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近日,苏州悉智科技有限公司(以下简称“公司”)推出自主创新的下一代车载OCDC混合功率模块,实现全国产化Si/SiC器件导入,全可靠性通过,全自动产线。

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国内车企关注OCDC体积,国内OCDC目前量产方案中绝大部分采用立体水道器件底部散热,包括传统单管方案和铝基板方案两种。公司推出的下一代OCDC功率模块适用于立体水道,其核心优点包括高可靠、低成本、省体积、易扩展。

  • 产品优势

    • <5nH的钳位回路电感确保器件工作时电压应力安全。

    • 100%车规级品质保障。

    • 适用于6.6/11/22kW OCDC,兼容400V & 800V平台,all-in-one封装,助力OCDC平台化开发。

    • 组装较单管和铝基板方案更简单、可靠,另外较铝基板方案X方向减小25%、Y方向减小40%,较传统TO-247单管方案X方向缩小33%。

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  • 产品规格

    • 长x宽x高:43.9mm x 2.0mm x 23.7mm

    • 电压:1200V/750V

    • 电路:H桥

    • 器件:750V/1200V IGBT &SiC;650V Si MOS

  • 质量保证

    • SiC电驱功率模块级的开发和交付品质

    • 完整失效分析、可靠性、测试开发实验室

    • 全自动车规级封测产品线

    • 100% 出厂burn-in,包括高温HTGB、HTRB

来源:悉智科技

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协议旨在加速Inmotive的Ingear在两轮和三轮应用中的采用

Inmotive今天宣布,它正在与日本一级汽车供应商Bando Chemical Industries, Ltd.达成战略合作伙伴关系协议。 根据协议,两家公司将合作加速Inmotive的Ingear 2速变速器在两轮和三轮汽车市场的采用。

Bando Chemical Industries是一家提供动力传动带和传送带的全球供应商,拥有为摩托车等两轮应用提供传动带的丰富经验体验。 其皮带和张紧器专业知识补充了Inmotive提供独特高效的双速变速器设计的能力。

“我们与Bando Chemical Industries的合作将我们共同的技术知识和志同道合的动力结合在一起,通过环保技术创造更清洁的未来,” Inmotive首席执行官Paul Bottero表示。 “我们希望通过此次合作利用我们的综合优势,为我们的Ingear释放更多潜力。”

Ingear是世界上效率最高的2速变速箱,专为电动汽车设计,设计紧凑简洁,采用专利几何形状,确保平稳安静的驾驶体验。 此外, INGEAR经过战略性设计,可提高电动汽车的成本、续航里程和性能。 Inmotive首次适用于电动汽车乘用车,为其创新开辟了更广阔的市场之路,包括摩托车、踏板车、全地形车、船舶应用等。

Bottero继续说道: “我们相信Ingear可以用于广泛的应用,我们期待在这个新的细分市场中进行概念验证。”

关于Inmotive Inc.  

Inmotive是Ingear的加拿大发明者, Ingear是一种适用于广泛应用的超高效多速动力总成技术。 Ingear以非常低的附加成本和重量扩展了电动汽车的续航里程,同时在平稳换档期间提供连续扭矩。 其高度可靠的设计可降低系统成本,并提高扭矩、加速度、可爬坡性和最高速度。 INGEAR获得了44项专利保护, 46项专利正在申请中。 Inmotive总部位于加拿大多伦多,在欧洲和中国设有办事处。 更多信息请访问 www.inmotive.com 

关于Bando Chemical Industries, Ltd.

Bando Chemical Industries, Ltd.自1906年成立以来,一直是非轮胎橡胶和塑料行业的先驱。 为了满足时代不断变化的需求,公司现在生产各种产品,从动力传动和输送带和系统到精密设备部件、塑料薄膜和片材、混合橡胶工业产品以及光电和电子材料。

认真对待企业社会责任工作,在生产过程的各个阶段考虑节能、环境和有效资源利用。

稿源:美通社

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进一步扩展了其发电应用和工业动力单元的产品阵容

菲亚特动力科技 (FPT Industrial) 是依维柯集团旗下品牌,专注于道路及非道路用车辆、船舶和发电机组使用的动力总成及解决方案的设计、生产和销售。通过推出全新 R38 发动机令其广泛的产品阵容更加全面。在2024年11月6日至10日于博洛尼亚举行的最新一届国际农业和园艺机械展览会 EIMA 2024 上,新款 R38 隆重登场。

菲亚特动力科技凭借其从2.4升至16升的全系列产品,成为发电应用和工业动力单元领域的领导者,其全系列产品均可符合全球各种排放法规要求,并可为各种应用提供最佳性能表现。

全新 R38 - 以全封装且经济的解决方案提供卓越性能

R38 是菲亚特动力科技最新推出的3.8升涡轮增压发动机,旨在为无排放应用提供经济高效的解决方案。这款机型完全符合欧盟排放法规,并为菲亚特动力科技的生态系统画上了闭环。R38 动力输出在用于发电机组时提供功率50 kVA和60 kVA,在工业动力单元系列版本中动力输出达55 kW和65 kW,堪称适合广泛应用的理想之选。

与菲亚特动力科技创新产品组合中的前一款新产品 R24 一样,这也是一款紧凑型四缸 G-Drive 发动机,配备冷却组件和滤清器。全新 R38 采用坚固耐用、成熟可靠的机械式喷射系统,单侧维修使维修保养方便快捷。针对发电机组版本,R38 支持双频1,500 rpm / 1,800 rpm,以最大限度地降低原厂设备制造商的库存要求,适用于从固定式备用电源到移动式主电源的广泛应用。

菲亚特动力科技发电应用产品管理的 Francesca Rinaldi 说:"全新 R38 将在我们的产品组合中发挥重要作用,因为它将提供发电机组应用和工业动力单元两种型号。该发动机的推出旨在满足无排放市场的更多需求:我们希望它能迅速成为目标领域的主要参与者,尤其是在发电机、灌溉泵、液压动力装置、排水泵和空气压缩机等应用领域。"

菲亚特动力科技 (FPT Industrial) 是依维柯集团(EXMIVG)旗下品牌,专注于道路及非道路用车辆、船舶和发电机组使用的动力总成及解决方案的设计、生产和销售。公司在世界各地拥有超过8000名员工、10家工厂以及10个研发中心。公司在近100个国家开展业务,全球销售和客户服务部门一起为所有品牌客户提供支持。广泛的产品线,包括6个发动机产品系列,动力输出从42到超过1000 hp,扭矩输出至500 Nm的变速箱,以及 GAW(总轴荷)为2.4532吨的前、后车桥。菲亚特动力科技 (FPT Industrial) 还为工业应用提供市场上最全hp段的天然气发动机产品系列,动力输出范围从50520hp。专门设立的 ePowertrain 部门正在实现净零排放出行的路上加速前行,推出了电动传动系统、蓄电池组、以及电池管理系统。种类丰富的产品线和对研发的专注使菲亚特动力科技 (FPT Industrial) 成为全球工业动力总成和解决方案的领导者。更多信息:www.fptindustrial.com

稿源:美通社

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11月11日,2024世界物联网博览会开幕式上,软通动力与无锡市锡山区人民政府签署战略合作协议,双方将以联合共建的方式,打造软通无锡智能计算产业园,构建全国领先的智能计算及人形机器人产业聚集地。软通动力首席技术官刘会福受邀参会,并作为企业代表完成签约。

近年来,无锡加快打造具有国际竞争力的战略性新兴产业集群,促进产业迈向价值链中高端,以创新为动力、以企业为主体,打造出一片培育新质生产力的"沃土"。软通动力把无锡作为重点关注、大力布局的城市之一,此前已推动人形机器人总部以及旗下软通计算无锡制造基地、鸿湖万联总部实现落地和繁荣发展,本次签署战略合作协议,是软通动力深化与无锡合作的又一重要"里程碑"。

打造领先的智能计算及人形机器人产业集聚地

根据协议,软通动力将依托自身在智能计算领域的全产业链能力以及在人形机器人方面的业务布局,与锡山经济技术开发区合力打造软通无锡智能计算产业园。园区将以智能计算产业高质量为主线,以构建人工智能技术驱动的人形机器人产业为核心,以优化产业空间布局、盘活存量资源、高效配置要素资源为手段,打造全国领先的智能计算及人形机器人产业集聚地。

合作将围绕智算产业园投资建设及运营、高端制造基地升级、人形机器人总部落地、算力中心及工业互联网平台打造等方面展开,旨在构建一个"自主可控、软硬一体、开放开源、集约高效"的全栈数字技术和数字化创新服务体系,通过加强与智能计算产业链的整合,加速智能计算相关产业高质量发展。

基于本次战略合作签约,软通动力将持续加码在无锡的投入和布局,推动数字经济与先进制造业、现代服务业深度融合,助力无锡提升产业基础高级化和产业链现代化水平。同时,紧抓合作带来的新机遇,坚持创新驱动,不断强化全栈智能技术产品和服务,为数字经济高质量发展注入新动力。

稿源:美通社

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  • Integrals Power正在向全球客户交付其专有的磷酸铁锂(LFP)和磷酸锰铁锂(LMFP)正极材料样品,以供评估,这些客户包括全球汽车制造商(OEM)和锂离子电池制造商。

  • 这些材料将用于制造电动汽车电池和静态储能系统的锂离子电池

  • 公司在英国新建的试验工厂每年可生产 20 吨锂离子电池材料,同时还在开发突破性的锂离子电池化学材料,所有材料均使用高纯度原材料,而非散装前驱体。

  • Integrals Power 正在帮助加快英国电池行业国内供应链的发展,这对所有形式的电动汽车实现安全、可持续的未来至关重要。

下一代电池材料的先锋生产商Integrals Power欣喜地宣布,公司已开始向欧洲和美国的电池制造、能源存储和电动汽车(EV)行业客户(包括全球原始设备制造商)分发磷酸铁锂(LFP)和磷酸锰铁锂(LMFP)电池正极材料样品。

Integrals Power_LMFP_Customer_Samples.jpeg

在Integrals Power英国试验工厂成功生产这些材料之后,该公司成为全球推动可持续能源解决方案的重要供应商,这是一个重要的里程碑。

LFP和LMFP正极材料是锂离子电池的关键部件,完全在英国生产。这不仅彰显了 Integrals Power 对提高国内制造能力的承诺,还确保了最高的纯度、质量和性能标准。这些样品目前正分发给欧洲和美国的主要企业,使他们能够评估Integrals Power的尖端正极材料,以便将其集成到自己的产品中。

Integrals Power创始人兼首席执行官Behnam Hormozi评论说: “我们很高兴能开始向欧盟和美国的客户分发这些样品。这些材料是在我们英国的试验生产线上生产出来的,这是一项值得骄傲的成就,我们很高兴看到它们在电动汽车、电池制造和储能领域的客户的实际应用中表现如何。”

LFP 因其安全性、长循环寿命、低温性能和可持续发展优势而备受全球关注。随着电动汽车和储能系统的需求不断激增,这种材料被视为绿色能源转型的重要推动力,在全球电池市场所占的份额也在不断增加:国际能源机构报告称,到 2023 年,LFP 的供应量将占全球电动汽车需求的 40% 以上,是 2020 年的两倍多。

LMFP 以 LFP 的优势为基础,在混合物中添加了锰,将能量密度提高了 20%,同时保持了 LFP 众所周知的安全性和成本效益。Integrals Power 突破性地将锰含量提高到 80%,而不是现有混合燃料中通常的 50%-70%:这为电动汽车等应用提供了更高的性能,使其能够与镍钴锰化学制品竞争,同时价格更低廉,对关键矿物的依赖性更低。

通过提供这些英国制造的高质量阴极材料,Integrals Power 为客户提供了审查、测试并最终将这些材料集成到其电池和储能解决方案中的机会。这种紧密的合作将有助于促进创新,而创新对于满足全球日益增长的清洁能源技术需求和减少这些具有重要战略意义的资产对中国的依赖至关重要。

凭借其在英国的先进试验生产线,Integrals Power 在促进全球电池供应链增长方面具有得天独厚的优势。公司专注于生产创新型阴极材料,这与对高效、可扩展和环保型能源存储解决方案不断增长的需求相吻合。随着全球向清洁能源过渡,Integrals Power 始终站在这一激动人心的运动的最前沿。

1 2024 年全球电动汽车展望;电动汽车电池的发展趋势

关于Integrals Power

Integrals Power是一家下一代电池纳米材料公司,致力于加速研究、开发和商业化专有、高性能、高性价比和可扩展的电池正极活性材料,包括磷酸铁锂(LFP)和磷酸锰铁锂(LMFP)。在政府资助的合作项目中,我们与学术、研究和工业合作伙伴密切合作,加速这些新型材料的商业化和规模化。我们的使命是帮助在全球范围内普及电动汽车,为减少二氧化碳排放、改善空气质量和实现净零排放做出贡献。

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近日, 2024 Intel LOEM Summit在泰国曼谷隆重举行,汇聚了全球各地的OEM、ODM及系统集成商,增进交流合作、分享发展经验、共探产业机会。长城国际(000066.SZ)作为英特尔全球重要合作伙伴,再度受邀出席峰会。峰会期间,长城国际通过全景式展览,向全球市场展示了其旗舰电子产品、前沿技术及系列解决方案。据统计,长城国际在活动期间与众多国际客户密集开展了近50场深入的商务会晤,并与多家客户达成了合作意向。

深耕细作,行稳致远。 作为行业领先的电子信息产业服务商,长城国际凭借深耕超 30年的经验积累,以其卓越的品质和持续的创新精神,持续赢得国际上的广泛认可。随着人工智能技术的不断演进,长城国际紧跟时代步伐,聚焦AIPC领域,在本次峰会上集中展示了多款旗舰产品及定制化解决方案,进一步彰显了深耕ODM行业、赋能合作伙伴的坚实步伐与坚定决心。其中,由长城国际自主研发的Gbook Air 14笔记本电脑备受关注。这款超轻薄笔记本电脑以960克的轻盈身姿和14.9毫米的极致薄度,搭载英特尔最新处理器,能够支持复杂的离线人工智能处理任务,兼顾高性能与便携性,满足了多场景应用需求,成为同类规格中的佼佼者。

长城国际副总经理李丽军表示:"此次峰会为我们提供了与生态伙伴深入交流、汲取智慧、建立合作关系的宝贵平台。长城国际始终将质量与技术创新置于战略优先地位,致力于提供适应市场需求变化的系列解决方案,这也是我们赢得众多国际知名品牌和合作伙伴信赖的重要原因。"

创新引领,共赢未来。 在创新驱动发展的战略指引下,长城国际针对不同客户需求,持续打造系列行业解决方案。公司副总经理马江伟强调:"创新是长城国际保持竞争优势的关键所在。公司拥有一支充满活力的研发团队,不断推动产品升级,携手上下游合作伙伴,依托技术研发、工艺设计、采购管理、生产制造等全产业链服务能力,为客户提供技术领先、适配个性需求的解决方案。"

值得一提的是,长城国际在峰会期间还披露了其最新的产品路线图以及市场定制解决方案,充分展示了公司在 ODM领域的深厚技术积累与前瞻战略布局,现场赢得了与会客户的高度认可。

关于长城国际

长城国际是一家全球领先的电子产品原始设计制造商( ODM),产品覆盖笔记本电脑、平板电脑、台式机、迷你PC、工作站、打印机、显示器、服务器、投影仪等。公司始终坚守质量、技术和服务的承诺,与全球众多顶尖品牌携手合作,共同推动前沿技术的创新与应用,为全球客户提供更加优质、高效、个性化的电子产品解决方案。

稿源:美通社

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氧化镓(Ga2O3)探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器,主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约,例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、可靠性和灵敏度等需要权衡和折中。对于性能表征也是如此,高响应度一定无法和高精度电流表征同时进行。Tektronix提供了多种性能、架构的测试仪器仪表,满足探测器在不同极限维度下测试的需求。

氧化镓的特性应用及探测器分类

氧化镓的特性与应用

氧化镓具有4.4到5.3eV的超宽带隙,能够有效地覆盖日盲波段(200-280nm)的紫外光。这一特性使得氧化镓成为理想的日盲紫外探测材料,因为该波段的光在大气中受到臭氧层的强烈吸收,地面背景干扰较小,能够提供更高的探测精度。同时,氧化镓最稳定的异构体,β-Ga2O3的禁带宽度达到4.8eV , 理论击穿电场约8MV/cm。由此,巴利加优值 (Baliga’s Figure of Merit) 高达3444, 远超氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC),这意味着其用于功率器件的潜力巨大 , 使其成为下一代半导体功率电子的候选材料。由于应用场景的不同,对于氧化镓的单体以及参杂和器件制备及测试的思路都不用,本文重点谈论氧化镓在光电探测器的应用以及测试的方法。

探测器结构与类型

氧化镓探测器的结构主要分为以下几种类型:

  • 金属 - 半导体 - 金属(MSM)型:这种结构简单,响应度高,适合大规模集成,但有效光吸收面积较小。

  • 肖特基结型:通过金属和氧化镓之间形成的肖特基势垒,具有较快的响应速度和较低的暗电流。

  • 薄膜晶体管(TFT)型:能够在抑制暗电流的同时放大增益,适用于高响应速度的应用。

  • 阵列型:主要用于大面积成像,适合需要广泛覆盖的应用场景。

氧化镓探测器的分类

  • MSM型器件:由光敏材料及背靠背的 两个肖特基接触(具有整流电压电流特性的金属半导体接触)电极构成,当外加偏压施加在器件上时,其中一个肖特基结为正向偏置,另一个结为反向偏置,因此暗电流较小。同时器件还具有结构简单、容易制备、结电容小等优点。

  • 肖特基结型器件:由光敏材料与分别形成肖特基接触和欧姆接触(具有非整流电压电流特性的金属半导体接触)的两个电极构成, 肖特基结型器件的光响应来源于光伏效应,可以在0V偏压下工作。同时由于空间电荷区与电极紧邻,更靠近表面,因此器件通常具有较高的外量子效率和较快的响应速度 。

  • 异质结:由于Ga2O3高质量稳定的p型掺杂还存在很大困难,限制了其pn同质结型器件的发展,因此通过将n型的Ga2O3和p型或n型的其他材料结合构成异质结型器件,可显著降低暗电流,提高响应度。

氧化镓探测器性能指标及测试方法

对于氧化镓探测器的测试可以分为材料测试、器件本征分析(静态)以及光电(动态)。材料测试通常利用TEM、XRD 等分析所制备材料等微观晶体、薄膜结构、表面形貌等特征。本文旨对电学、光电特性进行简单介绍。

本征分析主要包含:转移特性曲线、输出特征曲线,表征器件的控制以及载流子(电子-空穴对)在不同工况下的迁移特性,以及电学输出特性。通过SMU源表和4200A-SCS参数分析仪可以轻松完成。需要根据扫描的电压范围和载流子的范围确定所需要的仪器的具体参数和型号。

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SMU源表系列

24系列、26系列满足不同测试精度的需求,特别针对于氧化镓衬底、异质结等新型、创新性制备、结构设计等,高通量的载流子表征。

4200A-SCS参数分析仪

器件测试的利器,内建了氧化镓光电测试模块,覆盖静态、动态测试,同时可以增配CVU模块,增加CV测试能力,可以对器件界面进行缺陷的定量测量。并且,可以控制外部脉冲源、示波器等,完成动态响应度测试。

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图:典型的β-Ga2O3探测器的转移和输出特性曲线[3]

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图:测试框图

特别对于光电类型的器件,需要表征输入光到输出电流的响应度特性。加之光电器件在没有光照的时候,存在随机的电子 - 空穴对的飘移所产生的暗电流,特别对于MSM和异质结类型的器件,暗电流的性能直接决定了不同材料之间在制备中的缺陷。

光响应度R = (JPhoto - JDark)/P

其中R是光响应度,JPhoto是光电流密度,JDark是暗电流密度,P是入射光功率。

可以看到暗电流的测试对于测试仪器还是有很高要求的,电流在pA量级,需要高精度源表配合低漏流的探针台才能做到该水平。推荐Keithley 2600系列源表,或4200A-SCS上增配PA模块以达到pA的量级的精度、aA量级的分辨率。在测试系统中,光源的选择决定于应用场景。可以改变激励光源,实现波长依赖度的测试。不同的光源类型也决定了测试系统的成本。通常可以选UV LED,包含了丰富的UV光谱,成本低廉,但是无法实现确定的波长;激光器、单色仪,波长选择强,但是成本高。

氧化镓动态参数测试所表征的主要是光电响应速度、响应稳定度(光暗循环)等。响应时间指探测器从接收光信号到输出电信号的时间。较短的响应时间意味着探测器能够更快地检测到光信号的变化 , 这对于需要实时监测或高速通信的应用至关重要。响应稳定度测试可以评估探测器在不同工作条件下(如温度变化、长时间运行等)的性能一致性。确保探测器在各种环境下都能保持稳定的响应时间和灵敏度,对于实际应用至关重要。

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图:氧化镓典型的响应速度和稳定性

对各类镓基氧化物薄膜日盲紫外探测器性能对比,响应上升时间范围在纳秒级到秒级别,跨越了9个数量级,暗电流的范围在皮安到纳安量级。

通常在测试ms量级的电流变化时,可以使用SMU,利用SMU的autoscale,如果需要us量级的时间测试,可以使用DMM6500,连接到测试系统中,进行高速的电流采样。同时兼容的较小的电流测试量程和测试精度。如果电流变化在ns量级,需要使用示波器来完成,但通常示波器的电流测试能力在mA量级,需要外部使用固定稳定增益的TIA进行放大。

了解更多最新源测试资料,https://www.tek.com.cn/campaign/smu-solutions

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市,致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案,解决各种问题,释放洞察力,推动创新能力。70多年来,泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅,敬请登录:tek.com.cn

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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品,供客户评估。

当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时,其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD(肖特基势垒二极管)以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题,但如若将SBD布置在芯片上,会减少为通道提供的板面积,板面积不仅可决定MOSFET导通工作的电阻,而且还可增加芯片的导通电阻。

X5M007E120中嵌入的SBD采用格纹形态排列,没有采用常用的条形形态,这种排列可高效抑制器件体二极管的双极通电,而且即便占用相同的SBD挂载面积,也能将单极工作的上限提升到大约两倍的当前面积。此外,也可针对条形阵列提高通道密度,而且单位面积的导通电阻很低,大约降低了20 %至30 %[5]。这一提高的性能、低导通电阻以及针对反向导通工作保持的可靠性,可节省用于电机控制的逆变器的电能,例如牵引逆变器。

降低SiC MOSFET的导通电阻,会导致短路[6]时流过MOSFET的电流过大,进而降低短路耐久性。此外,增强嵌入式SBD的传导,提高反向传导工作的可靠性,也会增大短路时的漏电流,从而可再次降低短路耐久性。最新裸片具有深势垒结构设计[7],可在短路状态下抑制MOSFET的过大电流和SBD的漏电流,这可在提高其耐久性的同时,保持针对反向传导工作的极高可靠性。

用户可根据其特定的设计需求定制裸片,实现面向其应用的解决方案。

东芝预计将在2025年提供X5M007E120的工程样品,并在2026年投入量产,同时,其将进一步探索器件特征的改进。

东芝将为客户提供易用性和性能都更高的电源半导体产品,充分满足电机控制逆变器和电动汽车电力控制系统等能效都至关重要的领域的应用需求,从而为实现脱碳社会做出贡献。

图1:外观(俯视图)与内部电路

图2:现有条形形态嵌入式SBD的MOSFET与格纹形态嵌入式SBD的MOSFET的原理图

图3:条形形态嵌入式SBD的MOSFET与格纹形态嵌入式SBD的MOSFET的单极传导及导通电阻临界电流密度测量值(东芝调查)

图4:典型SiC MOSFET与东芝SiC MOSFET(将SBD嵌入MOSFET芯片的MOSFET)的比较

图5:格纹形态嵌入式SBD的现有MOSFET与深势垒结构设计MOSFET的原理图

图6:条形形态嵌入式SBD和深势垒结构设计MOSFET的短路耐受时间和导通电阻的测量值(东芝调查)

应用:

-车载牵引逆变器

特性:

-低导通电阻与高可靠性

-车载裸片

-通过AEC-Q100认证

-漏极—源极电压额定值:VDSS=1200 V

-漏极电流(DC)额定值:ID=(229)A[8]

-低导通电阻:

RDS(ON)=7.2 mΩ(典型值)(VGS=+18 V、Ta=25 °C)

RDS(ON)=12.1 mΩ(典型值)(VGS=+18 V、Ta=175 °C)

主要规格:

(除非另有说明,Ta=25 °C)

器件型号

X5M007E120

封装

东芝封装名称

2-7Q1A

尺寸(mm)

典型值

6.0×7.0

绝对

最大值

额定值

漏极—源极电压VDSS(V)

1200

栅极—源极电压VGSS(V)

+25/–10

漏极电流(DC)ID(A)

(229)[8]

漏极电流(脉冲)ID Pulse(A)

(458)[8]

通道温度Tch(°C)

175

电气

特征

栅极阈值电压

Vth(V)

VDS=10 V、

ID=16.8   mA

典型值

4.0

漏源

导通电阻

RDS(on)(mΩ)

ID=50 A、

VGS=+18   V

典型值

7.2

ID=50 A、

VGS=+18   V、

Ta=175 °C

典型值

12.1

正向电压

VSD(V)

ISD=50 A、

VGS=–5 V

典型值

–1.21

正向电压

VSD(V)

ISD=50 A、

VGS=–5 V、

Ta=175 °C

典型值

–1.40

内部栅极电阻

rg(Ω)

开路漏极、

f=1 MHz

典型值

3.0

注:

[1] 可将电池供电的DC电源转换为AC电源并可控制电动汽车(EV)或混合动力电动车(HEV)电机的设备。

[2] 未封装芯片产品。

[3] 电路中电流回流导致的电流从源极流向漏极的工作。

[4] 当正向电压施加到漏极和源极之间的pn二极管时的双极性工作。

[5] 相比使用条形形态的产品。

[6] 与在正常开关工作期间的短时间传导相比,在控制电路故障等异常模式下出现长时间传导的现象,要求具有在一定短路工作持续时间内不会出现故障的强度。

[7] 为控制因高压而产生的高电场提供的器件结构元件,其会对器件性能产生重大影响。

[8] 暂定值。

如需了解有关东芝SiC功率器件的更多信息,请访问以下网址:

SiC功率器件

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/power-semic...

*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商,公司累积了半个多世纪的经验和创新,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

公司22,200名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化,东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,公司现已拥有超过7,971亿日元(49.6亿美元)的年销售额,期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息,请访问以下网址:https://toshiba-semicon-storage.com

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与普通产品相比,可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(以下简称SBD)。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的SCS2xxxNHR8款机型。计划202412月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的SCS2xxxN

近年来,xEV得以快速普及,对于其配套的OBC等部件而言,功率半导体是不可或缺的存在,因此,市场对发热量少、开关速度快、耐压能力强的SiC SBD的需求日益高涨。其中,小型且可使用贴片机安装的表面贴装(SMD)封装产品,因其可以提高应用产品的生产效率而需求尤为旺盛。另一方面,由于施加高电压容易引发漏电起痕,因此需要确保更长爬电距离的器件。ROHM作为SiC领域的领航企业,一直致力于开发支持高电压应用的耐压能力和可安装性都出色的高性能SiC SBD。此次,通过采用ROHM原创的封装形状,开发出确保最小5.1mm的爬电距离、并具有优异绝缘性能的产品。

新产品去除了以往封装底部的中心引脚,采用了ROHM原创的封装形状,将爬电距离延长至最小5.1mm,约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离,可以抑制引脚之间的漏电起痕(沿面放电)*2,因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时,无需通过树脂灌封*3进行绝缘处理。

目前有650V耐压和1200V耐压两种产品,不仅适用于xEV中广为使用的400V系统,还适用于预计未来会扩大应用的更高电压的系统。另外,新产品的焊盘图案与TO-263封装的普通产品和以往产品通用,因此可以直接在现有电路板上替换。此外,车载设备用的SCS2xxxNHR符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*4

新产品已于20249月开始出售样品(样品价格1,500日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.(福冈县筑后工厂),后道工序的生产基地为ROHM Korea Corporation(韩国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360等电商平台均可购买。

未来,ROHM将继续开发高耐压SiC SBD,通过提供满足市场需求的优质功率元器件,为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。

<产品阵容>  

<应用示例>

◇车载设备:车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等

◇工业设备:工业机器人用AC伺服、光伏逆变器、功率调节器、不间断电源装置(UPS)等

<电商销售信息>

电商平台:Ameya360

新产品在其他电商平台也将逐步发售。

在售产品:车载设备用的“SCS2xxxxNHR

适用于工业设备的“SCS2xxxxN”预计将2024年12月起逐步发售。

<关于EcoSiC™品牌>

EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。

EcoSiC™ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

<术语解说>

*1) 爬电距离

沿着器件封装表面的两个导电体(引脚)之间测得的最短距离。在半导体设计中,为了防止触电、漏电、半导体产品短路,需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。

*2 漏电起痕(沿面放电)

当向作为导体的引脚施加高电压时,绝缘物——也就是封装表面会发生放电的现象。在本来不应该导电的图案之间发生了放电,会导致器件介电击穿。随着封装的小型化,爬电距离变得更短,这种现象也就更容易发生。

*3) 树脂灌封

通过使用环氧树脂等树脂对器件本体以及器件与电路的电极连接部位进行密封,来实现电绝缘。树脂灌封还可以有效地对器件进行保护、防水、防尘、提高耐用性和耐候性。

*4) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”

AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件(晶体管、二极管等)的标准。

【关于罗姆(ROHM)】

罗姆(ROHM)成立于1958年,由起初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆(ROHM)在中国的业务发展】

销售网点:为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求,罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色,积极开展“密切贴近客户”的销售活动,力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点,其中包括上海、深圳、北京、大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、香港、台湾。并且,正在逐步扩大分销网络。

技术中心:在上海和深圳设有技术中心和QA中心,在北京设有华北技术中心,提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员,可以从软件到硬件以综合解决方案的形式,针对客户需求进行技术提案。并且,当产品发生不良情况时,QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地:1993年在天津(罗姆半导体(中国)有限公司)和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产,在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产,作为罗姆的主力生产基地,源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献:罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作,积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议,积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年,在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”,并已于2011年4月竣工。2012年,在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”,从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术(结构设施健康监测)、人工智能(机器健康检测)等联合研究项目。除清华大学之外,罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作,不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础,通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制,与客户构筑坚实的合作关系,作为扎根中国的企业,为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

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全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗瑞士证券交易所股票代码:AMS)今日宣布,推出新一代高性能LED——OSCONIQ® C 3030。这款尖端LED系列专为严苛的户外及体育场照明环境而设计,兼具出色的发光强度与卓越的散热效能。其支持高达3A的驱动电流及最大9W的功率输出,以紧凑扁平封装呈现卓越亮度和可靠性,确保高强度照明持久耐用且性能出众。

OSCONIQ® C 3030应用图片(图片:艾迈斯欧司朗)

应用领域

体育场及高杆照明

OSCONIQ® C 3030以卓越的光通量密度、出色的热管理能力及紧凑设计,完美契合高功率照明需求,成为体育场聚光灯及高杆照明等严苛应用场景的优选方案。这款LED以小体积实现高封装密度,释放出卓越的亮度与光强,为运动场和大型户外空间注入无限活力。

建筑聚光灯

在建筑聚光灯应用领域,OSCONIQ® C 3030以其出色性能,成为打造迷人照明效果的理想之选。其高强度的光输出与卓越的颜色均匀性,能确保稳定的照明效果,凸显建筑特色。此外,这款LED还具备出色的多样性,支持密集排列与创意照明设计,营造令人赞叹的视觉效果。

电视与转播的领先照明技术

OSCONIQ® C 3030以出色的色彩还原能力和光照一致性,成为电视演播室与转播应用的优选方案。在这些对精确照明要求极高的场景中,该LED能够帮助演播室与转播机构实现至臻照明效果,确保屏幕所呈现的每一细节都生动逼真、色彩准确。

OSCONIQ® C 3030产品图片(图片:艾迈斯欧司朗)

主要特性

紧凑封装,卓越性能

OSCONIQ® C 3030凭借小巧的3030封装设计,在大幅节省空间的同时,实现光强度最大化,是体育场与建筑聚光灯应用的理想选择。其坚固的CSP类封装,可确保稳定的高功率输出,并降低系统成本。

卓越热效率

OSCONIQ® C 3030的热阻尤为卓越,仅为1.2K/W,能高效散热,确保产品的长期可靠性,同时可实现长达120,000小时免维护运行。因此,无论是在难以触及的高杆照明,还是其他各类安装环境中,这款LED都是您的理想之选。

高功率,高光效

OSCONIQ® C 3030专为严苛应用场景打造,支持高达9W的功率输出,在5,700K色温下光通量可达近500lm,堪称高输出照明领域的佼佼者。

卓越色彩品质与一致性

凭借卓越的色偏角(CoA)表现与色彩均匀性,OSCONIQ® C 3030能够提供精准且生动的照明效果。其相关色温范围覆盖2,200K6,500K,并可选配708090的显色指数(CRI),确保在不同应用场景中均能展现出色的色彩性能。

内置静电放电(ESD)保护

OSCONIQ® C 3030内置8kV的静电放电(ESD)保护机制,有效抵御静电干扰,确保在严苛环境中仍能稳定可靠地运行。

释放艾迈斯欧司朗UX:3技术的潜能

依托艾迈斯欧司朗前沿的UX:3芯片技术,OSCONIQ® C 3030在光照均匀性、电流线性、光通量密度及热性能等方面树立全新标杆,成为大功率应用的理想之选。其独有的荧光粉转换技术、经优化的引线框架以及耐用封装设计,共同确保卓越的性能与可靠性。OSCONIQ® C 3030荣膺2023BrightStar大奖,在高强度照明领域独占鳌头。

OSCONIQ® C 3030 LED现已实现批量生产。如需更多技术详情或申请样品,敬请访问我们的官方网站。

关于艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗集团(瑞士证券交易所股票代码:AMS)是智能传感器和发射器的全球领导者。我们为光赋予智能,将热情注入创新,丰富人们的生活。

我们拥有超过110年的发展历史,以对未来科技的想象力为引,结合深厚的工程专业知识与强大的全球工业产能,长期深耕于传感与光学技术领域,持续推动创新。在汽车、工业、医疗、消费领域,我们致力于为客户提供具有竞争力的解决方案,在健康、安全与便捷方面,致力于提高生活质量,推动绿色环保。

我们在全球范围拥有约2万名员工,专注于传感、光源和可视化领域的创新,使旅程更安全、医疗诊断更准确、沟通更便捷。我们持续开发突破性的应用创新技术,目前已授予和已申请专利超过15,000项。

集团总部位于奥地利Premstaetten/格拉茨,联合总部位于德国慕尼黑。2023年,集团总收入超过36亿欧元。ams-OSRAM AG在瑞士证券交易所上市(ISIN:AT0000A18XM4)。

amsams-OSRAM AG的注册商标。此外,我们的许多产品和服务是艾迈斯欧司朗集团的注册或归档商标。本文提及的所有其他公司或产品名称可能隶属于其各自所有者。

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