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您的服务器固件安全吗?最好确认一下!

Microchip Technology Inc.
数据中心事业部主管经理
Kyle Gaede

在当今的数字世界中,数据为王。通过应用数据分析来为新产品或服务提供信息,组织可以获得显著的竞争优势。此外,在5G和物联网等技术的加持下,设备可以比以往更轻松地连接到互联网来共享数据。这引发了新数据的爆发狂潮;研究分析公司Statista预计,到2025年,全球创造的数据将达到180 ZB(泽字节)。这些数据中捕获到的丰富信息(信用卡号、社保号、专有IP)使其成为对黑客有吸引力的目标,随着数据中心收集和存储的数据量的增长,针对它们的网络攻击的创新性和复杂性也日益提高。

中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)存储设备和网络卡中的固件是特别诱人的目标,因为作为电子系统的基本元素,如果它们遭到破坏,会更加难以检测。长期以来,保护这些设备中的数据免遭窃取至关重要。事实上,在最大的数据中心,这些设备现在往往会受到良好的保护。

为了寻找其他潜在的漏洞,恶意黑客在试图攻击数据中心时,越来越多地以服务器组件为目标。对于服务器中的许多常见半导体组件(例如,控制引导顺序、风扇控制和电池管理的嵌入式控制器),其固件可能会遭到破坏或被虚假固件替换,从而导致黑客可以未经授权地访问服务器上的数据或干扰正常的服务器操作。

固件攻击的隐匿性非常强,因为服务器组件固件在服务器的操作系统运行和任何反恶意软件功能生效之前加载。这也会使固件攻击难以被发现,即使被发现,也很难消除。

然而,许多公司对于固件安全的重视并不够。在由Microsoft委托对IT和安全决策者进行的一项调查中,受访者认为固件漏洞几乎与软件或硬件漏洞一样具有破坏性,但用于保护固件的安全预算不到三分之一。

漏洞具有破坏性

安全预算百分比

最容易受到网络威胁

软件

78%

39%

63%

硬件

75%

32%

20%

固件

73%

29%

17%

图表来源:Microsoft Security Signals20213

企业必须认真对待数据中心的固件安全,否则会自食其果。为此,在考虑固件安全时,IT和安全团队应关注三个因素。

建立设备真实性

服务器的主板、工作负载加速器和购买后安装的附加板是由不同的供应商设计并在全球范围内制造的。这些设备的供应链容易受攻击,非法固件或硬件可以在生产和测试的各个阶段安装到电路板上,等待毫无戒心的客户在服务器中安装已遭到破坏的设备。IT团队必须确保其添加到服务器的任何硬件都可以验证新硬件是否按规范运行。

建立代码真实性

数据盗窃并非遭到破坏的固件造成的惟一问题;IP盗窃也可能影响组件制造商的盈利能力和声誉。如前文所述,半导体通常在一个国家/地区制造,在另一个国家/地区封装,最后在第三个国家/地区集成到系统中。

由于供应链中的接触点如此之多,缺乏道德的承包商可以轻松复制供应商的固件,将其安装在未经授权的芯片上,然后在灰色市场上销售假冒的部件。这不仅会影响原始供应商的利润,如果假冒设备的性能低下,还可能损害他们的声誉。

保护数据安全

加密是一种防止未经授权访问数据的成熟方法,但新的加密威胁正在引起网络安全领域的关注。如果应用得当,量子计算甚至可以破解最复杂的加密技术。

如今,大多数企业都在使用128位和256位加密;对于使用传统计算技术的最坚定攻击者而言,这样的措施已足以保护数据。但是,量子计算能够以呈指数级增长的速度处理数据,对于使用传统计算方法可能需要数十年才能破解的加密算法,量子计算可能只需要几天就能破解。

利用HRoT和稳健的加密技术保护您的固件

值得庆幸的是,2018年,美国国家标准及技术研究所(NIST)发布了平台固件弹性SP 800-193指南。据NIST称,这些指南提供了“保护平台免受未经授权(固件)更改、检测发生的未经授权更改,并快速安全地从攻击中恢复的安全机制。包括原始设备制造商(OEM)和组件/设备供应商在内的实施者可以使用这些指南在平台内构建更强大的安全机制。系统管理员、安全专业人员和用户可以使用这份文档来指导未来系统的采购策略和优先事项。”

NIST SP 800-193标准推广使用“硬件信任根”或HRoT,以确保在启动过程中,加载到服务器组件中的固件在激活之前验证为合法。当服务器启动时,HRoT组件是第一个上电的组件,它包含了验证其自身固件和在HRoT激活后上电的任何组件的固件所需的加密元件。通过在服务器的嵌入式控制器中添加HRoT功能,企业不但可以在整个启动过程中保护服务器,甚至还可以在操作系统和反恶意软件加载并运行之前保护服务器。

NIST也在鼓励企业采用更先进的加密算法。2016年,NIST在最优秀的密码学家之间举办了一场比赛,以开发能够抵御基于量子计算的攻击的算法。比赛于去年结束,NIST宣布了四种将包含在其即将推出的后量子加密标准化项目中的新加密算法。

网络安全就像是一场军备竞赛,一方是致力于保护计算机系统的守护者,另一方是打算破坏这些系统的攻击者(包括犯罪分子和国家支持的黑客)。双方都在不停地抵抗对方的进攻。固件已经成为这场持久斗争的最新战场,那些忽视在威胁评估和安全计划中包含固件的企业将自担风险。

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株式会社村田制作所(以下简称“村田”)开发了采用绕线金属合金的新系列车载用功率电感器1“DFE2MCPH_JL系列”(以下简称“本产品”)。它是2016尺寸(2.0x1.6mm)的小型车载用功率电感器,既实现了40V的高耐压,又实现了行业超高水平2的直流电阻和额定电流。从2024年1月开始量产。

image001.png

※1 功率电感器:用于构成DC-DC转换器等的电源电路的电感器。

※2 本公司调查结果。截至2024年1月29日。

近年来,随着汽车行业的发展,高级驾驶辅助系统(ADAS)和IVI3系统的性能不断提高,配备的系统数量不断增加,这对于提供电力的电池和电源电路进一步实现低功耗和小尺寸提出更高的要求。

因此,村田通过投入新开发的材料并改进工艺和电极结构,成功地研发出2016小尺寸、具有出色的电气特性,且满足小型化、低损耗、支持大电流的车载用功率电感器。而且,耐电压高达40V,车载电子设备中广泛使用的一次电源和二次电源4均可适用。

※3 IVI(In-Vehicle Infotainment):通过汽车中配备的IT设备向驾驶员和同乘人员提供信息和娱乐的车辆功能。

※4 一次电源/二次电源:车载电源一般采用2级构成的电源电路,可以提供输入铅蓄电池12V电源的初级降压电源和向半导体供给1至2V的低电压电力的二次降压电源。

村田今后将继续致力于扩大满足市场需求的产品阵容,为汽车的高性能化和高功能化做贡献。

主要特点

●支持低电阻、大电流

与村田以前的产品5相比,直流电阻(Rdc)6降低了38%,直流饱和额定电流值(Isat)7提高了64%,温度上升额定电流(Itemp)8提高了31%(在均为0.33μH的情况下)。在ADAS等大电流驱动的车载电子设备电源电路中也可使用。

●高耐压

作为面向小型车载的金属功率电感器,同时实现了上述电气特性和以前难以实现的40V的耐电压,有助于提高可靠性。

●小型

作为车载用金属功率电感器实现了长宽2016(2.0x1.6mm)的小尺寸。有助于电路板实现进一步小型化。

※5 与绕线金属合金车载用功率电感器“DFE2MCAH_J0系列”之间的比较。

※6 直流电阻(Rdc):绕线(铜线)的电阻成分。该值影响电感器的功率损耗和发热,越低越好。

※7 直流饱和电流值(Isat):基于电感变化的额定电流值。

※8 温度上升额定电流(Itemp):基于温度上升限制的额定电流。

主要规格

型号

电感*

直流

电阻

(Ω)

额定电流(mA)

工作温度范围

基于电感变化率时 (Isat)

基于温度上升时

(Itemp)

标称值

(μH)

允许公差

Max.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Typ.

DFE2MCPHR33MJLLQ

0.33

±20%

0.018

0.014

6900

8100

5100

6400

-40℃~155℃

DFE2MCPHR47MJLLQ

0.47

±20%

0.022

0.019

5400

6300

4400

5500

-40℃~155℃

*预定在0.1~4.7μH的范围内扩充产品

主要用途

ADAS和车载摄像头等与安全相关、与信息娱乐相关、与V2X等联网相关的车载电子设备的电源电路整体。

产品网站

本产品的详情请参阅车载用功率电感器“DFE2MCPH_JL系列”

咨询

由此对DFE2MCPH_JL系列进行咨询。

村田制造所网站

https://corporate.murata.com/zh-cn/

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全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等电动汽车(EV)类应用。

Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET.png

UJ4SC075009B7S 在 25°C 时的典型导通电阻值为 9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程,降低客户的制造成本。全新的 750V 系列产品是对 Qorvo 现有的 1200V1700V D2PAK 封装车用 SiC FET 的补充,打造了完整的产品组合,可满足 400V 和 800V 电池架构电动汽车的应用需求。

Qorvo 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“这一全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺,以助力其应对独特的车辆动力挑战。”

这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构电路配置,将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装,从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗;得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降,Qorvo 的共源共栅结构/JFET 方式带来了更低的传导损耗。

UJ4SC075009B7S 的主要特性包括:

  • 阈值电压 VG(th):4.5V(典型值),允许 0 至 15V 驱动电压

  • 较低的体二极管 VFSD:1.1V

  • 最高工作温度:175°C

  • 出色的反向恢复能力:Qrr=338nC

  • 低栅极电荷:QG=75nC

  • 通过汽车电子委员会 AEC-Q101 认证

有关 Qorvo 先进功率应用 SiC 解决方案的更多信息,请访问:cn.qorvo.com/go/gen4

关于 Qorvo

Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)提供各种创新半导体解决方案,致力于让我们的世界更美好。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模,快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 面向全球多个快速增长的细分市场提供解决方案,包括消费电子、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电设备、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问 www.qorvo.com ,了解我们多元化的创新团队如何连接地球万物,提供无微不至的保护和源源不断的动力。

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思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213),发布2023年业绩预告,预计全年归母净利润实现扭亏为盈。

思特威在公告中表示,公司在消费电子领域与现有客户合作不断深入,市场占有率持续提升;同时高阶5000万像素产品量产出货顺利,该类产品主要应用于高端旗舰手机的主摄、广角、长焦等摄像头,为公司的消费电子领域营收开辟出第二条增长曲线。在应用于机器视觉的智慧安防领域,公司发布多颗专业级CIS产品,产品矩阵的不断扩展支撑公司机器视觉业务呈现出强劲增长态势。

公告链接:http://www.sse.com.cn/disclosure/listedinfo/announcement/c/new/2024-01-30/688213_20240130_RA38.pdf

关于思特威(SmartSens Technology

思特威(上海)电子科技股份有限公司SmartSens Technology(股票简称:思特威,股票代码:688213)是一家从事CMOS图像传感器芯片产品研发、设计和销售的高新技术企业,总部设立于中国上海,在多个城市及国家设有研发中心。

自成立以来,思特威始终专注于高端成像技术的创新与研发,凭借自身性能优势得到了众多客户的认可和青睐。作为致力于提供多场景应用、全性能覆盖的CMOS图像传感器产品企业,公司产品已覆盖了安防监控、机器视觉、智能车载电子、智能手机等多场景应用领域的全性能需求。

思特威将秉持“以前沿智能成像技术,让人们更好地看到和认知世界”的愿景,以客户需求为核心动力,持续推动前沿成像技术升级,拓展产品应用领域,与合作伙伴一起助推未来智能影像技术的深化发展。欲了解更多信息,请访问: www.smartsenstech.com


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亚信电子推出最新一代的「AX99100A PCIe转多I/O(4S,2S+1P,2S+SPI,LB)控制器」,提供一款高性价比的PCIe转多串并口I/O桥接芯片解决方案。透过PCI Express接口,客户能够轻松支援多个串口、并口、SPI或本地总线等接口,以满足工业、医疗和嵌入式系统产品对I/O接口桥接的市场需求。

亚信电子(ASIX Electronics Corporation)持续深耕工业以太网芯片和I/O接口桥接器市场,在推出全新的EtherCAT从站转IO-Link主站网关和IO-Link设备软体协议栈解决方案之后,亚信今天再度推出最新一代的「AX99100A PCIe转多I/O(4S,2S+1P,2S+SPI,LB)控制器」。这款控制器提供高性价比的PCIe转多串并口I/O桥接芯片解决方案。透过PCI Express接口,客户能够轻松支援多个串口、并口、SPI或本地总线等接口,以满足工业、医疗和嵌入式系统产品对I/O接口桥接的市场需求。

AX99100A是一款PCIe转多I/O(4S,2S+1P,2S+SPI,LB)控制器,集成单通道(X1)PCIe 2.0 Gen 1终端控制器与物理层PHY,可支持各种串并口I/O接口桥接功能,包括四个高速串口、一个并口、高速SPI主控、本地总线(类似ISA)、以及24个通用输入/输出引脚(GPIO)。此外,透过外接的SPI Flash,可支持扩展ROM功能,以简化装置初始化的过程。AX99100A支持四种主要的串并口I/O接口桥接模式,分别为4S(PCIe转4个串口)、2S+1P(PCIe转2个串口和1个并口)、2S+SPI(PCIe转2个串口和SPI主控)、以及LB(PCIe转本地总线/类似ISA)。此方案可适用于各种串并口I/O接口桥接产品相关应用,包括PCIe串并口通信卡、PCIe数据采集卡、工业电脑、工业自动化设备、测量仪器设备、医疗设备、POS收银机、以及各种工业嵌入式系统。

亚信电子推出新一代PCIe转多IO控制器.jpg

(图一)亚信电子AX99100A PCIe转多I/O(4S,2S+1P,2S+SPI,LB)控制器

亚信电子提供一系列AX99100A PCIe转4S、2S+1P、2S+SPI、Local Bus开发板,同时提供完整的软硬件设计参考资料,包括参考原理图、印刷电路板布线图、硬件设计参考手册、软件烧录工具以及各种驱动程序等,以加速客户产品开发设计的时程。欢迎访问亚信电子官方网站 https://www.asix.com.tw/,或透过电子邮件接洽亚信业务人员 sales@asix.com.tw,以获取更多亚信产品相关资讯。

关于亚信电子

亚信电子成立于1995年,公司设立于台湾新竹科学工业园区,为一专业的工业/嵌入式网路与桥接器相关IC芯片设计厂商,2009年股票正式于台湾柜买中心挂牌交易(股票代号:3169)。主要产品为工业以太网芯片超高速USB以太网芯片Non-PCI/SPI嵌入式以太网芯片串并口I/O桥接器RS-232/RS-485收发器网路微控制器/USB KVM单片机等。本公司已荣获ISO 9001及14001的国际品质认证,这些殊荣彰显了亚信对全球品质标准的坚持和承诺。需要更多产品相关资讯,欢迎访问亚信电子官方网站https://www.asix.com.tw/

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Polypore International, LLC (Polypore) 的子公司 Celgard, LLC (Celgard) 欣然宣布,与专门开发下一代镍锌电池技术的领先制造公司 Æsir Technology, Inc. (Æsir) 建立了联盟。这种化学组成可提供稳定、经济高效的可回收选项。其介于锂离子电池和铅酸电池之间的能量密度,使其成为许多场景中的完美解决方案。

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Celgard® 干法涂层和无涂层微孔膜可用作各类锂离子电池隔膜,主要用于电动车辆 (EDV)、储能系统 (ESS) 和其他专业应用。

Celgard 和 Æsir 将携手开展联合研究项目,旨在进一步研发新一代高科技镍锌 (Ni-Zn) 电池、锌空气 (Zn-Air) 电池、锂锌 (Li-Zn) 电池和钠锌 (Na-Zn) 电池。这几类电池主要应用于航空、数据中心、电信、能源基础设施和电动车 (EV) 充电等应用场景。

按照协议条款,Celgard 将为 Æsir 的现有应用以及新的超级电池工厂供应 100% 蓄电池隔膜。超级电池工厂计划于 2024 年建成,初期将为数据中心和 5G 电信市场服务。Celgard 还将为未来获得 Æsir 镍锌电池、锂锌电池许可证的持有人或合资企业供应隔膜产品。

Æsir 主席和首席技术官 Dave Wilkins 表示:"Celgard 独创的技术型隔膜对 Æsir 镍锌电池的性能而言是不可或缺的,我们很高兴能与他们紧密合作,进一步推动行业的变革。" Celgard 锂离子电动汽车 (EDV) 和储能系统 (ESS) 事业部副总裁 Stefan Reinartz 补充道:"Celgard 期待与 Æsir 携手,持续引领隔膜创新,推动下一代推进新一代镍锌电池技术的发展,这对储能系统和社区供能至关重要。"

除此之外,Polypore 和 Celgard 的母公司 Asahi Kasei 可能会通过其多元化的生产基地进一步为镍锌电池供应链提供支持。Æsir 则会评估产品零部件供应机会,比如塑料电池组和隔热材料,进一步为镍锌电池供应链和行业提供效益。

关于 Celgard  Polypore

Celgard 专注于制造可作为锂离子电池隔膜使用的无溶剂、带涂层和不带涂层的干法微孔膜。这些隔膜是锂离子电池的主要组成部分。Celgard 的蓄电池隔膜技术可提高电动车、储能系统和其他应用中的锂离子电池性能。

Celgard, LLC 是 Asahi Kasei Company 旗下 Polypore International, LLC 的全资子公司。

作为一家全球化企业,Polypore 在九个国家/地区设有工厂,专门从事电动和非电动车辆、储能系统和专业应用中的微孔膜业务。请访问 www.celgard.com  和  www.polypore.com

关于 Æsir Technologies, Inc.

Æsir Technologies, Inc. 致力于研发采用可持续、无毒且易于安全回收材料的下一代镍锌电池技术。Æsir 成立于 2011 年,在蒙大拿州波兹曼市设有研发中心,并在密苏里州乔普林设有生产中心。Æsir 已与美国国防部签署了多项镍锌电池合同,并在一个数据中心安装了首批镍锌电池。该数据中心已成功运行四年多。

稿源:美通社

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面对数字芯片规模和复杂度的指数级增长,亚科鸿禹始终坚持积极联合产业伙伴,为SoC/FPGA设计行业提供成熟完善的EDA验证工具和解决方案,助力更大规模、更高品质的数字设计。2024年1月1日,亚科鸿禹与领先的数字多媒体IP和解决方案供应商 Chips&Media正式签署合作协议,代理销售其分辨率达全高清、4K、8K的多标准Video Codec IP,ISP IP及NPU IP等。

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Chips&Media是全球知名的数字多媒体IP前沿供应商,在数字多媒体IP领域实现多个方向的率先突破,是世界首个开发AV1和HEVC多标准编解码器IP的行业领导者,全球累计用户超150家。WAVE5/6系列是其高性能Video Codec IP中的代表作品,支持AV1、VP9、HEVC/H.265、AVC/H.264、AVS2等多种压缩标准,适用于数据中心、人工智能(AI)、汽车电子、移动通信、物联网等前沿领域的数字电路逻辑设计。 

作为资深的数字前端EDA验证工具供应商,亚科鸿禹高度重视产品深度创新和迭代升级,以丰富的产品解决方案广泛服务于数字芯片设计前沿领域。亚科鸿禹在数字多媒体IP验证领域,例如Video Codec, NPU等,推出的基于融合硬件仿真加速器HyperSemu,为多家客户提供了成熟的硬件仿真加速解决方案。H.264算法加速项目(如图一)在数字IP模块验证中充分发挥事务级仿真的加速优势,极大削减数据高频交互产生的软硬件开销,实现超千倍的仿真提速,极大缩短客户验证周期、提升客户验证效率。

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图一:利用Stream Transactor实现H.264算法加速

此次亚科鸿禹和Chips&Media的合作,能从数字多媒体IP的选型,性能评估,设计实现,IP的FPGA原型验证,仿真加速等多方面为客户提供全方位的产品和技术支持。

欢迎联系亚科鸿禹销售与技术支持团队,获取数字多媒体IP和硬件仿真加速器的详细参数:hypersilicon@hypersilicon.com

Video Codec IP简介

高性能Video Codec IP(WAVE677DV、 WAVE663、 WAVE541C等)

  • 双核系列

  • 支持8K30p@500MHz

  • 8/10位深度,支持I/P/B帧类型

  • 适用于数据中心,监控摄像头,机顶盒等

多用途Video Codec IP(WAVE637DV、 WAVE627、 WAVE517等)

  • 单核系列

  • 支持4K60p@500MHz

  • 8/10位深度,支持I/P/B帧类型

  • 适用于汽车、无人机、监控摄像头、AR、VR等

高性价比Video Codec IP(WAVE6(LC)、 WAVE5(L)、 CODA 系列)

  • 单核系列

  • 支持4K60p@500MHz(WAVE) 、1080p60p@266MHz(CODA)

  • 8位深度,支持I/P帧编码和I/P/B帧解码

  • 适用于移动设备、无人机、物联网、IP摄像头、可穿戴设备等

ISP IP简介

预处理ISP IP(NIX、STYX)

  • 最大分辨率:8MP

  • 低功耗、防重影

  • 20位传感器数据接口(NIX)、24位传感器数据接口(STYX)

  • 支持实时HDR输出

ISP IP(CARPO、LEDA、METIS)

  • 支持8MP(LEDA)、13MP(METIS)

  • 支持自动对焦、自动曝光、自动白平衡等功能

  • 适用于智能手机、安防、自动驾驶、物联网等

后处理ISP IP(HYDRA、CHARON等)

  • 最大分辨率:8MP(HYDRA)、13MP (CHARON)

  • 支持3D降噪

  • 支持实时去噪输出

NPU IP简介

NPU IP

  • 支持8/10位YUV输入/输出

  • 支持M2M模式

  • 包括1024个MAC

  • 支持16位浮点运算

关于Chips&Media

Chips&Media公司是一家领先的数字多媒体IP供应商,总部设在韩国首尔。Chips&Media先进的超低功耗和高性能的视频编解码技术已被美国、欧洲、韩国、中国和日本等150多家世界顶尖的半导体厂商采用。

关于亚科鸿禹

无锡亚科鸿禹电子有限公司,成熟的一站式SoC/ASIC仿真验证产品及解决方案供应商,国内最早从事FPGA原型验证和硬件仿真加速器工具研发与应用的团队之一。率先推出国内首款桌面级硬件仿真加速器产品,实现该领域技术破冰。在华大九天的全面支持下,着力部署“FPGA原型验证矩阵”、“企业级硬件仿真加速器”、“ESL高阶设计语言编译和仿真工具”、“逻辑综合器”等多款数字前端核心EDA工具的研发与市场推广,致力于成为“中国领先的数字前端EDA工具供应商”,助力国产数字EDA全流程自主可控。 

公司总部位于江苏无锡,在北京、上海、合肥、西安、深圳设有研发中心,成都设有办事处,拥有超200人的人才团队,由具有20余年国际仿真验证从业背景的领域专家领衔,核心成员平均超过15年国内外知名EDA企业从业经验。公司与清华大学、合肥工业大学、江南大学等知名高校在EDA技术研发和人才培养方面保持长期产学研合作,共同推动国产EDA产业进程,助力中国半导体产业发展。公司的VeriTiger®系列原型验证产品和HyperSemu®硬件仿真加速器广泛服务于国内外知名集成电路设计企业、院校和研究所,应用于5G、人工智能、自动驾驶、AIoT、存储等前沿领域,全球累计用户超500家。

来源:亚科鸿禹

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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)将自身久经验证的磁性位置传感器技术专长与成熟的线性隧道磁阻(TMR)技术合二为一,推出XENSIV™ TLI5590-A6W磁性位置传感器。该传感器采用晶圆级封装,适用于线性和角度增量位置检测。这款半导体器件符合JEDEC JESD47K标准,适用于工业和消费应用并且可替代光学编码器和解码器,尤其适合用于摄像机定位镜头的变焦和对焦调整。

配图:XENSIV_TLI5590.jpg

XENSIV_TLI5590

TLI5590是一款低磁场传感器,采用了英飞凌专为大容量传感器系统开发的TMR技术。因此,该传感器具有超高灵敏度、低抖动和低功耗的特点。相比线性霍尔传感器,TMR传感器具有更好的线性度、更小的噪声和更低的滞后。其高信噪比和低功耗可实现电量消耗低的高性价比磁路设计。

因此,这款新型传感器能够在方向快速变化的情况下进行精确检测。TLI5590由两个TMR惠斯通电桥组成,其中TMR电阻取决于外部磁场的方向和强度。结合多极磁铁,每个电桥都能提供差分输出信号,即正弦和余弦信号。这些信号经过进一步处理后,可用于测量相对位置。

传感器采用极小的6球晶圆级封装SG-WFWLB-6-3。由于集成密度更高,因此能够缩小传感器的尺寸以便支持微型系统的小型化和位置检测。TLI5590-A6W通过使用合适的线性或旋转式磁性编码器,实现精度高于10µm的超高精度精密测量。该传感器的最高工作温度达到+125°C,可灵活用于各种工业和消费应用。它还凭借自身的高温稳定性成为在各种恶劣环境下使用的首选传感器。

供货情况

TLI5590-A6W现已开放订购。如需了解更多信息,请访问https://www.infineon.com/linear-sensors/tli5590-a6w

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工2023财年截至930的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。

更多信息请访问www.infineon.com

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英飞凌中国

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作者:by Giusy Gambino, Marcello Vecchio, Filippo Scrimizzi

意法半导体, 卡塔尼亚, 意大利

在汽车电源管理系统中做分布式智能设计时,对于智能功率开关,确保保护机制是否真正实现了智能至关重要,尤其是在涉及多通道驱动器的场景中,因为即使是轻微的电流失衡或意外的负载短路都会影响保护效果。

智能驱动器在管理和分配汽车电池包到各种组件(ECU、电机、车灯、传感器等)方面发挥着关键作用,这些多通道驱动器同时控制不同的电气负载,例如,电阻式执行器、电感式执行器和电容式执行器。所有通道的电流都保持均衡对于驱动器正常运行并确保车辆正常且高效地运行至关重要。在电路布局中,任何造成电流通过特定金属路径集中的轻微电流失衡、负载损坏或失效以及接线不当等意外情况,都可能导致局部电路出现电流聚集效应。电流失衡现象将会导致芯片过热和热点聚集,最终损坏或烧毁元件。

虽然做了热模拟实验和预防措施,但仍需检查和验证智能保护机制的实现情况,这有助于发现可能影响干预时效的潜在问题。

智能开关中的热检测

高边开关需要在空间非常小的紧凑封装内处理大电流,对于能否高效地管理热量,电流均衡是一个重要的影响因素。智能功率开关通常安装在通风和散热不良的封闭区域,这使得热管理变得更加重要。

因此,保护机制的智能性能取决于嵌入式热诊断功能,这些基于热检测和保护机制的诊断功能用于监测驱动器的温度,并在温度超过预设阈值时执行保护操作。准确度是测温技术面临的一个难题,因为多通道驱动器的电流均衡度对测温准确度影响很大。

局部电流密度突然变高或短路情况是设计人员非常关心的一个问题,这两种现象会产生分散的热点,导致突发性的热聚集效应,使温度骤然升高。这些情况可能导致过热和元器件失效,而且维修成本高昂。

为了防止热冲击损坏元器件,保护电路被设计为限制电流并使功率MOSFET保持在安全工作区域(SOA)内,直到触发热关闭功能,关闭驱动器。然而,这种类型的保护可能会在功率器件表面产生物理应力。为满足电浪要求和工艺容差,限流值需要设置得较高,但是,当驱动短路负载时,较高的限流值会导致芯片表面的温度快速上升。温度骤变会在芯片表面产生巨大的热梯度,从而产生热机械应力,影响器件的可靠性。

VIPower M0-9的解决方案是在高边驱动器低温区和高温区分别集成一个温度传感器(如图1所示)。

1.png

1 :具有不同温度传感器的智能开关的原理图

温度传感器采用多晶硅二极管制造技术,因为多晶硅二极管的温度系数在整个工作温度范围内保持很好的线性。低温传感器置于驱动器内部靠近控制器侧的低温区,而高温传感器则位于功率级区域,这是驱动器内部温度最高的区域。

这种双传感器技术可以限制驱动器的温度升幅,因为当温度达到过温阈值,或者两个传感器动态温度差值达到阈值,热保护就会触发。一旦过热故障消失,当温度降低到恢复值时,智能开关重新激活。

这个方法有助于减少开关上的热机械应力引起的热疲劳。热机械应力会随着时间的推移而变大,导致开关性能和可靠性降低。

热测图

除了热模拟实验和预防方法,红外(IR)热成像技术也是一种获取驱动器热测图的有效技术,可以让设计人员全面了解集成电路内的热量分布,揭示所有潜在的危险因素。

为了评估智能保护电路在恶劣的车用环境中的保护效果,必须在两种不同的应用场景和恶劣的短路条件下分析驱动器内的热量分布:

·端子短路(TSC)

·负载短路(LSC)

端子短路是当元器件或设备的端子之间存在低电阻连接的情况,如图2所示。

2.png

2:在 TSC条件下的温度测量测试电路

另一方面,当负载和电源之间存在感应路径时,就会出现负载短路情况,导致电流突然激增(图3)。

3.png

3:在 LSC条件下的温度测量测试电路

测试条件如下:

·Tamb = 25 °C

·Vbat = 14 V

·当热成像时,Ton = 1 ms

·当捕捉热传感器和热点的温度时,Ton = 300 ms

·TSC条件: RSUPPLY = 10 mΩ, RSHORT = 10 mΩ

·LSC 条件: RSUPPLY = 10 mΩ, LSHORT = 5 µH, RSHORT = 100 mΩ

其中,

Tamb是环境温度

Vbat直流电池电压

Ton是短路时长

RSUPPLY是电池内阻

RSHORT是短路电阻

LSHORT是短路电感

为了生成热测图,我们使用了红外摄像机捕捉每个位置辐射的红外线,然后将其转换成温度值。为了确保特定颜色转换为正确的温度值,校准是一个必不可少的重要过程。该过程是比较传感器拍摄的不同颜色与已知温度值,分析特定的热敏参数及其随温度升高的趋势。通过分析这些参数,校准过程可以确保热图准确地反映被扫描区域的温度分布。

为了校准红外摄像传感器,选用 MOSFET 体漏极二极管的正向电压 (VF),因为它与温度呈线性关系。然而,需要对二极管进行预校准才能准确的确定其温度系数。在 25°C 100°C 范围内改变温度的同时,测量恒定正向电流 (IF)的电压VF,即可确定二极管的温度系数。为防止电流及其相关功耗引起温升,IF 取值应在 10mA 20mA 范围内。

用在不同温度条件下采集的VF值进行线性插值和数学拟合计算,得到二极管的温度系数,如图4所示。

4.png

4 MOSFET体漏极二极管的预校准

用下列公式计算 (1)

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其中:

 Dt是温度变化量;

 DVF是正向电压变化;

K 是二极管的温度系数。

要创建热图,先用红外成像传感器以 1ms 的间隔拍摄每个温度点。在拍摄完芯片上的所有点位后(大约需要 3000 秒),专用软件就会生成热图,根据红外传感器的最小空间分辨率描绘每个点位的温度。把热图放到芯片行图上面,就可以识别工作区域中最热的热点,当电流流过器件时,就可以确定这些热点的坐标。

5 所示是VND9012AJ 双通道智能开关在 TSC 条件下的热图。

5.png

5VND9012AJ 通道在 TSC 条件下的热图

热测图法是在25°C 150°C 温度范围内利用不同颜色描述驱动器各个通道的温度分布情况,这是一个检测任何过热区域、确保驱动器在安全温度内工作的重要方法。通过提供每个通道在不同工况下的热图,热图测试法可以验证驱动器的工作可靠性,而无需将温度提高到最大阈值。

为了找到热点并监测高温传感器和低温传感器的温度变化,验证热关断机制的效果,在实验中必须考虑把短路时长延长到300ms

6 所示是在TSC 时观察到的VND9012AJ的温度变化。

6.png

6:两个传感器在 TSC 条件下的温度变化

上图表明,高温传感器检测到 VND9012AJ 的两个通道中都存在热点,这些热点的最高温度在 150 °C 范围内。

7 所示是VND9012AJ LSC 条件下的热图。

7.png

7VND9012AJ 通道在LSC 条件下的热图

8所示是在LSC 条件下观察到的VND9012AJ的温度变化。

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8:两个传感器在 LSC 条件下的温度变化

这两种情况都会触发热保护机制,把电流限制在安全水平。

结论

实验结果让我们能够深入洞悉智能开关的设计和开关操作特性,特别是电流分布和热保护机制,为我们提供宝贵的数据。确保所有通道的电流都保持均衡,对于提高汽车智能功率驱动器的安全性和可靠性至关重要。红外热成像技术可以精确、全面的分析温度分布情况,增强智能开关的热感测和保护系统的性能。在要求苛刻的汽车环境中,快速激活这些保护功能对检测过热现象、防止设备或系统损坏至关重要。

参考文献

[1]  P. Meckler and F. Gerdinand, "High-speed thermography of fast dynamic processes on electronic switching devices", 26th International Conference on Electrical Contacts (ICEC 2012), 2012.

[2]  X. Zhou and T. Schoepf, "Detection and formation process of overheated electrical joints due to faulty connections", 26th International Conference on Electrical Contacts (ICEC 2012), 2012.

[3]  T. Israel, M. Gatzsche, S. Schlegel, S. Großmann, T. Kufner, G. Freudiger, "The impact of short circuits on contact elements in high power applications", IEEE Holm Conference on Electrical Contacts, 2017.

[4]  Y. Lozanov, "Assessment of the technical condition of electric contact joints using thermography", 17th Conference on Electrical Machines, Drives and Power Systems (ELMA), 2021.

[5]  M. Bonarrigo, G. Gambino, F. Scrimizzi, "Intelligent power switches augment vehicle performance and comfort", Power Electronics News, Oct. 10, 2023.

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