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全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams AG,瑞士股票交易所股票代码:AMS)日前宣布,艾迈斯半导体凭借AS7038RB荣获年度物联网可穿戴设备创新类别的物联网突破奖。AS7038RB是一款超薄传感器,为耳塞、贴片和其他可穿戴设备提供血氧监测功能。该传感器尺寸小,集成度高,可在空间有限的设计中使用,而且具有创新的实施方案,可灵活用于多种应用。在近期举办的2020年传感器博览会上,该传感器也成功入围。

艾迈斯半导体副总裁、配件和可穿戴设备解决方案业务部门总经理Wim Renirie表示:“AS7038RB的推出标志着艾迈斯半导体在远程诊断技术方面的又一大突破。AS7038RB提供辅助诊断工具,无需医务人员就可利用可穿戴设备和一次性设备安全准确地监测血氧饱和度。”

AS7341L光谱传感器是艾迈斯半导体的另一项知名产品,在近期举办的2020年中国物联网创新奖颁奖典礼上获得技术创新奖类别提名。凭借该产品,艾迈斯半导体还获得了奥地利政府的资金支持,将加速开发带有数字读出器的高度灵敏且准确的云连接侧向层析检测(LFT),用于抗击SARS-CoV-2 (COVID-19)病毒。

凭借出色的业务和财务表现、人才雇佣和多元化格局斩获多个奖项

艾迈斯半导体的出色业务表现也广受认可。公司因收购OSRAM Licht AG而荣获2019年公司财务大奖(Boersen Zeitung/pwc)。不仅如此,在《金融时报》2021年度全球多元化领袖企业调查——一项欧洲范围内有关公司多元化的大型研究中,艾迈斯半导体的排名跃居至第32位,这体现了艾迈斯半导体在广纳人才、兼容并包以及不断加强全球协作方面所做出的努力。

与此同时,公司高管也脱颖而出、赢得赞誉——艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理Jennifer Zhao女士在Questex的传感器创新周被评为“年度女性”

此外,公司获得GSA 2020年半导体公司最佳财务管理奖10亿美元以上收入类别)提名,并凭借商业信誉和人才雇佣,在奥地利囊获多项大奖,其中包括:StatisticaTrend》杂志评选的2020年奥地利最佳雇主Institute of Research & Data Aggregation GmbH评选的奥地利2020年领先雇主奖Market Institute GmbH Linz评选的2019年施蒂利亚州最佳雇主(关键绩效类别);以及Die Presse评选的奥地利施蒂利亚州领先公司奖(国际类别第二名)。

艾迈斯半导体凭借创新传感器设计获得的其他殊荣

艾迈斯半导体为智能手机摄像头开发的传感器和模块提升了屏幕显示和图片质量的标准,OLED屏下解决方案使智能手机制造商能够在不影响性能的情况下增大可用显示的比例。同时,3D技术为安全、便捷的访问带来了很多新契机,适用于商业和工业应用。

艾迈斯半导体在2020年获得的部分奖项包括:

TCS3408使智能手机摄像头图像系统在所有光照条件下,都能准确测量和消除环境光频闪:

  • 2020年全球电子成就奖(WEAA)(年度产品类别),由AspenCore主办

TMF8801支持智能手机摄像头的激光检测自动对焦,即使在盖玻片脏污的情况下,也能准确瞄准目标和测量距离:

  • 人工智能奖(人工智能行业的出色产品应用),由OFweek China主办
  • 2020年中国物联网创新奖,由电子发烧友网主办

TCS3701可在OLED显示屏下进行传感器操作,测量智能手机的前置环境光和接近传感,以此实现显示屏尺寸最大化:

  • 入围:2020年度电子产品,由Elektronik Magazin主办
  • 2020年电子行业奖(显示器类别),由Datateam Business Media和CIE杂志主办

TMD3719光感/接近/光源闪烁检测传感器可以放置在OLED屏下,因此可以支持OEM设计无边框的全屏智能手机,尽可能提高智能手机的屏占比:

  • 入围:2020年传感器博览会(移动设备类别)。

MERANO-PD泛光照明器具有脸部识别、3D扫描及AR/VR应用所需的高质量光束控制性能:

  • 入围:2020年电子行业奖(嵌入式解决方案类别),由Datateam Business Media和CIE杂志主办

用于汽车的微透镜阵列技术(MLA可作为超小型投影仪使用。它将图像集成到微型光学镜头中,可生成色彩绚丽的清晰图像:

  • 2020年创新技术奖,由Vogel AI主办

AS3460数字听觉增强配套芯片为半入耳式和入耳式耳机提供出色的降噪性能:

  • 编辑选择奖——2019年中国最具竞争力的传感器产品,由中国电子商情主办

关于艾迈斯半导体

艾迈斯半导体公司设计和制造高性能模拟传感器解决方案。公司愿景是通过传感器解决方案提供人与科技的无缝交互,打造完美世界。 艾迈斯半导体的高性能传感器解决方案致力于推动对小型外观、低功耗、高灵敏度、多传感器集成有要求的应用。公司主要为消费、通讯、工业、医疗和汽车市场的客户提供包括传感器解决方案、传感器IC、接口及相关软件在内的产品。 艾迈斯半导体公司总部位于奥地利,全球员工约9,000人,为遍布全球的8,000多家客户提供服务。艾迈斯半导体在瑞士证券交易所上市(股票代码——瑞士股票交易所:AMS)。了解更多信息,请访问www.ams.com

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2月7日——在 Debian 11 发布之前,今天 Debian 10.8 “Buster”最新季度稳定版更新发布了。相比较 10.7,Debian 10.8 修复了大量的 BUG,并对数十个软件包进行了更新,提供了最新的 Steam 软件包,更新了 Nvidia 图形驱动软件包和时区数据等等。

值得注意的是,Debian 10.8 还对版本脚本进行了改进,从而允许发布镜像“明显更多的并行创建”,从而比以前的版本更快地推出新版本。Debian 开发者 Andrew Cater 证实,并行加速已经奏效,使 Debian 发行镜像的构建速度大大加快。

来源:cnBeta.COM

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在我们生活中,不少技术都是先诞生于军事用途,之后再进入民用阶段,比如我们日常生活中经常听说的核能技术等等。由于军事供应链是世界上最复杂的供应链之一,因此能够满足军用级别的需求水平对于各大厂商而言价值非凡,因为这也决定了企业能否在未来满足客户的可定制化、高灵活性的要求。近期施乐与美海军研究生院宣布合作,共同研究液态金属3D打印的应用。作为协议的一部分,NPS已在其大学校园内安装了Xerox ElemX液态金属3D打印机。

具有纸质打印背景的施乐公司最初是作为经销商进入3D打印领域的,目的是“制定参与3D打印的路线图”。施乐于2019年2月收购了液态金属喷射3D打印机制造商Vader Systems,并于当年晚些时候大举亮相Formnext。在展会上,施乐展示了用于SLS 3D打印机的聚合物粉末及其多喷嘴挤出高速FDM系统的开发,以及液态金属3D打印系统。

施乐与NPS之间的合作研究与开发协议(CRADA)旨在探索施乐技术可以为美军提供金属零件和设备的按需3D打印的新方法。通过该合作伙伴关系,NPS学生将研究使用ElemX 3D打印机进行设计,创建和原型制作的新颖方法,并在任何位置扩展其制造能力。

施乐ElemX 3D打印机使用铝线来制造最终使用的零件,以满足运营需求并按需生产可靠的替换零件。据已退休的美国海军陆战队上校兼NPS校友协会和基金会副主席Todd Lyons称,该技术可以减少对美国军方复杂的全球供应链的依赖,同时还可以提供比传统制造业更多的成本优势。

施乐和NPS之间正在进行的CRADA将进一步推动3D打印在全美军事上的应用,据施乐公司副总裁兼总经理塔利·罗斯曼(Tali Rosman)称,这也可以在许多其他领域复制。

他说:“全球供应链使航空航天,汽车,重型设备以及石油和天然气等行业容易受到外部风险的影响。” “我们的目标是将本地化的3D打印集成到他们的操作中,NPS的实时反馈为我们提供了可行的数据,以不断改进ElemX。”

来源:中关村在线

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最近几个月,车用芯片需求飙升导致大量占用晶圆厂产能,进而冲击了其他行业的芯片产出,芯片短缺大潮全球蔓延。受到波及的手机产业链大厂纷纷发出警告。苹果公开承认,包括最新的iPhone 12系列、Mac、iPad均遭遇芯片供应吃紧问题。

高通指出,半导体行业芯片短缺是“全面的”。三星电子也表示,芯片短缺可能从汽车蔓延到智能手机,很多芯片制造商都是满负荷运转,这限制了代工厂的接单能力,反过来冲击手机和平板的交付。

业界普遍说法是到下半年芯片供应紧张将可缓解。但台湾第二大晶圆厂联电接受《工商时报》采访时表示,半导体需求持续强劲,8英寸及12英寸成熟制程产能吃紧更加明显,产能短缺规模已经超出产能增加幅度。这种供需不平衡会导致半导体市场发生结构性转变,供不应求的现象恐将延续到2023年。

联电认为,半导体供不应求主要是三大因素引发的。一是4G向5G加速转移,5G手机的硅含量相比4G增加35%。二是疫情引爆在家办公风潮,带动笔记本电脑出货大幅增加。三是车用芯片触底反弹,且电动车成为发展趋势,每辆车采用的芯片数量大幅增加,导致车用芯片严重缺货。

据悉,半导体设备交期已经长达14~18个月,投资产能已经规划到2023年。

联电认为,较快解决产能过剩问题,需要大规模投资成熟制程,但考虑投资回报率,这个概率不高,所以产能紧张将会持续2到3年之久。这不是行业周期问题,而是结构上的难题。

来源:C114通信网

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2月7日,上海市发改委公布2021年上海市重大建设项目清单!这些项目聚焦科技产业、社会民生、生态文明、城市基础设施、城乡融合与乡村振兴等领域,共安排正式项目166项,其中包括科技产业类59项、社会民生类29项、生态文明建设类12项、城市基础设施类53项,城乡融合与乡村振兴类13项、预备项目47项。

据上海发布指出,在科技产业类项目中,涵盖多个集成电路项目。如计划建成项目包括上海集成电路产业研发与转化功能型平台;计划新开工项目包括上海天岳碳化硅半导体材料项目等。

部分科技产业类项目(Source:上海发布)

部分科技产业类项目(Source:上海发布)

其中,中芯国际12英寸芯片SN1项目由中芯南方负责实施,总投资90.59亿美元,规划月产能3.5万片,工艺技术水平为14纳米及以下,是中国大陆第一条FinFET工艺生产线,也是中芯国际14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。

积塔半导体特色工艺生产线项目总投资359亿元。根据规划,该项目目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片的12英寸特色工艺生产线。产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域,将有利于提升中国功率器件、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

格科半导体12英寸特色工艺线项目总投资约155亿元,预计2024年竣工,将建设一座12英寸、月产6万片的芯片厂,建造12英寸晶圆CMOS图像传感芯片特殊工艺制造生产线(包含CMOS图像传感芯片的BSI和OCF两大特色工艺)。

文稿来源:全球半导体观察

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近日,上海市第五届工商业领军人物表彰交流会隆重举行,紫光展锐首席执行官楚庆作为集成电路产业领军人物,从众多候选企业家中脱颖而出,获选为 “上海市第五届工商业领军人物”。

作为中国集成电路设计龙头企业的掌舵者,楚庆领导下的展锐近年来在企业管理、技术创新、知识产权、战略规划等方面都取得了重大成果。

2019年,楚庆开始在展锐推动一系列管理变革,高举“高质量”、“高技术”两面旗帜。以公司质量管理和研发流程体系的提升为例,展锐先后通过TMMi 4和CMMI3双认证,标志着展锐的质量和研发管理能力达到业界认可的“量化级”水平。今年1月,展锐再次通过CMMI Level4认证,质量流程体系日臻完善,研发管理能力稳步提升,也印证了楚庆在展锐推行的全新企业管理体系完成从“无序”到“有序”的脱变,走向“高效”。

勇立潮头,紫光展锐楚庆荣获“第五届上海工商业领军人物”

作为有国家战略意义的高新技术企业,楚庆等新管理层掌舵后的展锐近年来在技术创新上也取得了重大飞跃。2019年2月,展锐发布了自主研发的5G技术平台马卡鲁1.0和5G基带芯片春藤V510;2020年5月15日,展锐首款5G芯片正式商用量产,这也意味着展锐彻底改变2G、3G、4G时代大幅落后一线厂商的局面,在5G时代首次将与业界的差距缩短到6个月以内,跻身全球5G第一梯队。

2020年2月,展锐发布第二代5G芯片T7520,是全球首款采用6nm EUV技术的5G SoC,集成了全球首颗支持全场景覆盖增强技术的5G调制解调器,为5G智能体验带来更好的选择。目前,展锐已成为全球第三大面向公开市场的手机芯片设计企业、全球领先的5G通信芯片企业、中国最大的泛连接芯片供应商。

坚持开放创新,自主研发原创技术,展锐在楚庆的带领下在基础知识产权领域也不断取得突破,从2018年专利排名全国196,2019年挺进全国一百强,排名提升至96;截至2020年8月,展锐在全国专利排行中再度前进41名,排名全国55。凭借在通信领域的多年积累以及5G技术领域的不断突破,展锐在2020年荣获上海知识产权创新奖(运用类),核心专利获得天津市专利金奖、深圳市专利奖等。目前,展锐拥有超过5000项专利申请,形成自己的核心技术专利群,积极参与行业合作,助力全球通信产业生态发展。

基于5G时代的战略机遇和对未来智能化的思考,楚庆也推动规划了展锐全新的公司战略——即发挥主芯片平台在数字生态中的基础性作用,致力于成为数字世界的生态承载者。新展锐正以生态为核心战略,高举5G和AI两面技术旗帜,深耕消费电子、工业电子、智能功率电子三大业务领域,帮助产业和合作伙伴更好地发展壮大。同时坚持科技服务人民的发展理念,为大多数人服务。

勇立潮头,紫光展锐楚庆荣获“第五届上海工商业领军人物”

据悉,今年包括紫光展锐首席执行官楚庆在内,共有62位企业家获得“上海市工商业领军人物”殊荣,他们均在发展在线新经济和新技术、新产业、新业态、新模式等方面具有突破性业绩,在行业中起到领先推动作用,以改革和创新精神带领企业走观念创新、科技创新、制度创新、管理创新,实现科学发展之路,是推动行业发展、引领产业作出重大贡献的代表。

来源:紫光展锐UNISOC

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戴尔科技集团近期推出了一系列全新商用产品组合,旨在以更智能、更安全、更可持续的方式帮助职场人士应对一系列挑战。包括Latitude 系列商用笔记本、Precision 移动工作站、OptiPlex 模块化一体机、视频会议显示器和诸多配件,且全线新品搭载了具备AI加持的戴尔智能调优软件Dell Optimizer,助力人们在工作中无论是单打独斗还是团队协同,都可以获得更高效、更智能的使用体验。这么多款新品,都有哪些亮点值得我们关注呢?下面一张图带你了解戴尔商用新品:

智能安全可持续,一图看懂戴尔商用PC新品

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艾睿电子(NYSE:ARW)再次被《财富》杂志评为 全球最受赞赏企业,并连续8年位居"经销商:电子产品和办公设备"类别的榜首。这是艾睿电子21次入选榜单。 榜單評選基於對全球企業高管、董事和分析師的調查。

艾睿电子再次荣膺《财富》“全球最受赞赏企业”

艾睿电子董事长、总裁兼首席执行官Michael J. Long表示:艾睿电子很荣幸再次跻身全球最受赞赏企业行列。长期以来,艾睿电子获得《财富》杂志 最受赞赏公司的赞誉,这要归功于我们敬业的员工,他们每天都在努力不懈、竭尽所能,为客户和供应商提供帮助。2020年全球面临艰巨挑战之际,我们愈发见证了他们所做出的努力。

财富》杂志(FORTUNE)评选全球最受赞赏公司基于九项标准,包括创新、人员管理、企业资产运用、社会责任、管理质量、财务稳健、长期投资价值、产品/服务质量和全球竞争力。

关于艾睿电子

艾睿电子(Arrow Electronics)为180,000多家领先的技术制造商和服务提供商提供创新指导。作为一家年销售额达290亿美元(2019)的企业,艾睿电子致力于开发改善商业和日常生活的技术解决方案详情请访问 fiveyearsout.com.

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亚太科技媒体TechNode Global获得种子轮融资,由Kairous Capital(香港)领投, Nutty Capital Venture(香港)和SPH Ventures(新加坡)参与投资。

此次投资将加速TechNode Global打造亚太领先科技媒体平台的步伐。公司将致力报道更多亚太本地科技领域新闻,举办更高质量的科技活动,并在整个地区建立全面的跨境业务服务。这笔资金也将推动公司进行下一步的国际扩张。

TechNode Global于2019年初由卢刚博士发起,他也是中国领先的双语科技媒体动点科技TechNode的创始人兼CEO。TechNode Global不仅仅是一家媒体公司,它正在成为一个科技创新平台,报道有洞察力的新闻,提供融资和商务合作支持,组织区域性科技活动,并促进大企业与创业生态圈的合作。公司自成立以来发展势头迅猛,其合作伙伴包括科大讯飞、华为、阿里云和NTUC Income等大型企业。

从TechNode分拆出来后,TechNode Global将集中其行业和区域性的专业能力,更好地服务于亚太市场。随着中国科技巨头加紧在亚太地区的扩张和投资,中国与亚洲其他地区,尤其是与东南亚地区的跨境商业联系不断加深,这将带来巨大的市场机遇。

动点科技TechNode创始人兼CEO卢刚博士表示:“尽管2020年是充满挑战的一年,但在这一年中,TechNode Global在诸多方面获得了令人瞩目的增长和收获了许多‘第一次’。有幸与各类区域大企业客户合作,证明了我们是成为科技和创新的洞察力和网络的来源。亚洲是下一个有潜力的科技创新中心和市场。凭借TechNode在中国拥有的巨大经验和资源,我相信我们是在正确的时间、正确的地点来履行我们的宗旨。”

“作为一家横跨中国和东南亚的区域性投资机构,我们希望在此区域内的技术和商业领域能够进行多方面的整合以及创造更多的合作机会。TechNode Global与亚太地区的技术生态系统相连,再加上最近签署的RCEP,我们相信他们在未来几年内将成为区域创新推动者的关键角色。”Kairous Capital的管理合伙人Joseph Lee表示。Kairous Capital是一家专门从事中国和东南亚之间跨境投资的区域性风险投资机构。

“这是最好的时代,也是最坏的时代。尽管受到新冠疫情的严重影响,但我们确实在新科技前沿的技术领域看到了许多的创新机会。”Nutty Capital Venture执行董事Gilbert Lam表示:“我们相信TechNode在卢刚博士的领导下会拓展新的市场,并在快速发展的东南亚科技市场中重塑新的节奏。”

TechNode Global有幸与各地政府机构、著名的社群建设者,以及新加坡国家研究基金会(NRF)、新加坡企业发展局(Enterprise Singapore)、马来西亚数码经济机构(Malaysia Digital Economy Corporation, MDEC)、新威集团(Sunway Group)、True Digital Park等企业合作,举办其旗舰活动ORIGIN峰会和其他社群活动。随着越来越多国际合作伙伴的对TechNode Global认可和支持,TechNode Global将与他们紧密合作,将服务本地化,并与当地的科技生态系统更紧密的互动。

目前,TechNode Global已在新加坡设有办事处,并计划很快在马来西亚设立办事处。

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作者:Alan RighterBrett CarnEOS/ESD协会

元件充电模式(CDM) ESD被认为是代表ESD充电和快速放电的首要实际ESD模型,能够恰如其分地表示当今集成电路(IC)制造和装配中使用的自动处理设备所发生的情况。到目前为止,在制造环境下的器件处理过程中,ICESD损害的最大原因是来自充电器件事件,这一点已广为人知。1

充电器件模型路线图

IC中更高速IO的不断增长的需求,以及单个封装中集成更多功能的需要,推动封装尺寸变大,因而维持JEP1572, 3中讨论的推荐目标CDM级别将是一个挑战。还应注意,虽然技术扩展对目标级别可能没有直接影响(至少低至14 nm),但这些高级技术改进了晶体管性能,进而也能支持更高IO性能(传输速率),因此对IO设计人员而言,实现当前目标级别同样变得很困难。由于不同测试仪的充电电阻不一致,已公布的ESD协会(ESDA)截止20204年路线图建议,CDM目标级别将需要再次降低,如图1所示。

图1.2010年及以后的充电器件模型灵敏度限值预测(版权所有©2016 EOS/ESD协会)

1.2010年及以后的充电器件模型灵敏度限值预测(版权所有©2016 EOS/ESD协会)

快速浏览图1不会发现CDM目标级别有明显变化,但进一步查阅ESDA提供的数据(如图2所示)可知,CDM ESD目标级别的分布预期会有重大变化。

图2.充电器件模型灵敏度分布组别前瞻(版权所有©2016 EOS/ESD协会)

2.充电器件模型灵敏度分布组别前瞻(版权所有©2016 EOS/ESD协会)

为何讨论此变化很重要?它指出了需要采用一致的方法来测试整个电子行业的CDM,应排除多种测试标准所带来的一些不一致性。现在,确保制造业针对ESDA讨论的CDM路线图做好适当准备比以往任何时候都更重要。这种准备的一个关键方面是确保制造业从各半导体制造商收到的关于器件CDM鲁棒性水平的数据是一致的。对一个协调一致的CDM标准的需求从来没有像现在这样强烈。再加上持续不断的技术进步,IO性能也会得到提高。这种对更高IO性能的需要(以及降低引脚电容的需要),迫使IC设计人员别无选择,只能降低目标级别,进而需要更精密的测量(在ANSI/ESDA/JEDEC JS-002中有说明)。

新联合标准

ANSI/ESDA/JEDEC JS-002之前有四种现存标准传统的JEDEC (JESD22-C101)5ESDA S5.3.16AEC Q100-0117EIAJ ED-4701/300-2标准8ANSI/ESDA/JEDEC JS-002(充电器件模型、器件级别)9代表了将这四种现有标准统一为单一标准的一次重大努力。虽然所有这些标准都产生了有价值的信息,但多种标准的存在对行业不是好事。不同方法常常产生不同的通过级别,多种标准的存在要求制造商支持不同的测试方法,而有意义的信息并无增加。因此,以下两点非常重要:IC充电器件抑制能力的单一测量水平是广为人知的,以确保CDM ESD设计策略得到正确实施;IC的充电器件抑制能力同它将接触到的制造环境中的ESD控制水平一致。

为了解决这个问题,2009年成立的ESDAJEDEC CDM联合工作小组(JWG)开发了JS-002。此外,JWG希望根据引入场感应CDM (FICDM)以来所获得的经验教训对FICDM进行技术改进10。最后,JWG希望尽量减少对电子行业的冲击。为了减少行业冲击,工作小组决定,联合标准不应要求购买全新场感应CDM测试仪,并且通过/失败水平应尽可能与JEDEC CDM标准一致。JEDEC标准是使用最广泛的CDM标准,因此JS-002与当前制造业对CDM的理解保持一致。

虽然JEDECESDA的测试方法非常相似但两种标准之间有一些不同之处需要化解。JS-002还试图解决一些技术问题。一些最重要问题列示如下。

标准之间的差异

       

场板电介质厚度

       

用于验证系统的验证模块

       

示波器带宽要求

       

波形验证参数

标准的技术问题

       

测量带宽要求对CDM而言太慢

       

人为地让JEDEC标准中的脉冲宽度很宽

为了达成目标并实现统一,作出了如下硬件和测量选择。在为期五年的文件编制过程中,工作小组进行了大量测量才作出这些决定。

硬件选择

       

使用JEDEC电介质厚度

       

使用JEDEC“硬币进行波形验证

       

禁止在放电路径中使用铁氧体

测量选择

       

系统验证/验收需要最低6 GHz带宽的示波器

       

例行系统验证允许使用1 GHz示波器

尽量减少数据损坏并讨论隐藏电压调整

       

让目标峰值电流与现有JEDEC标准一致

       

指定与JEDEC压力级别匹配的测试条件;对于JS-002测试结果,指的是测试条件(TC);对于JEDECAEC,指的是伏特(V)

       

对于JS-002,调整场板电压以提供与传统JEDEC峰值电流要求对应的正确峰值电流

确保较大封装完全充电

       

为确保较大封装完全充电,引入了一个新的程序

下面说明这些改进。

JS-002硬件选择

JS-002 CDM硬件平台代表了ESDA S5.3.1探针组件或测试头放电探针同JEDEC JESD22-C101验证模块和场板电介质的结合。图3所示为硬件对比。ESDA探针组件的放电路径中没有特定铁氧体。FICDM测试仪制造商认为,铁氧体是必要的,增加铁氧体可提高500 ps的半峰全宽(FWHH)额定最小值,并将Ip2(第二波峰)降至第一波峰Ip150%以下,从而满足传统JEDEC要求。JS-002去掉了此铁氧体,从而消除了放电中的这种限制因素,使得放电波形更准确,高带宽示波器在Ip1时看到的振铃现象不再存在。

图3.JEDEC和JS-002平台硬件原理图

3.JEDECJS-002平台硬件原理图

4显示了ESDAJEDEC CDM标准验证模块的区别。ESDA标准提供两个电介质厚度选项,并结合验证模块(第二个选项是模块和场板之间有一层最多130 μm的额外塑料薄膜,用于测试带金属封装盖的器件)。JEDEC验证模块/FR4电介质代表一个单一小/大验证模块和电介质选项,支持它的JEDEC标准用户要多得多。

图4.ESDA和JEDEC验证模块比较JS-002使用JEDEC模块。

4.ESDAJEDEC验证模块比较JS-002使用JEDEC模块。

 JS-002测量选择

JS-002标准制定的数据收集阶段CDM JWG发现需要更高带宽的示波器才能精确测量CDM波形。1 GHz带宽示波器未能捕捉到真正的第一峰值。图5和图6说明了这一点。

图5.大JEDEC验证模块在500 V JEDEC时与JS-002 TC500在1 GHz时的CDM波形

5.JEDEC验证模块在500 V JEDEC时与JS-002 TC5001 GHz时的CDM波形

图6.大JEDEC验证模块在500 V JEDEC时与JS-002 TC500在6 GHz时的CDM波形

6.JEDEC验证模块在500 V JEDEC时与JS-002 TC5006 GHz时的CDM波形

例行波形检查,例如每日或每周的检查,仍可利用1 GHz带宽示波器进行。然而,对不同实验室测试站点的分析表明,高带宽示波器能提供更好的站点间相关性。11例行检查和季度检查推荐使用高带宽示波器。年度验证或更换/修理测试仪硬件之后的验证需要高带宽示波器。

1.JS-002波形数据记录表示例,显示了造成TC(测试条件)电压的因素9



测试仪系统#1


极性 =


示波器带宽 = 8 GHz


因子/失调最终设置 = 0.82


模块大小


日期


%RH


测试条件


软件电压


IP AVG (A)


T R AVG


TD AVG


IP2 AVG


IP2 (% IP1)



//


X%


TC 500


500


12.1


275


610


4.3


36%



//


X%


TC 500


500


7.30


185


400


3.7


51%



//


X%


TC 125


125


2.90


283


611


1.1


38%



//


X%


TC 125


125


1.90


201


395


1.1


58%



//


X%


TC 250


250


6.00


276


609


2.2


37%



//


X%


TC 250


250


3.70


186


397


2.1


57%



//


X%


TC 750


750


18.30


274


611


7.2


39%



//


X%


TC 750


750


11.0


190


398


6.1


55%



//


X%


TC 1000


1000


24.40


276


612


9.2


38%



//


X%


TC 1000


1000


14.60


187


399


7.4


51%

 

测试仪CDM电压设置

CDM JWG同时发现,对于不同测试仪平台,为了获得符合先前ESDAJEDEC标准的标准测试波形,实际板电压设置需要有相当大的差异(例如,特定电压设置为100 V或更大)。这在任何标准中都没有说明。JS-002唯一地确定了将第一峰值电流(以及测试条件所代表的电压)缩放到JEDEC峰值电流水平所需的偏移或因数。JS-002附录G对此有详细说明。表1显示了一个包含此特性的验证数据实例。

在设定测试条件下确保超大器件完全充电

JS-002开发的数据收集阶段还发现了一个与测试仪相关的问题:放电之前,某些测试系统未将大验证模块或器件完全充电到设定电压。不同测试系统的大值场板充电电阻(位于充电电源和场板之间的串联电阻)不一致,影响到场板电压完全充电所需的延迟时间。结果,不同测试仪的第一峰值放电电流可能不同,影响CDM的通过/失败分类,尤其是大器件。

因此,工作小组撰写了详实的附录H确定适当的充电延迟时间以确保大模块或器件完全充电),描述了用于确定器件完全充电所需延迟时间的程序。当出现峰值电流饱和点(Ip基本保持稳定,设置更长的延迟时间也不会使它改变)时,说明达到了适当的充电延迟时间,如图7所示。确定此延迟时间,确保放电之前,超大器件能够完全充电到设定的测试条件。

图7.峰值电流与充电时间延迟关系图示例,显示了饱和点/充电时间延迟9

7.峰值电流与充电时间延迟关系图示例,显示了饱和点/充电时间延迟9

电子行业逐步采用JS-002

对于采用ESDA S5.3.1 CDM标准的公司,JS-002标准取代了S5.3.1,应将S5.3.1废弃。对于先前使用JESD22-C101的公司,JEDEC可靠性测试规范文件JESD47(规定JEDEC电子元件的所有可靠性测试方法)最近进行了更新,要求用JS-002代替JESD22-C1012016年末)。JEDEC会员公司转换到JS-002的过渡时期现已开始。很多公司(包括ADIIntel)已经对所有新产品利用JS-002标准进行测试。

国际电工委员会(IEC)最近批准并更新了其CDM测试标准IS 60749-2812。此标准全盘纳入JS-002作为其指定测试标准。

汽车电子理事会(AEC)目前有一个CDM小组委员会,其正在更新Q100-011(集成电路)和Q101-005(无源器件)车用器件CDM标准文件以纳入JS-002,并结合AEC规定的测试使用条件。这些工作预计会在2017年底完成并获批准。

结语

观察ESDA提供的CDM ESD路线图,可知在更高IO性能的驱动下,CDM目标级别会继续降低。制造业对器件级CDM ESD耐受电压的认知比以往任何时候都更重要,而来自不同CDM ESD标准的不一致产品CDM结果是无法传达这一讯息的。ANSI/ESDA/JEDEC JS-002有机会成为第一个真正的适用于全行业的CDM测试标准。消除CDM测试头放电路径中的电容,可显著改善放电波形的质量。引入高带宽示波器用于验证,提高到五个测试条件波形验证级别,以及保证适当的充电延迟时间——所有这些措施显著降低了不同实验室的测试结果差异,改善了站点间的可重复性。这对确保向制造业提供一致的数据至关重要。电子行业接受JS-002标准之后,将有能力更好地应对前方的ESD控制挑战。

参考文献

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3.     JEP157推荐ESD-CDM目标级别JEDEC200910月。

4.     EOS/ESD协会路线图

5.     JESD22-C101F微电子器件静电放电耐受阈值的场感应充电器件模型测试方法JEDEC201310月。

6.     ANSI/ESD S5.3.1静电放电灵敏度测试——充电器件模型(CDM)器件级别EOS/ESD协会200912月。

7.     AEC-Q100-011充电器件模型(CDM)静电放电测试。汽车电子理事会20127月。

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11.    Theo SmedesMichal PolweskiArjan van IJzerlooJean-Luc LefebvreMarcel DekkerCDM校准程序的隐患EOS/ESD论文集,201010月。

12.    IEC IS 60749-28,静电放电(ESD)灵敏度测试——充电器件模型(CDM) - 器件级别。国际电工委员会,2017年。

Alan Righter

Alan [alan.righter@analog.com] is a senior staff ESD engineer in th corporate ESD department at Analog Devices, San Jose, CA. He works with ADI design/product engineering teams worldwide on whole chip ESD planning/design, ESD testing, ESD failure analysis, and EOS issues with internal and external customers. Prior to ADI, Alan was with Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM for 13 years, where he was involved in IC design, test, product engineering, reliability testing, and failure analysis. Alan completed his B.S.E.E. and M.S.E.E. at Arizona State University in 1982 and 1984, respectively, and his Ph.D. at the University of New Mexico in 1996. In 2007, Alan joined all Standards Device Testing Working Groups (WG5.x) and is also a member of Systems and Simulators WG 14. He was appointed chair of WG 5.3.1, Charged Device Model, in 2008 and currently serves as ESDA Chairperson of the expanded Joint (ESDA/JEDEC) CDM Working Group, which recently completed the new ESDA/JEDEC Joint Standard JS-002. Alan is also currently Vice President of the ESD Association. Alan has been active in the EOS/ESD Symposium as author/co-author of 10 articles, and he is also currently ESDA Events Director. Alan also is active in the Industry Council on ESD Target Levels.

Alan [alan.righter@analog.com]ADI公司位于美国加州圣何塞的企业ESD部的高级ESD工程师。他与ADI公司全球设计/产品工程团队一起负责整个芯片的ESD规划/设计、ESD测试、ESD故障分析以及内部和外部客户存在的EOS问题。加入ADI之前,AlanSandia National Laboratories(位于美国新墨西哥州阿尔伯克基市)工作了13年,参与了IC设计、测试、产品工程、可靠性测试和故障分析。Alan1982年和1984年分别获得亚利桑那州立大学电气工程学士学位和电气工程硕士学位,并于1996年获得新墨西哥大学博士学位。2007年,Alan加入了所有的标准设备测试工作组(WG5.x),同时也是系统和仿真器WG 14的成员。他于2008年被任命为WG 5.3.1(充电装置模型)的主席,目前担任扩展联合(ESDA/JEDEC) CDM工作组的ESDA主席,最近完成了新的ESDA/JEDEC联合标准JS-002Alan目前也是ESD协会的副主席。作为10篇文章的作者/合著者,Alan一直积极参加EOS/ESD研讨会,他目前也是ESDA事件总监。AlanESD目标级别行业理事会中也很活跃。

Brett Carn

Brett Carn [brett.w.carn@intel.com] joined Intel Corporation in 1999 and is a principal engineer in the Corporate Quality Network. He has actively worked in the field f device level ESD at Intel. In that role, Brett chairs the Intel ESD Council overseeing component level ESD and latch-up testing across all Intel sites worldwide, defining all internal tet specifications, eviewing all Intel ESD design rules, overseeing/defining the ESD taget levels for all Intel products worldwide, and leading postsilicon ESD debug on many products. In more recent years, Brett has also been actively involved with addressing EOS challenges. Prior to joining Intel, he worked for Lattice Semiconductor for 13 years, where he started working on ESD in the early 1990s. Since 2007, Brett has been a member of the Industry Council on ESD Target Levels and has helped author several white papers, and also served as the lead editor on four white papers. Brett is an active member of the ESDA and a current member of the ESDA Board of Directors. Brett is also a member of the ESDA Education Council, overseeing all online training, and is the current chair of the Technical and Advisory Support (TAS) Committee and a member of several ESDA working groups. Brett received his B.S. in electrical engineering from Portland State University in 1986.

Brett Carn [brett.w.carn@intel.com]1999年加入英特尔公司现在是企业质量网络的首席工程师。他一直关注英特尔器件级别ESD领域。作为首席工程师,Brett主持英特尔ESD理事会,负责全球所有英特尔网站的元件级别ESD和闩锁测试,定义所有内部测试规范,审查所有英特尔ESD设计规则,监督/定义全球所有英特尔产品的ESD目标级别并领导许多产品的后晶片ESD调试。最近几年,Brett还一直积极致力于解决EOS挑战。加入英特尔之前,他在Lattice Semiconductor工作了13年,在20世纪90年代早期便开始从事ESD相关工作。从2007年开始,Brett一直是ESD目标级别行业理事会的成员,协助撰写了数本白皮书,同时担任四本白皮书的责任编辑。BrettESDA的积极成员,目前也是ESDA董事会的成员之一。Brett也是ESDA教育委员会的成员,负责监督所有在线培训,目前是技术和咨询支持(TAS)委员会的主席以及几个ESDA工作组的成员。Brett1986年获得波特兰州立大学电气工程学士学位。

The EOS/ESD Association

EOS/ESD协会

The EOS/ESD Association is the largest industry group dedicated to advancing the theory and the practice of ESD avoidance, with more than 2000 members worldwide. Readers can learn more about the Association and its work at

EOS/ESD协会是最大的行业组织,致力于实施ESD保护理论和实践,在全球拥有2000多名成员。读者可通过以下网址了解有关该协会及其工作的更多信息:

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