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作者:Noel Tenorio,产品应用工程师

摘要

电压监控器通过监控电源,在电源发生故障时将微控制器置于复位模式,可防止系统出现错误和故障,从而提高基于微控制器系统的可靠性。然而,噪声、电压毛刺和瞬变等电源缺陷都可能会导致误复位问题,从而影响系统行为。本文介绍电压监控器如何解决可能触发误复位的因素,以提高系统性能和可靠性。

简介

对于需要使用现场可编程门阵列(FPGA)、微处理器、数字信号处理器和微控制器进行数据计算和处理的应用,都必须确保各器件能够安全可靠地运行。由于这些器件只能在一定的电源容差范围内运行,因此对电源的要求很高。1电压监控器可用于保持系统稳定可靠运行。当电源出现意外故障(例如欠压或过压)时,电压监控器可立即触发操作,将系统置于重置模式。然而,它在监控电源轨中的电压时也会面对一些干扰因素,这可能会触发不必要的误复位输出。这些干扰包括电源噪声、电压瞬变和可能来自电源电路本身的毛刺。

本文将讨论电压监控器中有助于解决这些电源噪声、电压瞬变和毛刺问题的不同参数。此外还将讨论这些参数在监控电源时如何提高电压监控器的可靠性,以提高系统在应用中的可靠性。

系统中的电源噪声、电压瞬变和毛刺

电源本身存在缺陷。直流电路中始终存在耦合的噪声伪影,这些伪影可能来自电源电路元件本身、其他电源的噪声以及系统产生的其他噪声。如果直流电源是开关电源(SMPS),这些问题可能会更严重。SMPS会产生与开关频率相关的开关纹波。在开关转换期间还会发生高频开关瞬变。这些开关转换操作是功率MOSFET的快速导通关断引起的。图1所示为应用电路,其中MAX705监控器用于监控开关稳压器的输出(即微控制器的电压源)是否存在任何问题。

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1.MAX705监控器用于监控开关稳压器输出,这也是微控制器的输入电压源。

除了稳态运行噪声伪影外,电源中还存在电压瞬变更为明显的情况。在启动过程中,通常会观察到与电源反馈环路响应相关的电压输出过冲,随后会出现一段时间的电压振铃,直至电压稳定。如果未对反馈环路补偿值进行优化,这种振铃可能会更严重。在瞬态或动态负载期间也可以观察到电压过冲和欠冲。在具体应用中,有时负载需要更多电流来执行复杂的过程,从而导致电压欠冲。另一方面,立即或以快速斜坡速率减少负载将会导致电压过冲。由于外部因素,电源也可能出现短时电压毛刺。图2显示在不同场景下,电源电压可能出现不同的电压瞬变和毛刺。

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2.针对不同场景下的电源电压可观察到的电压瞬变和毛刺。

系统中还可能会出现与电源电压无关的电压瞬变,例如在某些应用的机械开关或导电卡等用户界面发生瞬变。打开和关闭开关会在输入引脚(通常是手动复位引脚)上产生电压瞬变和噪声。所有这些因素(电源噪声、电压瞬变和毛刺)都可能无意中达到监控器的欠压或过压阈值,如果设计中没有充分考虑这种可能性,也会触发误复位。这可能会导致振荡和不稳定,不利于系统保持稳定可靠。

电压监控器如何解决噪声和瞬变问题,防止系统出现误复位?通过一些参数,可以帮助屏蔽与电源或监控电压相关的瞬变。这些参数包括复位超时周期、复位阈值迟滞以及复位阈值过驱与持续时间的变化关系。同时,对于与电路中的机械触点相关的瞬变,例如手动复位引脚中的按钮开关,利用手动复位设置周期和去抖时间也可屏蔽瞬变。这些参数能够使电压监控器更稳健,不受瞬变和毛刺的影响,从而防止系统出现不良响应。

复位超时周期(tRP)

在启动期间或电源电压因欠压事件而上升并超过阈值时,复位信号在无效之前有一段额外的时间,称为复位超时周期(tRP)2例如,图3显示,受监控的电压(本例中为标记为VCC的电源电压)从欠压或启动状态达到阈值之后,在低电平有效复位高电平无效之前存在额外延迟。这段额外的时间能够让监控电压先稳定下来,并在启用系统或使其退出复位模式之前屏蔽过冲和振铃。复位超时周期可抑制系统误复位,防止出现振荡和潜在故障,从而有助于提高系统的可靠性。

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3.复位超时周期(tRP)有助于在电源电压稳定时使系统保持复位模式。

阈值迟滞(VTH+)

阈值迟滞主要有两个好处。首先,它可以确保监控电压在解除复位之前具有足够的余量超过阈值电平。其次,它能够让电源在解除复位之前先稳定下来。当处理具有叠加噪声的信号时,随着电源波动并重新跨越阈值区域,复位输出有可能会进行多次转换。如图4.3所示,在工业环境等应用中,随时可能出现噪声信号和电压波动。如果没有阈值迟滞,复位输出信号将会在置位和解除置位之间连续切换,直到电源稳定为止。这会使系统陷入振荡。阈值迟滞通过使系统保持复位来消除振荡,可防止系统出现图4中蓝色阴影区域所示的不良行为。这有助于监控器保护系统,避免触发误复位。

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4.未设定阈值迟滞和设定阈值迟滞的RESET输出响应(未显示复位超时周期,以重点关注迟滞的影响)。

复位阈值过驱与持续时间

任何系统中都可能出现短期或长期由外部因素引起的电压毛刺。还可能具有不同幅度的电压突降。复位阈值过驱与瞬变持续时间的变化关系与电压毛刺或过驱的幅度和持续时间有关。幅度较大的短时毛刺不会触发复位信号置位,而幅度较小且持续时间较长的过驱将触发复位,如图5所示。

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5.幅度较小但持续时间较长的毛刺将触发复位信号,而幅度较大的短时毛刺则不会触发复位信号。

根据毛刺持续时间,受监控电源中的某些电压瞬变将会忽略。忽略这些瞬变将会保护系统免受干扰复位的影响,例如由短期毛刺引起的复位。这些毛刺可能会误触发系统复位,从而导致系统出现不良行为。在产品数据手册中,复位阈值过驱与持续时间的关系通常以一个典型性能特性图的形式呈现,如图6所示。曲线上方的任何值都将触发复位输出,而曲线内的值将会忽略,以防止系统误复位。

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6.复位信号是否置位将取决于过驱的幅度及其持续时间。

手动复位设置周期(tMR)和去抖时间(tDB)

复位超时周期、阈值过驱与持续时间的关系以及阈值迟滞可解决与受监控电压(通常是系统微控制器的电源)相关的电压毛刺和瞬变问题。对于开关等机械触点带来的毛刺,手动复位设置周期和去抖时间有助于减轻电压瞬变和毛刺可能产生的影响。

手动复位设置周期(tMR)是手动复位在触发复位输出之前保持并完成所需的时间。一些监控器具有较长的手动复位设置周期,以增强对系统的保护。这些在消费电子产品中很常见,必需按住按钮几秒钟才能重置系统。这种方法可避免意外和无意中重置,从而增强保护并提高可靠性。在手动复位设置期间,按下开关时产生的所有短时瞬变和毛刺都会被忽略,如图7a所示,从而帮助系统免受毛刺影响。

去抖时间也是同样的逻辑。与建立周期一样,去抖时间(tDB)会忽略打开或关闭开关时的高频周期性电压瞬变。这些高频瞬变将视为无效,不会触发复位,如图7b所示。当信号超过去抖时间时,即认为这是来自开关或按钮的有效输入信号。

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7.具有较长手动复位设置周期的监控器(MAX6444)的手动复位设置周期和去抖时间图:(a)在复位信号有效之前,需要首先完成手动复位建立周期(tMR)(b)要视为有效输入信号,需要完成去抖时间(tDB)

结论

如果没有电压监控器,系统在电压瞬变和毛刺期间就会面临断电和发生故障的风险。在这些情况下,电压监控器通过将处理器置于复位模式来解决问题。上面讨论的所有参数(包括复位超时周期、阈值迟滞、阈值过驱、手动复位设置周期和去抖时间)有助于电压监控器免受故障和瞬变的影响,从而增强其监控电源电压的可靠性。因此,能够确保整体系统性能稳定可靠。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司,致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁,以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案,推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展,应对气候变化挑战,并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2023财年收入超过120亿美元,全球员工约2.6万人。携手全球12.5万家客户,ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息,请访问www.analog.com/cn

关于作者

Noel TenorioADI菲律宾公司的产品应用工程师,主要负责高性能监控产品。他于20168月加入ADI公司。在加入ADI公司之前,他在一家开关模式电源研发公司作为设计工程师工作了六年。他拥有菲律宾八打雁国立大学电子与通信工程学士学位、电力电子专业电气工程研究生学位,以及玛普阿大学电子工程理学硕士学位。

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12月22日,科创板上市公司格科微(688728.sh)成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式,及2023年产品推介会暨CEO交流会。

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图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式

以让世界看见中国的创新为使命,格科微经过二十年的发展,成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型,迎来了历史最佳的经营局面。值此良机,格科微高端产品再传佳讯,公司推出三款全新单芯片高阶产品,为未来加速核心技术产品化,迈向崭新的发展阶段奠定了基础。

整个活动,政府领导、银行代表、合作伙伴以及格科微的股东、投资人、媒体等超五百人共聚临港大本营,共同见证了格科微二十年来的成长历程,共同启航迎接新的征程。

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图2 格科微董事长兼首席执行官赵立新

格科微董事长兼首席执行官赵立新在二十周年庆典活动上表示,公司自2003年创立以来,一直致力于在中国这片热土上推动改变世界的创新,为了突破高端图像传感器工艺的知识产权垄断和制造壁垒,公司决定自建工厂。历经三年,在政府领导的大力支持和协助下,临港工厂终于成功落地,12英寸CIS集成电路特色工艺产线顺利开通,公司成功转型为Fab-lite模式。未来,临港工厂将聚焦前瞻性和突破性的创新,专注创新工艺的研发和生产具有特色的定制化产品,致力于更好地满足客户需求。同时,公司将以上海为基础,辐射长三角地区,积极参与半导体产业建设和投资,与上下游合作伙伴携手精诚合作,共同进步。

在下午的产品分享会上,格科微各业务线领导分别介绍了公司手机CIS产品线、数码CIS产品线以及显示驱动产品线的最新动态,带来了三款全新高像素产品——GC32E2、GC50E0和GC50B2。

其中,GC32E2是公司此前发布的GC32E1“升级版”,在单芯片高像素技术平台上搭载DAG HDR技术和AON低功耗技术,支持前摄相位自动对焦,也定位于主流旗舰手机前后摄;GC50E0,是公司推出的第一颗5000万像素产品,也是市场上首颗单芯片5000万像素产品;在推出0.7 μm的GC50E0的同时,格科微重磅推出1.0 μm大底的5000万像素产品—GC50B2,同样在单芯片基础上搭载专利DAG HDR技术,适用于中高端智能手机主摄。这三款产品的发布体现了公司研发的能力与效率,极大拓宽公司在高像素产品领域的市场空间。

赵立新在产品分享会上表示,公司在16M像素以下产品领域已经具有市场领先地位,并且此前推出的单芯片高像素产品 GC32E1赢得了客户的高度认可,而此次推出的三款单芯片高像素产品将助力公司进一步拓展中高端市场。赵立新还表示,当前公司正迎来成立20年来的最佳经营局面,Fabless向Fab-lite转型的战略目标已成功实现,未来格科微将以此为基,努力实现新战略,暨紧扣客户需求,推动核心技术产品化,跨越30亿美金收入台阶。

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近期,运动与控制技术的先行者——派克汉尼汾发布《2023可持续发展报告》,报告围绕以宗旨为引领这一主题,重点阐述公司在保护环境、推进清洁技术、打造安全的工业工作场所和加强社区建设方面取得的成就。

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报告还展示了派克广泛的产品及系统,这些产品及系统旨在帮助工业、行走机械及航空航天市场客户减少对自然资源的依赖、提高效率并减少碳排放。在派克的全球技术组合中,近三分之二的解决方案能够支持实现电气化和轻量化,采用电池、燃料电池和氢气等更清洁、更高效的能源,以及其他为环境带来积极影响的创新。

派克汉尼汾首席执行官Jenny Parmentier说:我们的行动诠释了派克汉尼汾履行企业责任的传统和以可持续发展为中心的运营理念。我们将继续帮助客户创新,帮助他们在履行环保承诺方面取得进展。派克全球全体成员每天都在努力让我们的世界更清洁、更智能、更安全,我很自豪能够代表他们在可持续发展报告中分享我们所取得的进展。

2023财年《可持续发展报告》阐述的主要成就包括:

  • 确保团队成员安全:派克所有工作场所将安全至上这一共同承诺置于首位,在过去五年,可记录安全事件率降低45%,损失工时事件率降低33%。总体而言,派克的安全绩效位居多元化工业制造商前25%。

  • 减少碳影响:为减少对环境的影响,派克本财年完成了许多厂区碳减排项目,包括太阳能面板安装、照明改造、暖通空调系统升级等。这些举措将帮助派克实现2030年减少50%运营碳足迹,2040年实现碳中和的目标。

  • 研发清洁技术:2023财年,派克超过40%的研发工作与拓展相互关联的清洁技术组合有关,并重点关注电气化和氢气以及可持续航空燃料等新兴替代燃料。

  • 为社区带来积极影响:派克及派克基金会向帮助加强世界各地社区建设的慈善机构捐款900多万美元,其中大部分善款捐助与基金会关注的STEM教育、社区需求和可持续性三大重点领域保持一致。

如需了解更多信息,请查阅派克汉尼汾《2023可持续发展报告》,或访问http://www.parker.com/sustainability了解更多。

关于派克汉尼汾

派克汉尼汾是美国财富250强企业,是运动与控制技术领域的先行者。在过往的百年,公司致力于实现工程突破成就更好明天。欲了解更多信息,请访问www.parker.com/china@parkerhannifin.com

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超小尺寸,模拟输出,低成本的角度传感器芯片

2023年12月21日消息,专注于隧道磁阻(TMR)技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司基于高灵敏度TMR技术推出了TMR3016和TMR3017角度传感器芯片产品,并已开始量产。该芯片采用DFN4L(0.8mm × 0.4mm × 0.23mm)的超小封装,适合各类超小型电机的角度和位移的检测反馈控制。

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DFN4L(0.8mm × 0.4mm × 0.23mm)

多维科技TMR3016角度传感器芯片在0°~360°角度范围内,输出一组正弦波形的差分模拟电压信号, 峰峰值电压约为360mV/V。

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TMR3016模拟输出和角度关系图1

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TMR3016模拟输出和角度关系图2

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TMR3106原理框图和引脚定义

TMR3016电磁参数

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TMR3016电性能参数

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多维科技TMR3017角度传感器芯片在0°~360°角度范围内,输出一组正弦波形单端模拟电压信号和一组余弦波形的单端模拟信号,正余弦峰峰值电压约为300mV/V。

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TMR3017模拟输出和角度关系图

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TMR3017原理框图和引脚定义

TMR3017电磁参数

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TMR3017电性能参数

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来源:多维科技

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2023年12月20日,浙江星曜半导体有限公司正式发布基于TF-SAW工艺的高性能Band 25+66四工器、n41 TRxBand 20+28 Dual-Rx滤波器芯片,采用了星曜公司全新一代的增强版TF-SAW技术,在产品性能和稳定性上又迈上一个新台阶,三款产品总体性能全面达到国际一流水准,展现了星曜半导体在TF-SAW自主工艺上的全面产品布局。星曜半导体坚持走高端产品自主研发路线,不断增强核心领域技术水平,在TF-SAW高性能滤波器研发及其产业化技术方面具备持续领先的水平,目前已经可以全面、稳定、大量地提供性能国际一流的全套滤波产品,囊括了四工器、双工器、TRx滤波器、Dual-Rx滤波器等各类芯片。

Part 1. 新一代 TF-SAW高性能Band 25+66四工器

本次星曜半导体正式推出基于新一代TF-SAW工艺的Band 25+66四工器,将原有版本全面迭代升级。该款四工器的面世,将为无线通信领域带来新的技术突破和创新。这不仅仅是技术上的革新,更是提升用户体验的重要一环。它的高性能和可靠性,将为客户提供更好的用户体验和更高的性能水平。本次同时发布了两种通用封装尺寸:标准化尺寸2.5mm x 2.0mm和小型化尺寸2.0mm x 1.6mm,这也将为各类无线通信系统的应用需求提供更佳解决方案。

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Fig.1. 星曜半导体Band 25+66四工器产品实拍图(上:2520尺寸,下:2016尺寸)

本次发布的Band 25+66四工器芯片采用了星曜半导体自主研发的新一代增强版TF-SAW技术,依托自身强大的研发设计团队,完成Band 25+66四工器小型化突破,并实现了低插损、高隔离度、高带外抑制、高功率耐受的器件性能目标,能兼容常用的多种下行载波聚合的需求。Band 25Tx插损小于2.0dBint、Rx插损小于2.4dBint,Band 66Tx插损小于1.7dBint,Rx插损小于1.7dBintBand 25Band 66各自的发射/接收间隔离度均超过55dBintBand 25Band 66的交叉隔离也均超过55dBint。各项指标均能够达到国际一流的设计水准,器件大小更达到目前世界最小的尺寸2.0mm x 1.6mm的领先水准。同时,优异的温漂系数(~-10ppm/℃)使得该器件在高低温下的表现非常稳定,更能契合大客户的复杂使用环境。

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Fig.2. 星曜半导体TF-SAWBand25+66四工器测试性能

a)Band 25 Tx Insertion Loss;(b)Band 25 Rx Insertion Loss;(c) Band 66 Tx Insertion Loss; (d) Band 66 Rx Insertion Loss; (e) Band 25 Tx Attenuation, wideband;  (f) Band 25 Rx Attenuation, wideband; (g) Band 66 Tx Attenuation, wideband; (h) Band 66 Rx Attenuation, wideband; (i) Band 25 TRx Isolation; (i) Band 66 TRx Isolation; (k) Band 25 Tx to Band 66 Rx Isolation; (l) Band 66 Tx to Band 25 Rx Isolation

Part 2. 新一代 TF-SAW高性能 n41 EN-DC TRx 滤波

星曜半导体本次发布的n41滤波器芯片,延续了上一代尺寸小、带外抑制高等优点。封装尺寸为1.1mm x 0.9mm,工作频率为2496 ~ 2690MHz。产品采TF-SAW技术路线和星曜公司自研的EDA开发软件平台及众多特有的专利技术,本次发布的新一代芯片产品可达到PC2功率等级,支持HPUE,支持5G手机NSA应用,抗静电能力及防潮等级也达到国际一流。

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Fig.3. 星曜半导体TF-SAW n41 TRx滤波器实拍图

本次发布的n41 TRx滤波器具有优秀的频带选择性,带内插损、带外抑制表现优异。全频段通带典型插损可达到2.2dB,在国内Band 41(2515 ~ 2675MHz) 通带典型插损可达到1.5dB,对近端Wi-Fi高信道的抑制大于20dBint,对1710~2170MHz频段的抑制大于32dB,可支持Band 3、Band 25与n41的EN-DC功能

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Fig.4. 星曜半导体TF-SAWn41滤波器测试性能(a)TRx Passband;(b)Wi-Fi Attenuation;(c)TRx Narrowband Attenuation;(d) TRxWideband Attenuation

Part 3. TF-SAW高性能Band 20+28FDual-Rx滤波

星曜半导体本次发布的Band 20+28F Dual-Rx滤波器芯片,封装尺寸为1.4mm x 1.1mm,采用了星曜半导体自主研发的新一代增强版TF-SAW技术,可应用于Band 20接收工作频率(791 ~ 821MHz),Band 28F接收工作频率(758 ~ 803MHz)。

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Fig.5. 星曜半导体TF-SAW Band 20+28F Dual-Rx滤波器实拍图

Q值的TF-SAW滤波器能够满足带外陡降的高要求。与此同时,高Q值也带来了更好的无源性能,带内插损、带外抑制表现优异,Band 20 Rx通带插损典型值小于1.9dB, Band 28F Rx通带插损典型值小于1.7dB,Band 20 Tx频段抑制大于41dB,Band 28F Tx频段抑制大于42dB,综合性能已经达到国际一流水准,超越美日顶尖滤波器或射频公司同款产品性能。

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Fig.6. 星曜半导体TF-SAWBand 20+28F Dual-Rx滤波器测试性能(a)Insertion Loss;(b)VSWR;(c) Narrowband Attenuation; (d) Wideband Attenuation

TF-SAW滤波器这类高阶射频器件作为星曜企业的“杀手级”产品,经过3年的产品密集开发,星曜公司已自主研发完成TF-SAW全频段系列滤波器,一系列的重点频段双工器、滤波器已完成大批量量产的高质量交付,TF-SAW产品总体出货量已经达到国内最高。星曜针对TF-SAW特色工艺,已和衬底厂商签署长期供货协议并达成深度合作,定制化开发各类衬底材料,产品应用覆盖范围从600MHz到2.7GHz, 能够全面适应通信频段的全方位要求,未来将继续推出更多不同频段、不同应用场景的TF-SAW滤波器产品。本次发布的多款产品不仅仅是技术上的创新,也是星曜对客户需求的回应,体现了星曜半导体在射频前端滤波领域的技术储备和创新能力。同时,星曜半导体也将继续持续专注于技术创新和升级,为客户提供更好的服务和更先进的产品,与产业上下游伙伴共同推动无线通信技术的进步和发展。

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Fig.7. 星曜半导体TF-SAW量产产品列表

来源:星曜半导体

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前言

在氮化镓快充市场不断拓展的过程中,电源技术水平也在不断提升,起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计,不仅电路布局较为复杂,产品开发难度相对较大,而且成本也比较高。

为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量,目前创芯微已开始着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线。

这些芯片能够将氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能整合在一颗芯片上,一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能,不仅能够提升整体方案的性能,还有助于减少PCB板的占用空间、缩小产品尺寸,并削减物料成本。

此外,它们还有效降低了快充方案在高频下的寄生参数,减小振铃现象,从而降低了开关损耗。这些芯片也不容易受到初级电流干扰,提高了系统的可靠性和开关速度。电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试工作,从而加速产品研发周期。

合封氮化镓芯片的应用范围广泛,包括电子设备、通信设备、电动汽车充电器、工业电源以及可再生能源系统等。这些芯片不仅可以提供高效的电源转换,还常常包括多种保护功能以确保电源系统的安全性和可靠性。

CM1774G

CM1774G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片,支持为7至60V的VDD供电,支持85-264V的输入交流电压,采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式,可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能,轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。

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CM1774G可根据输入电压,输出电压以及负载的不同,控制系统工作于DCM/QR模式,在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优,并在操作过程中消除音频噪声。CM1774G具备超低启动功耗,小于5μA,且其待机功耗低于75mV,满足六级能效标准要求。在空载状态下,其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器,且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术,优化了系统EMI性能。

CM1774G集成软启动电路,以缓解启动过程中对电路和元件的冲击,并内置了多种保护机制,包括过压、过载和过温保护。此外,它还具备逐周期电流限制功能,为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1774G采用ESOP7封装,适用于20W的应用功率,广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。

CM1775G

CM1775G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片,支持为7至60V的VDD供电,支持85-264V的输入交流电压,采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式,可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能,轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。

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CM1775G可根据输入电压,输出电压以及负载的不同,控制系统工作于DCM/QR模式,在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优,并在操作过程中消除音频噪声。CM1775G具备超低启动功耗,小于5μA,且其待机功耗低于75mV,满足六级能效标准要求。在空载状态下,其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器,且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术,优化了系统EMI性能。

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CM1775G集成软启动电路,以缓解启动过程中对电路和元件的冲击,并内置了多种保护机制,包括过压、过载和过温保护。此外,它还具备逐周期电流限制功能,为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1775G采用ESOP7封装,适用于20W的应用功率,广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。

CM1776G

CM1776G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片,支持为7至60V的VDD供电,支持85-264V的输入交流电压,采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式,可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能,轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。

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CM1776G可根据输入电压,输出电压以及负载的不同,控制系统工作于DCM/QR模式,在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优,并在操作过程中消除音频噪声。CM1776G具备超低启动功耗,小于5μA,且其待机功耗低于75mV,满足六级能效标准要求。在空载状态下,其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器,且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术,优化了系统EMI性能。

CM1776G集成软启动电路,以缓解启动过程中对电路和元件的冲击,并内置了多种保护机制,包括过压、过载和过温保护。此外,它还具备逐周期电流限制功能,为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1776G采用ESOP7封装,适用于25W的应用功率,广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。

CM1777G

CM1777G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片,内置650VGaN,支持为7至60V的VDD供电,支持85-264V的输入交流电压,采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式,可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能,轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。

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CM1777G可根据输入电压,输出电压以及负载的不同,控制系统工作于DCM/QR模式,在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优,并在操作过程中消除音频噪声。CM1777G具备超低启动功耗,小于5μA,且其待机功耗低于75mV,满足六级能效标准要求。在空载状态下,其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器,且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术,优化了系统EMI性能。

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CM1777G集成软启动电路,以缓解启动过程中对电路和元件的冲击,并内置了多种保护机制,包括过压、过载和过温保护。此外,它还具备逐周期电流限制功能,为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1777G采用ESOP7封装,适用于35W的应用功率,广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。

CM1778GA

CM1778GA是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片,支持为7至60V的VDD供电,支持85-264V的输入交流电压,采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式,可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能,轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。

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CM1778GA可根据输入电压,输出电压以及负载的不同,控制系统工作于DCM/QR模式,在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优,并在操作过程中消除音频噪声。CM1778GA具备超低启动功耗,小于5μA,且其待机功耗低于75mV,满足六级能效标准要求。在空载状态下,其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器,且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术,优化了系统EMI性能。

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CM1778GA集成软启动电路,以缓解启动过程中对电路和元件的冲击,并内置了多种保护机制,包括过压、过载和过温保护。此外,它还具备逐周期电流限制功能,为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1778GA采用ESOP10封装,适用于45W的应用功率,广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。

CM1778GB

CM1778GB是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片,支持为7至60V的VDD供电,支持85-264V的输入交流电压,采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式,可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能,轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。

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CM1778GB可根据输入电压,输出电压以及负载的不同,控制系统工作于DCM/QR模式,在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优,并在操作过程中消除音频噪声。CM1778GB具备超低启动功耗,小于5μA,且其待机功耗低于75mV,满足六级能效标准要求。在空载状态下,其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器,且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术,优化了系统EMI性能。

CM1778GB集成软启动电路,以缓解启动过程中对电路和元件的冲击,并内置了多种保护机制,包括过压、过载和过温保护。此外,它还具备逐周期电流限制功能,为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1778GB采用ESOP10封装,适用于65W的应用功率,广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。

关于iCM 创芯微

深圳市创芯微微电子股份有限公司成立于2017年,是一家专业高精度、低功耗电池管理及高效率、高密度电源管理芯片研发和销售的集成电路设计企业,拥有国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、广东省专精特新企业、广东省高精度低功耗电池管理芯片工程技术研究中心等资质。

创芯微微电子团队来自全球知名IC设计公司,其中60%以上为研发人员,核心团队来自ST、凹凸、华为、比亚迪、全志科技等国外内知名设计公司,核心团队拥有超过15年以上电池管理芯片和电源管理芯片设计、研发和生产测试验证经验。

创芯微微电子专注于电池管理芯片和电源管理芯片开发,目前电池管理芯片已覆盖从1节至20节,从二合一到次级保护及模拟前端等全部应用领域,电池管理芯片产品线国内最为完整。

创芯微微电子以高精度、低功耗、高可靠性为目标,成功导入OPPO、一加、哈曼、小米、莱克、宜家、沃尔玛等多家国内外一流客户并大批量使用,产品已广泛应用于手机、可穿戴设备、对讲机、电动工具、手持式吸尘器、喷雾器、太阳能路灯、蓝牙音箱、小功率储能等众多领域,成为业界标杆产品,为客户提供安全、稳定、可靠的高性价比电池管理解决方案。

创芯微以“持续改善品质,超越客户预期”为核心品质理念,后续将会推出更多高品质的优秀产品,给客户以更好的服务。

来源:iCM创芯微微电子

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通信技术更新迭代,加速射频前端模组化趋势;万物互联时代到来,为射频行业开拓更大蓝海。射频前端是通信设备的重要组件,在各类无线通信领域都得到了广泛的应用。受益于移动通信、无线通信、物联网等市场的快速发展,射频前端芯片迎来了广阔的增量市场机遇。新技术、新需求、新业态和新场景的共同作用下,智能终端轻薄化、小型化已成发展趋势,分立式射频器件已经无法满足要求,射频器件集成化、模组化发展已成趋势。其中,在射频接收模组中集成度最高的则是L-DiFEM,集成了适用于各频段的多颗滤波器及ASM开关、LNA,对滤波器所需性能较高,这使得L-DiFEM成为射频前端模组芯片中的关键核心产品。星曜半导体依托于扎实的滤波器研发能力和强大的模组设计能力,于2023年12月23日正式发布L-DiFEM分集接收射频模组芯片STR31230-11,产品整体性能达到国外一流模组厂商的水准,跻身高尖端射频模组研发公司行列。

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Fig.1 STR31230-21 产品开盖图
(左:Top View,右:Bottom View)

星曜半导体本次发布的L-DiFEM分集接收模组STR31230-11,集成了由星曜半导体全自主开发的低噪声放大器、射频开关及多个频段的滤波器芯片。封装尺寸为3.6 x 3.5 mm²,对比分立器件的方案,有效节约客户约70%以上的layout面积。产品支持常见WCDMA/LTE制式中的B66、B2、B3、B7、B8、B26、B34、B39、B40、B41F等主流通信频段,并且支持包括B66+3+7、B66+3+41、B39+41等CA载波聚合功能,支持客户高速率下载项目的需求。与此同时,产品可支持4个ASM AUX口以及7个LNA输入AUX口,可以扩展至更多的频段,AUX口开关支持大功率。

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Fig.2 STR31230-11 产品框图

芯片内各频段滤波器均具备优异的带外抑制度特性,支持客户外挂滤波器后进行任意的L+MHB频段的下行CA组合功能,以及开关的Multi-on功能,整体性能达到一流模组厂商的水准,具体测试数据如下:

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(a) non-CA测试性能

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(b) 部分CA测试性能

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本次发布的L-DiFEM模组如期面世,适用于各大主流平台,并已完成功能及性能验证。公司坚持以中高端产品为重点,不断丰富产品线,成功实现从分立滤波器芯片向射频模组产品的全自研延伸,已全自主研发完成多个射频前端产品形态,为客户提供针对不同应用的全方位解决方案。星曜半导体也将持续专注于技术创新和升级,为客户提供更好的服务和更先进的产品,与产业上下游伙伴共同推动无线通信技术的进步和发展。

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星曜半导体已量产射频模组产品列表

来源:星曜半导体

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中微半导体(深圳)股份有限公司(以下简称:中微半导 股票代码:688380)于近日正式推出工业级MCU BAT32G113,芯片工作温度-40℃~125℃,提供QFN24(3mmx3mm)和QFN32封装可选主要面向光模块、传感器、工业通讯、测量仪器仪表等空间受限型应用。

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随着5G不断普及,市场对光数据传播需求不断增长,并期望方案体积更小、成本更低,同时又保持低功耗和高可靠性能。中微半导专注于8位及32位MCU、SoC、ASIC等芯片设计,针对5G基础建设、数据市场需求,推出工业级BAT32G113以匹配光数据各种传输速率和应用场景。

BAT32G113符合光模块应用并具备优势性能,与传统解决方案相比,该系列具备高集成度、更低功耗和更小尺寸的特点,有助进一步简化和加快光模块系统设计

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BAT32G113基于Arm Cortex®-M0+内核,工作频率64MHz,32KB Flash,4KB SRAM,2.0~5.5V宽工作电压,集成A/D转换器、D/A转换器、温度传感器、比较器及运放(PGA),支持I2C、SPI、UART多种标准接口,并内置硬件乘除法器,工作温度-40℃~125℃。

BAT32G113集成了丰富的片上资源,内置12bit ADC,采样率1.42Msps,10个外部复用通道,3个内部通道连接PGA,内部温度传感器以及内部基准电压。BAT32G113支持从机双地址IIC,可同时用于与外部相连的I2C辅助接口和与模拟前端通信,支持光模块开发人员所需的精密模拟性能

BAT32G113同时内含2路12位的DAC输出,无需外挂DAC模块。除了光电转换模块、光纤网络模块应用,QFN24和QFN32小封装,尺寸仅3mmx3mm,亦非常适合应用于传感器、精密仪器、工业控制设备和智能传感自动化系统等应用中

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BAT32G113将以出色模拟性能、低功耗(休眠模式下电流低至1.5uA)和高可靠性,帮助客户优化速度、功耗和成本,以满足不断增长的光数据通信及工业控制应用需求。

BAT32G113
开发支持

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在开发支持方面,中微半导基于BAT32G113提供完善软硬件开发套件、应用文档、一站式解决方案和现场技术支持服务。

BAT32G113开发板支持3.3V/5V供电切换,同时板载CMS-ICE8 OB调试器,仅需一条Type-C线即可实现仿真、串口打印功能,方便客户快速验证产品

BAT32G113目前已实现量产并批量供货,更多信息查询,可联络中微半导各地销售办公室或授权经销商,或访问官网www.MCU.com.cn

来源:中微半导

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仅剩不到一年时间:欧盟USB Type-C规范期限进入倒数

欧盟(EU)针对科技产品制造商制订的USB Type-C规范已于去年开始生效。引用欧盟官方声明:「到2024年底,所有在欧盟销售的手机、平板计算机和相机都必须配备USB Type-C充电接口。从2026年春季开始,这项规定将扩展到笔记本电脑产业。」如今,距离最后期限仅剩一年时间,仍有制造商尚未规划相关验证与测试计划,这些不确定的变因无疑为其品牌发展与产品通路带来许多潜在危机。

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USB Type-C拥有高速数据传输、快速充电、正反插支持等功能优势。不过,值得注意的是,USB Type-C线缆在特定使用场景下也会带来潜在风险。与USB Type-C接口相关的一些潜在风险包括:连接显示器时信号传输异常、连接后无法为设备充电,以及因线缆质量差而导致产品过热发生意外等风险,如果传输线缆或接口出现重大问题,必然会导致用户退货,甚至对品牌制造商造成负面风评,过往制造商经常忽视USB Type-C线缆的关键问题,但这些问题却可能会严重损坏所连接的电子产品

寻求产业顾问协助成为最新趋势

有资深科技产业背景的工程顾问公司百佳泰(Allion Labs)致力于为各大产业提供专业的顾问和测试相关服务,鉴于欧盟规范的迫切性,品牌设备制造商陆续向百佳泰先进的USB Type-C测试实验室提出咨询需求,以确保其产品符合欧盟法规的严格规定。同时,根据百佳泰USB Type-C实验室多年来积累的技术经验和测试大数据,他们分析出USB Type-C常见的三大问题类别:显示器(ALT模式)、数据传输和电力传输。

百佳泰的USB Type-C测试服务涵盖全项标准,包括互操作性、功能性以及是否符合业界标准。百佳泰拥有技术精湛的工程师团队和先进的设备,随时准备协助企业成功跨越至USB Type-C领域。此外,该公司还发表了多篇讨论USB Type-C技术及其潜在风险的技术文章,这些文章为制造商在转型过程中可能遇到的挑战提供了宝贵的见解,透过潜在风险的剖析,百佳泰协助企业做出明智的决策,并实施有效的策略来降低可能产生的风险。

想了解有关USB Type-C及其他顾问服务的详细信息,请访问:https://www.allion.com.cn/test-lab/usb-type-c/

服务据点

欧洲(全球):info-eu@allion.com
美国:us_service@allionusa-sgs.com
台湾:service@allion.com
日本:service@allion.co.jp
中国大陆:cn_service@allion.com.cn

关于百佳泰

百佳泰为全球领先的技术测试和认证服务认证实验室,专注于数据创新。百佳泰已累积了超过30年的实务经验,我们的专家团队致力于提供全面且完善的产品设计顾问服务、研发设计验证、认证测试及各式咨询服务,将能确保您的产品符合最高质量、兼容性和性能标准。百佳泰的广泛专业知识涵盖无线通信、物联网、汽车、影音显示等多个领域。

稿源:美通社

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12月26日,荣耀正式宣布2023 荣耀开发者大会将于2024年1月10日-11日在上海世博中心举行。大会期间,荣耀将面向开发者、合作伙伴和用户推出搭载荣耀自研70亿参数端侧AI大模型的全新操作系统MagicOS 8.0,并向与会嘉宾分享服务生态的最新探索。与此同时,荣耀全新旗舰Magic6系列也将重磅亮相。

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官方议程显示,荣耀MagicOS 8.0将在大会首日发布。在端侧大模型的加持下,全新MagicOS将带来基于个人化理解和感知的场景化任务闭环,同时端云结合的平台级 AI将全面提升消费者的生产力和创造力,陪伴用户持续学习和成长。值得一提的是,当天除发布MagicOS 8.0,分享荣耀最新平台级AI能力与技术实践外,荣耀还将与学术届领军人物、互联网企业高管等大咖共同研讨下一代操作系统演进趋势。

大会次日,荣耀旗舰新品Magic6系列将正式发布。荣耀Magic6系列将搭载第三代骁龙8移动平台,支持70亿参数端侧AI大模型。另外,荣耀还在当天组织了包括荣耀大模型、智慧互联、智慧人机交互、安全隐私、loT与智慧出行、运动健康等13个分论坛及圆桌对话,就开发者关注的问题进行深度探讨。

作为最早布局AI的终端厂商之一,荣耀在2016年就发布了首款AI手机,打开了手机的智慧之门;2022年,荣耀推出了平台级AI——Magic Live智慧引擎,为用户带来了"越用越好用,越用越懂你"的服务体验;而此次,在端侧大模型的加持下,荣耀或将迎来智能终端从"智能"到"智慧"的新时代。

事实上,在今年10月高通骁龙峰会上,荣耀所展示的"智慧成片"、"灵动胶囊"等端侧AI功能就已揭开了荣耀MagicOS 8.0智慧能力与全新交互方式的冰山一角。相信,在此次开发者大会上,荣耀将带来更多惊喜。2024年1月10日-11日,让我们共同见证 AI 使能的新一代魔法OS的诞生。

点击链接了解更多关于2023荣耀开发者大会的信息:

https://developer.hihonor.com/cn/activity/hgdc2023/?source=HGDC_P  

稿源:美通社

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