25A12采用高度集成的模块化设计,极大地简化了系统设计中所需的外围物料,并提供了多个通用I/O,方便用户根据自身需求进行二次开发。

此外,RFM25A12还具备着 1.8V~3.8V的宽电压工作范围,以及-40℃~ 85℃的工作温度范围,并内置了π型匹配电路,简化了天线设计,降低了用户的开发门槛。

精准赋能:多核心场景解决方案

在现代电力系统中,智能电表作为电力数据采集的关键终端,对于实现电力系统的高效化与智能化管理起着至关重要的作用。为了实现对电力数据的精准采集和高效管理,智能电表的远程抄表和实时数据监控功能需要稳定、可靠的通信技术作为支撑。

RFM25A12 射频收发模块支持多种工业级通信协议,如Wi-SUN、802.15.4等,可确保数据在传输过程中的准确性和完整性,有效避免了数据丢失和误码的情况,且其工作在 Sub-GHz 频段,具有天然的远距离通信能力和抗干扰性能,能够在复杂的环境中实现智能电表与数据采集中心之间的稳定通信。

在街道照明系统中,构建大规模的物联网路灯网络具有重要意义:一方面可为人们的夜间出行提供安全保障,另一方面能提升城市的形象与品质。为实现对每一盏路灯的精准控制,减少能耗与维护成本,这种大规模的路灯网络需要采用一种低成本、高可靠的组网方案。

RFM25A12 射频收发模块支持多种工业级通信协议,如Wi-SUN、802.15.4等,其采用模块化部署方式,可轻松实现对每一盏路灯的亮度调节。且其还可以根据不同时间节点,天气状况与交通流量,自动调节路灯的亮度,既满足基本照明需求,又能有效降低能耗。

在工业生产过程中,大量的传感器、执行器等设备需要进行实时的数据交互和远程控制,以实现生产过程的自动化、智能化管理。然而,工业环境复杂多变,对通信技术的可靠性、稳定性和适应性提出了极高的要求。

RFM25A12 射频收发模块支持多种工业级通信协议,如Wi-SUN、802.15.4等,还采用了先进的抗干扰调制技术,能在高温、强电磁干扰等恶劣环境下,准确地传输设备状态数据和控制指令,确保各种工业生产线的高效运行。

展望未来,随着物联网产业的持续发展,它将推动更多传统产业迈向智能化转型,创造出更多高效、节能、便捷的应用场景。而华普微的愿景是通过 RFM25A12 等一系列高性能的射频产品,赋能全球能源、城市、工业的智能化转型,成为客户首选的 “无线连接伙伴”。

关于华普微

深圳市华普微电子股份有限公司(以下简称华普微)成立于2004年,是一家专注于物联网核心器件自主创新与产品研发的高新技术企业。

创立20年来,华普微以Sub-GHz无线通信射频芯片与模块产品为立足点,拓展延伸开发高精度MEMS传感器与数字隔离器产品,形成了兼具信息感知与信息交互关键环节的产品布局。经过多年积累,华普微已发展成为集射频芯片设计、固件与协议设计、应用开发与测试于一体的物联网无线通信系统级服务厂商。

作为国内资深的IoT无线射频芯片品牌之一,公司凭借坚实的研发能力、可靠的产品质量、高性价比优势与系统级服务能力,在国内外积累了大量优质客户资源与品牌认可度,受到广泛认可。

来源:深圳华普微

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2025年3月13日 — 先进特殊应用集成电路 (ASIC) 领导厂商创意电子(GUC) 今日宣布成功推出业界首款 Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe)物理层芯片,可达到每信道 32 Gbps 的数据速率,已实现 UCIe 规格定义中的最高速度。UCIe 32G IP 支持 UCIe 2.0规范,能提供每1毫米晶粒边缘 10 Tbps (5 Tbps/mm 全双工) 的惊人带宽密度。创意电子基于台积电的先进 N3P 制程技术和 CoWoS®封装技术来达成此一里程碑,旨在锁定AI、高效能运算(HPC)、xPU和网络等应用领域。

UCIe 32G IP 测试芯片会透过 CoWoS 中介板,将配备多个南北向和东西向 IP 的晶粒予以互连。芯片测量结果显示,它不仅能以 32Gbps 的速度稳健运转,更呈现优异的水平和垂直眼图性能表现。创意电子正积极进行全工艺测试确认,将于下个季度提出完整的芯片报告。

为了确保系统能顺畅整合,创意电子运用 UCIe 串流协议开发出适用于 AXI、CXS 和 CHI 总线的网桥。这些网桥经过优化,具备高流量密度、低功耗、最低数据传输延迟,以及高效率的端对端流程控管等优异特征,可由传统单芯片网络 (NoC) 轻松转换至以小芯片为基础的架构。此外,网桥也支持动态压频调节 (DVFS),能实时且独立调整每个晶粒的电压和频率,且不会中断数据流。

创意电子的 UCIe IP 也集成有多项更先进可靠性设计功能,包括 UCIe Preventive Monitoring (预防性监控) 功能,以及由 proteanTecs 提供的整合式 I/O 讯号质量监控功能。这项技术可在无需重新训练或中断操作的情况下,对数据传输期间的讯号完整性进行不间断的任务模式监控不仅可独立监控每个讯号信道,还能实时侦测功耗和讯号完整性异常。如此即可及早辨识凸块和传输线缺陷,藉此触发修复算法,以透过冗余设计 I/O 取代接近临界点的 I/O,从而防止系统故障。此一主动积极的方式可望大幅延长芯片寿命,并强化系统可靠性。

创意电子致力于突破效能限制,力图进一步提高信道速度,同时降低功耗。创意电子已于2024年底成功完成第二代 UCIe IP 的设计定案,该设计可实现每信道 40 Gbps 的速度。这个新的版本整合了自适应电压调节 (AVS) 技术,能提供近 2 倍的能源效率提升。此外,专为配备硅通孔 (TSV) 的 3D 整合 (SoIC) 打造的芯片面朝上(Face-up) 版 UCIe-40G IP,预计将在未来几个月内完成设计定案。放眼未来,目前开发中的创意电子第三代 UCIe IP (每信道速度达 64 Gbps) 可望于今年下半年底定设计定案。UCIe 产品线已针对各类型的 CoWoS 和后续的台积电 SoW-X 平台优化。

创意电子营销长 Aditya Raina 表示:「我们很高兴宣布成功推出全球首个支持 32 Gbps 的 UCIe IP,采用台积电的 7 纳米、5纳米和3纳米制程技术,建立了完备且经过硅验证的 2.5D/3D 小芯片IP 产品组合,提供超越 IP 的稳健解决方案。针对包括CoWoS®、InFO、TSMC-SoIC® 等台积电 3DFabric® 技术,创意电子将结合自身的设计专业能力、封装设计、电气和热模拟、DFT与生产测试能力,为客户提供稳健且全方位的解决方案,协助他们缩短设计周期,快速推出人工智能 (AI) /高效能运算 (HPC) / xPU / 网络等产品。」

创意电子技术长 Igor Elkanovich 表示:「我们致力推出效能最高、功耗最低的 2.5D/3D 小芯片及 HBM 接口 IP。2.5D 与 3D 封装技术现在都趋向使用 HBM3E/4/4E、UCIe 和 UCIe-3D 接口,有助于开发出超越光罩尺寸限制的高度模块化处理器,进而为新一代的高效能运算铺路。」

创意电子 UCIe-32G 芯片的重要特征

  • 每通道 32Gbps

  • 边界带宽密度 (全双工):每毫米 5Tbps

  • AXI、CXS 及 CHI 总线网桥

  • 支持动态电压频率调节  (DVFS)

  • UCIe Preventive Monitoring (预防性监控):每信道都有由 proteanTecs 提供的工作模式 I/O 讯号质量监控功能

若要进一步了解创意电子的 UCIe IP 产品组合和台积电的 CoWoS® 和 SoIC® 全方位解决方案,请联络您的创意电子销售代表,联络信息请参见:
https://www.guc-asic.com/cn/about-offices.php?

来源:创意电子股份有限公司

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芯片制造工艺是一个极其复杂且高度精密的过程,主要包括以下关键步骤:

  1. 硅片制备:芯片制造通常以硅片作为基础材料。首先,将高纯度的硅原料通过一系列的熔炼、拉晶等工艺,制成单晶硅锭。然后,将硅锭切割成薄片,经过研磨、抛光等处理,得到表面光滑、厚度均匀的硅片,为后续的芯片制造提供平整的基底。

  2. 氧化:在硅片表面生长一层二氧化硅薄膜,这层氧化层可以作为后续工艺中的绝缘层或掩膜层。通常采用热氧化的方法,将硅片放入高温炉中,通入氧气或水汽,使硅表面与氧发生化学反应,形成二氧化硅。

  3. 光刻:光刻是芯片制造中最关键的工艺之一,其作用是将芯片设计图案精确地转移到硅片表面的光刻胶上。首先,在硅片表面均匀涂抹一层光刻胶,然后通过光刻机将掩膜版上的图案投射到光刻胶上,经过曝光和显影,光刻胶上就形成了与掩膜版图案对应的图形。光刻技术的分辨率决定了芯片能够实现的最小特征尺寸,随着芯片技术的不断发展,光刻技术也在不断进步,如极紫外光刻(EUV)技术能够实现更高的分辨率,从而制造出更小尺寸的芯片。

  4. 蚀刻:通过蚀刻工艺去除硅片上未被光刻胶保护的部分,形成与光刻图案对应的三维结构。蚀刻方法主要有湿法蚀刻和干法蚀刻两种。湿法蚀刻是利用化学溶液对硅片进行选择性腐蚀,但随着芯片尺寸的缩小,湿法蚀刻的精度难以满足要求。干法蚀刻则是利用等离子体等技术进行蚀刻,具有更高的精度和更好的控制性,能够实现更精细的芯片结构。

  5. 掺杂:通过向特定区域的硅片中引入杂质原子,改变硅的电学性质,形成 P 型和 N 型半导体区域,从而构建晶体管等器件。常用的掺杂方法有离子注入和扩散两种。离子注入是将杂质离子加速后注入到硅片表面,通过控制离子的能量和剂量来精确控制掺杂的浓度和深度。扩散则是将硅片置于含有杂质原子的高温环境中,使杂质原子扩散进入硅片。

  6. 薄膜沉积:在芯片制造过程中,需要在硅片表面沉积各种薄膜,如金属薄膜用于形成互连导线、介质薄膜用于绝缘和隔离等。常见的薄膜沉积技术有物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。PVD 是通过物理方法将金属或其他材料蒸发后沉积在硅片表面,而 CVD 则是利用化学反应在硅片表面生成薄膜,能够实现更均匀、更致密的薄膜沉积。

  7. 互连:随着芯片集成度的提高,需要将大量的晶体管和其他器件相互连接起来。互连工艺就是在芯片表面形成金属导线和接触孔,实现各个器件之间的电气连接。首先,通过光刻和蚀刻工艺在介质层上形成接触孔,然后利用薄膜沉积和光刻蚀刻等工艺在接触孔和硅片表面形成金属互连层。为了减少信号传输延迟和功耗,互连金属通常采用铜等低电阻材料,并采用多层互连结构来增加互连的密度和复杂性。

  8. 封装:芯片制造完成后,需要将其封装起来,以保护芯片免受外界环境的影响,并提供电气连接和机械支撑。封装工艺包括切割、粘贴、引线键合、灌封等步骤。首先将硅片切割成单个的芯片,然后将芯片粘贴到封装基板上,通过引线键合将芯片的电极与封装基板上的引脚连接起来,最后用塑料或陶瓷等材料对芯片进行灌封,形成完整的封装结构。

芯片制造工艺是一个高度复杂和精密的过程,涉及到多个学科领域的知识和技术,需要不断的创新和进步来推动芯片技术的发展。


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