RS8761/2/4P系列高速运算放大器支持轨对轨输入/输出，在RS8751/2/4P系列的基础上进一步对失调电压参数和噪声性能进行优化，以满足更多的应用场景。
RS8761/2/4P系列运放采用CMOS工艺设计，主要参数特性如下：
Ø 单位增益带宽250MHz；
Ø 高压摆率180V/μs；
Ø 输入失调电压低至1mV(Typ)；
Ø 输入偏置电流低至3pA；
Ø 低噪声：6nV/√Hz
Ø 过载恢复时间0.04μs；
Ø 轨对轨输入/输出；
Ø 电源纹波抑制比PSRR 80dB；
Ø 共模抑制比CMRR 80dB；
Ø 开环增益105dB；
Ø 宽工作电压范围，2.7V~5.5V；
Ø 扩展工业级工作温度范围-40°C~125°C。
RS8761P/RS8762P/RS8764P封装和管脚定义
RS8761P提供标准SOT23-5封装，RS8762P提供标准SOP8、MSOP8和TSSOP8封装，RS8764P提供标准SOP14和TSSOP14封装，封装尺寸和管脚定义都与当前市场通用产品兼容，欢迎各界工程师朋友索样评测。
来源：润石科技
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15 %，而RthJC低18 %。
日前发布的器件在10 V下的导通电子典型值为0.88 mW，最大限度降低了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了热性能。这款节省空间的器件体积为8 mm x 8 mm，与采用TO-263封装的MOSFET相比，PCB面积减少50 %，而且其厚度仅为1 mm。
SiEH4800EW采用融合的焊盘，将源焊盘的可焊面积增加到3.35 mm2，比传统PIN焊接面积大四倍。这降低了MOSFET和PCB之间的电流密度，从而降低了电迁移的风险，使设计更加可靠。此外，器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性，同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。
这款MOSFET的常适合同步整流和Oring应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。在这些应用中，该器件可在+175 ℃的高温下工作，而其BWL设计可将寄生电感降至最低，同时使电流能力最大化。
MOSFET符合RoHS标准，无卤素，并且经过100 %的Rg和UIS测试。
对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW对比
产品编号 | SUM60020E | SiJH5800E | SiEH4800EW | |
封装 | TO-263 | PowerPAK 8x8L | PowerPAK 8x8SW | |
尺寸 (mm) | 16 x 10 | 8.0 x 8.0 * | 8.0 x 8.0 * | |
高度 (mm) | 4.8 | 1.7 | 1.0 * | |
VDS (V) | 80 | 80 | 80 | |
VGS (V) | ± 20 | ± 20 | ± 20 | |
配置 | 单个 | 单个 | 单个 | |
VGSth (V) | 最小值 | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
RDS(on) (mΩ) @ 10 VGS | 典型值 | 1.75 | 0.97 | 0.88 * |
最大值 | 2.1 | 1.35 | 1.15 * | |
ID (A) | 最大值 | 150 | 302 | 608 * |
RthJC (C/W) | 最大值 | 0.4 | 0.45 | 0.36 * |
熔断引线 | 无 | 无 | 有 | |
同类最佳 (*)
SiEH4800EW现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
COMPUTEX 2025期间，AI基础建设当仁不让的成为了重要话题。特别是随着AI应用的不断挖掘，AI算力设施就像是互联网设施、电力设施一般变得不可替代，如何将数据中心升级成AI工厂已经成为行业考虑的问题。
当DeepSeek等AI新方案崛起，AI基础设施的重心不再过分倚重于GPU单一硬件，而是分配更多的资源到强大的并行能力、存储方案中，以解决更为细分的应用场景，当雪藏的数据被重新启用，由冷数据变成温数据的时候，机械硬盘开始难以承担高速读写和数据传输的重任，在机械硬盘和固态硬盘中间找到成本、容量、性能的平衡点变得非常重要，企业级的QLC技术进而被推向前台。
QLC技术推向市场已经有一段时间，但以往的QLC受限于技术原因，读写速度和寿命均受到诟病，以至于很长时间内难以在企业级市场得到推广。随着近年来半导体工艺制成技术的不断提升，存储密度和逻辑电路不断优化和升级，QLC的可靠性和读写速率都得到了质的飞跃。例如铠侠通过CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术将存储单元与逻辑单元分配到两个晶圆上分别制造，从而可以根据不同单元的制造特性优化流程，并获得更好的效能。
值得注意的是，铠侠第八代BiCS FLASH™ TLC和QLC产品均使用了CBA技术，从而实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。
以此为基础，基于铠侠第八代BiCS FLASH™ QLC NAND的铠侠LC9系列固态硬盘在近期发布，让存储容量来到了122.88TB，0.3DWPD耐久度，支持双端口2.5英寸外形尺寸，并符合NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 和PCIe® 5.0 规范（支持Gen5 单 x4、双 x2配置，最高可达128 GT/s）。
得益于铠侠第八代BiCS FLASH™ QLC NAND的高效传输，铠侠LC9系列固态硬盘很好的兼顾了性能和价格，为AI计算温数据提供了海量的存储空间，进而加速AI应用落地，为企业客户抢占更多市场先机。
如果追求更高性能，与铠侠LC9系列同期推出的铠侠CM9系列非常值得关注，这款产品铠侠第八代BiCS FLASH™ TLC NAND打造，与上一代 KIOXIA CM7 系列相比，KIOXIA CM9 系列固态硬盘的随机写入性能提升高达 65%，随机读取性能提升高达 55%，顺序写入性能提升高达 95%。此外，其每瓦性能也得到提升：顺序读取效率提升约 55%，顺序写入效率提升约 75%。
同样，铠侠CM9系列符合 PCIe® 5.0、NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 1.2c 和 OCP 数据中心 NVMe™ SSD 2.5 规范，支持 2.5 英寸和 E3.S 外形尺寸的双端口， 顺序读写性能（128 KiB/QD32）– 读取速度 14.8 GB/s，写入速度 11 GB/s，随机性能（4KiB）达到 3,400 KIOPS (QD512) 和 800 KIOPS (QD32)，是优秀的旗舰级产品， 2.5 英寸容量高达 61.44 TB，E3.S 容量高达 30.72 TB，是一款表现优秀的企业级固态硬盘。
无论TLC还是QLC技术，铠侠企业级和数据中心级固态硬盘，已经给客户的AI应用准备好了更为高效、可靠的存储解决方案。通过与行业合作伙伴不断加深合作，不断挖掘数据存储效率新价值，为AI计算提供可靠的存储后盾，探索更多AI的可能性。
米尔电子基于与NXP长期合作的嵌入式处理器开发经验，在i.MX 6和i.MX 8系列核心板领域已形成完整产品矩阵，米尔累计推出5个平台共计二十余款NXP核心板，涵盖工业物联网、新能源、医疗等领域。此次推出的米尔基于NXP i.MX 91核心板及开发板（MYC-LMX91），延续了米尔在嵌入式模组领域的技术积累，赋能新一代入门级嵌入式Linux应用。提供1GB LPDDR4 8GB eMMC 的核心板和开发板，核心板采用218PIN引脚的LGA封装设计，工作温度为-40℃-85℃，适应工业级的严苛环境使用。
图：米尔基于NXP i.MX 91核心板开发板
MYC-LMX91核心板及开发板基于 NXP i.MX 91作为NXP新款入门款处理器，具有低成本、低功耗的特点。i.MX 91配备单核 Cortex-A55@1.4 GHz，可与i.MX 93处理器实现引脚兼容。此外，这款处理器支持多种外设接口资源，2个千兆以太网接口、2个USB2.0接口、2个CAN-FD接口、8个UART接口，8个I2C，8个SPI，2个I3C等，适用于充电桩、HMI、工业网关等场景。
配套开发板
MYD-LMX91开发板，采用 12V/2A 直流供电，搭载了2路千兆以太网接口、1路M.2 B型插座的5G/4G 模块接口、板载1路 WIFI模块、1路 RGB 显示接口、1路音频输入输出接口、2路USB HOST Type A、1路USB OTG Type-C接口、1路Micro SD接口、1路CAN由凤凰端子引出、1路RS485由凤凰端子引出、1路RS232 凤凰端子引出，1路JTAG调试接口，1路ADC接口。
作者：Edwin Omoruyi，高级应用工程师
问题
人工智能(AI)应用对高性能内存，特别是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，这是否会导致自动测试设备(ATE)厂商的设计变得更加复杂？
回答
AI需要高密度和高带宽来高效处理数据，因此HBM至关重要。ATE厂商及其开发的系统需要跟上先进内存接口测试的发展步伐。ADI公司的CMOS开关非常适合ATE厂商的内存晶圆探针电源测试。这些CMOS开关拥有快速导通和可扩展性等特性，能够提升测试并行处理能力，从而更全面、更快速地测试内存芯片。
简介
随着AI应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，内存芯片设计将变得更加复杂。ATE厂商是验证内存芯片的关键一环，目前正面临着越来越大的压力，需要不断提升自身能力以满足这一需求。传统上，在存储器晶圆探针电源应用中，PhotoMOS®开关因其良好的低电容乘电阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于减少信号失真，改善开关关断隔离度，同时实现更快的开关速度和更低的插入损耗。
除了上述优点外，PhotoMOS开关的关断电压也较高，但也存在一些局限性，主要体现在可靠性、可扩展性和导通速度方面。其中，导通速度较慢一直是客户不满的一大原因。
为了应对这些挑战，ADI公司开发出了新型开关来取代存储器晶圆探针电源应用中的PhotoMOS。ADI开关不仅导通速度非常快，而且同样具备低CxR特性，可以确保高效切换。此外还具有良好的扩展性，能够改善测试的并行处理能力，使ATE能够处理更大规模、速度更快的测试任务。如今AI应用对高效和高性能内存测试的需求日益增长，为此，ATE公司正积极寻求更优的解决方案。在这种背景下，ADI开关凭借一系列出色特性，成为了PhotoMOS的有力替代方案。
应用原理图
在ATE设置中，开关扮演着非常重要的角色。开关能够将多个被测器件(DUT)连接到同一个测量仪器（例如参数测量单元PMU），或者将它们从测量仪器上断开，以便执行测试流程。具体来说，开关使得PMU能够高效地向不同DUT施加特定电压，并检测这些DUT反馈的电流。开关能够简化测试流程，在需要同时或依次测试多个DUT的情况下，这种作用更加突出。通过使用开关，我们可以将PMU的电压分配到多个DUT，并检测其电流，这不仅提高了测试效率，还大幅减少了每次测试之间重新配置测试装置的麻烦。
图1.PMU开关应用
图2.PhotoMOS和CMOS开关架构
图1展示了如何利用开关轻松构建矩阵配置，使得一个PMU就能评估多个DUT。这种配置减少了对多个PMU的需求，并简化了布线，从而显著提高了ATE系统的灵活性和可扩展性，对于大批量或多器件的测试环境至关重要。
开关架构
为便于理解评估研究（即利用开发的硬件评估板对PhotoMOS开关和CMOS开关进行比较）以及研究得出的结果，有必要对PhotoMOS开关和CMOS开关进行比较。从二者的开关架构开始比较更易于看出差别。
CMOS开关和PhotoMOS开关的架构不同，图2显示了开关断开时的关断电容(COFF)。该寄生电容位于输入源极引脚和输出引脚之间。
对于PhotoMOS开关，COFF位于漏极输出引脚之间。此外，PhotoMOS开关具有输入到输出电容（也称为漏极电容），同时在其用于导通和关断输出MOSFET的发光二极管(LED)级也存在输入电容。
对于CMOS开关，COFF位于源极和漏极引脚之间。除了COFF之外，CMOS开关还有漏极对地电容(CD)和源极对地电容(CS)。这些对地电容也是客户在使用CMOS开关时经常抱怨的问题。
当任一开关使能时，输入信号便可传输至输出端，此时源极和漏极引脚之间存在导通电阻(RON)。通过了解这些架构细节，我们可以更轻松地分析评估研究中的电容、RON和开关行为等性能指标，确保为特定应用选择正确的开关类型。
开关规格和附加值
为了更好地对开关进行定性和定量评估，应该考察其在系统设计应用中带来的附加值。如上所述，对于图1所示应用，ADG1412是理想选择，可以轻松替代PhotoMOS开关。这款CMOS开关是四通道单刀单掷(SPST)器件，拥有出色的特性，包括高功率处理能力、快速响应时间、低导通电阻和低漏电流等。设计人员可以通过比较表1列出的重要指标，评估CMOS开关性能并打分，从而量化其相对于其他替代方案的优势。这有助于更深入地了解器件的信号切换效率，对于复杂或敏感的电子系统非常有帮助。
表1.开关规格
评估标准 | PhotoMOS | ADG1412 | 附加值 | 记分卡 |
漏电流 | 1 nA | 30 pA | 非常适合漏电流测试；输出端电压误差贡献更小 | CMOS开关更好 |
COFF | 0.45 pF | 1.6 pF | 波形失真更小，隔离度更高 | PhotoMOS开关更好 |
RON | 12 Ω | 1.5 Ω | 输出端信号压降较低，插入损耗更低 | CMOS开关更好 |
(CxR)乘积 | 5.4 pF.Ω | 2.4 pF.Ω* | 波形失真更小、隔离度更高、信号损失较低 | PhotoMOS开关略胜一筹，因为其漏极电容较低 |
漏极电容[CD(OFF)] | 1 pF | 23 pF | 值越高，CxR性能越差，导致输入信号失真，关断隔离度降低 | PhotoMOS开关更好 |
导通速度 | 200 μs | 100 ns | 切换能力较快 | CMOS开关更好 |
电压、电流能力 | （32 V、120 mA） | （32 V、250 mA） | 能够将更多输出驱动电流传输到负载 | CMOS开关更好 |
成本/通道 | 高 | 低 | 有助于提高通道密度，成本最多降低50% | CMOS开关更好 |
封装面积 | 3.55 mm2 | 每个开关4.00 mm2 | 布局后开关面积非常接近 | 非常接近 |
* CD(OFF)会影响CxR乘积性能
关断隔离：开关断开时的电容
两种开关的关断隔离曲线（图3）表明，输入信号受到高度抑制（100 kHz时为-80 dB），未到达输出端。随着频率提高，PhotoMOS的性能开始略高一筹，二者相差-10 dB。对于图1所示的开关应用（直流(DC)切换），开关电容并不重要，重要的开关参数是低漏电流、高导通速度和低插入损耗。
图3.关断隔离曲线
插入损耗：开关导通电阻
低RON的开关至关重要。I*R电压降会限制系统性能。各器件之间以及温度变化引起的RON波动越小，测量误差就越小。图4中的插入损耗曲线显示，在100 kHz频率下，PhotoMOS开关的插入损耗为-0.8 dB，而CMOS开关的插入损耗仅为-0.3 dB。这进一步证实了CMOS开关具有较低的RON (1.5 Ω)。
图4.插入损耗曲线
图5.开关导通时间
开关导通时间
当驱动使能/逻辑电压施加到任一开关上，使其闭合并将输入信号传递到输出端时，如果使用的是PhotoMOS开关，则会存在明显的延迟（如图5所示）。这种较慢的导通速度由于LED输入级的输入电容，以及内部电路将电流转换为驱动MOSFET栅极所需电压的过程中产生的延迟造成的。导通速度慢一直是客户不满的主要原因，而且会影响系统整体应用的速度和性能。相比之下，CMOS开关的导通速度(100 ns)是PhotoMOS开关(200,000 ns)的2000倍(×2000)，更能满足系统应用所需。
设计迁移：PhotoMOS替换为ADG1412开关
如果系统中使用的是PhotoMOS开关，并且遇到了测量精度不高、导通速度慢导致系统资源占用过多，以及难以提高通道密度等问题，那么升级到采用CMOS开关的方案将使开发变得非常简单。图6显示了PhotoMOS开关与CMOS开关的连接点对应关系。因此，系统设计可以利用CMOS开关，以更低的成本实现更高的通道密度。
图6.开关连接点
ADI开关可提高通道密度
表2列出了一些能够提高通道密度的ADI开关示例。这些开关具有与ADG1412类似的性能优势，导通电阻更低（低至0.5 Ω），而且成本比PhotoMOS开关还低。这些开关提供串行外设接口(SPI)和并行接口，方便与控制处理器连接。
表2.能够提高通道密度的ADI开关示例
产品 | RON (Ω) | 开关配置 | 1ku标价/通道($) |
ADG2412 | 0.5 | 四通道SPST | 非常有竞争力 |
ADG6412 | 0.5 | 四通道SPST | 非常有竞争力 |
ADGS2414D | 0.56 | SPI：八通道SPST | 非常有竞争力 |
结论
本文着重说明了CMOS开关的潜力。在ATE应用中，ADG1412可以很好地取代PhotoMOS开关。比较表明，CMOS开关的性能达到甚至超过了预期，尤其是在对开关电容或漏极电容要求不高的场合。此外，CMOS开关还拥有显著的优势，例如更高的通道密度和更低的成本。
ADI公司的CMOS开关产品系列非常丰富，不仅提供导通电阻更低的型号，还支持并行和SPI两种控制接口，从而更加有力地支持了在ATE系统中使用CMOS开关的方案。
欲了解所提供开关的更多信息，请访问以下链接。
关于ADI公司
Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司，致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁，以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案，推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展，应对气候变化挑战，并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2024财年收入超过90亿美元，全球员工约2.4万人。ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息，请访问www.analog.com/cn。
作者简介
Edwin Omoruyi是ADI爱尔兰公司仪器仪表事业部的高级产品应用工程师。2007年，他毕业于利默里克理工学院，获得电子系统工程学士荣誉学位。2010年，他毕业于利默里克大学，获得超大规模集成电路(VLSI)硕士荣誉学位。2010年至2018年，Edwin担任ADI公司汽车和座舱电子事业部的应用工程师，之后于2023年，他再次加入ADI公司。除了在ADI公司的工作经历之外，他还曾在汽车和制造行业担任系统架构师，负责AD/ADAS传感应用开发。
季度收入达 441 亿美元，较 2025 财年第四季度增长 12%，较去年同期增长 69%
数据中心季度收入达 391 亿美元，较 2025 财年第四季度增长 10%，较去年同期增长 73%
NVIDIA（纳斯达克股票代码：NVDA）今日宣布，截至 2025 年 4 月 27 日的第一季度收入为 441 亿美元，较上一季度增长 12%，较去年同期增长 69%。
2025 年 4 月 9 日，NVIDIA 收到美国政府通知，面向中国市场的 H20 产品出口需申请许可证。由于此项规定导致 H20 需求减少，NVIDIA 在 2026 财年第一季度因 H20 的库存积压和采购承诺而产生了 45 亿美元的费用。在新的出口许可要求实施前，2026 财年第一季度 H20 产品销售额为 46 亿美元。NVIDIA 当季另有 25 亿美元的 H20 订单无法交付。
第一季度 GAAP 和非 GAAP 毛利率分别为 60.5% 和 61.0%。若不含 45 亿美元费用的影响，第一季度非 GAAP 毛利率应为71.3%。
第一季度 GAAP 和非 GAAP 摊薄每股收益分别为 0.76 美元和 0.81 美元。若不含 45 亿美元费用和相关税费的影响，第一季度非 GAAP 摊薄每股收益应为 0.96 美元。
NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋表示：“我们的突破性 AI 超级计算机 Blackwell NVL72 是专为 AI 逻辑推理任务设计的‘思考机器’，目前正通过全球领先的系统制造商和云服务提供商进入全面量产阶段。全球对 NVIDIA AI 基础设施的需求空前强劲。AI 推理的 token 生成量在短短一年内激增十倍，随着 AI 智能体成为主流，业界对 AI 算力的需求也将加速增长。世界各国和地区正在将 AI 列为与电力、互联网同等重要的关键基础设施，NVIDIA 正处于这场深远变革的中心位置。”
NVIDIA 将于 2025 年 7 月 3 日向截至 2025 年 6 月11 日登记在册的所有股东支付每股 0.01 美元的下一季度现金红利。
2026 财年第一季度概要
GAAP | |||||
（除每股收益以外，其余数据单位均为百万美元） | 2026 财年 第一季度 | 2025 财年 第四季度 | 2025 财年 第一季度 | 环比 | 同比 |
收入 | $44,062 | $39,331 | $26,044 | 12% | 69% |
毛利率 | 60.5% | 73.0% | 78.4% | (12.5) 个百分点 | (17.9) 个百分点 |
运营费用 | $5,030 | $4,689 | $3,497 | 7% | 44% |
营业收入 | $21,638 | $24,034 | $16,909 | (10) % | 28% |
净收益 | $18,775 | $22,091 | $14,881 | (15) % | 26% |
摊薄每股收益* | 0.76 | $0.89 | $0.60 | (15) % | 27% |
非 GAAP | |||||
（除每股收益以外，其余数据单位均为百万美元） | 2026 财年 第一季度 | 2025 财年 第四季度 | 2025 财年 第一季度 | 环比 | 同比 |
收入 | $44,062 | $39,331 | $26,044 | 12% | 69% |
毛利率 | 61.0% | 73.5% | 78.9% | (12.5) 个百分点 | (17.9) 个百分点 |
不含 H20 费用的毛利率 | 71.3% | ||||
运营费用 | $3,583 | $3,378 | $2,501 | 6% | 43% |
营业收入 | $23,275 | $25,516 | $18,059 | (9) % | 29% |
净收益 | $19,894 | $22,066 | $15,238 | (10) % | 31% |
摊薄每股收益* | $0.81 | $0.89 | $0.61 | (9) % | 33% |
不含 H20 费用和相关税费影响的摊薄每股收益* | $0.96 | ||||
* 2024 年 6 月 7 日 NVIDIA 已完成 1 拆 10 的拆股计划。其呈交的所有每股金额均已根据拆股计划进行追溯调整。
展望
NVIDIA 对 2026 财年第二季度的展望：
收入预计将达 450 亿美元，上下浮动 2%。这一数据反映出 H20 产品的收入由于近期出口管制政策而减少 80 亿美元。
GAAP 和非 GAAP 毛利率预计分别为 71.8% 和 72.0%，上下浮动 50 个基准点。公司正在持续优化毛利率，力争今年年末将毛利率提升至 70% 区间中位水平。
GAAP 和非 GAAP 运营费用预计分别约为 57 亿美元和 40 亿美元。2026 财年全年运营费用增长率预计达到 30% 区间中位水平。
GAAP 和非 GAAP 其他收入和费用预计约为 4.5 亿美元，不包括非流通证券和公开持有的权益性证券的收益和亏损。
GAAP 和非 GAAP 税率预计为 16.5%，上下浮动 1%，不包括任何离散项。
亮点
自上次发布财报以来，NVIDIA 在以下领域取得进展：
数据中心
第一季度数据中心收入达 391 亿美元，较上一季度增长 10%，较去年同期增长 73%。
宣布新的建厂计划。
推出 NVIDIA Blackwell Ultra 和 NVIDIA Dynamo，加速和扩展 AI 推理模型部署。
宣布与 HUMAIN 合作，在沙特阿拉伯王国建造 AI 工厂，推动 AI 发展的下一波浪潮。
携手 G42、OpenAI、Oracle、软银集团及思科等合作伙伴，在阿联酋阿布扎比共同推出新一代 AI 基础设施集群 Stargate UAE。
宣布与 Foxconn 合作开发 AI 工厂超级计算机。
宣布 NVIDIA 正通过 NVIDIA RTX PRO™ 服务器推动企业 IT 基础设施向 AI 工厂的转型。
推出 NVLink Fusion™，助力行业用户通过 NVIDIA 合作伙伴生态系统构建半定制 AI 基础设施。
发布 NVIDIA Spectrum-X™ 和 NVIDIA Quantum-X 硅光网络交换机，支持 AI 工厂连接数百万 GPU。
推出基于 NVIDIA Blackwell Ultra GPU 构建的 NVIDIA DGX SuperPOD™，提供 AI 工厂超级计算能力，以实现先进的代理式 AI 推理。
携手 Alphabet 和谷歌推出多项合作计划，旨在推动代理式 AI 解决方案、机器人以及药物研发的发展。
宣布 NVIDIA 加速计算和推理软件与 Oracle 的 AI 基础设施实现集成。
宣布 NVIDIA Blackwell 云实例已正式登陆四大云平台：亚马逊云科技、谷歌云、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure。
宣布 NVIDIA Blackwell 平台在最新 MLPerf 推理基准测试中创下纪录，吞吐量最高提升达 30 倍。
发布 NVIDIA DGX Cloud Lepton™，连接开发者与 NVIDIA 全球计算生态。
推出具备逻辑推理能力的开放 Llama Nemotron 模型系列，为构建高级 AI 智能体奠定基础。
宣布开设研究中心，部署全球最大的量子研究超级计算机。
游戏和 AI PC
第一季度游戏收入创纪录地达到 38 亿美元，较上一季度增长 48%，较去年同期增长 42%。
发布 NVIDIA GeForce RTX™ 5070 和 RTX 5060，为玩家带来 Blackwell 显卡，RTX 5060 GPU 建议零售价人民币 2499 元起，RTX 5060 笔记本电脑建议零售价人民币 7999 元起。
现在已有超过 125 款游戏和应用支持 NVIDIA DLSS 4，包括：《黑神话：悟空》（Black Myth: Wukong）、《毁灭战士：黑暗时代》（DOOM: The Dark Ages）、《夺宝奇兵：古老之圈》（Indiana Jones and the Great Circle）、《漫威争锋》（Marvel Rivals）和《星球大战：亡命之徒》（Star Wars Outlaws）。
宣布 Nintendo Switch 2 采用 NVIDIA 处理器和 AI 驱动的 DLSS，提供高达 4K 的游戏体验。
发布 NVIDIA RTX Remix MOD 平台，吸引超过 200 万玩家，同时推出《半条命 2》（Half- Life 2）RTX 版 Demo。
专业视觉
第一季度专业视觉收入为 5.09 亿美元，与上一季度持平，较去年同期增长 19%。
发布面向工作站和服务器的 NVIDIA RTX PRO™ Blackwell 系列。
发布 NVIDIA Grace Blackwell 平台驱动的 NVIDIA DGX Spark 和 DGX Station™ 个人 AI 超级计算机。
宣布领先的工业软件和服务提供商 Accenture、Ansys 、Databricks、SAP、Schneider Electric with ETAP 以及西门子将 NVIDIA Omniverse™ 平台集成到其解决方案中，利用物理 AI 加速工业数字化。
汽车和机器人
第一季度收入为 5.67 亿美元，较上一季度下降 1%，较去年同期增长 72%。
宣布与通用汽车达成合作，双方将基于 NVIDIA Omniverse、NVIDIA Cosmos™ 和 NVIDIA DRIVE AGX™ 平台，合作打造下一代汽车、工厂和机器人。
推出 NVIDIA Halos 综合安全系统，将 NVIDIA 的汽车硬件、软件安全解决方案与其自动驾驶汽车安全领域前沿的 AI 研究相结合。
发布全球首个开源人形机器人基础模型 NVIDIA Isaac™ GR00T N1 及其更新版本 NVIDIA Isaac™ GR00T N1.5；发布用于合成运动数据生成的 NVIDIA Isaac GR00T-Dreams Blueprint，以及用于加速人形机器人开发的 NVIDIA Blackwell 系统。
推出全新世界基础模型 NVIDIA Cosmos™ 和物理 AI 数据工具。
首席财务官的评论
NVIDIA 执行副总裁兼首席财务官 Colette Kress 对本季度财务业绩发表了评论，敬请访问 https://investor.nvidia.com 网站查看评论内容。
电话会议和网络广播信息
NVIDIA 于太平洋时间 5 月 28 日下午 2 点（东部时间下午 5 点）与分析师和投资者召开电话会议，讨论公司 2026 财年第一季度的财务报告以及当前财务前景。本次电话会议于 NVIDIA 投资者关系网站上进行网络直播（音频形式），网址为 https://investor.nvidia.com。该网络广播将被录制，在 2026 财年第二季度财务报告电话会议前，可随时重播。
非 GAAP 衡量指标
为补充按 GAAP 计算的 NVIDIA 简明合并财务报表，NVIDIA 在财务报告的特定组成部分中使用了非 GAAP 衡量指标。这些非 GAAP 衡量指标包括非 GAAP 毛利润、非 GAAP 毛利率、非 GAAP 运营费用、非 GAAP 营业收入、非 GAAP 其他收入（费用）净额、非 GAAP 净收入、非 GAAP 摊薄每股净收入或收益以及自由现金流。为使 NVIDIA 的投资者能够更好地对比当前业绩与以往业绩，公司给出了从 GAAP 到非 GAAP 财务衡量指标的调节表。这些调节表调整了相关的 GAAP 财务衡量指标，扣除了股票补偿费、收购案相关和其他费用、其他、非流通证券和公开持有的股票证券的收益和亏损净额、债务折扣摊销相关的利息支出、H20 库存积压和采购承诺以及这些项目适用的相关税款。在 GAAP 财务衡量指标调整中纳入 H20 产品库存积压及采购承诺费用，是基于 2025 年 4 月 9 日美国政府通知 NVIDIA，H20 产品出口中国需要许可这一事实。H20 产品主要面向中国市场设计。自由现金流的计算方法：运营活动提供的 GAAP 净现金减去物业、设备和无形资产的购买款与物业、设备和无形资产的本金的总和。NVIDIA 相信这些非 GAAP 财务衡量指标会增进用户对公司以往财务业绩的全面理解。公司提交非 GAAP 财务衡量指标的目的不是将其割裂开来或替代公司按公认会计准则计算的财务业绩。而且 NVIDIA 的非 GAAP 财务衡量指标可能与其他公司所使用的非 GAAP 财务衡量指标有所不同。
关于 NVIDIA
NVIDIA（NASDAQ: NVDA）是加速计算领域的全球领导者。
高抑制带通陶瓷滤波器
Abracon高抑制带通陶瓷滤波器旨在通过有效滤除不必要的干扰，同时保持低插入损耗，从而优化信号清晰度。该滤波器采用先进的LTCC技术制造，在高频应用中具有卓越性能，同时保持紧凑耐用的外形。在高达125°C的温度下仍能稳定运行，是现代射频设计的可靠选择。
产品特性
先进滤波技术，实现卓越信号完整性
- 出色的带外抑制能力
这些陶瓷滤波器具有卓越的选择性，能够有效消除相邻信道或无用频率的干扰，确保在频段拥挤的环境中提升系统性能。
- 低插入损耗
通过最大限度减少信号衰减，Abracon带通滤波器有助于保持强信号强度和高效的功率传输，增强无线通信系统的整体可靠性。
- 紧凑耐用的设计
凭借紧凑且节省空间的外形，这些滤波器可轻松集成到射频前端设计中而不影响性能，非常适合现代紧凑型无线设备。
- LTCC技术
采用LTCC技术支持高频运行，提高了热稳定性和机械强度，确保在关键任务应用中的长期可靠性。
探索Abracon滤波器如何提升您的新一代射频设计
现代无线系统中的多样化应用
Abracon的高抑制带通陶瓷滤波器在各类前沿无线应用中发挥着重要作用。在物联网（IoT）模块中，该滤波器通过滤除噪声并保持信号完整性，确保可靠连接。在智能家居设备和智能照明系统中，该滤波器支持无缝无线通信，减少其他家用电子设备的干扰。在智能计量和资产跟踪应用中，该滤波器可通过精确的频率选择，实现准确的数据传输。此外，这些滤波器在消费电子、胎压监测、可听设备与可穿戴设备、无钥匙进入和室内定位等领域同样不可或缺，能有效降低干扰，以确保无线系统连续稳定运行。
无缝集成的关键特性
Abracon高抑制带通陶瓷滤波器专为轻松集成至射频设计而设计，确保在空间受限的应用中表现出色。其紧凑的SMD陶瓷封装，可以轻松集成到现代无线系统中。该滤波器具备低插入损耗和高带外抑制能力，可实现卓越的信号清晰度和效率。其小尺寸设计有助于优化电路板的空间利用率。此外，该系列滤波器符合AEC-Q200车规级认证，适用于要求严苛的汽车应用。
助力新一代互联通信
随着对高速、无干扰通信需求的增加，Abracon的高抑制带通陶瓷滤波器为现代射频设计挑战提供了关键解决方案。其出色的抑制能力、低插入损耗和稳定性能，使其成为优化无线系统的关键元件。
来源：Abracon艾博康
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 是Molex的全球授权代理商，提供其丰富的产品解决方案。作为全球知名的连接器解决方案供应商，Molex凭借出色的工程技术、值得信赖的合作伙伴关系以及对质量和可靠性的不懈追求，为客户提供优质服务。贸泽提供超过180,000种Molex产品，其中包括35,000多种库存产品，可立即发货。Molex解决方案广泛应用于通信、数据中心、交通、医疗和工业等领域。
Molex NextStream连接器系统支持高达64Gbps PAM-4的下一代数据速率，符合PCIe第6代标准。NextStream系统旨在帮助数据中心升级，并满足人工智能 (AI)、NVMe-EDSFF存储、CXL、UPI系统及高性能计算等数据密集型应用的需求。NextStream系统提供垂直、直角和侧出电缆设计，为PCB设计提供了灵活性，具有4x、8x、16x、垂直和直角连接器等多种选项。
Molex Multi-Trak I/O连接器经过精心设计，可在节省空间的同时提供高速数据传输功能。这些连接器采用集成设计，集信号和电源传输功能于一体，增强了在有限空间内的适应性，并符合小尺寸 (SFF) TA-1033标准。这种创新设计为管理复杂数据基础设施提供了关键的灵活性。
Molex HyperQube互连系统具有高功率密度和强大的电气性能，即使在高电流负载下也能稳定运行。该互连系统采用机械键控方案，确保电路板安装插座在印刷电路板 (PCB) 或母线上的正确定位和定向。
Molex Micro-Fit+ PCIe 5.0连接器采用紧凑的混合电源和信号设计，适用于空间受限的大电流应用场景。其耐用设计采用完全隔离的腔体结构保护端子免受损坏，并采用高电流铜合金、液晶聚合物、锡镀层及磷青铜等高性能材料强化性能。
贸泽与Molex合作创建了多本电子书，为设计工程师提供专业参考。最新一本《Wired for Success》讨论了定制RF电缆相对于现成或DIY电缆的优势。贸泽和Molex还合作创建了在线工具，让设计师可以根据特定应用需求设计定制电缆。多年来，贸泽与Molex始终保持着密切的业务合作，并多次荣获其颁发的各类奖项。双方还一起赞助了DS PENSKE电动方程式赛车队和Vasser Sullivan Lexus IMSA赛车队。
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作为全球授权代理商，贸泽电子库存有丰富的半导体、电子元器件以及工业自动化产品。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计，贸泽网站提供了丰富的技术资源库，包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、设计工具以及其他有用的信息。
工程师还可以一键订阅免费的贸泽电子报，及时了解业界新品动态和资讯。在订阅贸泽的电子报时，我们可以根据您不断变化的具体项目需求来提供相关的新闻报道和参考信息。贸泽充分尊重用户的权利，让您能自由掌控想要接收的内容。欢迎登陆https://sub.info.mouser.com/subscriber-sc注册，及时掌握新兴技术、行业趋势及更多资讯。
关于贸泽电子 (Mouser Electronics)
贸泽电子是一家授权半导体和电子元器件代理商，专门致力于向设计工程师和采购人员提供各产品线制造商的新产品。作为一家全球代理商，我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持，提供超过1200家品牌制造商的680多万种产品。我们通过遍布全球的28个客户支持中心，为客户提供无时差的本地化贴心服务，并支持使用当地货币结算。我们从占地9.3万平方米的全球配送中心，将产品运送至全球223个国家/地区、超过65万个顾客的手中。更多信息，敬请访问：http://www.mouser.cn。
2025年5月，飞凯材料旗下子公司江苏和成显示科技有限公司（以下简称"和成显示"）与全球领先的液晶材料企业JNC株式会社（前身为日本智索Chisso株式会社），正式签署"资产收购与增资扩股相关协议书" 。根据协议，和成显示将收购JNC苏州100%股权，并取得JNC所有与显示液晶相关的核心专利。同时，JNC也将以战略投资者的身份入股和成显示，取得和成显示 5.10%股权。此次交易是飞凯集团优化产业结构、强化资源整合的重要举措，将有效扩大公司在显示材料领域的战略版图。
在现代科技生活中，屏幕已成为人机交互的必备载体，从智能手机、平板电脑到车载显示，几乎所有的终端应用都离不开显示技术的支持，"万物皆屏"的时代已然来临，显示材料是承载屏幕产业发展的重要支撑。
JNC前身为日本智索Chisso株式会社，自上世纪70年代起专注于以液晶为主的显示材料研发，深耕该领域已有五十余年，是全球氟系液晶材料的先行者，长期服务中小尺寸高性能显示市场，在车载、手机、平板等终端应用中拥有丰富的产品经验与专利储备。和成显示则是国内领先的液晶材料供应商之一，拥有成熟的产业化体系和稳定的客户基础，并且已成为全球TFT显示用混合液晶材料的主要供货商之一。此次合作正是飞凯集团顺应时代发展趋势，完善自身产品布局的重要举措。借此，子公司和成显示将在大尺寸与中小尺寸液晶材料领域实现双轮驱动，全面覆盖显示材料核心应用场景，拓展公司在显示领域的市场版图。
未来，飞凯集团及和成显示将以此为契机，持续加大在显示材料领域的技术创新投入，积极拓展更多前沿应用场景，推动产业链不断向高质量、可持续的方向迈进，为我国显示产业发展迈向更高水平提供坚实支撑。
稿源：美通社
聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出全新16位数模转换器（DAC）TPC2221。该产品采用串行输入设计，具备4mA-20mA高精度电流输出、完整环路供电实现低功耗运行，可广泛应用于工业自动化控制、变送器、Hart通信领域
二线制变送器是通过两根导线同时传输电源和信号的工业仪表。 二线制变送器输出标准信号为电流信号（如4mA~20mA），24V供电为主，常用于远距离信号传输、本安防爆等场景。TPC2221以较低的功耗、优良的全温精度、高耐压可靠性、高集成度等优势，高度适配二线制变送器的严苛需求。
TPC2221产品优势
高精度电流输出
二线制变送器的精度决定了信号传输的准确性，直接影响控制系统的可靠性。 输出误差通常要求在±0.1%~±0.5%FS（FS为满量程），高精度场合（如实验室或精密控制）需≤±0.05%FS。
环路电压为24V，REFIN=REFOUT1，内部NMOS，内部RSET，RLOAD=250Ω条件下测试，经过两点校准测量，消除偏置误差与增益误差，TPC2221的常温精度表现优异，其精度可达到0.005%FSR。
在LOOP VOLTAGE=24V，REFIN=REFOUT1，外部NMOS，外部RSET(0.05%。2ppm/℃)，RLOAD=250Ω条件下测试，TPC2221的常温精度在0.1%以内；全温精度表现优异，-40℃~85℃下， 输出精度即使未校准也可达到0.12%FSR； 校准后可达。
超低静态功耗
二线制变送器在无信号输出时需较低待机功耗，因为4mA为标准信号下限，整机自身功耗一般控制在3.2mA~3.5mA以下。这对电路中每个功能的功耗都提出了很高的要求。TPC2221在16bit高精度DAC正常工作、开启了内部高精度基准和高压LDO的功能下，自身功耗较低。
环路电压为24V，工作温度为-40℃~125℃，内部基准开启，同时能够提供3.355mA电流给其它设备供电的条件下，静态电流最大仅为145μA。
支持多档位线性稳压器输出
TPC2221内部集成高压线性稳压器，最大输出电流能力7mA，能为智能变送器内的外设元件提供所需的低压电源，可有效节约系统功耗预算，有助于开发高性能、功能丰富的智能变送器。 并且减少了元件总数，有助于缩小二线制变送器的体积，提高系统可靠性。
通过配置引脚REG_SEL0，REG_SEL1，REG_SEL2可配置多个档位的电压输出(1.8V，2.5V，3.0V，3.3V，5V，9V，12V，20V(可选))： 最高支持输出20V。
TPC2221可以支持客户在稳压器后级加DC-DC，为变送器内的外设元件供电，即有效节约系统功耗预算，满足二线制变送器整体低功耗设计要求，也有助于在本安防爆场景中满足本质安全标准。
环路电流长线建立(无过冲)
在环路变送器应用中，需要考虑线缆长度，线缆越长，等效电感越大，在电流建立过程中，会出现过冲现象。下图为TPC2221环路中串接47mH的电感，CIN=168nF条件下的环路电流建立，无过冲。出色的带载能力和阶跃响应，能带大电感的同时，也能保证响应平滑稳定。
温升性能出色
环路电压为24V，Loop Current=24mA，此时芯片功耗为0.5033W，TPC2221的温度为46.3℃(TA=25℃)。使用外部NMOS，此时芯片功耗降低为0.2748W，芯片温度38.5℃(TA=25℃)，温升还能在原来基础上降低8℃，为客户减少散热成本。
TPC2221产品特性
•内置高精度16bitDAC及电流输出环路，引脚可选NAMUR兼容多种输出范围：
– 4mA至20mA – 3.8mA至21mA – 3.2mA至24mA
•免校准输出误差（Typ.）：
常温为0.1%FSR以内，全温为0.17%FSR以内 (内部基准，外部RSET，-40℃~125℃)
•低静态电流：150μA(最大值)
•片内基准电压温度系数：
4ppm/°C(典型值)，可以达到分立高精度基准的水平
•可选稳压器输出（最高可到20V），支持高耐压环路电压范围：5.5V至60V，大幅提升系统可靠性
•支持HART通信，温度监测与环路电压监测
•工作温度范围：−40°C至125°C ，TSSOP-28封装与QFN-32封装(Development)，小封装集成化设计
TPC2221典型应用
TPC2221典型应用原理图如下：
TPC2221可提供样品及评估板。如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件。
来源：思瑞浦3PEAK