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为数据中心、电信和电源设备应用提供卓越的防雷击、防电感冲击和其他瞬态浪涌保护

Littelfuse公司NASDAQLFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出全新的SMTOAK2瞬态抑制二极管系列。如今,许多大功率、高浪涌额定值瞬态抑制二极管只能采用轴向引线型封装。通过紧凑的2kA 8/20μs额定值表面贴装SMTOAK2瞬态抑制二极管系列,电子设备设计者能够实现更稳定的瞬态电压、过压保护和雷击保护系统,同时占用更少的印刷电路板(PCB)空间。

LTL014. Littelfuse SMTOAK2 Series TVS Diode.jpg

表面贴装SMTOAK2瞬态抑制二极管

SMTOAK2瞬态抑制二极管系列非常适合要求在小尺寸中提供强大保护的高功率密度应用,包括:

  • ICT、医疗、工业直流电源设备;

  • 大功率直流总线保护;

  • 暴露于恶劣环境的直流电源设备;

  • 以太网供电(PoE)端口;

  • 小基站、微基站、远程无线电单元(RRU)、基带单元(BBU);

  • 高功率密度SiC和基于GAN的DC/DC转换器/电源设备。

Littelfuse高级产品营销经理Ben Huang表示:采用更高效的电源设备、大电流和高速MOSFET/IGBT设计的应用在全球范围内越来越普遍,监管要求也越来越高。这些快速开关设计需要防电感反冲保护。通过使用大功率SMTOAK2瞬态抑制二极管系列,设计者可以实现高可靠性和耐用性,同时减少所需的电路板空间和组装时间。

SMTOAK2瞬态抑制二极管系列具有以下主要优势:

  • 保护高成本、高电流、高速MOSFET/IGBT电路免受电感冲击,并且具有低箝位电压和高浪涌额定值。

  • 通过改进的紧凑型SMTO-263表面贴装,使设计者能够以更小的PCB空间实现强大的电路保护,其尺寸比SMTO-218表面贴装解决方案小50%。

  • 与自动化PCB组装流程兼容,在节省时间的同时降低成本。

供货情况

SMTOAK2瞬态抑制二极管可提供500只装卷带封装。可通过Littelfuse全球各地的授权经销商索取样品。如需了解Littelfuse 授权销商名单,可访问Littelfuse.com

更多信息可通过以下方式查看更多信息:SMTOAK2表面贴装瞬态抑制二极管系列产品页面。如有技术性问题,请联系高级产品营销经理Ben HuangBhuang@littelfuse.com

关于Littelfuse

Littelfuse (纳斯达克股票代码:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。凭借覆盖15多个国家的业务和约17,000名全球员工,我们与客户合作设计和交付创新、可靠的解决方案。服务于超过100,000家最终客户,我们的产品每天应用于世界各地的各种工业、运输和电子终端市场。了解详情请访问Littelfuse.com

敬请关注力特奥维斯Littelfuse官方微信:Littelfuse_career

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全新的紧凑型ENS220提供高精度、低噪声气压测量,输出数据速率最高可达1KHz

业界领先的环境和高精度流量和时间测量传感芯片厂商睿感(ScioSense今日宣布,推出采用紧凑型封装的内置温度传感器的超低功耗压力传感器--ENS220,可提供卓越的测量速度、分辨率和精度。

ENS220将在慕尼黑电子展(electronica1115-18日慕尼黑)B3.419ScioSense展台展出。

该传感器采用业界主流的2.0mm×2.0mm尺寸LGA封装,适用于移动设备和可穿戴设备,如智能手表和腕带、GPS导航系统以及个人健康监测设备。

ENS220的相对压力测量精度达±2.5Pa,换算成海拔或高度时,相当于83m高度差下±21cm的精度;使用最高采样率时,典型噪声水平为0.85PaRMS)。将二者相结合,能检测到小至7cm的高度变化,适用于室内导航和定位、活动跟踪和跌倒检测应用。

这些应用均得益于ENS220的高速采样、低噪声、高分辨率与高精度。测量分辨率高达1/64Pa,输出数据速率可由用户配置,最高可达1kHz,方便客户在时延与功耗间取得最佳平衡。ENS220高速采样下的高精度使其特别适用于跌倒检测等需要以高精确度连续高速测量微小变化的应用。

ENS220功耗极低, 在额定供电电压为1.8V、采样率为1KHz时,工作电流小于80µA;每分钟采样一次时,工作电流仅为0.8µA;待机模式下工作电流为0.1µA

全新的CMOS-MEMS集成单芯片架构

为小型表面贴装压力传感器带来全新的技术路线,ENS220是压力传感器领域的重大技术创新。传统的压力传感器一般由MEMS传感与ASIC电路两个独立单元通过连接线绑定封装而成,ENS220的独特之处在于MEMS传感和ASIC电路都实现在同一个CMOS die上,是单芯片(Monolithic)解决方案。

CMOS-MEMS单芯片架构消除了传统传感器中MEMSCMOS接口上产生的寄生参数。此外,通过CMOS-MEMS架构,ScioSense还能让压力薄膜的电容与信号处理电路的电容进行完美匹配,最大限度降低内部电路(包括24ADC)的噪声。由此带来的好处主要有:

  • 更低底噪

  • 更高灵敏度

  • 更小尺寸

  • 更低的制造成本

ENS220的内置温度传感器的分辨率达8mK,精度达±0.2K,可确保在300hPa1,200hPa的测量范围内(-40℃至85℃)对压力输出进行可靠的温度补偿。

ScioSense首席执行官Dirk Enderlein表示:“ENS220是多年来压力传感器市场的重大突破,相比传统的MEMS压力传感器,ScioSenseCMOS中实现了整个传感器及电路, 底噪得到大幅降低,同时提高了灵敏度并缩短了转换时间。对于需要在高采样率下实现高准确性、高精度的高度测量或海拔测量的应用而言,ENS220应该是压力传感器的最佳选择。”

ENS220通过数字I2CSPI接口输出压力或温度值,该器件LGA封装的尺寸是2.0mm×2.0mm×0.75mm

20231季度起样品索取可联系ScioSense和授权经销商。了解更多信息请访问:www.sciosense.com

于睿感(ScioSense)——感知世界感知未来

睿感(ScioSense总部位于中国济南及荷兰埃因霍温,在中国上海和深圳、德国、意大利、美国等设有分部,是一家集研发设计生产销售于一体的环境和高精度流量和时间测量传感芯片制造商。其产品组合包括湿度、气体/空气质量、温度、压力, 氢能源以及高精度流量和时间测量芯片,适用于智能家居/楼宇、家用电器、物联网/可穿戴设备、汽车和工业应用。

ScioSenseams OSRAM AGWise Road Capital的合资企业。

更多关于ScioSense的信息请访问www.sciosense.com

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莱迪思半导体公司NASDAQ: LSCC),低功耗可编程器件的领先供应商,今日宣布即将举办线上安全研讨会,探讨全球通信产业的挑战、机遇和最新的可编程逻辑解决方案。

在研讨会期间,莱迪思的技术专家将探讨电信行业5G网络和ORAN应用的发展前景、5GORAN的最新安全要求,以及FPGA如何帮助系统和应用设计人员在其电信安全解决方案中实现真正的网络安全

  • 主办方:莱迪思半导体

  • 活动主题:使用FPGA重塑5G网络和ORAN电信安全解决方案

  • 时间:北京时间1130日(周三)14:00

  • 地点:莱迪思安全研讨会(需要提前注册)

关于莱迪思半导体

上海莱迪思半导体有限公司是全球低功耗FPGA的领先供应商,我们为不断增长的通信、计算、工业、汽车和消费市场客户提供从网络边缘到云端的各类解决方案。上海莱迪思自1993年设立上海研发中心至今已拥有成熟的研发团队,在上海、深圳、北京、西安和成都设有销售和技术支持办公室,我们的分销商遍及30多个省市,为我们的客户提供最可靠、专业的服务。我们的技术、长期的合作伙伴关系以及世界一流的技术支持,使我们的客户能够快速、轻松地开启创新之旅,创造一个智能、安全和互连的世界。

了解更多信息,请访问www.latticesemi.com/zh-CN您也可以通过领英微信微博优酷了解莱迪思的最新信息。

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2022年11月15日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于意法半导体(ST)STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案。

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图示1-大联大友尚基于ST产品的数字控制3KW通信电源方案的展示板图

5G通信技术的飞速发展推动了千百行业的数字化转型。然而随着5G通信的加速布局,通信系统也变得日益复杂。其中通信电源作为整个通信系统的动力组成部分,除了被要求具备稳定的运行能力,同时也需要拥有更高的电源效率。因此电信运营商在大规模升级或扩建电信系统时,往往也需要对通信电源进行迭代。针对市场上的5G通信电源需求,大联大友尚基于ST STM32G474RBT6 MCU推出了数字控制3KW通信电源方案,该方案包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构,可以帮助开发者迅速完成高效率通信电源设计。

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图示2-大联大友尚基于ST产品的数字控制3KW通信电源方案的场景应用图

此电源方案由两个功率级组成:前级是由STM32G474RBT6 MCU控制的无桥图腾柱PFC,后级则是由另一个STM32G474RBT6 MCU控制的全桥LLC+同步整流(SR)。前级图腾柱PFC提供功率因数校正(PFC)和谐波失真(THD)抑制,后级全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。并且由于采用完全数字化和专用控制算法,本方案实现了低THD失真(满载时小于5%),以及动态负载条件下的可靠运行和高整体效率。

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图示3-大联大友尚基于ST产品的数字控制3KW通信电源方案的方块图

除此之外,方案还使用了ST最新的功率器件,包括第三代半导体SiC MOSFET、MDmesh高压超结MOSFET、隔离MOS驱动器和VIPer系列辅助电源。通过将这些高性能器件紧凑布局,本方案在外形尺寸仅为105mm×281mm×41mm,功率密度为40W/in3。并经测试验证,在230VAC输入时,方案的峰值效率可高达96.3%。

核心技术优势

采用ST SiC MOS(宽禁带第三代半导体),具有高温低阻、低开关损耗、低体二极管反向恢复电荷;

主控MCU芯片ST32M474,实现全数字设计电源控制;

功率密度达:40 W/in3

满负载时高功率因数&总谐波失真THD<5%;

峰值浪涌电流<30A。

方案规格:

输入电压:90~264V;

输入电压频率:47~63Hz;

输出电压:53.5V;

输出功率:3000W;

功率因数>0.98 @满负载;

峰值效率96.3%。

如有任何疑问,请登陆【大大通】进行提问,超过七百位技术专家在线实时为您解答。欢迎关注大联大官方微博(@大联大)及大联大微信平台:(公众账号中搜索“大联大”或微信号wpg_holdings加关注)。

关于大联大控股:

大联大控股是全球第一、亚太区最大的半导体元器件分销商*,总部位于台(TSE:3702)旗下拥有世平品佳诠鼎友尚员工人数约5,000人,代理产品供货商超250家,全球80个分销据点,2021年营业额达278.1亿美金大联大开创产业控股平台,专注于国际化营运规模与在地化弹性,长期深耕亚太市场,以「产业首选.通路标杆」为愿景,全面推行「团队、诚信、专业、效能」之核心价值观,连续22年蝉联「优秀国际品牌分销商奖」肯定。面临新制造趋势,大联大致力转型成数据驱动(Data-Driven)企业,建置在线数字化平台─「大大网」,并倡导智能物流服务(LaaS, Logistics as a Service)模式,协助客户共同面对智能制造的挑战。大联大从善念出发、以科技建立信任,期望与产业「拉邦结派」共建大竞合之生态系,并以「专注客户、科技赋能、协同生态、共创时代」十六字心法,积极推动数字化转型。 (*市场排名依Gartner 2022年03月公布数据)

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  • MDT 自主拥有年产能十亿颗芯片的量产能力,可大批量供货的各种 AMR 和 TMR 磁传感器

专注于 AMR (各向异性磁阻)和 TMR (隧道磁阻)技术的磁传感器领先制造商多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 在慕尼黑电子展和慕尼黑华南电子展发布 AMR 传感器全系列产品,包括 AMR 角度传感器、AMR 磁栅传感器、AMR 线性传感器和 AMR 开关传感器。它们是经过市场考验的成熟的产品,已经为部分批量客户供货多年并获得认证。

多维科技的 AMR 传感器与其 TMR 传感器实现了有效的优势互补,在旋转编码器、线性位移传感器和电机控制应用中,体现出高精度、大气隙、优异的抗噪声和抗干扰特性。它们同时为市场上现有的 AMR 传感器提供替代品,用于微弱磁场检测、气缸位置开关和水电气表的应用,并具备成本优势。

多维科技自主拥有先进的磁传感器生产线,可独立支持 AMR 和 TMR 传感器的大规模量产,年产能达数十亿只。MDT 优化整合的供应链使其客户免受全球芯片供应短缺的影响,确保了持续生产和准时交货。凭借高度优化的设计和成熟有效的制造工艺,MDT 的 AMR 传感器可望满足更紧迫的交货计划。多数 AMR 传感器可以在八周以内批量供货。

多维科技将在慕尼黑电子展 (11月15-18日,B3.543/2展位) 和慕尼黑华南电子展 (11月15-17日,2展厅2F46展位) 展示 AMR 和 TMR 传感器产品。参展的核心 AMR 传感器产品包括:

  • AMR 磁栅传感器:用于线性和旋转磁栅的离轴测量,适配 2mm (AMR4020) 和 5mm (AMR4050) 的极距,具备高精度、大气隙和出色的抗噪性

  • AMR角度传感器:对轴高精度旋转位置测量,引脚兼容现有产品 (AMR3013P),紧凑型 LGA 封装 (AMR3003L/AMR3008),数字输出 (AMR3108AP),通用芯片同时满足对轴/离轴测量 (AMR4100)

  • AMR 线性传感器:优于市场上现有产品的噪声性能,具有 100pT/ÖHz@1Hz 的皮特极超低噪声 (AMR2501),适合地磁传感和微弱磁场的精密测量

  • AMR 开关传感器:360° 磁场检测 (AMR1320),为水表、燃气表和电表等表计应用提供低成本的磁攻击报警检测

MDT 简介 

多维科技创立于2010年,总部设在中国江苏省张家港,在中国北京、上海、成都、宁波,日本东京和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT 拥有多项独特的专利技术和先进的制造能力,可批量生产高性能、低成本的 AMR 和 TMR 磁传感器以满足严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下,MDT 致力于为客户带来更多附加值,并确保他们的成功。有关 MDT 详情,请访问:http://www.dowaytech.com/

稿源;美通社

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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出全新的XENSIV™ TLE4971系列传感器,进一步丰富其车用传感器组合产品阵容。这款3.3V XENSIV™ TLI4971器件采用带有集成式导轨结构的TISON封装,可支持25 A50 A75 A120 A四种预设电流范围。TLE4971系列拥有紧凑的设计和先进的环境感知功能,适用于各类汽车用例,包括车载充电机(OBC)、高压辅助驱动器和充电应用等。此外,TLE4971系列传感器还可用于各种工业应用,如电动汽车直流充电机、工业驱动器、伺服驱动器、光伏逆变器等。

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基于其独特的温度和应力补偿特性,英飞凌XENSIV TLE4971器件可实现精确的磁电流感测,并免受因磁芯的滞后或饱和效应产生的负面影响。由于采用了差分传感结构,无需磁芯或屏蔽即可使其免受杂散场干扰。另外,该系列传感器非常适合使用氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带解决方案的应用。集成的EEPROM允许客户根据不同应用定制传感器的过流检测(OCD)阈值和抗干扰脉冲滤波器。

该传感器系列采用小型PG-TISON-8-5封装,可为各种不同的应用提供高度紧凑的设计。借助220 µΩ的最小插入电阻与小于1 nH的电感值,系统损耗得以降低,且系统效率与测量精度得以提高。另外,该封装还具有高动态范围、高浪涌电流和领先的热性能。XENSIV TLE4971系列器件符合AEC-Q100 一级标准,适用于工作温度高达125°C的汽车应用,并且具有更高的输出精度。为了支持工业应用,该系列所有型号的传感器均提供标准版本和UL认证版本。

供货情况

英飞凌XENSIV™ TLE4971电流传感器系列现已开始供货,并将在2022慕尼黑国际电子元器件博览会(electronica 2022)上展出。更多信息,请访问www.infineon.com/current-sensors

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体解决方案提供商,致力于让生活更便捷、更安全、更环保。英飞凌的微电子技术是通向美好未来的关键。英飞凌在全球拥有约50,280名员工,2021财年(截至930日)的收入约为111亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)及美国场外交易市场OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)上市。

更多信息,请访问www.infineon.com

更多新闻,请登录英飞凌新闻中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/press-releases/

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自199510月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2600名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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作者:ADI现场应用工程师Bilgin Kiziltas

电子扫描阵列(ESA)中会使用移相器(PS)和实时延迟(TTD)或两者的组合,在阵列的转向角限值内使汇聚波束指向目标方向。而用于实现锥形波束的可调衰减器也可被视为波束成形元件。本文将探讨在相同的ESA中,在何处以及如何使用TTD和PS分层方法可以帮助消除一些相控阵设计挑战。

利用基本公式探索可能的使用场景

瞬时带宽(IBW)可以定义为无需调谐,即可保持在基于系统要求设定的目标性能指标内的频段。

TTD在该频率范围内具有恒定的相位斜率;因此,使用TTD,而非使用PS的ESA实施方案不会出现波束斜视效应。所以,对于高IBW应用,基于TTD的ESA更加方便。

PS在其工作频率范围内具有恒定的相位;因此,在整个系统中,特定的移相器设置会导致在不同的频率下产生不同的波束转向角。所以,与基于TTD的阵列相比,基于PS的阵列的IBM范围可能更窄一些。

这种现象被称为波束斜视,可以使用公式1计算,其中Δθ表示峰值斜视角,θ0表示最大波束角,f0表示载波频率,f表示瞬时信号频率。

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使用公式1,可以计算出在最坏情况下,即低频率边缘(载波频率为3GHz,瞬时信号频率为2.9GHz)下,±30°波束转向角系统的Δθ约为1.15°,信号频率为3GHzIBW100MHz。在最坏情况下,将波束转向角调节到±60°,将IBW调节到200MHz,会导致约8.11°的波束斜视。很明显,即使在雷达应用中,TTD也是更合适的选择。可以说,相比TTDPS的设计简单和成本优势使其适用于更广泛的市场,所以ESA主要采用移相器。

如果TTD能够符合系统要求,那么在相同的信号链中使用PS合理吗?

为了验证,ADI对一个32 × 32(正方形)的ESA进行试验,其天线元件之间的栅距(d)为d = λ/2,工作频率范围为8GHz至12GHz,扫描角度为±60°,且假定所有场景(图4)都符合EIRP标准。

在本例中,根据公式2中给出的均匀线性阵列的半功率波束宽度近似公式,方位角和仰角对应的系统波束宽度分别为≅ 3.17°(视轴,θ = 0°)和≅ 6.35°(最大扫描角,θ = 60°),其中N表示一个轴上的元素数,θB表示同一轴上的波束宽度(单位为度)。

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当每个天线元件都使用6位5.6°LSB PS时,根据公式3可以计算得出,该阵列的一维最大波束角分辨率θRES_MAX约为≅ 0.056°。

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根据用于时移和相移转换的方程4,在12GHz时,要获得0.056°波束角分辨率,需要使用一个约1.3ps LSB TTD来代替5.6°LSB PS。

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即使在很小的扫描角度下,波束宽度值也远大于波束角分辨率,将PS与TTD串联可以补偿波束角分辨率,但会产生额外的波束斜视,也会降低系统的波束角分辨率。实际上,使用分辨率更高的TTD是为了实现更低的量化旁瓣水平(QSLL),而不是为了实现更高的波束角分辨率。随着频率升高,相比根据所需的相位分辨率设计PS,根据所需的时间分辨率设计TTD来满足目标QSLL标准相对更加困难;因此,可以将PS和TTD组合使用,不但可以达到目标QSLL标准,而且仍然可以保持合理的波束斜视水平。

在同一个ESA中同时采用PS和TTD是为了在设计具有交叉极化能力的系统时,可以减轻波束斜视。交叉极化是通过在天线元件的V端和H端之间设置90°相移来产生的。在要求的交叉极化带宽内,使两端之间的相移尽可能接近90°有助于实现出色的交叉极化隔离,以保证良好运行。基于PS的ESA在频率范围内保持恒定相位,所以具有宽带交叉极性能力(图1),基于TTD的ESA则不同,只有在单个频率下,两端之间才能达到90°(图2)。图3所示的架构可用于使用交叉极化,同时消除波束斜视。

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1.天线元件的VH端使用移相器时的无非斜视宽带交叉极化

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2.天线元件的VH端使用实时延迟时的无斜视窄带交叉极化

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3.天线元件的VH端的通用leg和移相器的实时延迟可以优化波束斜视,并实现宽带交叉极化能力。

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4.1024 (32 × 32)元件阵列分为16个子阵列,每个子阵列由8 × 8个元件组成。

TTD覆盖范围由最低工作频率下,整个阵列中相距最远的两个元件之间的最大延迟ΔtMAX决定。根据公式5,图4所示的阵列示例的TTD覆盖约2.45ns。

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在不需要交叉极化时,是否能使用TTD取代天线元件中的PS,需要考虑几点。这种覆盖意味着很高的损耗,且很难适应天线间距。在给定的覆盖范围内,使用6位相位PS的分辨率会带来一些设计挑战,且会导致TTD中设置多个延迟级。

如果分辨率保持不变,通过减少覆盖范围来消除这些缺陷,那么在超过该覆盖范围时(使用公式4计算等效相位),则会归零,然而波束斜视特性会消失。

这种快速分析表明,即使在不需要交叉极化时,在每个天线元件中使用PS,然后在子阵列的通用leg中使用TTD,这种结构非常有效。图4中的TTD还是需要相同的覆盖范围,但现在它们用于匹配子阵列之间相对较大的时间延迟,因此其分辨率要求相对于每个天线元件中的TTD有所放宽。

将相控阵分为子阵列可以降低系统的成本和复杂性,但会导致更高的扫描损耗,且会降低波束转向分辨率。通过提供更宽的波束宽度,子阵列的波束宽度更宽,对波束斜视效应的耐受性会更高。从子阵列的大小这点来看,波束斜视和波束宽度目标显然是重要的考量因素。

结论

在每个天线元件中采用实时延迟是为了实现无宽带斜视操作,每个天线元件的V和H端使用移相器,则是为了实现宽带交叉极化操作。

如果不需要交叉极化,且目标是实现完全无斜视操作,则应采用基于TTD的设计。随着频率增大,增加PS有助于满足QSLL目标,但会影响无斜视操作。

如果需要交叉极化,那么天线的每个极化端都应连接完全一样的单个PS,且在工作带宽上实现严格的90°相移。在PS的通用leg上增加TTD有助于消除波束斜视。

无论是否需要交叉极化,在子阵列结构中,在天线元件中使用PS,然后在子阵列的通用leg中使用TTD,这会是一种经济高效的解决方案。注意,可以在数字域中实现TTD功能,所有数字设计都可以消除TTD和PS,但这会导致系统成本升高。

在深入研究ESA设计面临的无数挑战之前,了解单独使用TTD或PS与将二者组合使用之间的差异是规划系统级波束成形架构的一个重要部分,该架构具有更好的SWaP-C,可以满足系统要求。

ADI公司提供丰富的解决方案、平台和产品组合,适用于各种应用中的所有模拟、数字和混合波束成形ESA,且能够为整个信号链提供定制功率解决方案。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)在现代数字经济的中心发挥重要作用,凭借其种类丰富的模拟与混合信号、电源管理、RF、数字与传感技术,将现实世界的现象转化成有行动意义的洞察。ADI服务于全球12.5万家客户,在工业、通信、汽车与消费市场提供超过7.5万种产品。ADI公司总部位于马萨诸塞州威明顿市。更多信息请访问:http://www.analog.com/cn

关于作者

Bilgin Kiziltas于2019年加入ADI公司,担任现场应用工程师。他于2010年获得伊斯坦布尔技术大学电子工程学士学位,并于2013年获得中东科技大学电子工程系(RF、微波、雷达和天线课程)硕士学位。在加入ADI之前,他在Aselsan担任了9年的RF设计工程师。

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4nm制程,5G Sub-6GHz和毫米波双连接,低功耗长续航

MediaTek发布T800 5G平台,支持5G Sub-6GHz和毫米波网络,赋能全球更多5G创新应用。承载上一代T700的优秀特性,T800拥有高速、高能效表现,可驱动工业物联网、机器对机器(Machine to Machine, M2M)、全互联PC等5G应用场景。

MediaTek副总经理暨无线通信事业部总经理徐敬全博士表示:“如今,5G已赋能各行各业,拓展出丰富的5G新应用。MediaTek T800 5G调制解调器解决方案可提供高速、低延时且稳定的5G连接,兼具低功耗与高能效特性,提高终端的5G通信续航能力。”

MediaTek T800平台提供先进的5G解决方案,下行速率高达7.9Gbps。其搭载MediaTek 5G UltraSave低功耗省电技术,能够在不同网络条件下降低5G通信功耗,带来高速、稳定的5G长续航体验。

T800基于先进的4nm制程,采用性能强劲的Arm Cortex-A55 CPU,支持PCIe 、USB等接口,集成了符合3GPP Release-16标准的5G调制解调器、FR1和FR2射频收发器、FR2天线模组、GNSS接收机和电源管理系统。高度集成式设计让T800拥有更小的尺寸和更低的功耗表现,可帮助客户降低开发成本,加速上市进程。

MediaTek T800平台的特性还包括:

  • 5G下行速率高达7.9Gbps,上行速率可达4.2Gbps

  • 支持5G NSA/SA组网、5G Sub-6GHz和毫米波双连接

  • 支持Sub-6GHz四载波聚合(4CC CA)和FDD+TDD混合双工

  • 支持5G双卡双待(DSDS)功能

MediaTek致力于让更多用户能随时随地畅享5G连接,先进的5G产品组合为固定无线接入路由器、移动热点、个人电脑、智能手机、平板电脑、汽车等提供高速稳定的5G连接。

了解更多关于 MediaTek 5G 产品信息,请访问:https://i.mediatek.com/mediatek-5g/cn.

关于MediaTek

MediaTek是全球无晶圆厂半导体公司,在移动终端、智能家居应用、无线连接技术及物联网产品等市场位居领先地位,一年约有20亿台内建MediaTek芯片的终端产品在全球各地上市。MediaTek力求技术创新并赋能市场,为5G、智能手机、平板电脑、智能电视、语音助手设备、可穿戴设备与车用电子等产品提供高性能低功耗的移动计算技术、先进的通信技术、汽车解决方案以及多媒体功能。MediaTek致力让科技产品更普及,因为我们相信科技能够改善人类的生活、与世界连接,每个人都有潜力利用科技创造无限可能(Everyday Genius)。了解更多资讯,请浏览:www.mediatek.com


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全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术,将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。

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AMP 公司硬件工程副总裁 Jiaqi Liang 表示:“在 AMP,我们很清楚碳化硅对于推进汽车电动化的关键重要性。我们很高兴能与 Wolfspeed 开展合作,以期实现更绿色环保、更智能的未来。Wolfspeed 碳化硅在 AMP 能量管理单元(Energy Management Unit, EMU)中的采用,将带来更高的功率密度、更高的效率、更好的平台可扩展性以及更精确的充电控制。通过座舱空间、充电时间、更低成本等方面的提升,用户将深切地感受到所有这些变化。”

AMP 业已就绪的能量管理解决方案将超快速 DC 充电、DC-DC、双向车载 AC 充电集成在单个平台,提供更为优异的充电体验、监测、养护和电池性能。

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Wolfspeed 功率半导体高级副总裁兼总经理 Jay Cameron 表示:“AMP 采用 Wolfspeed 技术,反映了汽车产业对于碳化硅不断增长的需求。满足车规认证的 Wolfspeed 650V 和 1200V E-系列碳化硅 MOSFET 产品组合的扩展,将助力 AMP 轻松布局适合 400V 或 800V 系统的产品。”

Wolfspeed E-系列 MOSFET 针对汽车应用优化,满足包括牵引逆变器、电动汽车车载电池充电、高电压 DC-DC 转换器在内的多种需求。

关于Wolfspeed

Wolfspeed(NYSE: WOLF)引领碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术在全球市场的采用。我们为高效能源节约和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed 产品家族包括了 SiC 材料、功率开关器件、射频器件,针对电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等多种应用。我们通过勤勉工作、合作以及对于创新的热情,开启更多可能。了解更多详情,敬请访问 www.wolfspeed.com。Wolfspeed® 是 Wolfspeed, Inc. 的注册商标。

关于AMP

AMP 总部位于美国洛杉矶,并在底特律、班加罗尔、伦敦、斯图加特、上海设有办公室。AMP 是电动交通应用能量管理解决方案的全球引领者。自 2017 年起,AMP 通过业界领先的软件、硬件与云智能,掌握先进的充电技术和电池管理技术。如需了解 AMP 更多信息,敬请访问:www.amp.tech 或关注领英 @amp-energy-management 。

关于满足车规认证的 Wolfspeed E-系列 MOSFET,敬请访问:

https://www.wolfspeed.com/e-series-automotive-qualified-sic-mosfets/

关于英文原稿,敬请访问:

https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/amps-innovative-electric-vehicle-charging-solutions-utilize-wolfspeeds-e-series-silicon-carbide-devices/

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AI驱动的电池管理系统数字孪生云端模型可提高电动汽车的电池续航里程、能效、安全性和使用寿命,并预示着多种全新应用的出现

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克股票代码:NXPI宣布新开发的解决方案可通过S32G GoldBox汽车网络参考设计将其高压电池管理系统(HVBMS连接到云端,以利用由人工智能(AI)驱动的电池数字孪生模型。恩智浦通过Electra Vehicles, IncEVE-Ai™ 360度自适应控制技术激发云端数字孪生模型的潜在优势,实现更优物理BMS实时预测和管理,提升电池性能,改善电池健康状态(提升高达12%),并支持多种全新应用(例如电动汽车车队管理)。恩智浦将在今年的慕尼黑电子展上演示该解决方案。

产品重要性

电池仍然是电动汽车(EV)中最为昂贵的组件,由AI驱动的数字孪生云服务拥有巨大潜在优势,可以改善对电池健康状态(SOH)和充电状态(SOC)的估算,继而提高能效、延长使用寿命、降低成本。运行条件的变化可能导致电池健康状态的持续变化,电池数字孪生模型可适应这种持续变化,并向BMS反馈数据更新,从而持续改进控制决策。

汽车厂商可以使用该技术来提供驾驶员分析,例如剩余里程或速度建议等。除此之外,自适应电池控制还可以改善电池的性能,并安全地延长其使用寿命,为车厂降低保修成本。该技术的另一个潜在应用是电动汽车车队管理,可为车队运营商提供重要的使用情况分析,例如汽车充电时间和电池预测诊断等。此外,有了这些深度信息,电池维护中心可以实现快速诊断,减少停机时间,电动汽车充电站运营商可以有效地优化充电服务,提高能源效率。

随着电动汽车市场不断发展,重复利用电池的供应规模也必将扩大。这些电池作为汽车电池已经达到寿命终点,但其剩余容量惊人,高达80%。如果能源存储系统(ESS)中的剩余电池寿命(RUL)能用于家庭,房主的能源开支将有望降低。

更多详情

AI驱动的电池数字孪生解决方案由恩智浦与Electra Vehicles, Inc.合作开发,方案中包含高精度的传感器、BMS的实时闭环控制以及与预测算法相结合的网络连接,独具性能优势。解决方案包括三个要素——其一是恩智浦基于S32K3HVBMS参考设计,提供了高精度和高准确性,安全地延长了电池的使用寿命。精确测量电池的SOHSOC可以充分发挥电池的潜力,并通过准确的诊断来提高行驶里程。

第二个要素是恩智浦基于S32G的汽车网络处理解决方案。恩智浦GoldBox可为基于云的数据驱动型汽车服务提供安全的高性能计算能力和实时网络性能,以及安全的云连接。Electra Vehicles, Inc.是基于AI的车载电池控制、数据分析和设计的行业领导者。因此,数字孪生解决方案的第三个,也是最后一个要素是实施其EVE-Ai自适应数字孪生模型,并将其电气化解决方案无缝连接到云端。

恩智浦半导体电池管理系统总监兼部门经理Andreas Schlapka博士表示:“恩智浦对数字孪生技术的贡献包括对精确传感器数据的访问能力、BMS的实时闭环控制、高性能的车载处理能力以及安全连接到云端获取服务和空中(OTA)更新。通过集成ElectraEVE-Ai架构,我们解决了实现数字孪生方案的两大挑战,即处理来自电气化解决方案的海量数据和处理不同用例的差异,前者需要清理和选择适当的功能,后者需要选择模型和自适应训练。”

Electra Vehicles, Inc.联合创始人兼首席执行官Fabrizio Martini表示:“一直以来,Electra专注于使用软件优先的方法来解决电动汽车电池行业最为迫切的里程、寿命和安全问题。而如今,我们有机会展示我们的核心AI电池自适应数字孪生技术,与恩智浦一同驱动EVE-Ai技术发展。恩智浦无疑是实现这一目标的完美合作伙伴。其位列前沿的集成硬件让他们成为了BMS数字孪生和电气化云连接技术的领导者。”

ElectraEVE-Ai架构可通过处理数据识别周期(时间序列),并提取电池和汽车层级的特征信息。其次,自适应单元建模系统技术可为特定的使用配置文件动态选择最合适的模型。

关于恩智浦半导体

恩智浦半导体(纳斯达克代码:NXPI)致力于通过创新为人们更智慧、安全和可持续的生活保驾护航。作为全球领先的嵌入式应用安全连接解决方案提供商,恩智浦不断寻求汽车、工业物联网、移动设备和通信基础设施市场的突破。恩智浦拥有超过60年的专业技术及经验,在全球30多个国家设有业务机构,员工达31,000人,2021年全年营业收入110.6亿美元。更多信息,请访问www.nxp.com

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