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日前在新加坡举行的FutureNet Asia峰会上，华为和泰国AIS荣获“最佳用户体验奖”。

AIS是泰国领先电信运营商，也是全球最先实施自智网络L4战略的运营商之一。近年来，华为与AIS开展自智网络战略合作，并取得丰硕的实践成果。本次获奖正是对其在自智网络领域，特别是IP网络数字地图与体验时空数字孪生应用方面所取得的阶段性成果的肯定。

IP网络数字地图

IP网络数字地图是华为iMaster NCE-IP的一项重要能力。它采用高精网络数字孪生技术构建IP网络的多维时空数据湖，可实时感知网络变化，预测动网风险，仿真业务影响，可基于网络数字地图显示链路中断或高延迟等异常，自动执行业务优化，简化故障识别与定位过程，帮助AIS将SLA相关故障诊断时间缩短85%。

体验时空数字孪生

依托通信大模型，华为SmartCare可提供体验时空数字孪生的能力。它可基于时空数字孪生网络，预测客户潜在问题和监控业务SLA，依托时空客户体验数据模型，评估客户体验。并通过主动通知、提高首呼解决率、增加自优工单等措施，有效降低客户投诉率。

自智网络L4已成为电信行业发展的共同目标。华为将持续突破融合感知、数字孪生和通信大模型等L4关键技术，围绕高价值场景，打造领先的ADN L4解决方案，支撑运营商客户实现高阶自智网络。

来源：华为

用 TacHammer DRAKE LF低频版马达增强中国健康设备的触觉反馈，适用于可穿戴设备、助眠器、冥想工具和心率调节装置

TITAN Haptics 泰坦触觉推出其最新的触觉马达技术TacHammer DRAKE LF。DRAKE LF低频版马达专为健康应用设计，旨在通过先进的触觉反馈提升可穿戴设备、助眠器、冥想工具和心率调节系统的功能和用户体验。

在中国快速发展的健康行业中，触觉反馈的质量和精度对于用户体验和设备的有效性至关重要。传统的振动马达往往提供泛泛的感觉，可能对用户造成干扰，无法满足健康应用的特定需求。DRAKE LF解决了这些问题，提供更精细、舒适的触觉效果，提升用户参与度和整体设备性能。 

DRAKE LF的峰值输出为1.7 Grms，频率为95Hz，有效频率范围从10Hz延伸至300Hz以上。其特别之处在于能够产生深沉的振动，类似于高品质音频低音炮的触觉感受。DRAKE LF还能将音频波形转化为精确的触觉反馈，确保触觉响应与音频输入同步，为用户提供一致的体验。 

与传统智能手机的振动马达相比，后者的触觉反馈通常显得单薄、频率较高或强度有限，DRAKE LF则提供了更丰富、更明显的触觉体验。此外，DRAKE LF能够传递更深层次的触觉反馈，更适合冥想和健康应用。这使用户与设备之间的互动更加有效且愉悦。 

适用于各种健康设备的广泛应用

早期用户反馈表明，DRAKE LF在多个应用领域表现出色。例如，配备DRAKE LF的可穿戴设备为健身爱好者提供及时、温和的心率变化通知、冥想提醒和步数统计，让他们在不中断的振动中保持信息同步。使用助眠器的用户也反映，DRAKE LF广泛的振动范围，提升了睡眠质量。 

在冥想工具领域，采用DRAKE LF的设备提供持续且舒缓的触觉提示，帮助用户在整个冥想过程中保持专注，从而提升整体冥想体验。此外，DRAKE LF还能够模拟诸如心跳等细腻的感觉，让用户有机会同步自己的心率，帮助缓解压力和焦虑，促进心血管健康管理。 

TITAN Haptics资深营业经理李家麟表示：“在开发DRAKE LF时，我们的目标是创造一款能够无缝集成于健康设备的触觉解决方案，提升其功能并确保优质体验。TITAN Haptics致力于开发技术，以改善人们与设备之间的连接交互方式。” 

关于TITAN Haptics

TITAN Haptics 是一家专注于触觉解决方案的科技公司，使命是提供实用的解决方案来增强产品并提供竞争优势。TITAN Haptics 还积极参与行业团体，为制定行业标准和统一协议做出贡献。

欲了解更多信息，请访问titanhaptics.com或titanhaptics.cn。

vivo Arm 联合实验室于近日正式揭牌。作为各自领域的前沿企业，Arm 与 vivo 分别在不同层面深耕芯片技术研发，并于 2022 年开启技术交流，此次联合实验室的成立标志着双方更紧密的合作：基于真实应用场景，深度分析性能和功耗瓶颈，共同探讨并优化调校方案，充分发挥平台优势，以此实现更佳的性能表现。与此同时，推动生态系统高效合作，由此加速新特性落地。据悉，此次合作的部分关键成果将应用在即将于十月发布的 vivo X200 系列旗舰手机中。

Arm 高级副总裁兼终端事业部总经理 Chris Bergey 表示：“在人工智能 (AI) 时代，Arm 致力于持续不断地提供无与伦比的无缝、卓越体验，这依托于我们从芯片技术层到应用层的深入洞察和优化。结合 vivo 对消费者应用场景和功能的深入了解，以及 Arm 的高性能、高能效计算平台，我们将携手在 vivo 旗舰设备上提供令人惊艳的移动体验。”

vivo 执行副总裁胡柏山表示：“蓝晶芯片技术栈是保证 vivo 持续创新的基础技术底座，而 vivo 与 Arm 的战略合作，将让蓝科技的芯片技术能力根基更加坚实。我们的战略合作，对双方而言，都是在回归用户需求的本原。”

芯片技术的研发和应用需要整个生态链协同发挥作用，才能真正打造出满足用户体验的终端产品。vivo 自进入手机行业以来，已累计销售数以十亿计搭载 Arm 架构的手机，这为双方的深入合作奠定了坚实的市场基础。vivo 一直重视用户体验，关注芯片技术，不断优化手机性能和功耗，Arm 的计算平台在这一过程中发挥了重要作用。vivo 研发团队认为，将用户体验需求和实际场景问题反馈到技术源头，即 Arm，使得芯片设计能够从架构层面进行优化，从而更加贴合消费者的真实需求，并充分发挥芯片性能，为用户带来更卓越的使用体验。这也正是 vivo Arm 联合实验室的核心目标。

未来，Arm 与 vivo 将发挥各自优势，共同致力于打造具备更出色用户体验的产品。通过此次合作，vivo 将获得对芯片架构技术创新的洞察，并利用这些洞察与手机芯片合作伙伴更紧密地合作，定制能更好满足用户需求的芯片，同时优化性能和功耗，为消费者带来更强的手机能效体验。与此同时，Arm 也能更直接地获取用户场景需求，并持续引领行业技术创新，携手合作伙伴，共同在 Arm 平台上构建计算的未来！

• 到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩展到中型和紧凑车型。

• 到 2027 年，ST 计划推出多项碳化硅技术创新，包括一项突破性创新。

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在 2027 年前推出更多先进的 SiC 技术创新成果，履行创新承诺。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS 和传感器产品部(APMS)总裁 Marco Cassis 表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器件、先进封装和电源模块方面创新，推进 SiC MOSFET 技术发展。结合供应链垂直整合制造战略，我们通过提供行业前沿的 SiC 技术、打造富有韧性的供应链，以满足客户日益增长的需求，并为更可持续的未来做出贡献。”

作为 SiC 功率 MOSFET 的市场领跑者，意法半导体正在进一步推进技术创新，以充分利用 SiC能效和功率密度比硅基器件更高的优点。最新一代 SiC 器件旨在改善未来电动汽车电驱逆变器平台，进一步释放小型化和节能潜力。尽管电动汽车市场不断增长，但要实现广泛应用仍面临挑战，汽车制造商正在探索推出普通消费者都能买得起的电动汽车。基于 SiC 的 800V电动汽车平台电驱系统实现了更快的充电速度，降低了电动汽车的重量，有助于汽车制造商生产续航里程更长的高端车型。意法半导体的新 SiC MOSFET 产品有750V 和 1200V两个电压等级，能够分别提高 400V 和 800V 电动汽车平台电驱逆变器的能效和性能。中型和紧凑车型是两个重要的汽车细分市场。将 SiC的技术优势下探到这两个市场，有助于让电动汽车被普罗大众接受。除了电车外，新一代SiC技术还适用于各种大功率工业设备，包括太阳能逆变器、储能解决方案和数据中心等日益增长的应用，帮助其显著提高能源效率。

产品状态

意法半导体现已完成第四代 SiC 技术平台 750V 电压等级的产前认证，预计将在 2025 年第一季度完成 1200V 电压等级的认证。标称电压为 750V 和 1200V 的产品随后将上市销售，从标准市电电压，到高压电动汽车电池和充电器，满足设计人员的各种应用开发需求。

应用场景

与硅基解决方案相比，意法半导体的第四代 SiC MOSFET 解决方案的能效更高，尺寸更小，重量更轻，续航更长。这些优势对于实现电动汽车的广泛应用至关重要。一线电动汽车厂商正与意法半导体达成合作，将第四代 SiC 技术引入他们的新车型，以提高性能和能源效率。虽然主要应用是电动汽车电驱逆变器，但意法半导体的第四代 SiC MOSFET 也同样适用于大功率工业电机驱动器，因为新一代产品改进了开关性能和稳健性，让电机控制器变得更高效、更可靠，可降低工业环境中的能耗和运营成本。在可再生能源应用中，第四代 SiC MOSFET 可以提高太阳能逆变器和储能系统的能效，有助于实现可持续化和成本效益更高的能源解决方案。此外，新一代 SiC MOSFET高能效和紧凑尺寸的技术特性对于解决巨大的功率需求和热管理挑战至关重要，适用于 AI 服务器数据中心的电源。

技术开发规划

意法半导体通过垂直整合制造战略加快 SiC 功率器件的开发，同时还在开发多项 SiC 技术创新，推动功率器件技术在未来三年内取得重大改进。未来的第五代 SiC 功率器件将采用基于全新工艺的高功率密度创新技术。ST 正在同时开发一项突破性创新技术，该技术创新有望在高温下实现更出色的导通电阻 RDS(on) 参数，在与现有的SiC 技术相比，将进一步降低 RDS(on)。

ST 将在 2024年ICSCRM科学产业大会上展示公司在SiC 和其他宽禁带半导体上取得的最新研发成果。该活动将于 2024 年 9 月 29 日至 10 月 4 日在北卡罗来纳州罗利举行，包括 ST 技术讲解和关于‘High volume industrial environment for leading edge technologies in SiC’(为SiC 前沿技术创造量产工业环境”)的主题演讲。了解更多信息，点击链接 ICSCRM 2024 - STMicroelectronics。

技术说明，供编辑参考

与前几代产品相比，意法半导体的第四代 SiC MOSFET 的问世，代表意法半导体在电源转换技术上取得了重大进展。第四代碳化硅具有出色的性能和稳健性，能够满足未来电动汽车电驱逆变器的严格要求。第四代 SiC MOSFET 的导通电阻 (RDS(on))明显低于前几代产品，这可以最大限度地降低导通损耗，提高系统的整体能效。第四代碳化硅的开关速度更快，开关损耗更低，这对于高频应用至关重要，并可实现更紧凑、更高效的电源转换器。第四代技术在动态反偏测试(DRB) 条件下的稳健性表现更加出色，且超过了 AQG324 标准，确保在恶劣条件下正常可靠工作。

第四代产品继续提供出色的 RDS(on)  x 裸片面积的品质因数，确保高电流处理能力和最小损耗。以 25 摄氏度时的 RDS(on) 为参考，第四代器件的裸片平均尺寸比第三代器件减小 12-15%。，第四代产品可实现更紧凑的电源转换器设计，节省宝贵的电路板空间，降低系统成本。这些器件更高的功率密度能够支持开发更紧凑、更高效的电源转换器和逆变器，这对于汽车和工业应用都至关重要。此外，人工智能服务器数据中心的电源模块也会受益于第四代产品，因为占用空间和能效是这类应用要考虑的关键因素。

作为该技术的行业引领者，意法半导体已为全球 500 多万辆乘用车提供 STPOWER SiC 器件，用于牵引逆变器、OBC（车载充电器）、DC-DC 转换器、电动汽车充电站和车载空调压缩机等一系列电动汽车应用，显著提高了新能源汽车的性能、效率和续航里程。作为集成设备制造商 (IDM)，意法半导体的 SiC 战略确保了供应质量和安全性，以服务于汽车制造商的电气化战略。意法半导体最近宣布在卡塔尼亚建立完全垂直整合的 SiC 衬底制造工厂，预计将于 2026 年开始生产，该工厂正迅速采取行动，支持电动汽车和工业应用向更高效率的快速转型。

有关 ST SiC 产品组合的更多信息，请访问www.st.com/sic-mosfets。

关于意法半导体

意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，让电源和能源管理更高效，让云连接的自主化设备应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和(在范围1和2内完全实现碳中和，在范围3内部分实现碳中和)。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com.cn。