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Nordic 突破性 nRF54L 系列和 Neuton.AI 自动化 TinyML 平台相辅相成，在边缘实现易于使用的超高效机器学习 (ML)

超低功耗无线物联网连接领域的全球领先企业 Nordic Semiconductor今日宣布收购边缘设备全自动 TinyML 解决方案先驱 Neuton.AI 的知识产权和核心技术资产。此次收购将 Nordic 业界领先的 nRF54L 系列超低功耗无线 SoC 与 Neuton 革命性的神经网络框架相结合，开启边缘机器学习的新纪元，即使是资源受限的设备也能拥有可扩展的高性能人工智能 (AI)。

Nordic Semiconductor 首席执行官兼总裁 Vegard Wollan 表示：“这是嵌入式计算能力和效率的重大发展。通过将 Nordic 在低功耗无线领域的领先地位与 Neuton.AI 先进的 TinyML 平台相结合，我们使得开发者能够构建出一类全新的始终在线、人工智能驱动的设备，具备更快速度、更小体积和更高能效。”

智能可扩展性与易用性实现飞跃

Neuton.AI 的技术突破在于其全自动平台，该平台创建的机器学习模型通常小于 5 KB，比其他方法小 10 倍，速度也更快。这些模型极其易用，无需手动调优或数据科学专业知识，并可在 8 位、16 位和 32 位 MCU 上快速部署。

Neuton.AI 通过其无需预定义架构即可自动构建超小型模型的创新神经网络框架，为消费、医疗保健和工业市场的边缘应用提供准确、节能且快速的人工智能，同时节省各种宝贵的设备和系统资源，例如电源和代码内存。

低功耗与计算智能的结合

Nordic Semiconductor 短距离无线技术执行副总裁 Oyvind Strom 表示：“我们很荣幸能够将 Neuton 先进的机器学习技术与 Nordic 超低功耗 nRF54L 系列的卓越性能完美结合，重新定义超高效机器学习应用的可能性。双方携手合作，将帮助开发者构建更智能、超低功耗的设备，在边缘实现真正的机器学习，这不仅适用于 nRF54L 系列，也适用于 Nordic 所有无线连接 SoC 产品组合。嵌入式人工智能将比以往更唾手可得和易于扩展。Neuton 先进的机器学习技术为下一代边缘人工智能设备提供了轻松集成和值得信赖的智能。”

实现边缘人工智能的未来

此次收购正值边缘节点智能需求加速增长之际。预计到 2030 年，TinyML 芯片组出货量将达到 59 亿美元*。Nordic 准备抓住这一机遇，为开发者提供强大且可扩展的人工智能/机器学习工具包，用于预测性维护、智能健康监测、流程自动化、手势识别、下一代消费级可穿戴设备和物联网设备等应用。

融合与展望

此次收购涵盖 Neuton.AI 的所有知识产权和部分资产，以及其以绩效为导向、由13位高技能工程师和数据科学家组成的团队。Neuton.AI 品牌和平台将在初始整合阶段继续运营，确保继续为现有用户和合作伙伴提供不间断的服务。

双方尚未披露此次收购的财务条款。尚需获得常规监管部门的批准，方可完成交易。

关于 Nordic Semiconductor

Nordic Semiconductor 为智能互联产品提供超低功耗无线连接解决方案。从硬件到云端，Nordic 助力各大品牌在消费电子、医疗保健和工业自动化领域打造高性能、低功耗的设备。www.nordicsemi.com

关于 Neuton.AI

Neuton.AI 是边缘设备自动化 TinyML 的创新者。Neuton.AI 由一支在机器学习和神经网络开发领域拥有深厚经验的专家团队创立，提供获得专利的神经网络框架和透明的流程，使用户能够轻松构建精确、超小型的模型。Neuton.AI 的平台深受领先半导体和传感器制造商的信赖，并支持工业、消费、物联网和医疗保健市场的应用。

*来源：ABI Research

半导体封装测试解决方案专业品牌蔚华科技（TWSE: 3055）推出业界首创「蔚华激光断层扫描（SpiroxLTS）」技术，结合多项专利非线性光学组合技术，非破坏性、零接触、零损伤地直接观测TGV（Through Glass Via）玻璃内激光改质断层图，可精准解析激光改质成效，完整揭示改质连贯性与均匀度，确保制程质量符合设计要求，为TGV制程参数控制带来革命性突破，将有助于TGV业者加速量产时程。

蔚华科技SP8000G运用业界首创「蔚华激光断层扫描（SpiroxLTS）」技术，以非破坏性方式精准解析激光改质成效

随着高速运算、高频通讯、AI加速器及高效能服务器等应用快速推进，TGV技术成为先进封装关键工艺，具备低介电常数、优异热稳定性及高密度I/O整合能力，应用于玻璃芯（Glass Core）与2.5D/3D中介层（Interposer）等高阶封装结构，产业应用热度居高不下，发展潜力庞大，但TGV前段制程中的激光改质质量长期无法实时掌握，成为良率与成本控制的挑战，尤其是改变不同高低价位的玻璃材质时。

TGV业界知名激光改质设备公司海纳光电总经理江朝宗表示：“我们非常欣赏与肯定蔚华科技所推出的业界首创激光断层扫描检测设备SP8000G，让我们能在不破坏玻璃衬底下直接看到激光改质真实分布状况，这对于我们提升激光改质机性能与质量产生极大帮助。”海纳光电长期致力于TGV激光制程材料与工艺开发，对SpiroxLTS技术高度肯定，相信此技术将为激光制程数据化、可视化奠定基础，并为材料研发与制程调校提供精准平台。海纳光电与蔚华科技的技术互补，展现整合开发与量产应用高度潜力。

SpiroxLTS让玻璃内部激光改质层可视化，对开发高质量Glass Core产品极为关键。过去在材料开发与制程优化阶段，需仰赖破坏性方式才能间接推估改质状态，如今可直接取得非破坏性数据，将大幅缩短开发时程并提升改质均匀性掌控能力。目前为业界极少数符合AI需求之高质量TGV 玻璃芯衬底供货商之一，晶呈科技股份有限公司表示：“玻璃内部激光改质层可视化，可凸显晶呈科技玻璃钻孔之真圆、准直、孔壁平坦度之优异特性，对于玻璃芯衬底量产化及良率提升肯定有帮助。”

根据TGV业界封装衬底金属化与增层制程的多家主力厂商表示，TGV金属化与后段增层对孔径结构与改质质量要求极高，过去信息取得困难，常导致后段制程挑战。经过实测验证，SpiroxLTS非破坏性检测技术可让业界在材料与制程验证阶段即导入质量筛选机制，对实现高阶封装TGV衬底的稳定量产，具有关键意义。

蔚华科技总经理杨燿州表示：“很荣幸SP8000G能成功解决TGV改质无法被看到的问题，并获得业界指针性激光改质设备商海纳光电、玻璃芯衬底制造商晶呈科技，以及TGV玻璃衬底技术领导厂商欣兴电子的共同肯定。除了激光改质检测，SP8000G亦能非破坏性地精准检测TGV蚀刻孔腰身位置、孔壁粗糙度与镀铜孔壁玻璃裂纹，皆为目前TGV业界难以找到的检测解方。相信以SpiroxLTS技术，能大幅加速推动TGV市场量产时程。”杨燿州进一步指出，SpiroxLTS已优先导入玻璃芯与中介层等高频高速封装应用，支持材料评估、制程导入与量产监控，将成为TGV工艺量产的重要推动力。

关于蔚华科技

蔚华科技（股票代码：3055）是大中华地区测试、封装、检测、验证的专业品牌，为半导体与电子制造产业提供完整解决方案，旗下代理与自有品牌横跨封测、光学、激光与材料检测多领域，致力于提供前瞻技术与高附加价值服务。蔚华科技成立于1987年，总部设于新竹，并于上海、苏州、深圳设有营运与服务据点，更多信息请参阅www.spirox.com。

关于海纳光电

海纳光电股份有限公司专注于激光精密微加工技术与设备开发，擅长处理半导体与光电产业常用的硬脆材料，包括硅、碳化硅、氮化硅、陶瓷、氧化锆、光学玻璃、蓝宝石、钻石及特殊金属，提供微米级精细切割、微孔加工与微结构制程。服务涵盖半导体、光电、AR/VR、汽车及医疗等产业。除深耕台湾地区高科技市场外，海纳激光系统亦营销至英、美、日等国际大厂，并提供特约代工与技术开发服务。更多信息请参阅www.hinanomms.com。

关于晶呈科技

晶呈科技为国内极少数掌握高厚度玻璃衬底激光改质核心技术之企业，专注于玻璃芯产品的开发与量产，自创LADY（Laser Arrow Decomposition Yield）制程，具备高厚度玻璃的激光改质、蚀刻与后段清洗整合能力，达成玻璃钻孔真圆、准直、孔壁平坦、均一及高密度规格要求，能依应用需求客制化改质结构与孔径设计。晶呈在TGV制程中扮演中游关键角色，为整体供应链提供稳定且高质量的玻璃基材与制程支持，协助客户加速先进封装导入。更多信息请参阅www.ingenteccorp.com。

关于欣兴电子

欣兴电子为台湾首批导入TGV（Through Glass Via）玻璃衬底技术的领导厂商，已投入研发逾十年。初期将采用日韩玻璃供货商完成激光改质与钻孔，预计自家产线于2025年下半年成熟，并结合既有ABF制程进行载板制造。预期2028年起进入垂直整合量产阶段，为高阶封装发展奠定关键基础。更多信息请参阅www.unimicron.com。

蔚华科技SP8000G可沿着垂直深度进行激光改质光斑形貌与一致性检验

蔚华科技SP8000G提供刻蚀后TGV关键尺寸量测与轮廓粗糙度分析

稿源：美通社

在5G、物联网与人工智能技术爆发式迭代的驱动下，算力芯片正经历性能跃升与物理形态微型化的双重革命。算力芯片及超轻薄终端的性能瓶颈日益凸显，在狭小的空间内实现高效的散热成为了制约技术进步的关键因素之一，当被动散热架构（如均热板/石墨烯贴片/VC）在应对3.5GHz以上高频运算时，热流密度承载能力已逼近材料物理极限,由此引发的“热堆积效应”导致芯片性能衰减达40%；（AnandTech 数据），降频策略造成的用户体验断层，设备表面温度超过人体触觉舒适阈值（45℃）-这些痛点也对热管理技术提出了前所未有的挑战。

艾为电子基于压电陶瓷逆效应成功开发新一代微泵液冷主动散热驱动方案，通过高压180V和中高频振动驱动微通道内冷却介质实现超低功耗、超小体积、超高背压流量以及超静音散热。这种高效主动散热方案极大满足于搭载了高性能芯片或算力芯片的手机、 PC和AI眼镜、AR/VR头戴式设备、无人机、AI机器人等消费电子、工业互联设备的散热系统。

图1 散热技术的发展历程

图2 移动终端散热技术的发展历程

微泵液冷作为主动散热方案相比于传统的石墨散热、热管散热和VC 均热板散热在热换系数和耐弯折，技术扩展性和高绝缘等特性效果更好。微泵液冷散热技术有替代和融合VC 热管散热成为热管理领域重要的技术解决方案。

微泵液冷散热系统解决方案拥有三大核心单元，液冷驱动芯片、压电微泵、高柔性液冷膜片。

液冷驱动芯片

AW86320CSR 一款集成Boost高压180V超低功耗液冷驱动器芯片，为微泵液体冷却系统提供充足的能量来产生驱动液体所需的精确运动。

关键技术指标

• 宽电压供电VDD 2.5~5.5V

• Standby current：<6μA

• Vout 180V

• THD+N<1%

• 集成SRAM 波形生成器

• 支持Auto Dynamic Sine 播放

• WLCSP 2.2mmx1.8mm-20B Package

图3 典型应用图

压电微泵&液冷膜片

压电微泵利用了压电材料的逆压电效应，即在电场作用下，压电陶瓷材料会发生拉伸/压缩形变，带动陶瓷片下面的金属片产生如图4所示的向上凸起或向下凹陷。压电振子在电场作用下，泵的腔体容积会发生变化，从而对液体产生“吸”或“压”力，并在单向阀的作用下形成液体的单向流动。而在振子上施加交流电场，流动就变成了连续的吸压流体，形成连续流。

图4  液冷泵负载

图5 微泵液冷膜片

液冷微泵散热方案优势

艾为电子将持续深耕在散热领域，压电微泵液冷技术创新和设计开发，为高性能小型化设备提供更高效散热的解决方案。切实助力终端产品实现节能降耗，持续为行业发展注入创新动力。

关于艾为

中国数模龙头

上海艾为电子技术股份有限公司创立于2008年，专注于高性能数模混合信号、电源管理、信号链等IC设计，2021年8月在上海证券交易所科创板成功上市，股票代码为688798。

艾为电子累计拥有42种产品子类、产品型号总计超1400款，产品的性能和品质已达到业内领先水平。公司产品广泛应用于消费电子、工业互联和汽车市场，包含智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴、智能音箱、智能家电、移动支付、物联网、AI教育、智能玩具、服务器、新能源、机器人、无人机、安防、汽车电子等领域。

2024年公司研发投入5.1亿人民币，占营收比例近17%，技术人员占比超74%，累计取得国内外专利649项，软件著作权125项，集成电路布图登记595项。

艾为电子获评国家企业技术中心、音频制造业单项冠军企业、国家知识产权优势企业，“国家高新区上市公司创新百强榜”，上海市创新型企业总部、上海市质量金奖、上海市级设计创新中心、上海市智能音频芯片技术创新中心、上海硬核科技企业TOP100榜单等资质荣誉。

来源：艾为之家

本文属于德州仪器“电源设计小贴士”系列技术文章，将聚焦于 CCM 反激式转换器设计，探讨 CCM 反激式转换器在中等功耗隔离应用中的优势。

连续导通模式 (CCM) 反激式转换器通常用于中等功耗的隔离型应用。与不连续导通模式 (DCM) 运行相比，CCM 运行的特点是具有更低的峰值开关电流、更低的输入和输出电容、更低的 EMI 以及更窄的工作占空比范围。由于具有这些优点并且成本低廉，它们已广泛应用于商业和工业领域。本文将提供反激式转换器设计注意事项中，53Vdc 至 12V/5A CCM 反激式转换器的功率级设计公式。

图 1 展示了工作频率为 250kHz 的 60W 反激式转换器的详细原理图。所选占空比在最低输入电压 (51V) 和最大负载时最大，为 50%。虽然也可以在超过 50% 占空比的情况下运行，但在本设计中无此必要。由于 57V 的高压线路输入电压相对较低，因此在 CCM 运行时，占空比只会降低几个百分点。但如果负载大幅降低，转换器进 DCM 运行模式，占空比就会显著降低。

图 1. 60W CCM 反激式转换器原理图

设计规格

为防止磁芯饱和，绕组开/关时间的伏秒积必须保持平衡。这等于方程式 1：

方程式 1

将 dmax 设置为 0.5 并计算 Nps12（Npri: N12V）和 Nps14（Npri: N14V）的匝数比，如方程式 2 和方程式 3 所示：

方程式 2

方程式 3

变压器匝数比现已设定（方程式 4 和方程式 5），因此可计算出工作占空比和 FET 电压。

方程式 4

方程式5

Vdsmax 表示 FET Q2 漏极上无振铃的“平顶”电压。振铃通常与变压器漏电感、寄生电容（T1、Q1、D1）和开关速度有关。选择 200V FET 时，FET 电压会再降低 25% 至 50%。变压器绕组之间必须实现良好耦合，如有可能，最大漏电感必须为 1% 或更低，以更大限度地减少振铃。

当 Q2 导通时，二极管 D1 的反向电压应力等于方程式 6：

方程式 6

由于漏电感、二极管电容和反向恢复特性的影响，当次级绕组摆幅为负时，振铃现象很常见。具体请参阅方程式 7：

方程式 7

我们选择了额定值为 30A/45V 的 D²PAK 封装，以便在 10A 电流下将正向压降减至 0.33V。功率耗散等于方程式 8：

方程式 8

建议使用散热器或气流进行适当的热管理。初级电感的计算公式为方程式 9：

方程式 9

P_OUTMIN 是转换器进入 DCM 的位置，通常为 P_OUTMAX 的 20% 至 30%。

初级峰值电流出现在 V_INMIN 时，等于：

方程式 10

这对于确定最大电流检测电阻 (R18) 值而言是必要的，能够防止控制器的初级过流 (OC) 保护电路跳闸。对于 UCC3809，R18 两端的电压不能超过 0.9V，以保证全输出功率。在本例中，我们选择 0.18Ω。也可以使用更小的电阻，以减少功率损耗。但过小的电阻会增加噪声灵敏度，并使 OC 阈值处于高电平，有可能导致变压器饱和，更糟糕的是，甚至会导致 OC 故障期间出现与应力相关的电路故障。电流检测电阻耗散的功率为方程式 11：

方程式 11

根据方程式 12 和方程式 13 估算 FET 导通损耗和关断开关损耗：

方程式 12

方程式 13

与 Coss 相关的损耗计算有些模糊，因为该电容具有相当高的非线性度，会随着 Vds 的增加而降低，在本设计中估计为 0.2W。

电容器要求通常包括计算最大均方根电流、获得预期纹波电压所需的最小电容以及瞬态保持。输出电容和 I_OUTRMS 的计算公式为方程式 14 和方程式 15：

方程式 14

方程式 15

可以仅使用陶瓷电容器，但在直流偏置效应后需要 7 个陶瓷电容器才能实现 83µF。因此，我们只选择了足以处理均方根电流的电容器，然后使用了电感器—电容器滤波器来降低输出纹波电压并改善负载瞬态。如果存在较大的负载瞬态，可能需要额外的输出电容来减少压降。

输入电容等于方程式 16：

方程式 16

同样，您必须考虑会损耗电容的直流偏置效应。如方程式 17 所示，均方根电流约为：

方程式 17

图 2 展示了原型转换器的效率，而图 3 展示了反激式评估板。

图 2. 转换器的效率和损耗决定了封装的选择和散热要求

图 3. 60W 反激式评估硬件尺寸为 100mm x 35mm

要选择合适的补偿元件值，请查阅此处的帮助：补偿隔离电源

https://www.eetimes.com/power-tips-compensating-isolated-power-supplies/?_ga

结语

本设计示例介绍了功能性 CCM 反激式设计的基本元件计算。然而，初始估算通常需要反复计算，以便进行微调。不过，为了获得运行良好且优化的反激式转换器，在变压器设计和控制环路稳定等方面，往往还需要做更多的细节工作。

德州仪器“电源设计小贴士”系列技术文章由德州仪器专家创建并撰写，旨在深入剖析当前电源设计普遍面临的难题，并提供一系列切实可行的解决方案和创新设计思路，帮助设计人员更好应对电源设计挑战，助力设计更加高效、可靠。

关于德州仪器

德州仪器（TI）（纳斯达克股票代码：TXN）是一家全球性的半导体公司，从事设计、制造和销售模拟和嵌入式处理芯片，用于工业、汽车、个人电子产品、企业系统和通信设备等市场。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用，让世界更美好。如今，每一代创新都建立在上一代创新的基础上，使我们的技术变得更可靠、更经济、更节能，从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用。登陆 TI.com.cn 了解更多详情。