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远程实验室采用先进的全新GUI并实现针对语音、移动及其它复杂应用的测试，从而加速电路板配置

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，扩展倍受欢迎的“云实验室”，以简化配置和测试流程，加快产品上市速度。瑞萨借助先进GUI功能和全新设计参数增强其远程实验室，打造更具吸引力且更符合用户使用习惯的用户体验，并为设计者带来更高配置灵活性。

云实验室采用全新GUI，简化评估板的虚拟实时测试

云实验室让用户能够在成熟的远程实验室中全天候即时远程访问、配置、测试、监控和评估瑞萨解决方案，包括搭载常用产品的评估板、瑞萨“成功产品组合”概念验证板，以及来自瑞萨合作伙伴的其它解决方案。用户可以通过一个基于PC的GUI访问实体实验室，从而能够即刻对设计进行配置和测试，而无需在手边准备实体板卡。

全新用户友好型GUI引入全新控制参数及附加监测结果。更符合用户使用习惯的实验室布局、先进的功能和直观的用户界面方便开发人员更轻松快速地浏览设计环境，如多视角实时摄像画面使用户可以看到完整的实验室设置与结果，并能放大和缩小实时测试及数据采集读数视图。

针对语音识别、移动应用和电源的高阶测试设置与控制，用户仅需点击几下鼠标即可完成如瞬态性能等复杂测试。

瑞萨还为”使用点时钟芯片”Femtoclock2等产品增加了新的可选项。Femtoclock2一款超小尺寸、超低功耗、小于100fs的时钟生成及抖动衰减解决方案。通过为客户构建云实验室访问途径，针对高性能产品的测试比以往任何时候都更加便捷，进而加速设计进程，并确保满足严苛的性能要求。此外，瑞萨还增加了全新“云实验室”套件，包括时钟、电源、语音识别与控制、医疗、安全和监控、工业通信，以及IEEE 1588/5G计算和通信等。

瑞萨电子系统及解决方案市场部总监D.K Singh表示：“随着应用要求持续快速变化，客户正在寻找一种强大、灵活且易于使用的设计配置与测试方法。我们一直力求使用户更加轻松、快捷地基于瑞萨产品进行设计，而增强型“云实验室”环境可以将产品选择和测试能力提升到崭新高度。”

瑞萨还在“云实验室”环境中引入14款广受欢迎的评估板；目前拥有23款不同板卡，可面向各种应用领域的各类设备。这些全新板卡包括：

• 高效物联网电池系统

• 工业CAN传感器网络

• 语音识别解决方案

• 电容式液位指示器

• 多用途空气质量传感器解决方案

• 用于物联网边缘设备的超低功率RE01语音识别方案

• FemtoClock2评估套件

• 搭载CMOS传感器的监控摄像机

• IEEE 1588解决方案

• 家用烟雾检测器

• 简化非接触式温度计

• 80V双同步降压控制器评估板

• 基于超级电容的终端备用电源

• 基于MCU的6通道灵活电源定序器

了解“云实验室”更多信息，请访问：www.renesas.com/labonthecloud。了解瑞萨已推出的250余款“成功产品组合”，请访问：www.renesas.com/WIN。

关于瑞萨电子集团

瑞萨电子集团 (TSE: 6723) ，提供专业可信的创新嵌入式设计和完整的半导体解决方案，旨在通过使用其产品的数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。作为全球微控制器、模拟、电源和SoC产品供应商，瑞萨电子为汽车、工业、家居、基础设施及物联网等各种应用提供综合解决方案，期待与您携手共创无限未来。更多信息，敬请访问renesas.com。关注瑞萨电子微信公众号及领英官方账号，发现更多精彩内容。

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。借助从300A到900A的广泛电流等级，该产品组合为逆变器设计者提供了高度的灵活性，同时也提供了更高的功率密度和性能。除了太阳能和驱动应用外，该产品组合还为商用、建筑和农用车辆（CAV）以及不间断电源（UPS）逆变器量身定制。

基于新的微沟槽技术，与采用IGBT4芯片组的模块相比，采用TRENCHSTOP IGBT7芯片的EconoDUAL 3的静态损耗低得多。另外，在相同的芯片面积下，其通态电压降低了30%。这在应用中带来了显著的损耗降低，特别是对于通常在中等开关频率下运行的工业驱动。IGBT的振荡行为和可控性都得到了改善。此外，新的功率模块的最大过载结温为175℃。

新的芯片尺寸使模块的布局得到优化，以减少开关损耗。因此，与前一代产品相比，600A模块的开关损耗减少了24%。这为更高开关频率应用带来简化的设计。此外，所有的功能都可以在相同的封装基板尺寸上实现，有利于现有逆变器系统设计的升级。随着750A和900A版本的扩展，EconoDUAL 3封装解决了一个拓展的逆变器功率范围。此外，PressFIT封装实现了快速和低成本的装配方法。

供货情况

1200 V TRENCHSTOP IGBT7 EconoDUAL™ 3组合现在可以订购。带有预装TIM的版本也将很快上市。如欲了解更多信息，敬请浏览：www.infineon.com/econodual3和 www.infineon.com/igbt7。

了解英飞凌对能源效率的贡献：www.infineon.com/green-energy。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。

英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。更多信息，请访问www.infineon.com

更多新闻，请登录英飞凌新闻中心：https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/press-releases/

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4 eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，这就是说，与同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以处理更大的负载，能效更高，物料清单成本更低。

在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于GaN功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力。这些优势正是当下高功耗高密度系统、大数据服务器和计算机所需要的。

选用困境

一方面，GaN器件的人气越来越高，频繁地出现在日常用品中，诸如手机充电器等终端产品的用户都开始探索、揭秘GaN，各类开箱、拆解视频在社交软件上层出不穷，许多大众科技媒体更是不遗余力地介绍GaN产品的好处。但另一方面，GaN器件的特性也意味着在使用它时，开发人员需要有更合理周密的设计，如更多地考虑栅极驱动，电压和电流转换速率，电流等级，噪声源和耦合布局考虑因素对导通和关断所带来的影响。因此，某些工业产品制造商仍会因担心潜在的PCB重新设计或采购问题而避免使用GaN。

ST和Exagan：把握先机的重要性

在看到GaN的发展潜力后，ST开始加强在这种复合材料上的投资和生态系统的开发。

2020年3月，ST收购了Exagan的大部分股权。Exagan是法国的一家拥有独特的外延层生长技术的创新型企业，是为数不多几家有能力在8吋(200 mm)晶圆上大规模部署并制造GaN芯片的厂商。ST对Exagan的并购是其长期投资功率化合物半导体技术计划的一部分。此次收购提高了ST在汽车、工业和消费级高频大功率GaN的技术积累、有助于其开发计划和业务的扩大。通过与Exagan签署并购协议，ST将成为第一家产品组合有耗尽模式 / depletion-mode（D模式）和增强模式 / enhancement-mode（E模式）两种GaN器件的公司。D模式高电子迁移率晶体管（HEMT）采用“ 常开”芯片结构，具有一条自然导电通道，无需在栅极上施加电压。D模式是GaN基器件的自然存在形式，一般是通过共源共栅结构来集成低压硅MOSFET。另一方面，“ 常开”或E模式器件具有一条P-GaN沟道，需要在栅极施加电压才能导通。这两种模式都越来越多地出现在消费者、工业、电信和汽车应用中。

同年9月，ST发布了业内首个600 V 系统级封装MASTERGAN1, 该系列产品采用半桥拓扑集成一个栅极驱动器和两个增强式GaN晶体管，为设计高成本效益的笔记本、手机等产品电源提供了新的选择，是目前市场上首个且唯一的集成两个增强式GaN晶体管的系统级封装。

ST和Exagan：加快GaN的大规模应用

更大的晶圆，更高的规模经济效益

一项新技术只有在保证生产效率的条件才能得到大规模应用。在本世纪初，半导体行业还在努力解决GaN晶体中的大量缺陷导致器件无法应用的问题，这的确在某种程度上取得了一些成就并改善了情况。然而，只有制造工艺不断改进，工程师才能切合实际地用GaN功率器件设计产品。Exagan的研发工作实现了这一点 ——在提高产品良率的同时还使用8吋晶圆加工芯片。

Exagan负责协调PowerGaN系统和应用生态系统的产品应用总监Eric Moreau解释说：“当我们开始创办Exagan时，就已经掌握了生长外延层的专业知识。但是我们的目标是想超越行业标准。当时，大家都在用6吋（150mm）的晶圆。如果能够克服8吋晶圆的挑战，我们将领先业界，将能提供大规模市场渗透所需的产品良率和规模经济效益。”

如何利用好现有CMOS晶圆厂

无论采用哪一种技术，工程师第一个考虑的都是先获得厂商的供货保证，尤其是在设计产量很大的产品时。在获得Exagan的技术、外延工艺和专业知识后， ST现在正在将这项技术融入现有晶圆厂，而无需投入巨资采购专门的制造设备。工厂可以获得更高的产品良率，更快地提高产能 —— 这意味着成本效益更高的解决方案和可靠性更高的供应链指日可待。

ST和Exagan：技术的融合升级对行业的意义

厚积薄发

工程师想要说服管理者采用GaN，就必须证明GaN的价值主张。理论参数固然重要，但决策者更看重现实价值。展示电路性能是设计团队解决这一挑战的方法之一。事实上，GaN器件可以大幅降低导通和开关损耗，进而降低冷却系统的物料清单成本。此外，更好的开关性能意味着可以使用更小更轻的无源元件，即电容和电感。更高的功率密度能够让工程师开发出更紧凑的系统（尺寸缩小到四分之一）。因此，即使比硅器件（MOSFET或IGBT）贵，GaN器件带来的好处仍然让其在竞争中处于优势。

通过并购Exagan公司，ST将拥有强大的GaN IP组合，将能够同时提供E型和D型两种GaN产品，制定明确的未来十年产品开发路线图。ST的GaN业务部门经理Roberto Crisafulli表示：“通过引进Exagan独有的专业知识技术，ST进一步巩固了在GaN技术领域的地位。此举将有助于加强ST在新型复合材料功率半导体领域的无可争议的世界领先地位。”

开路先锋

四十年前，随着半导体行业开始用硅制造晶体管，硅被广泛用于电子产品。正是有了这样一个基础，硅器件的创新至今方兴未艾。如果制造商还看不到一项技术的某些积极的成果，他们就不能找到合适的理由推进这一项技术。通过整合和Exagan的技术，ST有信心为未来的GaN投资和创新奠定这一坚实的基础。简而言之，今日的GaN就是40年前的硅，目前虽然还只是锋芒初绽，但其发展潜力不可小觑。

节能一直是芯片产业一个重要的命题，特斯拉率先在电动车中采用碳化硅芯片，促使芯片产业将芯片材料由硅转向碳化硅，更好地满足市场需求。以下为文章摘要：数十年来，凭借地壳中含量丰富、易于制造的优势，硅一直是芯片的材料。但电动车对更高能源效率的追求，在蚕食硅在芯片产业的主导地位。

特斯拉则是芯片产业放弃硅的催化剂。特斯拉在Model 3中采用了碳化硅芯片，成为第一个吃螃蟹者。此举提升了碳化硅在电动车供应链中的地位，对芯片产业产生了很大影响。日本芯片厂商罗姆首席战略官Kazuhide Ino说，“芯片厂商已经共同打造了碳化硅市场，现在到了彼此竞争的阶段。”

碳化硅由硅和碳两种元素组成，由于化学键比硅更强，其硬度排在第三位。碳化硅的加工要求更先进的技术，但稳定性和其他属性，使得其能耗比硅芯片低逾50%。碳化硅芯片散热性能还很好，有助于缩小电动车中关键零部件逆变器的尺寸。日本名古屋大学教授Masayoshi Yamamoto表示，“Model 3的空气阻力系数与赛车一样低，尺寸更小的逆变器，是它能采用流线性设计的前提。”

Model 3逆变器中的碳化硅芯片

特斯拉此举“惊醒”了芯片产业。6月份，德国英飞凌推出了一款电动车逆变器用碳化硅模块。英飞凌日本分部一名管理人员说，“碳化硅应用范围护套的时间早于我们的预期。”现代汽车将在新一代电动车中使用英飞凌的碳化硅芯片。据称，与硅芯片相比，碳化硅芯片可以使电动车续航里程提高5%。

法国市场研究公司Yole Developpement预测，2026年碳化硅能源芯片市场将比2020年增长6倍，达到44.8亿美元。

Yamamoto称，碳化硅和硅的价格差在不断缩小，量产和其他因素，使得两者的价格差由5年前的约10倍收窄至2倍。部分供应商开始生产尺寸更大的碳化硅晶圆，将进一步缩小两者的价格差。

罗姆一直是这一领域的领头羊，2010年量产了世界上第一款碳化硅芯片。2009年收购德国SiCrystal，使得罗姆具有完整的碳化硅芯片生产线。罗姆的目标是2025年占领30%的全球碳化硅芯片市场，最近，它在日本的一条生产线投产，这是其将产能提高5倍计划的一部分。罗姆表示，多款即将推出的电动车都将采用其碳化硅芯片。它还与吉利签订了协议。

碳化硅芯片市场的快速发展

硅并非是第一种芯片材料。自1947年问世后，半导体材料一直是锗。随着半导体产业发展壮大，锗在1960年代被硅取而代之。可能取代硅的并非只有碳化硅。氮化镓有潜力将芯片能耗降低约90%。虽然氮化镓芯片被应用在一些领域，例如充电设备，但由于主要与包括硅在内的其他材料联合使用，其潜力尚未完全展现出来。

现有芯片性能已逼近极限，是芯片产业寻求其他材料的一大原因。芯片制造工艺已发展到5纳米，摩尔定律面临前所未有的挑战。

节能也在推动芯片材料领域的创新。没有能源使用效率的提升，电动汽车的普及、数据中心的增多和数字经济其他领域的发展，将使电能供应捉襟见肘。

钻石被一些业内人士称作终极半导体，可能改变芯片产业的游戏规则，只是与硅相比，它的成本太高了。日本Adamant Namiki Precision Jewel开发出了利用钻石生产能源芯片的技术。从理论上说，钻石芯片能耗可以低至硅的五万分之一。但是，降低钻石芯片成本是一个关键难题，目前其价格是硅芯片的数千倍。

鉴于半导体对国家安全和经济竞争力的重要性，中国、美国和欧洲均在大力支持新芯片材料的研发。硅和钢铁“塑造”了20世纪，新一代半导体材料似乎将成为未来数十年国际竞争的主要领域。

来源：凤凰网科技