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日前,领瞳科技推出波导4D雷达中央计算系统,赋能客户数据驱动提升雷达性能。领瞳科技将携自主开发的波导4D雷达中央计算系统参加Las Vegas CES 2024,展台位于West Hall Level 3 W316,时间:2024年1月9-13日。欢迎参观指导。

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自动驾驶技术正在快速发展,旨在提供安全、便捷、舒适的驾驶体验。环境感知对实现高阶自动驾驶至关重要,理想的自动驾驶系统需要全天候、全覆盖、全目标、全工况的感知。毫米波雷达的优势在于不受天气影响,即使是恶劣天气和光照情况下也能正常工作,穿透烟雾、雨雪、灰尘能力强,具有全天候、全天时的工作特性,且探测距离远、精度较高、被广泛用于车载距离探测,应用包括自适应巡航、碰撞预警、自动紧急制动、盲区探测等。

4D毫米波雷达通过增加发射、接收通道数量,提升角度分辨能力,提供更高质量点云成像。相比传统毫米波雷达可探测物体的二维水平坐标信息(距离、方位角)及相对速度,4D毫米波雷达可实现对物体高度的探测,提供更高密度、高分辨率的点云信息。更多的发射和接收通道需要额外的处理器,目前主流的做法是在4D毫米波雷达端增加额外的FPGA或者SOC芯片,增加的处理器以及外围相关电路,不仅增加了毫米波雷达的开发难度,还增加了4D毫米波雷达的功耗和重量,以及4D毫米波雷达的成本。

目前市场上的4D毫米波雷达的输出接口主要是CAN或者100M以太网输出,由于CAN或者100M以太网带宽太低,最多只能输出点云信息和目标信息,无法输出需要更高带宽的原始雷达数据或者1D FFT数据。对自动驾驶系统来说,无法实现雷达数据像视觉数据在自动驾驶处理器中进行深度学习算法的闭环迭代,也无法实现雷达和摄像头传感器的数据级融合,更无法满足更高阶自动驾驶的需求。

领瞳科技推出的波导4D雷达中央计算系统中央算力平台基于黑芝麻智能华山二号A1000芯片开发,单颗芯片在INT8精度下提供58TOPS硬件算力;支持多达16路高清摄像头输入;支持1路双级联4D毫米波前雷达和4路4D毫米波角雷达,支持雷达原始数据输入;支持多路以太网接口,扩展支持10G以太网,可实现雷达原始数据实时采集;处理器内置强大的Cadence Tensilica Vision P6 DSP集成领瞳科技自研的雷达信号处理算法,支持开放的雷达数据(ADC、RAD、点云、目标)接口。

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领瞳科技中央计算4D雷达系统

黑芝麻智能首席市场营销官杨宇欣表示:“领瞳科技采用黑芝麻智能高性能的华山二号A1000芯片内置强大的DSP并行处理能力,助力4D毫米波雷达从边缘计算向中央计算时代迈进,赋能客户数据驱动提升雷达性能,大幅降低智能驾驶雷达系统成本。黑芝麻智能作为智能汽车计算芯片引领者,赋能智慧出行,进一步推动中国智能驾驶领域的发展。

华山二号A1000内置5颗Cadence Tensilica Vision P6 DSP,每颗DSP运算速度高达800MHz,在处理大量的摄像头数据的同时,通常会空闲2颗以上Vision P6 DSP。领瞳科技充分利用这两颗内置DSP,利用其强大的并行处理能力,实现FFT,CFAR等信号的实时处理。以双级联4D毫米波雷达原始数据输入为例,在不影响处理器主要算力处理多路摄像头数据的基础上,Vision P6 DSP处理每帧雷达原始数据的运算时间实时可以达到小于30ms,轻松实现雷达每秒处理超过30帧的能力,实现点云输出每秒30帧以上,性能远超目前市场上4D雷达输出仅20帧或以下的点云输出能力。30帧的输出达到和目前摄像头输出一样的帧率,完全可以实现摄像头和雷达的帧同步。自动驾驶系统可以像使用传统4D雷达来访问点云或目标数据,同时自动驾驶系统可以轻松访问雷达的原始数据和RAD张量数据等,实现进一步的深度学习算法;更进一步的,自动驾驶系统可以实现雷达和摄像头的数据融合和深度学习。雷达原始数据从边缘计算向中央计算迈进,为自动驾驶系统打开了雷达数据驱动雷达性能迭代的大门,也为客户标准化天线和毫米波雷达传感器奠定了基础。

Cadence Tensilica Vision, RLC与 AI DSP产品市场总监Amol Borkar表示:“Cadence Tensilica Vision P6 DSP是自动驾驶领域中用途最广泛的DSP之一。我们与领瞳科技合作,其先进的雷达算法,特别是其重要的1D FFT、2D FFT算法集成在内置Vision P6 DSP的黑芝麻智能高性能华山二号A1000芯片上表现出了极大的性能提升。我们也希望继续和领瞳科技深入合作将他们先进的雷达算法移植于其他Tensilica DSP上。”

领瞳科技波导4D雷达中央计算系统支持一颗双级联或四级联4D毫米波雷达,雷达原始数据输出,Serdes接口支持6Gbps带宽;同时支持4颗4D角雷达,雷达原始数据或1D FFT数据输出,Serdes接口支持3Gbps带宽或1G以太网接口可选。波导4D雷达中央计算系统还可以支持多款ADAS域控制器和中央计算平台,比如客户自研或第三方开发的ADAS域控制平台,也可以支持其他SOC系统平台,可以移植集成领瞳科技先进的雷达算法和软件。

领瞳科技Jupitar波导4D毫米波雷达为业内首款波导双级联4D毫米波雷达,支持原始ADC数据输出,输出带宽达6Gbps;支持多款SoC处理器运行雷达算法和功能;超过300m的探测距离和更优异的检测性能;功耗低于5W;底噪接近雷达芯片的噪声;量产成本更低;该雷达接口非常简单,只有唯一的FAKRA接口,便于安装和接口标准化;重量更轻,便于车辆的轻量化;尺寸 110 x 88 x 16mm,16mm厚度可以说是目前含波导天线的雷达产品能达到的业内最小厚度的水平。其优越的性能还体现在输出帧率上,最大50帧雷达原始数据的输出能力,远超目前市场上4D毫米波雷达点云输出只有20帧及以下的水平。

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领瞳科技Jupitar波导4D毫米波雷达正面立体图

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领瞳科技Jupitar 波导4D毫米波前向雷达背面立体图

领瞳科技创始人兼CEO张龙兵表示:“领瞳科技从成立之初即定位聚焦波导天线技术和中央计算雷达算法重构,经过多项技术攻关,领瞳科技自研的雷达算法和软件在黑芝麻智能华山二号A1000芯片内置强大的Cadence Tensilica Vision P6 DSP的移植突破,将引领4D毫米波雷达进入波导和中央计算新时代。”

瞳科技创始团队曾在伟世通、安波福、哈曼等负责硬件和系统研发,在汽车领域拥有超过二十年的行业经验。核心团队曾在国内外知名企业一起共事,掌握从零到一的正向研发经验,同时满足国际化标准的大规模生产制造经验。此外,团队还在本土上市公司负责汽车自动驾驶传感器和域控制器产品的研发,具备系统的传感器产品和创新产品的开发和重构经验,所负责的产品已大批量供货国内主流客户。目前,领瞳科技积极展开和国际客户的合作,所开发的创新产品赢得欧洲某豪华品牌客户的认可,已顺利进入下一阶段的产品开发。

领瞳科技从成立之初就开始围绕4D毫米波雷达的难点和痛点进行了深度布局。领瞳科技经过多项技术攻关,完成波导天线设计、仿真、模具和工艺的全流程验证,中央计算先进雷达算法重构,系统的优化并解决了雷达原始数据传输带宽问题以及数据传输和处理过程中的时延难点。

领瞳科技是一家创新型科技初创公司,致力于成为智能感知系统技术引领者。为客户提供全栈的波导4D雷达中央计算系统解决方案,产品包括:波导天线、波导4D毫米波雷达、中央计算平台、先进的雷达算法和软件,赋能客户数据驱动提升雷达感知性能。

稿源:美通社

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为了满足不断增长的市场需求,盛密科技经过技术人员的不懈努力,现发布7系列新款耐高温环境硫化氢气体传感器:7H2S-100HT。

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响应曲线

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上图是10只7H2S-100HT传感器对100ppm的H2S气体的响应曲线,可以看出传感器基线稳定,曲线光滑,灵敏度高,响应快。 

分辨率

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上表是10只7H2S-100HT传感器的测试结果,2倍标准偏差的分辨率均≤15ppb。

线性

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上图是10只7H2S-100HT传感器通入空气、20ppm、40ppm、60ppm、80ppm、100ppm的H2S气体的响应曲线,线性判决系数R²=0.9997。

重复性 

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上表是10只7H2S-100HT传感器分别6次通入50ppm的H2S气体的响应,6次的相对标准偏差RSD均 < 2%。

暴露测试

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上图是10只7H2S-100HT传感器在100ppm的H2S气体中通气30分钟。

输出信号的平均变化率<4%。

高温满量程长时间测试

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上图是10只7H2S-100HT传感器在65℃的高温下,通入100ppm的H2S气体30分钟,输出信号的平均变化率<5%。相较于传统硫化氢工作温度上限仅50℃, 本款硫化氢传感器采用了盛密科技最新的电化学电解液体系,工作温度上限突破性的达到了65℃,且在此高温下长时间有如此稳定的信号输出,非常适合在沙漠等极端恶劣环境中使用。

交叉干扰

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上表可以看出二氧化硫、二氧化氮、氯气对 7H2S-100HT传感器有较大的干扰,氨气对 7H2S-100HT传感器有一定干扰,其他气体无干扰。

总结

7系列新款耐高温环境硫化氢气体传感器(7H2S-100HT)已具备:

亮点1:工作温度上限突破性地达到了65℃,传统电化学传感器工作温度上限仅50℃;

亮点2:受湿度的影响比传统款更小,极端湿度情况下能保持不错的性能。

来源:欣密传感器系统

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中科蓝卓公司经过长时间的自主研发和不断创新,于2023年11月发布了V 3.0版本完全符合并优于TJ/GW176-2023标准的桥梁限高设施监测传感器。该传感器具备卓越的功能和性能,支持高精度测量、实时监测、远程连接、报警提示等功能,具备良好的耐用性和稳定性,能够在各种环境条件下正常工作,将在桥梁限高设施监测中发挥重要作用。

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公司研发团队投入了大量的精力和资源,通过分析行业需求和技术趋势,研发设计出了该智能化、便捷式的智能传感设备,为用户提供了精准、可靠的数据信息。与此同时,我们引进了先进的生产设备和工艺,优化了生产流程,使得我们能够迅速、高效地生产,目前已经具备了月产千余套的批量化生产能力,以满足市场应用需求。

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该传感器的发布,意味着中科蓝卓在细分市场领域无论从指标表现、还是生产能力方面,均处于行业领先位置。中科蓝卓公司也将秉承科技保安全的理念,不断研发新产品、优化升级生产能力,为国产化安防领域贡献力量。

来源:中科蓝卓订阅号

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 [2023年12月13日] – 高功率半导体激光元器件及原材料、激光光学元器件、光子技术应用解决方案的全球供应商——炬光科技发布了两款小型化高功率半导体激光器叠阵:GS09和GA03。

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炬光科技小型化高功率半导体激光器叠阵:GS09(上)和GA03(下)

高功率半导体激光器的出现可追溯至20世纪60年代,最初主要应用于通信和传感领域,其功率水平相对较低。直至上世纪80年代和90年代,高功率半导体激光器输出功率逐渐提升,并显现出更多领域的应用潜力。进入21世纪后,高功率半导体激光器在技术上持续创新,目前高功率半导体激光器已具备高输出功率、出色的热管理能力和卓越的可靠性等特点,在工业材料加工领域、固体激光器泵浦以及科研领域得到广泛应用。

固体激光器泵浦作为高功率半导体激光器的重要应用方向之一,通过将高功率半导体激光器与固体激光介质结合,实现强大而可控的激光输出。近年来随着固体激光器领域的不断发展,越来越多的新应用逐渐涌现。例如使用Nd:YAG作为激光晶体,能够实现高功率1064nm激光(CW或QCW模式)的输出,最终应用于材料精密加工、硬质材料切割(比如钻石切割,倍频532nm)、表面处理、泛半导体制程等先进制造领域。通过使用Ho/Tm/Er:YAG晶体或陶瓷,可以获得1.4~3 μm波长范围的“人眼安全”激光,在激光雷达测距、通信、3D成像或门控成像领域有十分广泛的应用前景,其中2µm波长范围的激光还可被应用于多种聚合物(如高分子塑料)的局部加热与精确切割、界面焊接等。此外,水分子在2µm附近也具有非常高的光吸收率,因此这一波长范围的激光在医疗领域(如泌尿外科手术中的组织切割,止血,结石粉碎等)也有着非常重要的应用。

随着半导体芯片技术的提升以及下游应用的不断拓展,应用于固体激光器泵浦的高功率半导体激光器正朝着小型化方向迅速发展。小型化作为重要发展趋势,涉及多个方面的技术创新和优化。炬光科技新品高功率半导体激光器叠阵GS09和GA03依托炬光科技的共晶键合、界面材料与表面工程、热管理等核心技术,实现了集成技术的进步、设计效率的提高、热管理能力的升级以及产品可靠性和寿命的提升。

GS09和GA03采用紧凑的结构设计、先进的材料、行业领先的共晶键合工艺,在降低激光器叠阵热阻的同时,确保产品可靠性,非常适合固体激光器泵浦应用,客户可实现在相同输出条件下设计制造更小尺寸的产品,或在相似尺寸下实现更大的功率输出。这一优势不仅方便客户进行产品和系统集成,还能进一步帮助客户降低成本,为诸多中下游应用领域提供更为小型化、更高效的光子应用解决方案。

产品特点

• 小型化设计,结构更紧凑

GS09把芯片间距从前代产品的0.73mm缩小到0.43mm显著降低了叠阵发光区宽度。同时叠阵中的芯片数量可拓展到10bar,实现最高1000W的峰值功率输出。

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GS09产品规格

GA03在前代产品的基础上将整体宽度从18.2mm大幅降低到7.45mm,并保持相同的单巴输出功率约为200W,产品芯片数量可以横向纵向拓展到3x10阵列(30bar),实现最高6000W的激光器峰值输出。

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GA03产品规格

• 热管理能力升级,提升产品寿命

GA03通过传导结构的优化设计,使芯片产生的热量更高效地从热沉传导至冷却水通道,实现更有效的热交换,确保在更紧凑的尺寸下仍能保持相同的输出功率,同时提升了产品的寿命。

截至目前,两款产品持续寿命测试均已达到10^9 脉冲数。

• 定制灵活,应用广泛

这两款产品均具有良好的扩展性,能够根据客户需求灵活定制巴条数量和输出功率,同时可以根据客户应用场景进行不同组合与搭配,广泛适用于各类应用领域。

GA03早前已成功应用于固体激光器(DPSSL)的高功率半导体激光侧泵模块SP系列。SP18作为其典型产品使用5个1 x 5bar结构,实现了高达5000W的峰值泵浦功率输出,同时具有30倍的小信号增益和良好的荧光分布均匀性(>90%)。其核心指标达到世界领先水平,并因此获得LFW Innovator Awards 2023年度创新奖。

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获得LFW Innovator Awards 2023年度创新奖的产品SP17和SP18(上图)、SP17/SP18使用的五相泵浦结构(下图)

目前GS09和GA03两款产品均已实现小批量生产,且可承接客户样品及小批量订单。

炬光科技自成立以来,始终专注光子技术基础元器件及相关应用产品的研究和开发,积极拓展创新应用领域。公司自主研发高功率半导体激光和激光光学领域核心技术和产品,拥有经验丰富的技术研发团队,现已形成共晶键合技术、热管理技术、热应力控制技术、界面材料与表面工程、测试分析诊断技术、线光斑整形技术、光束转换技术、光场匀化技术和晶圆级同步结构化激光光学制造技术九大类核心技术。自2012年起,炬光科技持续推出高功率传导冷却叠阵GS系列产品。本次发布的产品GS09和GA03在上一代产品基础上进行了迭代升级,其小型化、热管理能力、可靠性等关键指标均达到了国内领先水平。炬光科技充分利用核心技术,成功开发出一系列高功率、高可靠性传导冷却叠阵产品,并不断探索创新,致力于为客户提供更灵活高效的定制方案。

炬光科技坚持通过技术创新、卓越制造和快速响应,为成为全球可信赖的光子应用解决方案提供商而不断努力。

关于炬光科技

炬光科技为国家级高新技术企业,成立于2007年9月,主要从事光子产业链上游的高功率半导体激光元器件和原材料(“产生光子”)、激光光学元器件(“调控光子”)的研发、生产和销售,目前正在积极拓展光子产业链中游的光子应用模块、模组、子系统(“提供光子应用解决方案”)业务,重点布局汽车应用、泛半导体制程、医疗健康。目前炬光科技在中国西安、东莞、海宁,德国多特蒙德拥有生产基地和核心技术团队,并已通过ISO 14001、ISO 45001、ISO 9001和IATF 16949等质量管理体系认证。2017年炬光科技成功收购了在全球微光学领域技术领先的LIMO GmbH,并于2022年1月完成全球品牌统一化。2021年12月,炬光科技成功上市上交所科创板(股票代码:688167)。更多信息请关注www.focuslight.com

来源:炬光科技

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全球电源产品领先企业LITEON(光宝科技)旗下的Power Innovations International(Pii)选择络明芯微电子(Lumissil)的GreenPHY芯片—IS32CG5317,用于其扩展中的电动汽车充电产品。Pii的汽车充电解决方案包括:30~180 kW的一体化充电桩,以及60 kW移动式直流充电桩。

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络明芯的IS32CG5317是GreenPHY芯片(调制解调Modem),其设计、生产、封测遵循严苛的车规要求。目前,该芯片已经量产,同时向市场提供AEC-Q100 grade 2车规级和工规级芯片。该芯片符合HomePlug GreenPHY和ISO/IEC 15118 规范,内置其它同类芯片不具备的高级诊断信息,方便电动汽车用户使用。

Pii 提供的电动汽车的充电系列产品,可以无缝对接几乎所有的电力系统,因为其在单一产品中就集成了宽范围电压输入能力:可支持单相交流240Vac、三相交流208和240Vac、以及三相交流Wye(星型)结构的480Vac。Pii的充电器可以接收不同电压输入,同时不会影响充电功率性能。此外,Pii充电器可以连接光宝的可叠加式充电模块,进一步保证充电过程的连续和稳定。

“我们为Power Innovations International选择IS32CG5317来开发他们的新型充电产品感到自豪。Pii以其高品质产品而闻名,所以他们很自然的会选择我们的GreenPHY芯片.“ 络明芯互联产品部门总经理Nadav Katsir表示。

“Pii感谢络明芯提供的支持和专业知识,” Power Innovations International市场和产品总监 Nick Stone说道,“随着我们在电动汽车充电产品方面的不断扩展,我们期待与Lumissil更加密切的合作,并将他们的芯片集成到我们的设计中。”

关于络明芯

络明芯是隶属于北京君正集团旗下模拟互联信号产品部门,产品主要应用用于(1)汽车;(2)通信;(3)工业、医疗;(4)数码产品等市场。主要产品是用于中低功率的RGB混色和高功率照明应用的LED驱动器。其他产品包括音频、传感器、高速有线通信、光网络集成电路芯片和特定应用的微控制器。全球办事处分布在中国、中国香港、中国台湾、美国、日本、新加坡、欧洲、印度和韩国。更多资料请关注我们的官网:http://www.lumissil.com.cn

来源:Lumissil络明芯微电子

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络明芯近日正式发布汽车级的SBC芯片(即:System Basis Chip系统基础芯片):集成了LDO和LIN收发器的IS32IO1028, 以及集成了LDO和CAN FD收发器的 IS32IO1163,为汽车和工业网络应用提供了低成本的单芯片集成方案。

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IS32IO1028是一款LIN SBC,内置LIN收发器,符合LIN 2.0/2.1/2.2/2.2A/J2602标准,工作电压范围:5~40V。该芯片集成了LDO以及LIN收发器。LDO输出电压可选3.3V或5V,最大输出电流为100mA;内置LIN收发器具有很强的ESD保护能力和抗电磁辐射能力。芯片支持高达20kBaud的数据速率,22µA超低睡眠电流,70µA待机电流,80µsec的业内最快远程唤醒时间。此外,该芯片还具有自动过温关断功能等安全特性。IS32IO1028工作温度范围-40℃~+105℃,符合AEC-Q100 Grade 2等级。

IS32IO1163是一款CAN SBC,支持CAN FD,符合CAN 2.0 A/B/FD/ISO 11898-2/5/6标准,工作电压范围为6.3V~32V。芯片集成了LDO及CAN收发器;LDO输出电压为5V,可为MCU、传感器或执行器等外部负载提供高达100mA的电流。CAN收发器具有很强的ESD保护能力和抗电磁辐射能力;芯片支持ISO 11898-6中规定的低功耗模式,并具有本地/远程唤醒功能。其中IS32IO1163A兼容5V I/O电平,而IS32IO1163B兼容3.3V IO电平。芯片中的CAN FD支持最高5Mbps的数据速率。IS32IO1163工作温度范围 -40℃~+105℃,符合AEC-Q100 Grade 2等级。

络明芯全球市场副总裁 Ven Shan 表示:“络明芯推出首款LIN SBC和CAN FD SBC芯片 ,能够为车载网络提供稳健可靠通讯解决方案。随着汽车电子日益复杂化、智能化需求的不断增长,我们相信这两款新的SBC芯片会给客户带来更大的价值,帮助他们更好的实现各ECU单元和子系统之间的通讯。”

IS32IO1028和IS32IO1163均通过AEC-Q100 grade 2认证,并可大规模生产。IS32IO1028提供SOP-8 (4.9mm x 6.0mm)和DFN-8 (3mm x 3mm)两种封装形式。IS32IO1163提供TSSOP-14 (5.0mm x 6.4mm)和DFN-14 (4.5mm x 3mm)两种封装形式。

关于络明芯

络明芯是隶属于北京君正集团旗下模拟互联信号产品部门,产品主要应用用于(1)汽车;(2)通信;(3)工业、医疗;(4)数码产品等市场。主要产品是用于中低功率的RGB混色和高功率照明应用的LED驱动器。其他产品包括音频、传感器、高速有线通信、光网络集成电路芯片和特定应用的微控制器。全球办事处分布在中国、中国香港、中国台湾、美国、日本、新加坡、欧洲、印度和韩国。更多资料请关注我们的官网:http://www.lumissil.com.cn

来源:Lumissil络明芯微电子

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许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000 V3300 V交流电压的中压变频器(MVD)与交通运输应用的格局。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益,包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆(CAV)。

配图:XHP3_IGBT.jpeg

XHP3_IGBT

XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块,以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对组合有助于在不降低效率的情况下简化并联并且缩小尺寸。以前,并联开关模块需要复杂的母线,令设计工作变得复杂且会增加电感。XHP系列采用了创新的设计,通过将模块并排放置简化了并联操作,这也使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。

4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管,而使用新器件的设计只需要两个半桥开关和一个更小的半桥二极管,这对驱动的集成化是一个重大的进步。

FF450R45T3E4_B5双开关与DD450S45T3E4_B5双二极管的组合可显著节省成本并缩小占板面积。例如,英飞凌过去的IGBT解决方案需要四个140 x 190 mm²140 x 130 mm²开关以及一个140 x 130 mm²双二极管。而全新的XHP系列产品能够将所需的元器件数量减少到两个140 x 100 mm² 双开关和一个更小的140 x 100 mm² 双二极管。

供货情况

两种型号的IGBT模块FF450R45T3E4_B5 和 DD450S45T3E4_B5现已上市。如需了解更多信息,请访问www.infineon.com/XHP

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工2023财年截至930的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。

更多信息请访问www.infineon.com

更多新闻请登录英飞凌新闻中心https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自199510月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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摘要:

根据应用场景不同,半导体器件通常可以分为4大类:消费类电子、工业级电子、汽车电子、军工产品。目前市场上消费类电子及工业级电子以铜线或镀钯铜线、金钯铜线为主,汽车电子仍以金线为主。随着汽车市场的复苏尤其是新能源车市场的火热,对电子元器件的需求量也是与日俱增,对其可靠性要求也是越来越高。

所谓“车规级元器件”需要通过AEC-Q认证,例如AEC-Q100适用于IC产品,AEC-Q101适用于分立器件,AEC-Q102适用于光电子器件等。其中,AEC-Q100 又包含4个等级,G0最高,G3最低,以下表中列出了不同等级对应的具体可靠性项目及条件:

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表1. AVR181: Automotive Grade 0 - PCB and Assembly Recommendations

随着汽车电子器件对高可靠性的需求,相应对其内部的封装材料也提出了更高的要求。在此,我们就高可靠性金线的特性做一些分享,看其是如何满足高可靠性器件的需求。

在介绍产品前,我们先来了解一些金线的关键特性,其中一个非常关键的特性就是热影响区。

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图1. 金线的关键特性描述

热影响区,以下简称HAZ:在烧球的过程中高温会熔化金线形成FAB,在这一过程中热会沿着线的方向传导,使靠近FAB区域的这段金线的晶粒结构发生变化,变得粗大,线变软。这部分区域即为HAZ,长度通常在几十到几百微米。HAZ是金线非常重要的一个特性,它直接影响线材的线弧能力,通常HAZ越短的金线可以做的线弧高度更低,适合低弧、长弧应用。

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图2. 热影响区的描述

从线材角度来讲,不同掺杂类型和含量会影响HAZ的长度。

为何掺杂类型会影响HAZ的形成呢?主要原因是不同掺杂元素的再结晶温度不同,例如Ca掺杂会使球颈部的再结晶温度大于300°C以上。因此,即使是4N金线,由于掺杂类型的不同会存在不同长度的HAZ。

以下表2中列出了HET部分金线型号HAZ的长度。通过以下数据可以看出,在不同FAB尺寸的条件下HAZ长度会略有差异,通常FAB尺寸大,HAZ会更长一些,其主要原因是在烧大球时,FAB需要更大的热量来融化线材,大热量会使球颈部变化更显著,会增加HAZ的长度。所以,如果在WB过程中出现了球颈部裂纹的问题,可以考虑适当减小烧球参数来改善颈部的强度。

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表2. 不同型号的金线HAZ长度对比

第一焊点:它的外形、硬度、合金元素等会影响与Pad表面的结合情况,尤其影响可靠性。

以下表3中是常用线材与Al Pad结合后的可靠性表现,其中Au/Al IMC生长速率较快,这主要取决于材料的原子价态、原子半径、扩散率等因素。如果一种原子比另外一种扩散的更快,它将在后面留下空缺,这些空缺聚集在一起就形成了柯肯达尔空洞,此类空洞连接到一起就会使球脱落,导致产品开路失效。

图3所示 Au/Al 150℃存储1000小时后IMC层照片,所以如果希望提升金线高温存储的能力,就需要延缓Au/Al IMC生长的速率。

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表3. 不同材料与Al 结合后的可靠性表现

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图3. Au与Al IMC形成柯肯达尔空洞(150℃/1000h)

针对这种情况,HET有一款很好的产品推荐给客户,产品名称:

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化学成份

金含量:99%

产品基本特征描述:

  • 出色的第一焊点可靠性。

  • 无卤,适合框架类和基板类产品的应用。

  • FAB软,同轴度较好,特别适合小间距产品。

  • 细线强度高,适合于降低线径的项目。

我们从FAB硬度、第一焊点球形、第二焊点工艺窗口、高温存储的能力等方面来全面了解一下这款金线。

FAB硬度:RelMax 会比同类型的金线软,对Pad冲击力更小,会有力的保护Pad不受损伤。

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图4. FAB硬度对比(15μm线径,25μm FAB)

第一焊点球形:RelMax同轴度会更好,不容易出现偏心球等异常,特别适合Pad开窗比较小的产品应用。

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图5. 球形同轴度对比

第二焊点工艺窗口:RelMax的工艺窗口明显更大,这里的FP2为HET另外一款2N金线,其硬度较高,导致第二焊点工艺窗口较小。

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图6. 第二焊点工艺窗口对比(1mil金线,BGA)

高温存储可靠性:高温存储后进行拉力测试,测试部位为球颈部,结果显示0.8mil 175℃ 10000h没有出现球脱落的情况;另外一组0.6mil 200℃ 5000h同样没有问题。

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图7. 拉力测试(0.8mil,BGA 1μm AlSi1%Cu0.5% Pad)

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图8. 175℃存储1000h IMC

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图9. 拉力测试(0.6mil,BGA 1μm AlSi1%Cu0.5% Pad)

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图10. 相对稳定的IMC,5000h只有轻微空洞

RelMax金线为何能提高可靠性?主要是其掺杂中富含Pd元素,在高温存储阶段,随时间的推移会形成Pd阻碍层,延缓Au /Al之间的扩散速率,抑制了Au向Au/Al IMC层继续扩散,从而提升了高温存储的能力。参考以下EPMA的分析结果,可以清楚的看到Pd层分布在Au与AuAl化合物中间。

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图11. EPMA分析,检测到Pd层的分布

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图12. Pd阻碍层作用(示意图)

总结:在什么样的应用条件下可以选RelMax

  • 小间距/超小间距的高可靠性产品应用

  • 需要降低线径同时兼顾高可靠性的产品。

  • Low K 和芯片敏感的产品应用。

  • 适合4N金线转换2N金线的项目。

  • 改善2N金线的MTBA。

目前这款产品已经在业界稳定量产使用,欢迎大家咨询。贺利氏电子依托其强大的研发实力及持续不断的研发投入,定会为广大客户提供更加卓越的键合线产品,助力传统封装持续发展!

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作者:Noel Tenorio,产品应用工程师

摘要

电压监控器通过监控电源,在电源发生故障时将微控制器置于复位模式,可防止系统出现错误和故障,从而提高基于微控制器系统的可靠性。然而,噪声、电压毛刺和瞬变等电源缺陷都可能会导致误复位问题,从而影响系统行为。本文介绍电压监控器如何解决可能触发误复位的因素,以提高系统性能和可靠性。

简介

对于需要使用现场可编程门阵列(FPGA)、微处理器、数字信号处理器和微控制器进行数据计算和处理的应用,都必须确保各器件能够安全可靠地运行。由于这些器件只能在一定的电源容差范围内运行,因此对电源的要求很高。1电压监控器可用于保持系统稳定可靠运行。当电源出现意外故障(例如欠压或过压)时,电压监控器可立即触发操作,将系统置于重置模式。然而,它在监控电源轨中的电压时也会面对一些干扰因素,这可能会触发不必要的误复位输出。这些干扰包括电源噪声、电压瞬变和可能来自电源电路本身的毛刺。

本文将讨论电压监控器中有助于解决这些电源噪声、电压瞬变和毛刺问题的不同参数。此外还将讨论这些参数在监控电源时如何提高电压监控器的可靠性,以提高系统在应用中的可靠性。

系统中的电源噪声、电压瞬变和毛刺

电源本身存在缺陷。直流电路中始终存在耦合的噪声伪影,这些伪影可能来自电源电路元件本身、其他电源的噪声以及系统产生的其他噪声。如果直流电源是开关电源(SMPS),这些问题可能会更严重。SMPS会产生与开关频率相关的开关纹波。在开关转换期间还会发生高频开关瞬变。这些开关转换操作是功率MOSFET的快速导通关断引起的。图1所示为应用电路,其中MAX705监控器用于监控开关稳压器的输出(即微控制器的电压源)是否存在任何问题。

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1.MAX705监控器用于监控开关稳压器输出,这也是微控制器的输入电压源。

除了稳态运行噪声伪影外,电源中还存在电压瞬变更为明显的情况。在启动过程中,通常会观察到与电源反馈环路响应相关的电压输出过冲,随后会出现一段时间的电压振铃,直至电压稳定。如果未对反馈环路补偿值进行优化,这种振铃可能会更严重。在瞬态或动态负载期间也可以观察到电压过冲和欠冲。在具体应用中,有时负载需要更多电流来执行复杂的过程,从而导致电压欠冲。另一方面,立即或以快速斜坡速率减少负载将会导致电压过冲。由于外部因素,电源也可能出现短时电压毛刺。图2显示在不同场景下,电源电压可能出现不同的电压瞬变和毛刺。

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2.针对不同场景下的电源电压可观察到的电压瞬变和毛刺。

系统中还可能会出现与电源电压无关的电压瞬变,例如在某些应用的机械开关或导电卡等用户界面发生瞬变。打开和关闭开关会在输入引脚(通常是手动复位引脚)上产生电压瞬变和噪声。所有这些因素(电源噪声、电压瞬变和毛刺)都可能无意中达到监控器的欠压或过压阈值,如果设计中没有充分考虑这种可能性,也会触发误复位。这可能会导致振荡和不稳定,不利于系统保持稳定可靠。

电压监控器如何解决噪声和瞬变问题,防止系统出现误复位?通过一些参数,可以帮助屏蔽与电源或监控电压相关的瞬变。这些参数包括复位超时周期、复位阈值迟滞以及复位阈值过驱与持续时间的变化关系。同时,对于与电路中的机械触点相关的瞬变,例如手动复位引脚中的按钮开关,利用手动复位设置周期和去抖时间也可屏蔽瞬变。这些参数能够使电压监控器更稳健,不受瞬变和毛刺的影响,从而防止系统出现不良响应。

复位超时周期(tRP)

在启动期间或电源电压因欠压事件而上升并超过阈值时,复位信号在无效之前有一段额外的时间,称为复位超时周期(tRP)2例如,图3显示,受监控的电压(本例中为标记为VCC的电源电压)从欠压或启动状态达到阈值之后,在低电平有效复位高电平无效之前存在额外延迟。这段额外的时间能够让监控电压先稳定下来,并在启用系统或使其退出复位模式之前屏蔽过冲和振铃。复位超时周期可抑制系统误复位,防止出现振荡和潜在故障,从而有助于提高系统的可靠性。

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3.复位超时周期(tRP)有助于在电源电压稳定时使系统保持复位模式。

阈值迟滞(VTH+)

阈值迟滞主要有两个好处。首先,它可以确保监控电压在解除复位之前具有足够的余量超过阈值电平。其次,它能够让电源在解除复位之前先稳定下来。当处理具有叠加噪声的信号时,随着电源波动并重新跨越阈值区域,复位输出有可能会进行多次转换。如图4.3所示,在工业环境等应用中,随时可能出现噪声信号和电压波动。如果没有阈值迟滞,复位输出信号将会在置位和解除置位之间连续切换,直到电源稳定为止。这会使系统陷入振荡。阈值迟滞通过使系统保持复位来消除振荡,可防止系统出现图4中蓝色阴影区域所示的不良行为。这有助于监控器保护系统,避免触发误复位。

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4.未设定阈值迟滞和设定阈值迟滞的RESET输出响应(未显示复位超时周期,以重点关注迟滞的影响)。

复位阈值过驱与持续时间

任何系统中都可能出现短期或长期由外部因素引起的电压毛刺。还可能具有不同幅度的电压突降。复位阈值过驱与瞬变持续时间的变化关系与电压毛刺或过驱的幅度和持续时间有关。幅度较大的短时毛刺不会触发复位信号置位,而幅度较小且持续时间较长的过驱将触发复位,如图5所示。

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5.幅度较小但持续时间较长的毛刺将触发复位信号,而幅度较大的短时毛刺则不会触发复位信号。

根据毛刺持续时间,受监控电源中的某些电压瞬变将会忽略。忽略这些瞬变将会保护系统免受干扰复位的影响,例如由短期毛刺引起的复位。这些毛刺可能会误触发系统复位,从而导致系统出现不良行为。在产品数据手册中,复位阈值过驱与持续时间的关系通常以一个典型性能特性图的形式呈现,如图6所示。曲线上方的任何值都将触发复位输出,而曲线内的值将会忽略,以防止系统误复位。

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6.复位信号是否置位将取决于过驱的幅度及其持续时间。

手动复位设置周期(tMR)和去抖时间(tDB)

复位超时周期、阈值过驱与持续时间的关系以及阈值迟滞可解决与受监控电压(通常是系统微控制器的电源)相关的电压毛刺和瞬变问题。对于开关等机械触点带来的毛刺,手动复位设置周期和去抖时间有助于减轻电压瞬变和毛刺可能产生的影响。

手动复位设置周期(tMR)是手动复位在触发复位输出之前保持并完成所需的时间。一些监控器具有较长的手动复位设置周期,以增强对系统的保护。这些在消费电子产品中很常见,必需按住按钮几秒钟才能重置系统。这种方法可避免意外和无意中重置,从而增强保护并提高可靠性。在手动复位设置期间,按下开关时产生的所有短时瞬变和毛刺都会被忽略,如图7a所示,从而帮助系统免受毛刺影响。

去抖时间也是同样的逻辑。与建立周期一样,去抖时间(tDB)会忽略打开或关闭开关时的高频周期性电压瞬变。这些高频瞬变将视为无效,不会触发复位,如图7b所示。当信号超过去抖时间时,即认为这是来自开关或按钮的有效输入信号。

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7.具有较长手动复位设置周期的监控器(MAX6444)的手动复位设置周期和去抖时间图:(a)在复位信号有效之前,需要首先完成手动复位建立周期(tMR)(b)要视为有效输入信号,需要完成去抖时间(tDB)

结论

如果没有电压监控器,系统在电压瞬变和毛刺期间就会面临断电和发生故障的风险。在这些情况下,电压监控器通过将处理器置于复位模式来解决问题。上面讨论的所有参数(包括复位超时周期、阈值迟滞、阈值过驱、手动复位设置周期和去抖时间)有助于电压监控器免受故障和瞬变的影响,从而增强其监控电源电压的可靠性。因此,能够确保整体系统性能稳定可靠。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司,致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁,以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案,推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展,应对气候变化挑战,并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2023财年收入超过120亿美元,全球员工约2.6万人。携手全球12.5万家客户,ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息,请访问www.analog.com/cn

关于作者

Noel TenorioADI菲律宾公司的产品应用工程师,主要负责高性能监控产品。他于20168月加入ADI公司。在加入ADI公司之前,他在一家开关模式电源研发公司作为设计工程师工作了六年。他拥有菲律宾八打雁国立大学电子与通信工程学士学位、电力电子专业电气工程研究生学位,以及玛普阿大学电子工程理学硕士学位。

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12月22日,科创板上市公司格科微(688728.sh)成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式,及2023年产品推介会暨CEO交流会。

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图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式

以让世界看见中国的创新为使命,格科微经过二十年的发展,成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型,迎来了历史最佳的经营局面。值此良机,格科微高端产品再传佳讯,公司推出三款全新单芯片高阶产品,为未来加速核心技术产品化,迈向崭新的发展阶段奠定了基础。

整个活动,政府领导、银行代表、合作伙伴以及格科微的股东、投资人、媒体等超五百人共聚临港大本营,共同见证了格科微二十年来的成长历程,共同启航迎接新的征程。

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图2 格科微董事长兼首席执行官赵立新

格科微董事长兼首席执行官赵立新在二十周年庆典活动上表示,公司自2003年创立以来,一直致力于在中国这片热土上推动改变世界的创新,为了突破高端图像传感器工艺的知识产权垄断和制造壁垒,公司决定自建工厂。历经三年,在政府领导的大力支持和协助下,临港工厂终于成功落地,12英寸CIS集成电路特色工艺产线顺利开通,公司成功转型为Fab-lite模式。未来,临港工厂将聚焦前瞻性和突破性的创新,专注创新工艺的研发和生产具有特色的定制化产品,致力于更好地满足客户需求。同时,公司将以上海为基础,辐射长三角地区,积极参与半导体产业建设和投资,与上下游合作伙伴携手精诚合作,共同进步。

在下午的产品分享会上,格科微各业务线领导分别介绍了公司手机CIS产品线、数码CIS产品线以及显示驱动产品线的最新动态,带来了三款全新高像素产品——GC32E2、GC50E0和GC50B2。

其中,GC32E2是公司此前发布的GC32E1“升级版”,在单芯片高像素技术平台上搭载DAG HDR技术和AON低功耗技术,支持前摄相位自动对焦,也定位于主流旗舰手机前后摄;GC50E0,是公司推出的第一颗5000万像素产品,也是市场上首颗单芯片5000万像素产品;在推出0.7 μm的GC50E0的同时,格科微重磅推出1.0 μm大底的5000万像素产品—GC50B2,同样在单芯片基础上搭载专利DAG HDR技术,适用于中高端智能手机主摄。这三款产品的发布体现了公司研发的能力与效率,极大拓宽公司在高像素产品领域的市场空间。

赵立新在产品分享会上表示,公司在16M像素以下产品领域已经具有市场领先地位,并且此前推出的单芯片高像素产品 GC32E1赢得了客户的高度认可,而此次推出的三款单芯片高像素产品将助力公司进一步拓展中高端市场。赵立新还表示,当前公司正迎来成立20年来的最佳经营局面,Fabless向Fab-lite转型的战略目标已成功实现,未来格科微将以此为基,努力实现新战略,暨紧扣客户需求,推动核心技术产品化,跨越30亿美金收入台阶。

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