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该解决方案助力华邦8 I/O 串列式NAND闪存,使其成功实现更高的数据传输速率及更低的延迟,未来将服务汽车、移动设备与物联网片上系统等应用领域

全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布,华邦OctalNAND Flash可透过与新思科技用于AMBA DesignWare
Synchronous Serial Interface (SSI) IP的整合,获得完整的支持。DesignWare SSI IP可优化闪存性能,助力串行式闪存与华邦OctalNAND Flash实现高传输速率并降低延迟。华邦与新思科技此次携手,将加速其容量高达4Gb、具备高速读取功能的OctalNAND Flash的采用,为汽车、移动设备和物联网装置等应用领域提供完整的闪存解决方案。

作为全球首款8 I/O串列式NAND Flash,华邦OctalNAND Flash可为汽车、通信和工业系统制造商提供现今最高容量的嵌入式代码存储产品,同时其性能与NOR Flash解决方案相同,但更具成本优势。

目前NOR Flash技术已经发展至极限,导致其高容量产品的价格居高不下。闪存供应商们难以在保证采用行业标准封装的同时,进一步优化以获得更佳的性能与成本效益。于是,为了解决现存的问题,华邦开发了OctalNAND Flash解决方案。过去,在先进驾驶辅助系统 (ADAS)、汽车仪表盘和工厂自动化控制器等应用中,系统设计人员大多都使用 NOR Flash技术。但由于这些系统的代码大小逐渐超过 512Mb,使用NOR Flash的成本将远高于同等容量的 NAND Flash。

新思科技IP营销和战略高级副总裁John Koeter 表示:“新思科技的DesignWare SSI IP助力华邦OctalNAND Flash,在提供高速内存读取的同时,也能简化移动设备、消费电子、物联网和汽车片上系统采用OctalNAND Flash的流程。借助 DesignWare SSI IP和OctalNAND Flash的组合,高成本效益、高速、高闪存容量等特点将帮助SoC设计师缩短芯片的上市时间。”

华邦闪存技术总监J.W.Park表示:“华邦与新思科技此次合作, DesignWare SSI IP提供对OctalNAND Flash的支持,使华邦客户能够更轻松地使用OctalNAND Flash提供的先进功能。通过使用结合了OctalNAND Flash与DesignWare SSI
IP的芯片组,系统制造商可根据对性能、容量、价格的不同要求选择最合适的闪存产品,包括Serial NOR
Flash、QspiNAND
Flash或OctalNAND
Flash。”

OctalNAND Flash产品优势

大多数高容量嵌入式应用中,一般都会将大量系统代码映射到 DRAM 中执行,而OctalNAND
Flash的读取传输速率可达每秒240MB,并且具备连续读取的能力,能够大幅度节省传输时间。虽然NAND Flash无法避免内存坏块的出现,但华邦的OctalNAND
Flash具备坏块置换功能,可以将坏块映射并做好块替换,从而使主芯片能够保持数据传输的连续性,并简化高速代码映射的流程,无需主芯片进行跳过坏块的处理方式。

Winbond 为华子股份有限公司( Winbond Electronics Corporation)的注册商,本文提及的其他商及版权为其原有人所有

随着
OTA更新成为嵌入式系统设计中的标准功能,其所需内存容量通常也会翻倍。如今,1Gb与2Gb的内存用于代码存储相当常见,甚至4Gb 也被频繁采用。OTA普及后,闪存的擦除和写入速度变得尤为重要。与 NOR Flash 相比,OctalNAND Flash的擦除速度最高可比其快400 倍,写入速度最高可快50 倍。当闪存中的大部分内容都需要OTA更新时,从NOR Flash转换至OctalNAND Flash,意味着其擦除/写入时间将从近 10 分钟缩短至不足 1 分钟,从而大大提高系统可用性和用户体验。

有关华邦OctalNAND Flash和 W35N-JW系列的更多信息,请访问 www.winbond.com

关于华邦 

华邦电子为全球半导体存储解决方案领导厂商,主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,致力于提供客户全方位的利基型内存解决方案。华邦电子产品包含利基型动态随机存取内存、行动内存、编码型闪存和TrustME®安全闪存,广泛应用在通讯、消费性电子、工业用以及车用电子、计算机周边等领域。华邦总部位于中国台湾中部科学园区,在美国、日本、以色列、中国大陆及香港地区、德国等地均设有公司服务点。华邦在中科设有一座12寸晶圆厂,目前并于南科高雄园区兴建新厂,未来将持续导入自行开发之制程技术,提供合作伙伴高质量的内存产品。 

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  • 通过集成内部电极与外部电极,降低了开路和短路的风险
  • 通过采用低损耗铁氧体和低直流电阻,实现了高功率效率
  • 采用磁通抵消结构,降低了电磁干扰
  • 符合AEC-Q200标准

TDK株式会社(TSE:6762)开发了用于汽车电路的新型HPL505032F1功率电感器。通过为中央处理单元和图形处理单元中的电源电路提供大电流低电感,该电感器可以实现摄像头的5级ADAS应用,例如先进驾驶辅助系统(ADAS)。

新产品采用了完全自主研发的高BS材料和低RDC制造的高渗透、低损耗铁氧体低电阻框架,实现了高功率效率。该产品的额定电流是TDK现有产品(HPL505028)的1.5倍,可容纳高达40A到50A的电流。在专有的结构设计产生磁通抵消效应,有助于噪声控制,同时集成了内部电极和外部电极的框架也减少了开路和短路的风险,确保了高可靠性。

随着汽车越来越自动化,对ADAS中高速、大容量摄像头的需求也在增加。摄像头是具有ADAS功能的汽车的重要组成部件,可确保车辆内的一切都一致且没有危险情况发生。TDK的ADAS系统产品线包括一系列用于这些应用的汽车电感器。这些新型电感器将于2021年7月开始量产。

主要应用

  • ADAS(摄像头的5级应用)

主要特点与优势

  • 通过内部电极与外部电极集成,降低了开路和短路的风险
  • 通过采用低损耗铁氧体和低直流电阻,实现了高功率效率
  • 采用磁通抵消结构,降低了电磁干扰
  • 工作温度范围在-55°C和+155°C之间(含自加热)

关键数据

型号 电感 (nH)
在100 kHz下
直流电阻
[mΩ]最大值
额定电流
Isat 典型值
[A]
25摄氏度
额定电流
Itemp典型值
[A]
HPL505032F1060MRD3P 60 ± 20 % 0.77 54 34
HPL505032F1070MRD3P 70 ± 20 % 0.77 52 34
HPL505032F1080MRD3P 80 ± 20 % 0.77 42 34
  • Isat: 基于电感变化(比标称值低30%)的电流
  • Itemp: 基于温升(温升40°C)的电流

关于TDK公司

TDK株式会社总部位于日本东京,是一家为智能社会提供电子解决方案的全球领先的电子公司。TDK建立在精通材料科学的基础上,始终不移地处于科技发展的最前沿并以“科技,吸引未来”,迎接社会的变革。公司成立于1935年,主营铁氧体,是一种用于电子和磁性产品的关键材料。TDK全面和创新驱动的产品组合包括无源元件,如陶瓷电容器、铝电解电容器、薄膜电容器、磁性产品、高频元件、压电和保护器件、以及传感器和传感器系统(如:温度和压力、磁性和MEMS传感器)。此外,TDK还提供电源和能源装置、磁头等产品。产品品牌包括TDK、爱普科斯(EPCOS)、InvenSense、Micronas、Tronics以及TDK-Lambda。TDK重点开展如汽车、工业和消费电子、以及信息和通信技术市场领域。公司在亚洲、欧洲、北美洲和南美洲拥有设计、制造和销售办事处网络。在2020财年,TDK的销售总额为133亿美元,全球雇员约为129,000人。

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“此次分拆将使Mando能够提升特定业务的专长,优化各底盘和自主业务的运营,同时保持其作为主动安全解决方案提供商的战略地位”

今天(7月20日),Mando股东批准了将其自动驾驶以及*Mobility的部分业务作为全资子公司分拆出来的计划。这项特别决议获得了参与股票总数(66.9%)85.0%的赞成率,得到了大多数股东的大力支持,这些股东根据国内外主要投资者咨询机构的建议通过了这项决议。新公司“MMS(Mando Mobility Solutions,暂定名称)”将于9月1日推出。

Mando总裁兼代表董事Cho Seong-Hyeon表示:“通过此次分拆,Mando现在将具备新的发展动力。我们将尽一切努力,通过加快发展自动驾驶技术为股东和社会带来积极价值。”

新公司MMS将负责Mando的自动驾驶业务,正计划招聘人才和采用先进的技术,同时通过在北美、中国和印度等海外市场的投资积极实施全球营销计划。

老公司Mando将利用大量的积压订单、丰富的电子底盘组合、稳健的财务结构和丰富的业务经验,专注于电动汽车解决方案,作为清洁技术提供商不断发展壮大。

通过此次批准,Mando现在将提升其在“自动驾驶(ADAS)”和“电动汽车解决方案(实现传统底盘产品电气化)”两方面的业务专长。Mando现在不仅可以优化各业务的投资和运营,而且通过将自动驾驶业务分拆为全资子公司结构,还能够保持其作为领先“主动安全解决方案提供商”的地位。

* Mobility业务:无人驾驶的巡逻机器人、无人电动汽车车载充电器、在线平台(云服务器)等。

稿源:美通社

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近日,深圳市绿联科技股份有限公司(以下简称“绿联”)与华为数字能源技术有限公司(以下简称“华为数字能源”)签署合作协议,并推出首款支持华为40W超级快充的USB Type-C接口充电器。双方将发挥各自的优势,共同推进充电技术创新,构建超级快充生态,给消费者带来更好的充电体验。

绿联副总经理陈俊灵(右)与华为数字能源技术有限公司产业合作部总经理伍海斌(左)签署合作协议

绿联副总经理陈俊灵表示:“作为在数码行业深耕近10年的品牌,绿联一直在不断丰富品类。同时,为了满足用户多样化的使用需求,以及积极推动智能充电产业的发展,绿联在充电领域的布局上又做出了重要战略举措。本次与华为数字能源的合作,为消费者带来了极致充电体验的产品。未来,绿联期待与华为数字能源更多更深入的合作,以用户为中心,在技术和产品上不断优化升级,以高品质的产品和服务回馈广大消费者的信赖和期待。”

华为数字能源产业合作部总经理伍海斌表示:“华为嵌入式电源拥有多年的电源技术积累,具有高效、高密、高可靠、数字化等优势,并持续投入消费电子充电领域的基础材料及关键技术研究。非常高兴本次与绿联的合作,也非常期待未来双方将共同打造出更多高品质的产品,让消费者感受到更便捷、高效的充电体验,助力产业升级。

绿联和华为数字能源联合打造的40W USB Type-C接口充电器

本次绿联与华为数字能源携手打造的40W USB Type-C接口充电器,支持华为40W超级快充,可向下兼容华为SCP 22.5W和USB PD 20W快充,满足包括华为在内的多厂家手机、笔记本电脑等多款设备快速充电需求。这也将是首款支持华为40W超级快充的第三方USB Type-C口充电器。

绿联与华为的合作早有渊源,自2018年起,双方就一直保持着良好的合作关系。绿联与华为数字能源的本次合作,使得品牌双方的合作关系更加紧密,作为嵌入式电源品牌与数码品牌在专业技术和产品开发上进行深度合作的案例,有助于推动数码行业的良性发展,助力产业升级。

来源:华为

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终端制造商正重构采购模式,领先的元器件线上交易平台迎来强势机遇

行业领先的元器件线上交易平台Sourcengine(搜芯易)于今天宣布,已在实现“引入未来的采购模式”目标方面取得重大进展。除了实现超过上半年预测收入252%之外,Sourcengine的销售收入增长了60%,平台新用户增长达到72%,搜索流量则增长了373%。与此同时,Sourcengine及其母公司Sourceability在今年第一、二季度的上半年收入增长均超过预期,与2020年同期相比,增幅达58%。

“疫情带来的挑战,让我们看到现有传统的采购方式及供应链上的薄弱环节”,Sourceability 首席执行官Jens Gamperl表示,“这五年来,我们一直在通过不断加强运用数字化方案,来直面和应对这些挑战。在今年上半年,我们看到业内使用数字化方案的企业数量正在增加。”

和许多其他行业一样,疫情给元器件制造及分销行业带来了不小的打击。元器件制造商们被迫关厂,但随着需求回升和生产计划的恢复,业界发生了严重的零部件短缺,特别是半导体元器件产品。目前,2021年已经过半,对短缺问题的解决业内仍然看不到曙光。再加上今年供应链的波动性越来越大 -- 如苏伊士运河堵塞、芯片厂设施问题,以及全球气候异常导致生产受阻等因素干扰 -- 专业采购人员已开始重新审视那些基于人工处理、多个并零碎的议价等没意义的采购流程。

随着时代的进步,行业对数字化的需求正在不断增长,Sourcengine凭借其电子商务市场优势站在了第一梯队。Sourcengine提供来自3000多家供应商提供的超过5.5亿个零件,让买家更全面地了解市场,并使他们能够根据更完整的信息,做出采购决策,这些信息可以直接追溯到买家的特定需求。其规模和易用性(包括专为专业采购设计的功能,如BOM工具和Quote It功能), 使Sourcengine能够实现其目标,即通过更高效的数字方案,打破常规的采购方式。

Gamperl表示:“虽然现在短缺现象严重,但Sourcengine今年的增长并不只是全局的亮点,而是一个拐点。元器件采购业务横跨了诸多行业,目前这块业务正处于重大变革之中。在过去五年里,我们一直将自己定位在业务链条的核心位置,而未来还有很多空间可以探索,我们仍计划继续引领行业的发展趋势。”

稿源:美通社

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随着高分辨率图片与视频的几何级数增长,加之移动办公与户外作业的日益普及,随身携带和备份大规模数据已成为刚需。于是,在急剧增长的市场需求下,兼具大容量与高速传输性能的SSD移动硬盘便成为了热门之选。

美光旗下的Crucial英睿达移动SSD系列,自诞生以来以优异的品质与效能备受好评。Crucial英睿达 X8系列便是其代表作之一,其是为了满足摄影师、设计师等专业人士的需求而设计,兼具高速、稳定、轻巧、灵活等特点,是市场上的明星产品。

我们今天评测的,便是Crucial英睿达 X8系列中的2TB顶级型号,看看它究竟能为我们带来怎样的效能。

技术规格解析

Crucial英睿达 X8 2TB有如鹅卵石般的造型设计带来别致的时尚元素,铝合金外壳经磨砂处理,在户外手持的时候不易滑落。SSD拥有良好的耐高温、防冲击以及防震特性,防坠高度可达 7.5 英尺(约2.28米)。

这款移动SSD的体积为110mm x 11.5mm x 53mm ,重量97g,轻薄灵巧,符合其便携的定位。

与iPhone 12 mini的体积对比,还是相当小巧便携的

Crucial英睿达 X8 2TB基于NVMe协议与USB 3.2 Gen2 Type-C接口,最高读取速度可达1050MB/s。SSD基于美光原厂96层3D QLC NAND闪存颗粒与2GB D9XPG DRAM,可保证4K读写速度达到高阶TLC SSD的水准,动态SLC缓存算法的加入则能保障稳定而高速的顺序写入速度。

慧荣SM2263EN主控是市场的主流方案,拥有优良的性能。此外,Crucial X8 2TB的超大容量可充分满足多样化的移动存储需求。写入寿命也是Crucial X8 2TB的核心亮点之一,300TBW的性能指标已经可以与高等级的TLC SSD抗衡甚至更好,保证了SSD硬盘良好的稳定性和持续性。

传输性能测试

我们选用了处于一线阵营的AMD 锐龙 5800X平台来进行测试(标准Type-C接口)

CrystalDiskMark测试,读写性能十分出色

TxBench测试

TxBench测试中,连续写入速度甚至好于读取速度。另外,单队列单线程下的4K随机读取速度为38.083MB/s,写入速度为40.740MB/s,这也是我们日常经常会用到的指标,更具有实际意义。从结果来看Crucial X8 2TB符合期望值,表现优异。

鉴于许多老电脑并没有配备USB Type-C(理论速率10Gbps)接口,所以英睿达Crucial X8 2TB还附赠了一条Type-C转Type-A转接线。我们也特意做了一下USB Type-A(理论速率5Gbps)接口下的性能测试。

测试结果表明,USB Type-A的传输性能近似于USB Type-C的一半,和它们之间的理论性能差距几乎一样。那如果你觉得这样的性能可以接受,那就顺其自然。如果还是希望能用到全速传输,那么可以考虑购入一块PCI-E转Type-C扩展卡来解决,百来块的成本也还算尚可,是一个相对经济的解决方案。

评测总结

有必要感慨一下,移动SSD的出现对于传统机械移动硬盘几乎是翻天覆地的变化。无论是体积重量便携性,还是传输性能,移动SSD都带来了质的提升,已经完全是两个世代的产品了。

Crucial英睿达X8 2TB以优异的性能和精良的品质证明了,这是一款移动SSD中的优等之选。超大容量的存储和高速的传输效能使得工作效率大幅提升,轻薄小巧的体积又使得其拥有出色的便携性。它尤其适合于专业视频创作者和设计师等,当然对于普通用户来说更是得心应手,无异于移动存储解决方案的利器。

(文章来源:小熊在线

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作者:Filippo Di
Giovanni

意法半导体功率晶体管事业部的战略营销、创新和大项目经理

前言

自从固态晶体管取代真空电子管以来,半导体工业取得了令人惊叹的突破性进展,改变了我们的生活和工作方式。如果没有这些技术进步,在封城隔离期间我们就无不可能远程办公,与外界保持联系。总之,没有半导体的技术进步,人类就无法享受科技奇迹。

举个例子,处理器芯片运算能力的显著提高归功于工程师的不断努力,在芯片单位面积上挤进更多的晶体管。根据摩尔定律,晶体管密度每18个月左右就提高一倍,这个定律控制半导体微处理器迭代50多年。现在,我们即将到达原子学和物理学的理论极限,需要新的技术,例如,分层垂直堆叠技术。

同时,我们也正处于另一场革命浪潮之中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体正在快速发展,这些新材料具有独特的物理性质,可以提高器件的能效和功率密度,能够在更恶劣的热环境内安全工作。

意法半导体已经量产STPOWER SiC MOSFET,这将有助于推进电动汽车(EV)应用,引爆汽车大规模电动化时代,最终实现自动驾驶和绿色出行。

在本世纪初出现的超结MOSFET是一场高压(即200V以上)硅基功率晶体管的技术革命。直到20世纪90年代末,芯片设计者还不得不接受这样一个“公理”,即平面晶体管的品质因数(导通电阻与芯片面积的乘积)与击穿电压BV成正比,比例最高到2.5。这个公理意味着,在给定的电压下,要达到较低的导通电阻值,唯一的解决办法就是增加芯片面积,而这一结果是小封装应用变得越来越难。通过使上述关系接近线性,超结技术拯救了高压MOSFET。意法半导体将该技术命名为MDmesh,并将其列入STPOWER的子品牌。

超结晶体管的原理

超结晶体管的工作原理是利用一个简化的麦克斯韦方程,例如,只有垂直轴y的一维坐标系,该方程规定y轴上的电场斜率等于电荷密度r 除以介电常数e ,用符号表示:dE/dy=r/e。另一个方程是代表电压V和y轴上的电场分量E的关系,即E=-dV/dy。换句话说,电压V是E的积分,或用几何术语表示,E曲线下的面积是y的函数。我们可以通过比较标准平面MOSFET的垂直结构和相同尺寸的超结MOSFET来了解它们的工作原理。本质上,超结是在垂直漏极内部延长基本晶体管的p体,实现一个p型柱。

在平面结构(图1左图和图表)中,从芯片表面开始沿y轴向下,我们看到p体,在到达A点前,场强斜率一直是正值。从A点到B点是电荷极性为负的漏极,因此,场强斜率从正变负。从B点到衬底,负电荷密度变得更大(n-),所以,场强斜率上升。图中的绿色区域表示在关断状态下可以维持的电压。在右边的超结图中,p型柱的加入改变了电场分布情况。事实上,从C点到A点,电场分布保持恒定(体和柱的极性相同),然后,因为漏极和衬底的原因,场强变化与平面结构相同,斜率变负。因此,在电场下方的区域更大,电压V2得以维持,这就是P型柱的神奇之处。现在,在给定的电压下,我们就可以降低漏极电阻率和导通电阻。

图1平面MOSFET(左)和超结MDmesh
MOSFET(右)

技术演变过程

自从问世以来,MDmesh晶体管不断地被改进和完善,如今仍然有大量的变电设备在使用MDmesh晶体管。垂直p型柱的制造工艺已经过大幅优化,确保晶体管具有更好的制造良率和工作稳健性。根据目标电路的拓扑结构和应用需求,现在工程师可以选用不同的专用产品系列,这种在技术层面的多用途和灵活性为系统设计人员带来更多的选择。在400V至650V电压范围内,通用M2系列具有非常高的性价比,另外,还有应用范围覆盖PFC、软开关LLC和电桥拓扑的耐压提高至1700V的专用产品。

除此之外,意法半导体还引入铂离子注入等寿命终止技术来提高寄生二极管的性能,减少反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr,提高dV/dt(DM系列)耐量。这些产品特性非常适用于电桥和大功率移相电路。MDmesh快速二极管款甚至可以与低功率电机驱动器中的IGBT媲美,而无需在封装内再增加一个二极管。冰箱压缩机150W逆变器是一个提高能效的典型例子,如图2所示。

图2:MDmesh快速二极管款MOSFET与DPAK封装IGBT在压缩机逆变器应用中的能效曲线比较图。试验条件:0.23Nm (负载),220V/50Hz (输入电压)

应用广泛的MDmesh晶体管的出货量已经达到数十亿颗。M6系列是为谐振变换器优化的MDmesh产品,通过与早期的M2系列对比,意法半导体设计师在迭代改进方面花了不少心血,如图3所示。

图3:从M2到M6:栅极电荷、阈值电压和输出电容三项指标被全面改进

在图3中,从左到右,我们看到较低的栅极电荷、较高的阈值电压和更加线性的电压和输出电容比,这些特性可以产生较高的开关频率、较低的开关损耗,在较轻的负载下实现更高的能效。

超结晶体管基础技术结合先进的制造工艺,通过对dI/dt、dV/d等重要开关参数给与特别考虑,意法半导体创造了一种高性能的高压MOSFET,如图4的安全工作区图所示。由于这些改进,DM6
MDmesh系列非常适合太阳能逆变器、充电站、电动汽车车载充电机(OBC)等应用。

图4 dI/dt与dV/dt安全工作区域

应用领域

意法半导体的MDmesh晶体管的应用非常广泛,我们只能从中选择几个有代表性的用例展示产品优点。

手机充电适配器是规模较大的MDmesh应用领域,图5是一个120W充电适配器。

图5:手机充电适配器中的MDmesh

图6描述了“定制型”M5系列和基本型M2系列在功率较高的1.5kW功率因数校正电路中的能效比较。两个MOSFET具有相似的导通电阻(M5和M2的导通电阻分别为37和39 mOhm)和反向耐压(650V)。

图6:M5系列(蓝线)如何在大功率条件下提高PFC能效

图7所示是一个有趣的例子,在车载充电机OBC的3kW半桥LLC电路中,在Vin=380V-420V、Vout=48V、开关频率f=250Hz-140kHz条件下,意法半导体最新的DM6系列 (STWA75N65DM6)与竞品比较。

图7 :3kW全桥LLC:关断电动势与输出功率比;能效比与输出功率比

图8是损耗分类分析图,表明导通损耗和开关损耗的优化组合是达到最低损耗和最高能效的关键因素。

图8:3kW全桥LLC变换器中各种损耗根源分析

此外,快速增长的5G技术也将受益于MDmesh技术创新。5G系统蜂窝小区密度连续提高,而基站却不断地小型化,从微蜂窝向微微蜂窝发展,在能效、产能、竞争力和性能方面占优的MDmesh是中继器电源芯片的绝佳选择。

为了使5G系统的工作能效超过98%,PFC级和DC-DC变换器级的能效都必需达到99%。PFC的解决方案可以是MCU数控三角形电流模式(TCM)三通道交错无桥图腾柱电路。TCM系统使变换器能够执行零电压开关操作,从而显著降低开关损耗。总体上,最后得到一个平滑的能效曲线,能效在低负载时表现良好,此外,还可以使用尺寸更小的电感器、EMI扰滤波器和输出电容。

MDmesh晶体管为5G无线系统的推出铺平了道路。

扩散焊接和封装

扩散焊接工艺是下一代MDmesh产品的另一个有趣的创新技术。

在标准焊接工艺(软钎焊)中,金属间化合物(IMP)的形成是键合的基础,IMP包括界面上的金属间化合物薄层和各层中间未反应焊料。热循环后标准软焊点失效机理分析发现,在未反应焊料体积内出现疲劳裂纹扩大现象。

硬度和脆性是所有金属间化合物的两个重要性质,这两个性质会降低材料的延伸性。众所周知,在热机械应力作用下,脆性会导致设备失效,从而降低电子设备的可靠性。

此外,在焊料层中有大小不同的空隙,这不仅会降低芯片和引线框架之间的热连接可靠性,而且还可能产生“热点”,即局部温度非常高的微观体积。另一个要考虑的效应是MOSFET参数与温度关系紧密,例如,随着温度升高,导通电阻变大,而阈值电压降低。虽然前一种趋势具有稳定作用,但后一种趋势可能对器件有害,尤其是在开关转换期间。

为了克服这些问题,业界正在开发一种结合标准焊接与扩散焊接特性的等温扩散焊接新工艺。

本质上,这种工艺是通过在界面生长IMP来使低熔点材料(例如Sn-Cu焊膏)和高熔点材料(例如来自衬底的Cu)发生的一种反应。

与传统焊接不同,这种焊接工艺是在焊接过程中,不限于冷却后,通过等温凝固方法形成焊点。

形成熔点非常高的合金相这一优点还有助于产生优异的机械稳健性。因为电力封装产品的结温会达到200°C,新扩散焊接技术可以改善芯片与基板的连接性能,确保工作温度不超过会焊接工艺温度,导致晶体管过早失效。

通过改善热性能,新焊接工艺解决了软钎焊的一些缺点,所以,芯片的电气性能更好。这种焊接工艺与新的封装概念是完美组合,例如,TO-LL(TO无引脚)等SMD表面贴装器件具有非常好的封装面积与热阻比率,还配备了开尔文引脚,关断能效更高,因此,可以用M6解决硬开关拓扑设计问题与或用导通电阻更低的MD6系列设计电桥电路。

图9:TO-LL封装与SMD封装对比

为了更全面地介绍这个封装,图9展示了一个叫做ACEPACK™ SMIT(贴装隔离正面散热)的创新的分立电源模块,如图9所示。这种模压引线框架封装包含一个DBC(直接键合铜)基板,可以安装多个分立芯片,实现各种拓扑。ACEPACK
SMIT的0.2 °C/W低热阻率令人印象深刻,背面陶瓷确保最小绝缘电压达到3400V
RMS(UL认证)。

图10:ACEPACK SMIT封装

图11:ACEPACK
SMIT内部配置的灵活性

MDmesh的未来

经过20多年的发展,STPOWER
MDmesh技术不断进步,与意法半导体创新性的宽带隙半导体一起,继续为市场带来各种类型的功率晶体管。图12所示是不断迭代的MDmesh晶体管与标准技术的导通电阻和击穿电压比值及其物理学理论极限,其中M9和K6现已量产。为了解释的更清楚,K5和K6代表非常高的电压(从800V到1700伏)技术。

图12:MDmesh导通电阻演变

为了满足不同应用的需求,MDmesh产品经过多次升级换代,图13是从第一代MOSFET到TrenchFET的迭代图。

下一步计划是什么呢?在推出MD6之后,意法半导体新的目标的是将沟槽栅极结构的优点应用到超级结中,这会让MDmesh又向前迈出一大步,然后将沟槽栅极结构扩展到SiC等未来的开创性技术。通过适当的调整和优化,宽带隙技术有望在现有的硅技术上全面改进性能,这个性能征程势必会带来更多的惊喜!

图13: MDmesh里程碑: 走向沟槽栅极技术

编辑注:

Filippo
Di Giovanni 是意法半导体功率晶体管事业部的战略营销、创新和大项目经理,常驻意大利卡塔尼亚。作为技术营销经理,他帮助推出了第一款带状
MOSFET,并在 90 年代末协调参与了“超结”高压 MOSFET
(MDmeshTM) 的开发,见证了硅功率半导体的突破。

2012
年,他负责开发首批 1,200V 碳化硅 (SiC) MOSFET,为意法半导体取得当今市场领导者,和各个应用领域(包括不断增长的电动汽车市场)的主要供应商(之一)的地位做出了贡献。

Di
Giovanni 博士的研发经历还包括研究用于功率转换和射频领域的硅基氮化镓
(GaN-on-Si) HEMT。他经常受邀参加各种功率转换相关的会议和研讨会,他还负责与
ST 的重要行业合作伙伴共同开发硅基氮化镓。

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7月19日,格芯在官微发布一条消息:明天见!BIG NEWS!业界纷纷猜测这个BIG NEWS!是不是要宣布英特尔300亿美元收购!

今天这个BIG NEWS!谜底揭晓了!分两部分

1、 BIG NEWS!是格芯换了一个新LOGO!格芯新品牌徽标是一个图标和一个文字标志的结合。图标是公司名中两个字母“GF”的简化设计,设计的简化本质代表了品牌故事。

  • 图标中“g”的左半部分采用了一个半圆和一个四分之一圆。这两个圆形代表地球,突出了格芯的全球布局,同时也代表了半导体晶圆。
  • 中间的形状由“g”和“f”共用,象征着伙伴关系和协作,是格芯与客户关系的核心指标。
  • “f”的剩余部分由两个正方形堆叠而成,表示芯片,同时两个正方形构成了一个等号,用来传达格芯的品牌故事。

格芯表示四个基本要素构成了公司和品牌独特的故事:

首先,格芯正在重新定义创新和半导体制造。

第二,格芯的全球制造规模优势。

第三,与客户的密切协作和合作。

第四,公司的多元化。

新的形象标识代表了新的格芯,同时也致敬了格芯的传统

2、格芯将在其总部纽约州马耳他市附近建设第二座工厂,并将投资10亿美元提高产能,以缓解全球芯片短缺。这家新工厂将建在纽约州北部的“Fab 8”地段——该公司今年早些时候还刚刚将总部从加州迁到那里。

这家工厂将把Fab 8地段的芯片产能增加一倍,并新增1000个工作岗位。这个项目将通过公私合作方式获取资金,投资方包括美国联邦政府和纽约州政府。

格芯还准备立刻投入10亿美元将现有工厂的年产能增加15万片晶圆。晶圆是大块制造半导体所使用的硅盘,每一个晶圆可以包含数千个芯片。

“芯片短缺的局面已经持续了15年。”格芯 CEO托马斯·考尔菲尔德(Thomas Caulfield)在发布会上说。当天参加活动的还有美国商务部长吉娜·雷蒙多(Gina Raimondo)和纽约州民主党参议员查客·舒莫(Chuck Schumer)。

Caulfield还称,有关格芯成为英特尔公司收购目标的报道完全是猜测,未来估计也会出现很多其他猜测,但这样的猜测没有意义,因为格芯正努力朝着上市的方向发展。知情人士表示,Mubadala计划推动格芯2022年 IPO。显然,近日爆料的英特尔300亿美元收购格芯计划并没有打动这家公司,也许是这个价格没有达到董事会的心理预期?

也有业内人士分析认为英特尔如果真的收购了格芯,则其代工业务必然会拉低公司的毛利,届时董事会不会通过这个收购。

现在格芯坚持IPO,摩根士丹利对格芯的估值是300亿美元,分析师认为格芯与联电的市占率都是7%,可以互为参考标的,联电的市值只有250亿美元。并且,彭博预计联电明年能赚16亿美元,而格芯相较之下客户不强、成本更高,明年的收入很有可能将达不到联电的水平。所以300亿美元估值还算是给的高的,不过,由于传英特尔的收购报价也是300亿美元,正是IPO的估值,所以应该难以打动格芯的董事会,这等于是没有溢价的收购啊。

也许等格芯IPO后才能评判这个收购是否划算了。不过从格芯换LOGO并投资扩产来看,现在格芯认为自己的估值要超300亿美元的!那就加油吧,把业绩做的更好,估值做的更高!(完)

来源:格芯官微,网络信息

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7月20日消息,美国当地时间周一,IBM公布了截至2021年6月30日的第二季度财报。财报显示,IBM第二季度营收为187.5亿美元,同比增长3%;净利润为13.3亿美元,同比下降3%;每股收益为2.33美元,高于分析师预期的2.29美元。财报发布后,IBM股价在盘后交易中上涨近4%。

得益于云计算服务需求强劲,IBM公布了三年来增长幅度(3%)最大的季度营收,并超出了分析师的预期,表明首席执行官阿尔温德·克里希纳(Arvind Krishna)转向快速增长的市场努力开始见效。IBM上一季度营收增长0.9%。该公司重申,预计全年收入将增长,而不是下降。

克里希纳在与分析师的电话会议上称:“整体支出环境持续改善。随着世界许多地区的经济重新开放,许多市场和行业正在重回正轨,我们在北美和特定行业看到了复苏迹象。”

IBM首席财务官詹姆斯·卡瓦诺(James Kavanaugh)表示:“随着经济的重新开放,特别是在北美和西欧,我们看到旅游、运输、汽车、工业和消费行业整体出现了良好的反弹。我们看到的增长非常令人鼓舞,这证明我们的客户正在采用混合云平台。”他补充说,更多的客户在业务数字化方面投入了资金。

IBM的全球技术服务(Global Technology Services)部门,包括托管、外包和支持服务,带来了63.4亿美元收入。这一数字略高于分析师普遍预期的62.3亿美元。IBM预计,该公司将在今年年底前以Kyndryl的名义剥离全球技术服务部门的托管基础设施服务。

包括红帽(Red Hat)在内的云和认知软件业务(Cloud & Cognitive Software)贡献了61亿美元的收入,同比增长6%,超过了分析师普遍预计的59.3亿美元。IBM全球商业服务咨询部门(Global Business Services)的收入为43.4亿美元,增长了近12%,高于分析师普遍预期的40.3亿美元。

与去年同期相比,IBM的云计算总收入增长了13%,达到70亿美元,其中红帽的销售额在本季度飙升了20%。卡瓦诺说:“客户正在利用云和人工智能加快数字化转型的速度和步伐,以获得运营洞察力,提高生产率,并创造新的增长机会。”他说,该公司始终在加大投资力度,为与亚马逊AWS和微软Azure等竞争的云服务提供商培养相关技能。

在第二季度,包括硬件在内的IBM系统部门(Systems)收入为17.1亿美元,同比下降了7%,符合市场共识。

在疫情最严重的时候接任首席执行官的克里希纳,甚至在此之前,就已经带领IBM进军云计算和人工智能领域,努力实现公司的现代化。近年来,IBM始终在努力恢复收入增长,因为随着企业将更多业务转移到互联网,其曾经的核心业务(传统上专注于大型机和信息技术服务)已经停滞不前。

在第二季度,IBM在收购上花费了17.5亿美元,这是自2019年第三季度斥资340亿美元收购红帽的交易以来,单季度支出最高的一次。该公司表示,正在收购流程挖掘软件公司myInvenio、应用管理公司Turbonomic和Salesforce咨询公司Waeg。IBM还宣布了2纳米芯片技术,以及沃森工作室建模软件的新人工智能功能。

不包括盘后变动,IBM股价自年初以来累计上涨了9%,同期标准普尔500指数上涨了近13%。

来源:网易科技

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广东高云半导体科技股份有限公司宣布推出其 ISP( 图像信号处理器 )IP。 高云半导体 ISP IP 从摄像头获取像素数据,并通过 CFA( 滤色器阵列 /Debayer)、CCM( 色彩校正阵列 )、Gamma 校正以及 AE( 自动曝光)和 AWB( 自动白平衡)模块对图像进行调整和校正,使图像呈现最佳显示效果。

高云的 ISP IP 核可以与其他 IP 资源结合使用,为视频和影像类应用提供相当于完整的片上系统 (SoC) 的解决方案。

高云 ISP 旨在为客户提供高质量且经济实惠图像处理方案。该 IP 包含可编程图像处理功能模块和一个能够对图像处理模块进行实时控制的软核 MCU 处理器。

“实际应用中,作为集成固定 ISP 功能的 SoC 的替代方案,客户经常使用 FPGA 来进行图像数据处理,”高云半导体国际营销高级总监 Grant Jennings 说,“因此,高云开发了 ISP IP 核,这使得客户可以针对具体应用和产品需求,将该 IP 核可与我们的视频接口、图像缩放以及存储控制器 IP 相结合,量身定制可编程 SoC 解决方案。”

高云 ISP IP 支持 8bit/10bit 图像数据,并支持多种类型的图像传感器和各种分辨率。校准系数可以由 MCU 加载或由比特流初始化。用户可以根据需要灵活选用 CFA( 滤色器阵列 /Debayer)、CCM( 色彩校正阵列 )、Gamma 校正以及 AE( 自动曝光)和 AWB( 自动白平衡)模块,甚至可以添加自定义成像块。

“高云 ISP 可以通过嵌入式软核处理器进行配置和编程。它允许用户针对其特定应用场景轻松定制功能和调试 ISP 性能,以实现更好的视觉质量或更高的识别准确率。我相信它可以大大缩短他们的开发和调试时间。”高云半导体解决方案开发总监郑智杰表示。

高云除了提供单独的 ISP IP 核之外,还提供了功能更为全面的参考设计,该参考设计包含 ISP IP 和一个 ARM Cortex-M 处理器,该处理器用于实时控制图像处理流水线。

来源:TechWeb

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