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面向EV,e-Bike的车规级保护IC,向着先见性功能安全迈出了新的一步

美蓓亚三美株式会社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司(总裁:田中诚司,总部地址:东京都港区,下称“ABLIC”)今天推出车载3节~6节电池监视用保护IC「S-19193系列」。

S-19193_NR_EwithGP (1).png

今天推出的车载3节~6节电池监视用保护IC「S-19193系列」,具备车载电池的过充电和过放电监视功能,是应对ISO26262(※1)开发制程的产品。

通过使用「S-19193系列」,即使在以往的监视系统(一次保护系统)发生故障时,也可以作为二次保护系统继续进行电池监视工作,这样也可应对故障运行(Fault operational)、故障降级(Fault degraded),实现更高安全性能的BMS。

AFE和MCU内部的监视功能也有一次保护和二次保护构成的例子,但这些功能的主要目的是通过相互监视进行故障检测,不足以作为备份功能。内部的双重化容易导致在发生故障时,同时丧失功能的「共灭」风险。使用「S-19193系列」进行的二次监视可完全独立于一次监视,也可避免共灭风险。

此外,可以构成无需MCU控制的独立工作的二次保护监视电路,有助于减少设计上的工时。

为支持使用「S-19193系列」的BMS的功能安全(※2)设计,可以下载Safety Manual。此外,本产品已应对美国汽车工业行动小组(AIAG)规定的PPAP(Production Part Approval Process),还在准备应对车载IC的品质标准AEC(*)-Q100 Grade1(*Automotive Electronics Council)。

(※1) 功能安全:
融入功能理念,确保可接受的安全水准 (参照 https://www.ablic.com/en/semicon/products/automotive/asil/ )

(※2) ISO26262:
于2011 年 11 月正式发布的有关车载电子控制功能安全的国际标准。计算车载电子控制发生故障的风险,将减轻此风险的机制作为功能之一,实现预先编入系统的“功能安全”的开发过程标准化。从车辆的构思到系统、ECU、嵌入式软件、设备开发以及它们的生产、维护、废弃,整个车辆的开发生命周期都是对象。

[主要特点]

  1. 作为二次保护监视IC使用,发生故障时也可以继续进行车载电池的监视功能

  2. 以简单的电路构成进行独立监视,可以通过自检进行故障检测

  3. 通过级联功能,以较少的部件实现简单的监视电路

[应用案例]

  • 车载设备:

    EV、HEV、PHEV、eーBike等车载BMS的

  • 产业设备 :

    蓄电器、电动叉车等的电池监视

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[S-19193 产品详情]

https://www.ablic.com/en/semicon/products/automotive/automotive-lithium-ion-battery-protection-ic/s-19193/

[网站]

https://www.ablic.com/

该产品系列是MinebeaMitsumi绿色产品 ,已获得杰出环保贡献产品认证。

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11月5日-6日,由全球电子行业知名媒体AspenCore主办的国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shenzhen 2024)在深圳福田会展中心7号馆圆满落幕。作为业界颇具影响力的系统设计峰会,IIC Shenzhen 2024再次为半导体产业搭建了一个专业的交流平台,聚集国内外电子产业领袖、管理人员、设计精英及决策者,聚焦重大前沿新兴技术及产品、市场应用以及供应链发展变迁和趋势,以此助推产业的创新稳健发展。

在同期举行的“2024年度全球电子元器件分销商卓越表现奖”颁奖盛典上,业内领先电子元器件分销商深圳创实技术有限公司(简称“创实技术”或“Cytech Systems”)荣获“2024年度全球电子元器件分销商卓越表现奖之国际潜力之星分销商”!这也是创实技术继2023年获奖之后,再次获得此殊荣。

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图1. 创实技术销售总监王良兴(左)作为公司代表上台领取“国际潜力之星分销商”奖杯

韧性!面对未来市场分化,供应链挑战依旧!

再次获奖不仅是对创实技术实力的肯定,更是对其在变革周期中积极调整策略的褒奖。创实技术也表示,这个奖项意味着来自市场的认可和肯定,是多年来努力经营的回报。获奖本身也将激励创实技术继续提升自身实力,为客户提供更优质的产品和服务,进而巩固并稳步提升其在行业中的地位和影响力。

2024年,半导体行业强劲复苏,但仍呈现不均衡的状态,供应链依旧充斥着诸多挑战与薄弱环节,对分销行业韧性的考验加剧。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)最新预测,2024年全球半导体市场预计将增长16%,达到6110亿美元。而推动这一增长的主要动力来自逻辑芯片(预计增长10.7%)和存储芯片(预计增长76.8%)。

贝恩咨询同样在报告中警示,AI驱动的需求激增将对供应链构成新的压力。当下,生成式AI的突破使得数据中心GPU需求激增,预计到2026年,数据中心对当前一代GPU的需求将实现翻倍。同时,个人设备中AI功能的嵌入也将激发新设备购买需求的增长,预计到2026年,PC销量将增长31%,智能手机销量将增长15%。这一趋势无疑将进一步加剧供应链的紧张态势,尤其是在高端芯片和存储器供应方面。

据麦肯锡最新报告揭示,2024年高达90%的受访企业遭遇了供应链困境,而造成困境的原因也更趋多元,可能是地缘政治,可能是自然灾害,也可能是当前贸易的紧张局势对部分半导体产品在全球流通造成的严重制约。

鉴于全球经济环境的变化和电子元器件市场的波动,分化也是创实技术预测未来市场所给出的标签:一方面,一些传统的电子元器件市场可能会逐渐萎缩,另一方面,与新兴技术相关的电子元器件市场将迎来快速发展。

基于对一线市场的深入调研,创实技术表示未来几年内物联网、人工智能、新能源等领域的市场发展值得看好。同时,为应对这种趋势变化,公司也已经在产品选型、技术储备、市场开拓等方面做好了相应的准备。

百炼成钢,在周期变革中夯实数字化硬实力

从2022年的半导体短缺市场走来,电子元器件分销领域经历了各种黑天鹅事件叠加的行业起伏。如果说曾经的PPV+Shortage并行策略,让创实技术积累了一波快速成长。那么当市场从短缺穿越到过剩,战略调整势在必行。

拓展新商机,大力发展代理事业部和PPV服务并重,创实技术以此应对新挑战。众所周知,分销业务伴随市场起伏,对信息化技术要求极高,创实技术若想要在起伏中抢得商机,就必须密切关注市场动态以及客户的未来生产计划,合理调整库存水平,这一切都离不开先进的数字化管理。

引入更为先进的SAP供应链系统只是第一步。创实技术通过ERP系统对采购、库存、销售等各个环节进行实时监控和管理,从而大幅提高供应链的透明度和效率。此外,创实技术还引入了LIMS和 WMS智能仓储管理系统,实现流程的自动化管理,全面提升库存与物流管理效率,加快客户需求响应速度,进一步提升客户满意度。

在数字化助力的基础上,加强上下游企业的深度合作,建立更紧密的战略联盟,实现信息共享和协同运作,创实技术才能游刃有余地应对挑战,比如对于库存积压的产品,积极开拓新兴市场和应用领域,寻找新的销售渠道;而在价格下跌环境下,就进而优化采购策略,与供应商协商更有利的价格条款,进一步加强成本控制,以期强化竞争力,提高供应链的整体效率和韧性!

多样化需求背景下,强化增值服务是必由之路

此外,2024年半导体行业的复苏表明,未来几年内,全球半导体市场仍将处于扩张状态。然而,随着投资的快速增长和产能的不断扩张,行业也将面临新的供需失衡风险。同时市场分化加剧也将带来不同地区、不同行业的发展速度差异,客户需求将更加多样化。

创实技术发现,过去几年,很多国外OEM已对中国半导体厂商的态度发生改变,对国产芯片的接受度不断提升。在敏锐察觉到这一变化之后,创实技术也开启了对更多优质国产芯片代理业务的开拓,其旗下专注国产芯片和模块推广的子公司深圳创华芯电子有限公司(简称“创华芯”或“CHCHIP”)承担起了这一重任。

比如专注于低功耗蓝牙主芯片的上海奉加,具有全栈自研的蓝牙协议栈和丰富的市场产品应用开发能力;比如在功率器件领域有着丰富产品类型和应用的广东仁懋不仅是国内知名的半导体封装测试的高新技术企业,还是国家级专精特新小巨人企业;又比如专注于AC-DC、DC-DC高频模块电源的广州爱浦,作为20年品牌企业和高新技术型企业,拥有丰富的产品设计经验以及完善的电源解决方案和产品。目前,创华芯已经积累了包含洛仑兹、爱浦、仁懋、有方、奉加、辉芒、沁恒、伯恩、金誉、诚芯微、先楫、沐曦等一众各自领域内的优秀国产厂商资源。

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图2. 创实技术和创华芯携部分原厂展品亮相IIC Shenzhen 2024

在引进国产代理线的基础上,创实技术更进一步打磨自身服务——对应提供包括产品选型、技术支持和售后服务等在内的定制化解决方案。此外,创实技术更是探索了许多新供应渠道,导入线上销售平台,结合线下的销售团队和服务网点,一方面整合更多有竞争力产品线,另一方面整合技术方案增值,再结合线上线下融合服务,为客户提供更便携、更高效的采购体验。

以完善的质量管理体系和敏捷响应客户需求为服务基石,创实技术不断开拓着自己的能力边界,比如走出去。

开发海外客户和业务是创实技术早几年就在规划的事情。未来,电子元器件分销行业必将面临市场竞争加大、技术更新迭代快、客户需求多样化等多重挑战,如何提升创实技术在海外的知名度已是重中之重。

将客户群体进一步深化到全球的OEM、EMS和ODM等已成创实技术当下的战略重点,今年8月创实技术就与日本顶尖电源管理IC厂商Torex达成了授权代理合作。而在海外布局方面,创实技术直言要逐步将业务拓展到日本、新马泰和越南等地,不断提高市场份额,以期成为电子元器件代理以及分销行业的领军企业。尽管硬科技行业都在不懈地努力提升全球供应链的韧性,但供应链依旧充斥着诸多挑战与薄弱环节,当然这一切对勇于向前的人来说,都是机会!

关于创实技术

深圳创实技术有限公司(Cytech Systems Limited)--“卓越分销,连接未来”,是一家深耕中国本土并辐射全球、致力于为客户创造可持续价值并推动供应链产业创新与发展的领先电子元器件分销商。

创实技术由电子信息技术和供应链分销行业资深人士共同创办,以其在电子行业产业链数十年的行业经验,链接全球供应商网络,成为高品质货源的有力支撑,并通过多元化的采购服务,为遍布全球50多个国家,包含世界500强头部企业在内的数千家客户提供个性化定制、敏捷、高品质的供应链解决方案,在帮助客户优化成本,提高效率的同时与客户一同成长,实现共赢。

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评估套件具有Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和CGD 易于使用的ICeGaN GaN 功率 IC 的性能

无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD今日与全球领先的连接和电源解决方案提供商Qorvo® (纳斯达克股票代码: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN®评估套件(EVK),将行业领先的电机控制和能效技术整合在一起。该EVK具有Qorvo的高性能无刷直流BLDC)/永磁同步(PMSM)电机控制器/驱动器和CGD易于使用的ICeGaN IC性能,显著改善了电机控制应用。

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andrea BricConi | CGD首席营销官

“通过将我们两家技术强大的公司的行业领先解决方案结合到这款EVK中,我们能够开发出紧凑、节能、高功率密度的系统。与其他GaN器件不同,ICeGaN技术可以轻松地与Qorvo的PAC5556A电机控制IC实现无缝对接,在BLDC和PMSM应用中提高性能。”

JEff Strang | Qorvo功率管理事业部总经理

“氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体因凭借其更高的功率密度和效率优势而被积极用于各种电机控制应用中。CGD的 ICeGaN 产品提供了易用性和可靠性,这些是电机控制和驱动设计师关心的两个关键因素。当我们的客户在体验到CGD的ICeGaN与我们高度集成的PAC5556A 600V BLDC电机控制解决方案相结合的功率时,他们反应相当热烈。”

通过采用CGD最新一代P2 IC,配备240 mΩ ICeGaN的PAC5556AEVK2评估套件在没有散热器的情况下实现了高达400W的峰值性能,而配备55 mΩ ICeGaN的PAC 5556AEVK3在最小气流冷却的情况下达到了800W的峰值。ICeGaN的效率实现了降低功耗和提高了电源可用性,并最大限度地降低了温度,从而实现了更小、更可靠的系统。由于ICeGaN集成了基本的电流感测和米勒箝位元件,因此简化了栅极驱动器设计,降低了BOM成本。这使得该解决方案易于实施、价格具有竞争力、性能也更高。

PAC5556A+CGD GaN EVK在低速时提供更高的扭矩和精确的控制,使其成为白色家电、吊扇、冰箱、压缩机和泵的理想选择。其目标市场包括工业和家庭自动化,特别是在需要紧凑、高效电机控制系统的应用中。PAC5556AEVK2和PAC5556AAVK3可在Qorvo官网采购。CGD将在慕尼黑电子展的展台展出以上产品,展位号为C3-539。

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化,以实现能效紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案,将创新融入日常生活。CGD ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产,并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业,孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑,这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现,为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。欲了解更多信息,请访问 https://camgandevices.com/zh/

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作者:电子创新网张国斌

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熟悉三国历史的人都知道,魏蜀吴三国鼎立的局面是从一场转折点之战开始,这场转折点之战就是赤壁之战,赤壁之战之后,以刘备领导的蜀汉力量正式割据西南 ,而孙权也坐稳了江东,魏蜀吴正式开启三国鼎立模式。

纵观古往今来的历史长河,在新势力的发展崛起过程中,转折点之战必不可少,通过转折点之战一战成名,新势力将正式崛起!

技术发展其实也遵从这样的规律。

我们熟悉的RF-SOI工艺,其实从2007年IBM就开始研发了,直到2012年在射频领域打了一场转折点之战---将SOI应用在射频开关之后,RF SOI工艺一举成名,迅速把砷化镓氮化镓等化合物工艺在射频领域的应用降级,成为射频主流工艺!我们本土上市公司卓胜微也是凭借RF-SOI工艺成为射频领域主流玩家。

目前,RF-SOI工艺在射频领域已经广为应用,不但在射频开关,更在射频功放、调谐器等被广为采纳。

现在,FD-SOI工艺也急需一场转折点之战!

从2013年第一届上海FD-SOI论坛开始,FD-SOI推介已经砥砺前行了11年!

FD-SOI是一种在SOI衬底上制作全耗尽型CMOS器件的技术,它是唯一能将2D CMOS晶体管的平面结构与全耗尽(FD)模式下运行这两大实质特性相结合的技术。这个技术也是FinFET工艺技术发明人胡正明教授发明的,从架构上看更像是把FinFET(鳍式晶体管)翻转了90度。

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FD-SOI继承了SOI材料的优越性--SOI 可实现更快的半导体器件、更低的漏电流、优化的性能和更低的结电容,从而实现更低的功耗。此外,FD-SOI还具有许多其他方面的独特优点,包括具有背面偏置能力,极好的晶体管匹配特性,可使用接近阈值的低电源电压,对辐射具有超低的敏感性以及具有非常高的晶体管本征工作速度等。

FD-SOI技术所有这些关键特性使其广泛用于物联网、边缘智能、自动驾驶和5G通信收发器以及汽车电子中的雷达系统等毫米波段应用。

FD-SOI工艺发展轨迹

FD-SOI工艺从概念提出到成熟商用经历了近三十年,其低功耗、高性能的特性使其在IoT、5G和汽车市场中大放异彩。FD-SOI的概念最早于20世纪90年代提出。当时,研究人员探索通过在晶体管下添加一层绝缘体(埋氧层)来减少漏电流和功耗。早期的SOI工艺显示出提高晶体管性能和降低功耗的潜力,为FD-SOI的研发奠定了基础。

到2000年代初期,SOI工艺逐渐应用于一些高端处理器中,但由于成本较高,市场普及较为缓慢。IBM等公司进行了初步的技术开发,但当时SOI工艺的应用仍然较为小众,主要集中在高性能服务器和游戏机等对性能要求较高的产品上。

2012年,法国的半导体研究机构CEA-Leti和STMicroelectronics成功开发了28nm FD-SOI工艺,并率先进行商用化。这一技术显著降低了功耗,同时提升了性能,特别适用于移动设备和物联网等对功耗敏感的应用。2015年,STMicroelectronics和GlobalFoundries合作推出22nm FD-SOI工艺,进一步推动了FD-SOI在移动、汽车和IoT市场的应用。

之后,随着22nm和12nm节点的FD-SOI工艺的推出,FD-SOI的低功耗和适应性进一步提升。2017年,GlobalFoundries推出了22FDX工艺,实现了更低的成本和更好的功耗性能平衡,目前,FD-SOI已经逐渐成为一种替代FinFET技术的解决方案,尤其适用于5G、物联网和汽车电子等领域。

FD-SOI工艺发展现状

在近日召开的第九届上海FD-SOI论坛上,与会专家们就FD-SOI发展和产业现状进行了讨论。

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芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民回顾了FD-SOI发展历史,并指出经过多年的推介,FD-SOI已经不是一个用不用的选项而是在产业生根结果尤其是格芯等在大力发展这个工艺,FD-SOI生态已经日益繁荣。

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芯原是最早支持FD-SOI工艺的,多年来芯原一直致力于推动FD-SOI生态建设,这是芯原可以提供的FD-SOI IP介绍,基本涵盖了FD-SOI SoC所需的IP。

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IBS首席执行官Handel Jones分析了人工智能技术的发展以及FD-SOI如此重要?他认为未来原生鸿蒙会占据中国25%手机市场,在同等节点,FD-SOI相比FinFET在功耗成本面积上都有优势,尤其在12 nm和28nm这个区间,如果辅以chiplet技术和特殊封装技术可以让12nm FD-SOI技术进入数据中心和移动领域。

他指出16nm FinFET 晶圆的成本比 18nm FD SOl 晶圆高 20%,因此,18nm FD SOl 是比 16/14/12nm FinFET 更好的技术。此外,12nm FD SOl 的射频连接性比 7nm FinFET 更好。因此,在大多数应用中,12nm FD SOl 的 PPA 比 7nm FinFET 更优越。

此外,FD SOl 的晶体管密度比 CMOS 高 10%。因此,FD SOl 的晶体管成本与 CMOS 22nm 相当,而 CMOS 和 FD SOl 晶圆的成本相当(但FD SOl 的掩膜步骤数比 CMOS 少)。此外,FD SOl 的功耗比 CMOS 低 15%-20%。

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格罗方德亚洲区主席兼中国区主席洪启财分享FD-SOI工艺技术未来演进路线,特别强调了格罗方德12 FDX平台的优势,例如面积功耗降低40 %同时性能提升22 %,并且更重要的是它RF上ft/fMax可以到500GHz!可以大幅度提升RF性能!

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此外,他指出如果FDX平台跟3DHI (三维异构集成)结合则可以催生无尽的可能性!3DHI通过将不同类型的半导体器件或材料进行三维堆叠和集成,形成一个紧凑的系统。3DHI 可以将逻辑、电存储器和传感器等不同功能模块集成到一个芯片中,极大地提升了性能和功能密度。

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芯思源通过具体参数来说明如何用F设计一款基于FD-SOI工艺的超低功耗BLE MCU!利用FD-SOI工艺,工作电流可以低至265nA!

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至成微CEO 成飞分享了如何用FD-SOI工艺如何实现高性能Wi-Fi 6通信芯片,至成微的Wi-Fi 7芯片也要采用FD-SOI工艺!

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Dolphin Design 亚洲区销售总监Ying Zhao认为FD-SOI在RF设计中最重要的优势是基于自适应Body-Biasing(ABB)的功耗调节功耗特性最为重要的,其次能够提高系统可靠性也很重要。“因为ABB是一种close loop的design,可以用最可靠的方式去实现需要达到的频率。同时低功耗带来的电池寿命延长,对于IoT应用来说也很重要。很多IoT设备从开始使用,就再也没有充电的机会了。”她强调。

她还指出22nm将成为未来几年可穿戴产品的主流工艺节点,她还分享了Dolphin的IP+GF22FDX平台如何实现更出色的PPA设计案例!

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在FD-SOI生态系统中,EDA工具必不可少,目前除了新思等公司EDA工具支持FD-SOI设计之外,本土EDA公司芯和半导体也全力支持FD-SOI,芯和半导体科技 (上海) 股份有限公司董事长凌峰指出FD-SOI芯片EDA设计流程类似传统硅数字芯片设计,不过FD-SOI有体偏置需要做一些微调。芯和一直和GF合作加速FD-SOI设计。

他还表示FD-SOI这几年也在不断前进,应用也在不断增多,所以EDA企业在22FDX上还是与客户有着非常多的合作,PDK更新也很快。目前芯和提供FD-SOI所需的射频,电感和其他关键建模工具。

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在FD-SOI工艺未来演进路线上,CEA-Leti(法国原子能委员会电子与信息技术实验室)已经推出了10nm和7nm试验线,不过,考虑到成本因素,在下午的圆桌论坛环节,很多人对高级工艺的兴趣 并不大。不过Soitec 边缘与人工智能部门高级业务发展经理James Zhang认为,为了持续推进FD-SOI技术,业界需要制定一个技术路线图,“我们不能永远停留在28、22nm的水平,整个行业要为12、10nm或更先进的工艺做好准备。这是市场需求决定的,也是欧洲投入大量努力研发FD-SOI技术的原因。”

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总上所述,FD-SOI经过多年的发展,目前已经建立了比较完备的生态体系,从EDA工具到IP 到制造产线,再到实际案例,都有可以说服产业采用的实际数据,为何FD-SOI 还是不温不火呢?

FD-SOI工艺的转折点之战应该在哪里?

正如笔者开篇所说,FD-SOI现在欠缺的就是一场转折点之战,需要一个证明自己优秀的杀手级应用!就如同当年RF-SOI在射频开关大获成功一样。

但是,这样的杀手级应用在哪里?当在会场上笔者抛出这个问题后,嘉宾们是如何回答的呢?请看视频。

综合嘉宾们的发言,笔者认为带轻算力的AI ISP+图像传感器就是FD-SOI的转折点之战!在这样的方案中,可以完全发挥FD-SOI的优势!

Handel Jones也指出新一代 Al 边缘设备的重要诉求是获得领先的传感器,图像传感器是数字健康、自主交通、机器人和娱乐领域的关键传感器,中国在这方面的能力不断增强,而图像传感器的最佳 ISP 技术是 FD SOl!

戴伟民则看好FD-SOI在智能眼镜的应用,他认为类似视频监控一类的IoT应用不需要Allways on,在需要启动时才全力加速。有时需要高性能运算,有的时候只需待机,对于这类应用,芯片厂商在流片之前往往要预留很多冗余以备不时之需,也因此导致流片时间加长成本增加。而FD-SOI的体偏置技术可以在流片后用软件调控功耗,这是FinFET工艺做不到的。

总之,FD-SOI技术在智能边缘设备、人工智能和嵌入式应用等领域展现出了强大的市场潜力,特别是在低功耗需求较高的应用场景中,FD-SOI被认为是一项重要的技术。但是,FD-SOI并非和FinFET工艺对立,二者是相互补充的。

此外,由于2021年SOI国际产业联盟正式加入SEMI成为其策略合作伙伴,笔者认为要推动FD-SOI工艺在中国落地生根快速发展需要在中国成立一个FD-SOI推进委员会,吸收FD-SOI产业链各个环节人士加入,共同解决FD-SOI在落地时遇到的问题,这样才可以有效推动FD-SOI快发发展,这个委员会自然需要戴伟民等产业大佬牵头,对此建议,大家怎么看?(完)

注:本文为原创文章,未经作者授权严禁转载或部分摘录切割使用,否则我们将保留侵权追诉的权利

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创新的TMR技术以无漂移的耐用性、更长的电池寿命和卓越的感应分辨率全面提升游戏体验。

2024年11月11日消息,专注于隧道磁阻(TMR)技术的磁传感器领先制造商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., 英文简称“MDT”,以下简称“多维科技”)在德国慕尼黑Electronica 2024和纽伦堡SPS 2024展会上正式推出了开创性的TMR2615和TMR2617系列线性磁场传感器芯片产品。该系列尖端产品凭借卓越的性能和创新的特点,突破了传统游戏手柄传感器的性能局限,为用户带来了更加流畅、耐久和高效的游戏体验。

多维科技TMR2615和TMR2617系列线性磁场传感器芯片基于自主研发的TMR技术,结合可编程ASIC,支持面向特定应用场景的定制化参数设定。这种设计确保了多维科技磁传感器晶圆产线在大规模生产中的高一致性和卓越的性能,完美适配于游戏手柄中的摇杆和触发按键的多样化需求。

面向消费电子领域的突破性技术

与传统的碳膜或霍尔效应传感器相比,多维科技TMR传感器芯片具有显著优势:

产品优势

  • 无磨损、无漂移

    非接触式设计确保耐久性和性能的稳定性

  • 低功耗设计

    功耗低于0.3mA,是霍尔效应传感器的1/10至1/5,显著延长了电池的寿命

  • 高精度与快速响应

    高信噪比与大动态范围带来更顺畅的游戏控制体验

  • 卓越的温度稳定性

    在各种操作环境下性能表现始终如一

多维科技TMR2615线性磁场传感器芯片采用紧凑的DFN封装,并设计了2款尺寸,分别为DFN3L (2 mm × 2 mm × 0.55 mm)和DFN3L (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm)。TMR2617线性磁场传感器芯片可作为霍尔效应传感器的直接替代方案,与标准SOT23-3封装兼容,简化硬件升级。

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图左:DFN3L(2×2×0.55)

右:DFN3L(1.6×1.6×0.5)

新品成功上市与积极反馈

自2024年初上市以来,多维科技TMR2615和TMR2617系列线性磁场传感器芯片迅速赢得市场青睐并实现量产。多家知名制造商已将其广泛应用于新一代游戏手柄产品中。以下来自国际市场的行业评价充分证明了它们的价值:

So long Hall Effect – I'm only using controllers with TMR sensors from now on.

告别霍尔效应 – 我以后只用配备TMR传感器的手柄。

– tom's guide

原文链接:https://www.tomsguide.com/gaming/gaming-peripherals/so-long-hall-effect-...

Exclusive: PB Tails Defender Limited Edition review, the world's first TMR stick controller.

独家报道:PB Tails Defender限量版评测,全球首款TMR摇杆控制器。

– Neowin

原文链接:https://www.neowin.net/reviews/exclusive-pb-tails-defender-limited-editi...

Say goodbye to drift as Gulikit reveals TMR stick upgrades for PS5 & Xbox.

告别漂移,Gulikit推出PS5和Xbox的TMR摇杆升级。

– DEXERTO

原文链接:https://www.dexerto.com/tech/say-goodbye-to-drift-as-gulikit-reveals-tmr...

展望未来:多维科技的新目标

目前,TMR2615和TMR2617系列线性磁场传感器芯片已实现大批量供货。多维科技计划将TMR技术扩展至更多消费电子应用领域,如磁控游戏键盘和鼠标滚轮。此外,多维科技也推出了集成X/Y轴感应的双轴TMR传感器原型,进一步推动用户体验的全面升级。

来源:多维科技

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作者:Christian Cruz应用开发工程师

摘要

技术世界千变万化,人们对高效可靠电源解决方案的需求持续上升。近年来,48 V电源电压备受关注。乍看之下,48 V可能并不新颖,但它具有众多优势,非常实用,并且已成为各种系统级、工业、汽车和通信应用中的重要组成部分。本文将通过实际例子和演示探讨48 V电源电压的优势。

简介

48 V电源电压用途广泛且与现有基础设施兼容,因此在各种应用中发挥着关键作用。以前,配电系统严重依赖标准12 V或24 V电平。然而,现代设备和电子产品的功率需求不断增加,对系统效率和能源经济性要求也逐渐提高,因此,48 V等更高电源电压逐渐受到青睐。

数据中心汇集了超级计算机等高算力设备,非常需要节能解决方案。48 V电源电压在传输效率和转换损耗之间取得了平衡,是一种比较出色的折衷方案。提高电压可以减少配电损耗,降低总体能耗。

48 V电源电压也有利于汽车行业,尤其是电动汽车(EV)。电动汽车的先进功能和电驱动子系统日渐增加,人们也越来越需要更节能的解决方案。48 V架构改善了再生制动期间的能量回收,并更易于集成电子转向助力和高级驾驶员辅助系统等大功率组件。

48 V电源电压的优势

采用48 V电源电压,不仅能提升系统效率,还能为设计提供更灵活的选择。以下是一些主要优势:

  • I2R损耗更低

    配电系统中的电阻损耗(I2R损耗)会对效率产生重大影响。与较低电压系统相比,功率水平一定时,48 V电源电压系统的电流更低。因此,传输过程中的I2R损耗更低,整体系统效率更高。

  • 功率密度更高

    与较低电压系统相比,48 V电源电压支持使用更小的导线和元件来传输同一功率。这相当于提高了功率密度,因此可以让设计更加紧凑,特别适合空间有限的应用。

  • 增强电压调节能力

    根据定义,电压电平越高,电压调节能力越强,这对于波动敏感型应用非常关键。为了保持可靠运行,工业自动化和通信系统通常需要稳定且经过良好调节的电压电平。

  • 设计灵活性

    48 V电源电压支持更多设计选择。支持集成电压需求各不相同的众多子系统。电机、传感器和通信接口都可以在同一个系统中共存。

  • 与可再生能源兼容

    48 V电源电压与可再生能源系统(如太阳能装置)中太阳能电池板的电压输出完美匹配。这种互操作性使得我们可以轻松将可再生能源纳入现有电力系统。

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1.系统内的高效电压转换1

48 V电源电压实施要点

实施过程中必须充分考量注意事项,才能充分利用48 V电源电压的优势。让我们从系统级、工业和通信应用的角度来了解这些基础知识。

高效电压转换

虽然48 V越来越受欢迎,但并非所有设备和组件都能直接处理该电压电平,而是需采用高效的电压转换方法(如DC-DC转换器)来降低电压,以满足子系统对更低电源电压的需求。参见图1。

热管理

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2.ADI-BBU模块2和四分之一砖块参考设计

图2备用电池单元(BBU)模块中的较高电压电平和四分之一砖块参考设计方法可能会产生较大的热量。散热器、风扇和热设计考虑等热管理方法对于确保48 V组件的寿命和可靠性至为关键。

安全措施

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3.轻度混合动力电动汽车中48 V12 V之间的电气隔离3

安全是所有电气系统的重中之重。虽然48 V电源电压不是特别高,但也必须配备足够的安全预防措施,例如电路保护、隔离栅和接地,以避免与电气故障相关的风险。48 V和12 V系统应用就使用了隔离栅来实现电气隔离,如图3所示。BBU模块Modbus®通信方法借助ADM2561E在BBU模块与BBU架之间建立隔离通信。

通信协议

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4.开放计算项目Open Rack V3架构4

在现代工业和通信应用中,互操作性至关重要。实施标准化的通信协议可确保在48V运行的子系统之间实现无缝的数据交换,从而提高整个系统的效率。开放计算项目(OCP)正在引领新的数据中心架构的持续采用。该组织为48V系统的电力整流器、BBU(电池备份单元)、网络、存储和服务器提供了完整的架构设计。请参见图4。

监测与控制

为使系统始终保持出色性能,需要持续实时监测电压电平、电流和温度。可以采用智能控制系统来主动管理这些要素。通过无缝协调实时调整,这些系统不仅可以预测故障,还能为预防性诊断铺平道路,将系统效率和可靠性提升到更高水平。

实际应用

48 V电源电压已应用到众多领域和技术中。下文的一些实际例子将带您理解其重要意义:

电信电源系统

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5.电信——48 V配电系统5

电信网络是现代社会的基石,而电信网络的稳定运行离不开持续可靠的电力供应。48 V架构作为可靠性和效率的基础,正逐渐崭露头角,改变电信电源系统的格局。参见图5。这些系统负责提供全球通信,其电力基础设施必须要能够承受地区差异和停电意外。

然而,48 V架构的真正优势在于可以克服地理限制。在偏远的内陆地区和受灾地区,传统电力基础设施可能缺失或老化,但48 V架构不会受到影响。即使环境条件较为苛刻,它也能可靠地提供电力,成为通信服务的有力保障。该架构固有的耐久性确保孤立无援的群众能在需要帮助时保持联系,在紧急情况下保障关键通信,并通过超强连接能力促进农村发展。

工业自动化中的电力驱动

在工业自动化领域,精度和效率至关重要。48 V电源电压在这种动态环境中大放异彩,可以为电动机、传送带到机械臂等各种关键部件提供动力。该电压电平是功率密度和控制的基础,不仅能协调系统稳定运行,还能减少能量损失,并进一步提高工业自动化水平。

混合电力系统

混合电力系统为难以接入传统电网的农村和无电网地区带来了新的能源使用方式。这些先进系统将可再生能源(主要是太阳能电池板)与现代储能设施无缝结合,提供可靠且可持续的能源解决方案。在本例中,48 V电源电压与太阳能输出的兼容性,对于有效弥补太阳能电池板能量与各种应用需求之间的差距具有重要影响。

48 V电源电压与太阳能电池板产生的电压范围完全一致,有助于实现高效的能量转换和分配。这种兼容性消除了高压转换的需要,而高压转换是能源损失、效率低下和成本增加的主要原因。48 V架构通过与太阳能输出准确匹配来尽可能提高能量收集效率,太阳能产生的电力可以直接进入系统,损失很小。

此外,48 V电源电压和太阳能输出的一致性使混合电力系统安装具有良好的成本效益。简化的电压转换过程无需复杂且昂贵的器件,安装和维护成本更低。这种可以降低成本的做法,对于那些远离电网的社区和企业来说是一次意义重大的变革,不仅让可再生能源触手可及,还带来了更加经济的解决方案。

电动汽车

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6.48 V轻度混合动力电动汽车6

48 V设计在电动汽车中的应用(如图6所示)是一个战略性步骤,带来了诸多益处。这种电压范式对于改善全车子系统的电源分配非常重要。除了在电源分配中的作用外,48 V架构还提供一系列新功能,例如再生制动,即在制动过程中回收能量。此外还支持集成有助于提高乘客舒适度的辅助系统,包括高级HVAC(供暖、通风和空调)系统和先进多媒体设备。48 V架构使得这种全面的电动汽车设计成为可能,不仅提升了能源经济性,而且通过优化功率使用、资源管理和车内便利设施,改善了整体驾驶体验。

虽然48 V电源电压可以为系统级应用带来不少优势,但我们也必须正视这种系统可能存在的一些缺点。

需要考虑的缺点:

组件兼容性和可用性

切换到48 V电源电压需要仔细评估现有系统组件,进而某些组件可能需要更换或调整。然而,一个潜在问题是,能兼容指定额定电压的组件不多。这可能导致采购价格上涨,系统顺利整合的时间也可能延后。因此,制定正确的战略规划和采购方案很重要。参见图7。

设计复杂度

48 V电源电压往往会导致在一个时期内增加设计复杂度。实施阶段通常需要谨慎处理复杂的设计问题,例如准确的电压调节、完善的热管理策略和稳健的安全标准。复杂性提高可能会延长开发周期,并增加对具体技术技能的需求。因此,企业需要组建一支经验丰富、能力出众的设计团队,以便高效应对这些复杂的挑战。

电压相关风险更高

虽然48 V并不是特别高,但也仍然可能带来安全问题,尤其是在没有充分实施基本安全预防措施的情况下。电压电平升高可能会提升触电风险和其他危险,因此必须采取严格的安全预防措施。

转换损耗增加

当需要转换电压以便为需要较低电压电平的组件(如传感器或低功耗设备)供电时,额外的转换步骤可能会导致提高系统中的能量损失。这会抵消48 V电源电压的一些能效提升优势。

传统系统采用有限

对于针对较低电压电平的传统系统,切换到48 V电源电压需要进行仔细评估。后续的调整工作可能会面临一些障碍,使其既不切实际,又成本过高。改造现有基础设施以顺利支持48 V标准可能是一项复杂且耗时的任务,需要进行重大调整和战略规划,以确保兼容性和出色性能。

尺寸和空间限制

虽然48 V设备的电流水平较低,可支持更高的功率密度,但可能不适合对尺寸和空间有严格要求的应用。额外的绝缘和安全预防措施要求可能导致组件尺寸加大。参见图8。

电磁干扰(EMI)增加

电压电平升高会增加电磁干扰(EMI),进而还会导致严重问题。电磁干扰会让精密组件和复杂通信网络无法平稳运行。因此,有必要额外采用屏蔽技术和高标准滤波技术,以有效抵消和减轻EMI的负面影响,确保关键系统持续可靠运行。

可扩展性挑战

虽然48 V对于许多应用来说都是合理的选择,但某些情况可能会有更优选。某些应用,特别是功率水平更高的应用,可能需要使用其他电压设计来满足特定需求。

成本考虑

采用48 V电源电压需要仔细考虑前期成本,包括更换组件、协调系统开发以及实施关键安全措施等的成本。这些初始费用可能会对整个项目预算产生显著影响,具体影响取决于实际应用和所处的行业。面对这些潜在的费用,明智地分配资源对于能否顺利整合和实现成功至关重要。

结论

48 V电源电压不再是小众选择,而且已经成为了系统级、工业和通信应用的关键组成部分,可以满足人们日益增长的节能解决方案需求,并兼具效率更高、功率密度更高和设计灵活性更大等优势然而,48 V应用的成功离不开高效的电源转换、严格的热管理、稳健的安全预防措施、标准化的通信协议以及复杂的监测和控制系统。随着技术环境的演变,48 V电源电压仍是多个领域的关键创新推动因素,未来将继续提供高效可靠的动力。

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7.电解液干涸造成电解电容器电容降低7

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8.电容器输出侧电路安装注意事项8

此外,在系统级应用中,48 V电源电压能带来显著优势,值得设计人员或应用工程师深入研究。然而,我们也必须全面权衡,充分认识到这种选择可能带来的潜在弊端。针对特定应用,为了明智地使用该电压电平,应综合考虑组件兼容性、设计复杂度、安全预防措施、能量转换损耗和相关成本。

参考资料

1 Brad Xiao和Nazzareno “Reno” Rossetti,“处理48 V12 V降压”,Power Electronics Tips(电源提示),2021年2月。

2 Christian Cruz、Gary Sapia和Marvin Neil Cabueñas,“实现不间断能源的智能备用电池第一部分电气和机械设计”,《模拟对话》,第57卷第4期,2023年12月。

3 Anant Kamath,“简化HEV 48 V系统的隔离CAN电源接口”,Electronic Design(电子设计),2019年4月。

4 Glenn Charest、Steve Mills和Loren Vorreiter,“Open Rack V3基本规范”,开放计算项目,2022年9月。

5 “电信系统电源”,ADI公司,2002年7月。

6 “48 V降压转换器助力MHEV满足燃料排放标准”,ADI公司,2020年3月。

7 “它对于数据中心而言是否必不可少需要48 V电源的原因以及相关电源设计挑战”,Panasonic Industry,2021年8月。

关于ADI

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司,致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁,以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案,推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展,应对气候变化挑战,并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2023财年收入超过120亿美元,全球员工约2.6万人。携手全球12.5万家客户,ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息,请访问www.analog.com/cn

作者简介

Christian Cruz是ADI菲律宾公司的应用开发工程师。他拥有菲律宾马尼拉东方大学的电子工程学士学位。他在模拟和数字设计、固件设计和电力电子领域拥有超过12年的工程经验,包括电源管理IC开发以及AC-DC和DC-DC电源转换。他于2020年加入ADI公司,目前负责支持基于云的计算和系统通信应用的电源管理需求。

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为了在无线通信系统中实现更高的数据速率以及在雷达中使用更窄的脉冲来解析近距离目标,对测试和测量仪器的性能和带宽提出了更高的要求。高带宽示波器和射频数字转换器等射频 (RF) 测试和测量仪器可使用射频采样模数转换器 (ADC),对从直流到数千兆赫的信号同时进行数字化。

射频采样 ADC 取代混频器与窄带 ADC 的配置,降低了系统复杂性并提高了宽带测试和测量仪器、雷达和无线收发器的性能。

设计人员通常使用与无源平衡-非平衡变压器级联的单端增益块来驱动射频采样 ADC。不过,这种方法也有缺点,即限制了可实现的性能。在本文中,我们将讨论这些缺点,并说明射频全差分放大器 (FDA) 如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。

直流耦合射频采样 ADC

射频采样 ADC 接受差分输入,可抑制共模噪声和干扰并改善二阶失真。由于带宽较宽,系统设计人员使用基于变压器的无源平衡-非平衡变压器,将单端射频信号转换为差分信号,以此驱动射频采样 ADC。然而,无源平衡-非平衡变压器在低频侧的工作频率为几百千赫或几十兆赫,视其支持的带宽而定。因此,在测试和测量仪器中使用无源平衡-非平衡变压器驱动射频采样 ADC 会限制可数字化的最低频率。

直流耦合TRF1305 射频 FDA 可利用直流到 6.5GHz 范围的可用大信号带宽来执行单端至差分转换,同时提供增益。 1 展示了 TRF1305 射频 FDA 在直流耦合应用中驱动射频采样 ADC 的情况。射频采样 ADC 具有较窄的输入共模范围,超出此共模范围运行会降低 ADC 性能。得益于可采用单电源或灵活双电源并支持输出共模控制,TRF1305 的输出共模更容易与 ADC 的输入共模相匹配。这些功能使该放大器广泛用于直流耦合射频测试和测量仪器,例如高带宽示波器、任意波形发生器和射频数字转换器。

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1TRF1305 射频 FDA 直流耦合到射频采样 ADC

线性度更高

信号链中各元件的非线性会影响存在大干扰信号的情况下对小信号的检测。二阶非线性在窄带系统中无关紧要,因为产生的非线性在目标频带之外,并且通常会被滤除。不过,宽带系统并非如此。当输入信号带宽涵盖多个倍频程时,信号的二阶非线性会出现在频带内。例如,假设有一个射频采样 ADC 用于 0.5GHz 至 2GHz 的射频带宽。0.5GHz 信号的二阶非线性发生在该频率的两倍处,即 1GHz 位置。不过,这个二阶非线性小于 2GHz 的最大目标频率,由于无法将其滤除,因此必须将其尽可能降低。

射频采样 ADC 可以在其输入由平衡差分信号驱动时更大限度降低二阶非线性。宽带无源平衡-非平衡变压器的差分输出可能具有较差的增益和相位不平衡,会导致信号不平衡和 ADC 线性性能下降 [1]。用于在无源平衡-非平衡变压器之前放大信号的射频增益块采用单端运行方式,因此具有较差的二阶非线性。TRF1305 和 TRF1208 等射频 FDA 采用了反馈技术,有助于改善差分输出的增益和相位不平衡。这些放大器的差分特性确保了在提供信号放大功能的同时更大限度减少二阶失真,并增强整个系统的线性度。

保护 ADC 不受损坏

在许多测试和测量以及航空航天和国防系统中,用户输入是未知的。这些系统的核心射频 ADC 对高功率级别和过驱很敏感。这些 ADC 也往往具有高性能,通常是信号链中较为昂贵的元件之一。因此,务必谨慎设计信号链,确保上述元件不会损坏 ADC。按照设计,射频 FDA 在将射频采样 ADC 驱动到满量程时呈线性。

2 展示了 TRF1208 FDA 在发生 4GHz 连续波输入过载时对应的输出饱和电平。TRF1208 具有 16dB 的增益,其输出在 FDA 的输入功率约为 2dBm 时饱和至 3.6Vpp。因此,通过使用射频 FDA 来驱动 ADC,本身就会在输出削波导致过载期间限制功率。

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2:发生 4GHz 连续波输入过载时,TRF1208 FDA 的差分输出钳位在 3.6Vpp

3 所示,在 FDA 和 ADC 之间设计一个衰减器垫可以限制 ADC 引脚上的电压摆幅,保护 ADC 不受损坏,简化系统设计注意事项,同时提供更多设计灵活性。

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3:射频 FDA 的输出在过载时削波,从而限制进入 ADC 的信号功率

结语

射频采样 ADC 的技术进步和实际运用可减少元件数量并减小电路板尺寸,从而简化射频测试和测量仪器的系统架构。专为 ADC 驱动应用定制的射频 FDA(例如 TRF1305)可以对直流到 6.5GHz 以上的信号进行单端至差分转换,进一步简化了系统架构。在接收信号链中配合使用宽带射频 FDA 和射频采样 ADC,可增强系统性能,同时减少元件数量,减小电路板尺寸,并降低系统成本。

其他资源

参考资料

1. Reeder, Rob. “A close look at active vs. passive RF converter front ends”. Planet Analog, Jan. 26, 2022.发表于《电子设计》杂志。

关于德州仪器 (TI)

德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码:TXN)是一家全球性的半导体公司,致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片,用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用,创造一个更美好的世界。如今,每一代创新都建立在上一代创新的基础之上,使我们的技术变得更小巧、更快速、更可靠、更实惠,从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用,这就是工程的进步。这正是我们数十年来乃至现在一直在做的事。欲了解更多信息,请访问公司网站www.ti.com.cn

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顾邦半导体推出的600V 20mΩ超结MOSFET GBS60020,在DS开关振荡和EMI性能优化的基础上,实现了超快开关速度和体二极管特性,专为高频大功率应用场景设计,适合硬开关(如PFC)和软开关(如LLC、移相全桥)等高效电源拓扑结构。

产品特性

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• 技术类型:超结MOSFET

• 电气特性:600V耐压、超低内阻18mΩ(典型值)

• 开关性能:超低FOM 4068mΩ*nC

• 快速体二极管:Trr=190ns, Qrr=1.72uC

• 可靠性:100%雪崩击穿测试

• 封装形式:TO247,低热阻设计

技术亮点

01 超低RDS_ON

在25℃、10V驱动电压、57A电流条件下,GBS60020的内阻为18mΩ,最大内阻仅为20mΩ,远优于国内外同类产品(18mΩ内阻的竞品最大值通常在22mΩ以上),并且具备优异的温度稳定性。

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02 超快恢复体二极管

体二极管反向恢复速度极快(Trr=190ns),恢复电荷低至1.72uC,同时具备较低的峰值反向恢复电流(Irrm=18A),减少系统损耗,适合高效能电源系统。

03 卓越的开关速度    

在400V母线电压、57A漏极电流条件下,GBS60020开关时间迅速:

开通时间Tr=15ns,关断时间Tf=11.4ns,满足大功率系统对快速开关响应的需求。

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目标应用

GBS60020非常适合以下高性能应用场景:

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来源:顾邦半导体

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随着制造业的快速发展,产品制造日趋复杂化,现场的设备和装置也越来越多,因此对于负责保养的工程师来说,维护、排查、修理的难度也在不断增加。设备的维护依赖于熟练保养人员长年培养出来的直觉和经验,可如今人手不足,熟练技术难以传承的问题愈发严重。如何解决未来的维保课题?是每个工厂都面临的难题之一。

纳博特斯克推出的故障检测传感器RVSR®可根据油中铁粉量的变化检测故障,在精密减速机RV™损坏之前,检测出初始故障。

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可在减速机完全损坏之前有计划地实施维护。为提高制造现场的工作效率、安全性做出贡献!

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支持故障检测功能的产品阵容

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故障检测传感器RVSR®-A规格

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注意事项:

润滑油专用

精密減速机RV™专用润滑剂RVOIL™SB150专用

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润滑性能保持不变,同时可支持故障检测功能

润滑剂更换性能良好,更加易于使用

※ 请使用正规渠道采购的精密减速机RV™专用润滑剂

※ RH带支脚型系列、GH系列将以不封入润滑剂的状态出厂

※ Molywhite RE00、VIGOGREASE®RE0、RVGREASAE™LB00不支持故障检测功能

安心安全

配套有传感器保护罩

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发生意外时可对传感器起到保护作用

※ 客户有指定时,也可去掉保护罩

来源:上海纳博特斯克传动设备有限公司

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应用背景

在工程机械、金属或机床加工、食品与卫生等领域,设备需要长时间在高温、潮湿、粉尘、震动、腐蚀等恶劣工况环境中工作,如何保障机械设备的安全、稳定、高效生产和运作,成为了这些行业改造升级中急需关注的问题!

为了满足严苛的应用场景需求,兰宝推出了LR12E/LR18E/LR30E系列高防护电感式传感器,它具备防护等级高、温度范围宽、抗干扰能力强、耐振动性能强等特点,极大地保障了设备在恶劣工况下的稳定运行与工作效率!

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1. 防护等级高

  • IP68高防护

  • 能够抵抗恶劣环境,如:水分、粉尘、酸碱物等污染或腐蚀

2. 温度范围宽

  • 工作环境温度达到-40°—+75°

  • 适合不同的工作环境温度要求

3. 抗干扰、耐振动能力强

  • 经过车规级标准检测

  • 通过500Hz耐震检测试验

您的收益:

在恶劣的工作环境中,高防护传感器能够保护内部元件不受外界因素的侵害,延长传感器的使用寿命,从而增强企业设备工作的可靠性。

高防护传感器由于其耐用性强、抗腐性能好,减少了因环境因素导致的维护和更换成本。

在工程机械的应用上,高防护电感式传感器提高了作业的自动化和智能化水平,增强了设备的可靠性和安全性。

高防护电感式传感器的部分应用场景:

工程机械、金属加工、港口起重

来源:LANBAO兰宝传感

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