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本次赛事由Hammond提供赞助,旨在激励工程社区构建适用于恶劣环境的项目

安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟通过其在线互动社区发起“Just Encase”设计挑战赛。挑战赛鼓励社区成员利用Hammond系列外壳产品开发能够在极端高温、寒冷、水及高湿等各种极端恶劣环境下始终可靠运行的全新项目。

“设计工程师在项目开发过程中必须考虑环境因素。”e络盟社区和社交媒体全球主管Dianne Kibbey表示。“本次挑战赛将是他们检验自身设计技能的绝佳机会,也将让他们更深刻地了解高质量外壳在保护项目免受环境因素影响方面的作用。”

“Just Encase”设计挑战赛面向e络盟社区全体成员。挑战赛要求社区成员使用Hammond提供的定制套件参与竞赛,包括Hammond电缆接头、防水ABS外壳、聚碳酸酯外壳、热电偶、环境传感器和测压元件,以及Arduino MKR WAN 1300,并设计出恶劣天气环境下可用的最具创意项目。

挑战赛报名截止日期为2021年10月31日。比赛将从中评选出20名入围选手,他们将免费获赠Hammond的定制套件以开发适合恶劣环境应用的设计项目。入围选手名单将于2021年11月15日公布。之后,他们需要在2022年2月1日前构建出各自的设计项目,并在e络盟社区发布博客文章介绍其设计进度。比赛将于2022年2月公布优胜者名单。参赛作品可涉及:

  • 寒冷地区积雪水平监测

  • 食品生产领域机器使用

  • 潮湿条件下的预测性维护

  • 海滨阳光监测

本次挑战赛冠军得主将赢得一台PlayStation 5游戏机、一套高级地震救生装备、一顶救生帐篷以及一个车载灭火器,所有奖品价值1050美元。亚军将获得一套高级地震救生装备、一顶救生帐篷及一个车载灭火器。凡按照要求发布博客文章介绍其设计项目构建过程和成果的其他所有参赛者,均可获得一套车载急救装备。

有关e络盟“Just Encase”设计挑战赛的更多信息,请访问e络盟社区

新闻配图.png

关于我们

e络盟隶属于Farnell集团。Farnell是全球电子技术产品领导者,致力于科技产品和电子系统设计、生产、维护与维修解决方案的高品质服务分销已逾80年。凭借其丰富的业界经验,Farnell向电子爱好者、设计工程师、维修工程师和采购人员等广泛客户群体提供强有力支持,同时与全球领先品牌和初创企业积极合作,共同研发高新产品并推向市场。公司还全力协助推动行业的发展以期培养出一批优秀的当代和下一代工程师。Farnell在欧洲经营 Farnell 品牌,北美经营 Newark品牌,亚太地区经营e络盟品牌。Farnell通过其广泛的分销网络及在英国的CPC公司直接向客户供货。

Farnell隶属于安富利公司纳斯达克代码:AVT。安富利是一家全球技术解决方案提供商,拥有庞大而完善的生态系统,可在产品生命周期的各个阶段为客户提供设计、产品、营销和供应链专业服务。

欲了解更多信息,敬请访问:http://www.farnell.com/corporatehttps://www.avnet.com

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  • 华邦 256Mb HyperRAM 2.0e KGD 良裸晶圆封装为 Efinix Ti60 F100 提供高性能、低功耗、小尺寸的内存选择,充分满足嵌入式边缘AI应用的多种需求

  • 与传统 DRAM 所需配备 31-38 个标准引脚相比,仅需  22 个信号引脚的华邦 HyperRAM 2.0e KGD,可使设计人员大幅减少其空间占用并简化设计

  • 华邦 HyperRAM 可实现超低功耗:主动模式下功耗与竞争对手的 DRAM 等同或更低,同时提供140 uW的待机功耗。此外混合睡眠模式的功耗仅为 70uW

全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布,可编程产品平台和技术的创新厂商Efinix选择华邦HyperRAMTM 内存来驱动新一代相机和传感器系统,如人工智能、物联网、热成像仪、工业相机、机器人和智能设备等。华邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD 具备提供超低功耗、高性能和小巧的外形尺寸设计,为Efinix Titanium Ti60 F100 FPGA提供完整、易于实现的内存系统,帮助其快速地将产品推向市场,同时兼具成本效益。

华邦表示:“如今,设备制造商正在将传感器和连接功能添加到几乎所有的下一代应用中,这一趋势推动了提高边缘处理能力,同时却又希望能继续保持设备小巧尺寸的需求。HyperRAM特别针对这些应用进行优化,通过混合睡眠模式提供超低功耗、用较少的信号引脚简化设计,同时保持及其小巧的芯片尺寸。品牌客户或系统制造商,如Efinix可轻松设计出PCB尺寸更小的Ti60 (SiP 256Mbx16 HyperRAM KGD),以装载于可穿戴相机等紧凑型应用设备中。”

Efinix市场营销副总裁 Mark Oliver表示:“Ti60 F100专为边缘和物联网应用所设计,要求其具备小尺寸与低功耗等关键性能。华邦所提供的超低功耗和小尺寸内存与Titanium系列的低功耗性能相结合,可充分满足上述要求。华邦HyperRAM的低引脚数,可将设备轻松集成到微型的5.5 mm2 多芯片系統封裝中。”

关于Ti60 F100

Efinix Ti60 F100 内含价值60K的逻辑和高速I/O,可针对各种通信协议进行配置,此外还集成了SPI闪存和HyperRAM,且全部封装在0.5mm球间距的微型5.5 mm2 封裝中。通过结合FPGA逻辑和数据存储,Ti60 F00 成为了适用于各种相机和传感器系统的最佳解决方案。借助SPI闪存,设计人员无需配备外挂独立内存,而HyperRAM可用于存储用户数据。客户可将HyperRAM用作视频的帧缓冲器,用于存储AI的权重和偏差、存储飞行时间(TOF)传感器的参数,或存储RISC-V SoC的固件。如需了解Efinix平台的更多相关信息,请访问 Titanium Ti60 F100

关于HyperRAM

华邦HyperRAM是嵌入式AI和图像识别与处理的理想选择。在这些应用中,电子电路必须尽可能微型化,同时需提供足够的存储和数据带宽以支持计算密集型的工作负载,例如关键字识别或图像识别。HyperRAM可在200MHz的最大频率下运行,并在3.3V1.8V的工作电压下提供400MB/s的最大数据传输速率。同时,HyperRAM在操作和混合睡眠模式下均可提供超低功耗, 以华邦64Mb HyperRAM为例,常温下1.8V待机功耗为70 uW,更重要的是,HyperRAM1.8V混合睡眠模式下的功耗仅为35uW。此外,HyperRAM 64Mb x8仅有13个引号引脚,可大幅简化PCB布局设计。设计人员在设计终端产品时,可使MPU将更多引脚用于其他目的,或者采用拥有更少引脚的MPU以提高成本效益。

下图说明华邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGDEfinix Ti60平台上的配置:

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华邦HyperRAM内存容量为256Mb,时钟频率高达200MHz,配备用于高速传输的HyperBus接口,并支持高达400Mbps的双倍数据传输速率。将内存集成在同一封装中,设计人员可存储视频帧数据或传感器数据,然后通过FPGA逻辑加以处理,而无需挪出电路板空间来放置其他的存储设备。

关于华邦

华邦电子为全球半导体存储解决方案领导厂商,主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,致力于提供客户全方位的利基型内存解决方案。华邦电子产品包含利基型动态随机存取内存、行动内存、编码型闪存和TrustME® 安全闪存,广泛应用在通讯、消费性电子、工业用以及车用电子、计算机周边等领域。华邦总部位于中国台湾中部科学园区,在美国、日本、以色列、中国大陆及香港地区、德国等地均设有子公司及服务据点。华邦在中科设有一座12寸晶圆厂,目前并于南科高雄园区兴建新厂,未来将持续导入自行开发的制程技术,提供合作伙伴高质量的内存产品。

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全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布与致瞻科技(上海)有限公司的成功合作。致瞻科技(上海)有限公司是宽禁带器件应用和先进电能转换系统的创新者,该公司燃料电池汽车全碳化硅控制器采用了Wolfspeed® 1200V SiC MOSFET

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纯电动汽车(BEV)和燃料电池汽车等新能源汽车将在未来十年不断增长。汽车制造商和政府已形成共识,推动汽车行业从传统内燃机车向新能源汽车转变。SiC凭借其出色的性能,将赋能电气化动力,为纯电动汽车和燃料电池汽车带来系统级提升,节约成本、提高效率、实现更长续航。

致瞻科技CEO史经奎博士表示:“空压机、高压大功率DC/DC等是燃料电池发动机的核心部件,对燃料电池汽车的效率、紧凑性等有着重要影响。我们与 Wolfspeed 合作,通过致瞻科技创新设计、先进算法和扎实工艺,并借助Wolfspeed SiC 器件领域的领先优势,实现了新能源汽车碳化硅高端控制器的突破,达到了高控制性能、高效率、高可靠性、高等级电磁兼容的目标。”

致瞻科技开发出的燃料电池汽车新型电机控制器,内部集成了Wolfspeed 业界领先的 1200V SiC MOSFET。该产品采用深度融合的设计理念,在简化系统结构及缩小体积的同时,运行效率进一步提升,并实现全工作范围内的精准控制。

Wolfspeed 功率半导体高级副总裁兼总经理 Jay Cameron 表示:“通过与致瞻科技的合作,我们的 SiC 技术在燃料电池汽车领域中成功应用,这将进一步多元化我们的汽车业务渠道。Wolfspeed SiC 赋能我们的客户实现业界领先的效率,从而助力汽车制造商引领向更可持续未来的转型。”

汽车领域正经历着从传统内燃机车向新能源车的转型。作为一家纯粹且强大的半导体企业,Wolfspeed 正在汽车领域引领从 Si SiC 的产业转型。

关于致瞻科技:

致瞻科技是一家聚焦于碳化硅(SiC)器件和先进电能转换系统的高科技公司。依托 10 余年的碳化硅功率半导体设计和先进电能转换系统的研发和产业化经验,致瞻科技推出了 SiCTeXTM 系列碳化硅先进电能转换系统,成功应用于燃料电池汽车、微型燃气轮机、离心式鼓风机等高速透平装备,以及航空/船舶电力推进、特种电气化动力系统。了解更多详情,敬请访问 www.zinsight-tech.com

关于Wolfspeed

Wolfspeed(NYSE: WOLF)引领碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术在全球市场的采用。我们为高效能源节约和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed 产品家族包括了 SiC 材料、功率开关器件、射频器件,针对电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等多种应用。我们通过勤勉工作、合作以及对于创新的热情,开启更多可能。了解更多详情,敬请访问 www.wolfspeed.com

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引言和历史回顾

采样保持放大器或SHA是大部分数据采集系统的关键组成部分,它捕捉模拟信号并在某些操作(最常见的是模数转换)中保持信号不变。SHA对相关电路的要求非常高,电容和印刷电路板等普通组件的某些特性可能会意想不到地降低SHA性能。

当SHA配合ADC使用时(外置或内置),SHA性能对该组合的整体动态性能至关重要,在确定系统的SFDR、SNR等参数方面起着重要作用。

虽然今天的SHA功能已经集成到采样ADC中,但了解其基本工作原理对于了解ADC动态性能十分重要。

当采样保持器处于采样(或跟踪)模式时,输出跟随输入而变化,二者之间仅存在很小的电压偏差。但也有输出在采样模式下不完全跟随输入的SHA,其输出仅在保持期间是精确的(如AD684AD781AD783)。本文不考虑这种情况。严格来说,具有良好跟踪性能的采样保持器应被称为跟踪保持电路,但在实际应用中,这些术语可以互换使用。

SHA的最常见应用是在数据转换期间将ADC的输入保持为恒定值。对于许多(但不是全部)类型的ADC,为避免转换过程被破坏,转换期间输入的变化不得大于1 LSB,这就对此类ADC设置了非常低的输入频率限值,或者要求采用SHA以保持每次转换期间的输入不变。

回顾历史,一个有趣的事实是:A. H. Reeves在其著名的PCM专利(1939,参考文献1)中描述了一个56 kSPS计数ADC,模拟输入信号直接驱动一个真空管脉宽调制器(PWM),采样功能集成于PWM中。贝尔实验室随后对PCM进行了研究,引入了电子束编码器管和逐次逼近型ADC;参考文献2 (1948)描述了一个基于脉冲变压器驱动电路的配套50 kSPS真空管采样保持电路。

1950年代后期和1960年代早期,随着晶体管取代真空管,人们更加关注ADC所用的采样保持电路。1964年,贝尔实验室的GrayKitsopolos发表了最早对固态采样保持器产生的误差进行分析的文章之一(参考文献3)。贝尔实验室的EdsonHenning描述了在一个224 Mbps PCM系统上进行实验的结果,该系统包括一个9ADC和一个配套的12 MSPS采样保持器。参考文献4561960年代和1970年代早期采样保持电路研究成果的代表之作。

1969年,ADI公司新收购的Pastoriza部门率先推出商用采样保持器SHA1SHA2。电路在PC板上实现,SHA10.01%采集时间为2 μs,功耗0.9 W,成本约为$225SHA2速度更快,0.01%采集时间为200 ns,功耗1.7 W,成本约为$400。两款器件专门配合同样在PC板上实现的12位逐次逼近型ADC工作。

模块化和混合技术迅速淘汰了PC板采样保持器,而随着IC ADC的上市,如工业标准AD574等,对采样保持器的需求渐增。上世纪70年代和80年代早期,系统设计师购买独立的采样保持器来驱动此类ADC是相当普遍的现象,因为当时的工艺技术还无法将它们集成在同一芯片上。IC SHA,如AD582 0.01%采集时间为4 μs)、AD583 0.01%采集时间为6 μs)和AD585 14位精度的采集时间为3 μs)等,服务于上世纪70年代和80年代的低速市场。

混合SHA,如HTS-00250.1%采集时间为25 ns)、HTC-03000.01%采集时间为200 ns)和AD38616位精度的采集时间为25 μs)等,则服务于高速高端市场。到1995年,ADI公司针对各种应用推出了大约20款采样保持产品,包括下列高速ICAD9100/AD91010.01%采集时间为10 nsAD684 (四通道、0.01%采集时间为1 μs)和AD783 0.01%采集时间为250 ns)。

然而,同时期的ADC技术迅猛发展,许多ADC都已内置SHA(即采样ADC),因而更容易指定,当然也更容易使用。新工艺的开发,包括高速互补双极性工艺和先进的CMOS工艺,使得集成SHA功能成为可能。事实上,现在(2003年)采样ADC已经非常普及并大受欢迎,很少有人需要独立的SHA

除了尺寸更小、成本更低和外部元件更少等明显的优势以外,采样ADC还有一个重要优势,那就是整体直流和交流性能已完全明确,设计人员不必像对待分立ADC与分立SHA的组合那样需要确保不存在规格、接口或时序问题。当考虑SFDRSNR等动态特性时,这一优势尤为可贵。

SHA绝大部分时候是与ADC一起使用,但偶尔也会用于DAC限变器、峰值检波器、模拟延迟电路、同步采样系统和数据分配系统。

SHA基本工作原理

无论SHA的电路细节或类型如何,所有此类器件都包括四个主要部分:输入放大器、能量存储元件(电容)、输出缓冲器和开关电路,如图1的典型配置所示。

ADI技术文章图1-采样保持放大器.jpg

1基本采样保持电路

SHA的核心——能量存储元件是电容。输入放大器缓冲输入,向信号源提供高阻抗,并提供电流增益来给保持电容充电。在跟踪模式下,保持电容上的电压跟随(或跟踪)输入信号(有一定的延迟和带宽限制)。在保持模式下,开关断开,电容保持与输入缓冲器断开连接之前的电压。输出缓冲器向保持电容提供高阻抗,防止保持电压过早放电。开关电路及其驱动器构成SHA交替处于跟踪和保持模式的切换机制。

描述SHA基本操作的规格有四组:跟踪模式、跟踪转保持、保持模式、保持转跟踪。图2总结了这些规格,图3以图解方式显示了SHA的一些误差源。由于每种模式同时涉及到直流和交流性能,因此要正确指定SHA并了解其在系统中的操作是一件很复杂的事情。

采样模式

采样保持转换

保持模式

保持采样转换

静态

失调

增益误差

非线性

静态

基座误差

基座误差非线性

静态

下降

非传导性

吸收率

动态

建立时间

带宽

压摆率

失真

噪声

动态

孔径延迟时间

孔径抖动

开关瞬变

建立时间

动态:

馈通

失真

噪声

动态:

采集时间

开关

瞬变

2:采样保持器规格

ADI技术文章图3-采样保持放大器.jpg

3:采样保持器的一些误差源

跟踪模式规格

在采样(或跟踪)模式下,SHA只是一个放大器,因此这种模式下的静态和动态特性与任何其它放大器相似。(在跟踪模式下性能下降的SHA一般仅指定保持模式下的特性。)跟踪模式下的主要规格包括:失调增益非线性带宽压摆率建立时间失真噪声。然而,失真和噪声在跟踪模式下一般不如在保持模式下重要。

跟踪转保持模式规格

SHA从跟踪切换到保持时,由于开关的非理想特性,一般会有少量电荷释放在保持电容上。这会导致保持模式直流失调电压,称为基底误差,如图4所示。如果SHA驱动ADC,基底误差表现为直流失调电压,可以通过系统校准予以消除。如果基底误差与输入信号电平相关,则由此产生的非线性会增加保持模式下的失真。

通过提高保持电容的值,相应地延长采集时间并降低带宽和压摆率,可以减小基底误差。

从跟踪切换到保持会产生瞬变,SHA输出建立到额定误差带范围以内所需的时间称为保持模式建立时间。偶尔也会规定开关瞬变的峰值幅度。

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4:跟踪转保持模式的基底、瞬变和建立时间误差

SHA的技术规格中,容易误解、经常滥用的可能是那些包含孔径的规格。SHA最基本的动态特性是它能够快速断开保持电容与输入缓冲放大器的连接,这一动作所需的极短(但非零)时间间隔称为孔径时间SHA内部时序的各种相关量如图5所示。

ADI技术文章图5-采样保持放大器.jpg.png

5:说明内部时序的SHA电路

此间隔结束时保持电压的实际值取决于输入信号和开关操作本身引入的误差。图6显示对一个任意斜率的输入信号应用保持命令时的情况(为清楚起见,忽略采样转保持基底和开关瞬变)。最终保持的值是输入信号的延迟版本,并且是开关孔径时间范围内的平均值,如图6所示。该一阶模型假设,保持电容上的最终电压值约等于应用于开关的信号在开关从低阻抗变为高阻抗的时间间隔(ta)内的平均值。

ADI技术文章图6-采样保持放大器.jpg.png

6SHA波形

该模型显示,开关断开所需的有限时间(ta)相当于在驱动SHA的采样时钟中引入一个小延迟。此延迟为常数,可以是正值,也可以是负值,称它为有效孔径延迟时间孔径延迟时间孔径延迟(te),定义为前端缓冲器的模拟传播延迟(tda)与开关驱动器数字延迟(tdd)的时间差加上孔径时间的一半(ta/2)。有效孔径延迟时间通常为正值,但如果孔径时间的一半(ta/2)与开关数字延迟(tdd)之和小于通过输入缓冲器的传播延迟(tda),则它也可以是负值。因此,孔径延迟规格确定了输入信号相对于采样时钟沿的实际采样时间。

孔径延迟时间可以通过如下方法来测量:对SHA应用一个双极性正弦波信号,然后调整同步采样时钟延迟时间,使得SHA的输出在保持期间为0,输入采样时钟沿与输入正弦波实际零交越点之间的相对延迟即为孔径延迟时间,如图7所示。

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7:有效孔径延迟时间

孔径延迟不产生误差,但会在采样时钟输入或模拟输入(取决于其符号)中起固定延迟作用。如果孔径延迟中存在样本间变化(孔径抖动),则会产生相应的电压误差,如图8所示。在开关断开的时刻,这种样本间变化称为孔径不确定性孔径抖动,通常用均方根皮秒(ps rms)来衡量。相应输出误差的幅度与模拟输入的变化速率有关。针对既定的孔径抖动值,孔径抖动误差随着输入dv/dt提高而提高。

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8:孔径或采样时钟抖动对SHA输出的影响

测量SHA的孔径抖动误差需要无抖动的采样时钟和模拟输入信号源,因为这些信号上的抖动无法与SHA孔径抖动本身区别开来,抖动的影响是相同的。事实上,系统中的最大时序抖动误差源往往在SHA(或采样ADC)之外,由于高噪声或不稳定的时钟、信号布线不当以及没有采用良好的接地和去耦技术而导致。SHA孔径抖动一般小于50 ps rms,高速器件则小于5 ps rms。关于测量ADC孔径抖动的详细说明,请参阅参考文献11的第5章。

9显示了总采样时钟抖动对数据采样系统信噪比(SNR)的影响。总均方根抖动由多个部分组成,实际SHA孔径抖动常常是最不重要的一个部分。

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9:采样时钟抖动对SNR的影响

保持模式规格

在保持模式下,保持电容、开关和输出放大器的缺陷会引起误差。如果有漏电流流入或流出保持电容,电容会缓慢充电或放电,其电压将发生图10所示的变化,这种效应称为SHA输出电压下降,用V/µs表示。压降可能由污秽PC板的泄漏(使用外部电容时)或易泄漏的电容引起,但最常见的原因是半导体开关的漏电流和输出缓冲放大器的偏置电流。可以接受的压降值是:在它驱动的ADC转换期间,SHA的输出变化幅度不超过½ LSB;但该值高度依赖于ADC架构。如果压降是由反偏结(CMOS开关或FET放大器栅极)的漏电流引起,则芯片温度每升高10°C,它就会提高一倍,这意味着从+25°C+125°C,压降会提高1000倍。

通过提高保持电容的值可以降低压降,但这也会延长采集时间并降低跟踪模式下的带宽。在作为ADC一部分的现代IC采样保持电路中,常常利用差分技术来减小压降效应。

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10:保持模式压降

SHA使用小保持电容时,即使很小的漏电流也可能引起严重的压降。PCB的漏电流可以通过巧妙地使用保护环而最小化。保护环是一个由导体构成的环,它包围一个敏感节点并处于等电位。由于其间没有电压,因此不会有漏电流流动。在同相应用中,如图11所示,必须将保护环驱动到正确的电位,但虚地上的保护环可以处于实际的地电位(图12)。PCB材料的表面电阻远低于其体电阻,因此PCB两端必须都放上保护环;在多层板上,所有层都应当有保护环。

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11:用与保持电容相同的电压驱动防护罩以降低电路板泄漏

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12:在虚地SHA设计上使用防护罩

SHA保持电容的泄漏必须很低,但还有一个特性也同样重要,这就是电介质吸收。如果一个电容充电、放电然后开路,它会恢复一些电荷,如图13所示。这种现象称为电介质吸收,它会导致上一个样本的残余部分污染新样本,并且可能引入数十甚至数百mV的随机误差,因此可能会使SHA的性能严重降低。

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13:电介质吸收

不同的电容材料具有不同的电介质吸收量,电介质电容最糟糕(泄漏也很高),某些高K陶瓷电容也很差,但云母、聚苯乙烯和聚丙烯电容一般较好。遗憾的是,产品批次不同,电介质吸收也会有所不同,有时连聚苯乙烯和聚丙烯电容也可能受批次影响。因此,购买用于SHA应用的电容时,增加30-50%的预算是明智的,并且应当购买制造商保证它具有低电介质吸收的器件,而不是购买一般认为它具有这种特性的某类电容。

SHA的杂散电容可能会让少量交流输入在保持期间耦合到输出,这种效应称为馈通,取决于输入频率和幅度。如果馈通到SHA输出的信号幅度大于½ LSBADC就会发生转换错误。

许多SHA中,失真仅在跟踪模式下规定。跟踪模式失真常常远优于保持模式失真。跟踪模式失真不包括开关网络引起的非线性,当驱动ADC时,可能无法反映SHA的性能。现代SHA,特别是高速SHA,通常规定两种模式下的失真。跟踪模式失真可以利用模拟频谱分析仪测量,但保持模式失真应当利用图14所示的数字技术进行测量。将一个频谱纯净的正弦波应用于SHA,一个低失真高速ADC在保持时间快要结束时对SHA输出进行数字化。然后对ADC输出执行FFT分析,并计算失真成分。

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14:测量保持模式失真

在跟踪模式下,SHA噪声的规定和测量与放大器相似。峰峰值保持模式噪声利用示波器测量,然后除以6.6转换成均方根值。保持模式噪声可以用频谱密度(nV/√Hz)来表示,或者用额定带宽内的均方根值来表示。除非另有说明,保持模式噪声必须与跟踪模式噪声合并以得出总输出噪声。有些SHA规定的是总输出保持模式噪声,其中包括跟踪模式噪声。

保持转跟踪模式规格

SHA从保持切换到跟踪时,它必须重新获取输入信号(输入信号在保持模式期间可能已经发生满量程跃迁)。获取时间是指SHA从保持切换到跟踪时,重新获取信号并达到目标精度所需的时间间隔。该时间间隔开始于采样时钟沿的50%点,结束于SHA输出电压落在额定误差带以内时(通常规定0.1%0.01%时间)。某些SHA还规定相对于保持电容电压的获取时间,而忽略输出缓冲器的延迟和建立时间。保持电容获取时间规格适用于高速应用,在这种应用中,必须为保持模式分配可能的最长时间。当然,输出缓冲器建立时间必须显著小于保持时间。

获取时间可以利用现代数字采样示波器(DSO)或数字荧光示波器(DPO)直接测量,这些示波器对大过驱不敏感。

SHA架构

像运算放大器一样,SHA架构有许多种,我们将讨论最常见的几种架构。最简单的SHA结构如图15所示。输入信号由放大器缓冲,然后施加于开关。输入缓冲器可以是开环或闭环,可以提供或不提供增益。开关可以是CMOSFET或双极性(使用二极管或晶体管),由开关驱动器电路控制。保持电容上的信号由输出放大器缓冲。有时将这种架构称为开环架构,因为开关不在反馈环路之内。注意,全部信号电压均施加于开关,因此它必须具有出色的共模特性。

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15:开环SHA架构

16显示了这种架构的一个实现方案,其中开关使用简单的二极管桥。在跟踪模式下,电流流经二极管桥D1D2D3D4。对于快速压摆的输入信号,保持电容通过电流I充电和放电。因此,保持电容的最大压摆率等于I/CH。使电桥驱动电流反向会导致电桥反向偏置,从而将电路置于保持模式。利用保持输出信号自举关闭脉冲可以使共模失真误差最小,这对于该电路至关重要。反偏电桥电压等于D5D6的正向压降加上串联电阻R1R2上的压降。该电路速度非常快,特别是如果输入和输出缓冲器为开环跟随器,并且二极管为肖特基二极管。关闭脉冲可以利用高频脉冲变压器或电流开关产生,如图17所示。该电路可以在任何采样速率下使用,因为二极管开关脉冲直接耦合到电桥。自上世纪60年代中期起,这种电路的不同形式就已用于高速PC板、模块式、混合和IC SHA

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16:使用二极管桥开关的开环SHA

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17:开环SHA实现方案

18所示的SHA电路是经典的闭环设计,已被许多CMOS采样ADC采用。由于开关始终在虚地工作,因此开关上不存在共模信号。

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18:基于反相积分器的闭环SHA在求和点切换

开关S2是必需的,用以保持恒定的输入阻抗,防止输入信号在保持期间耦合到输出端。在跟踪模式下,SHA的传递特性由运算放大器决定,开关不会引入直流误差,因为开关位于反馈环路之内。利用图19所示的差分开关技术,可以将电荷注入的影响降至最小。

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19:差分开关减少电荷注入

IC ADC的内置SHA电路

CMOS ADC由于低功耗和低成本而颇受欢迎。使用差分采样保持器的典型CMOS ADC的等效输入电路如图20所示。图中开关显示为跟踪模式,但应注意,它们以采样频率断开和闭合。16 pF电容代表开关S1S2的有效电容以及杂散输入电容。CS电容(4 pF)是采样电容,CH电容是保持电容。虽然输入电路完全是差分式,但该ADC结构既可以单端方式驱动,也可以差分方式驱动。然而,使用差分变压器或差分运放驱动一般可以获得最佳性能。

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20:典型开关电容CMOS采样保持器的简化输入电路

跟踪模式下,差分输入电压施加于CS电容。当电路进入保持模式时,采样电容上的电压转移到CH保持电容上,由放大器A缓冲(开关由适当的采样时钟相位控制)。当SHA返回跟踪模式时,输入源必须将CS上的电压充电或放电到新的输入电压。CS的这种充电和放电动作(求一定时间内的平均值,以给定的采样频率fs进行),使输入阻抗呈现为一个有利的阻性元件。然而,如果在采样周期(1/fs)内分析该动作,输入阻抗将是动态的,必须考虑输入驱动源的一些注意事项。

输入阻抗的阻性部分可以通过计算CH从输入驱动源获取的平均电荷而算出。可以看出,如果在开关S1S2打开之前让CS完全充电至输入电压,那么进入输入端的平均电流就像是在输入端之间连接了一个等于1/(CSfS)的电阻。由于CS仅为数pF,因此当fS = 10 MSPS时,阻性部分通常大于数

21显示了1995年推出的1241 MSPS ADC AD9042 采用的输入SHA的简化电路参考文献7 AD9042采用高速互补双极性工艺(XFCB)制造。电路包括两个独立的并联SHA,构成全差分工作方式,图中仅显示了一半电路。全差分工作方式可以减小下降率引起的误差,同时还能降低二阶失真。在跟踪模式下,晶体管Q1Q2提供单位增益缓冲。当电路被置于保持模式时,Q2的基极电压被拉至负值,直到被二极管D1箝位。片内保持电容CH的标称值为6 pFQ3CF一起提供输出电流自举功能,并减小Q2VBE变化,进而降低三阶信号失真。20 MHz时,跟踪模式THD通常为–93 dB。在时域中,12位精度的满量程获取时间为8 ns。在保持模式下,Q3A = 1缓冲器的电压自举动作与Q2的低馈通寄生效应一起,使信号相关的基底变化最小化。12位精度的保持模式建立时间为5 ns。在50 MSPS时钟速率和20 MHz输入信号下,保持模式THD–90 dB

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211995年推出的1241 MSPS ADC AD9042采用的SHA

22所示为近年推出的14105 MSPS ADC AD6645中使用的差分SHA一半电路的原理示意图(参考文献9详细描述了该ADC,包括SHA)。在跟踪模式下,Q1Q2Q3Q4形成一个互补射极跟随器缓冲器,驱动保持电容CH。在保持模式下,Q3Q4的基极极性反转,箝位在低阻抗,从而关闭Q1Q2Q3Q4,导致输入端信号与保持电容之间产生双重隔离。如前所述,箝位电压由保持输出电压自举,以便最大程度地减小非线性效应。

跟踪模式线性度主要取决于CH充电时Q3Q4VBE调制。保持模式线性度取决于跟踪模式线性度和跟踪转保持时的非线性误差,引起该非线性误差的原因是Q3Q4的基极电压切换不平衡,以及由此导致的Q3Q4关闭时通过其基极-射极结注入的电荷不平衡。

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222000年推出的14105 MSPS ADC AD6645采用的SHA

SHA应用

目前来说,SHA的最大应用是驱动ADC。大多数用于信号处理的现代ADC都是采样ADC,内置针对转换器设计而优化的SHA。采样ADC的直流和交流性能均是完全明确的,只要有可能,就应当取代分立式SHA/ADC组合。仅在极少的情况下,特别是那些要求宽动态范围和低失真的应用,使用分立组合可能是有利的。

23显示了一个类似的应用,它利用低失真SHA来降低代码相关DAC毛刺的影响。就在要将新数据锁存至DAC之前,将SHA置于保持模式,从而将DAC开关毛刺与输出隔离。SHA产生的开关瞬变与代码无关,并且以更新频率出现,因此很容易予以滤除。这种技术在低频时可能有用,可以改善DAC的失真性能,但对于专门为DDS应用而设计、更新速率为数百MHz的高速低毛刺低失真DAC,价值则不大。

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23SHA用作DAC限变器

在同步采样系统中,与每通道使用一个ADC的方案相比,使用多个SHA、一个模拟多路复用器和单个ADC的方案往往更具经济性(图24)。同样,在数据分配系统中,可以使用多个SHA将单个DAC的顺序输出路由到多个通道,如图25所示,但这种做法不太普遍,因为使用多个DAC的方案通常更好。

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24:使用多个 SHA和单个ADC的同步采样

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25:使用多个SHA和单个DAC的数据分配系统

SHA的最后一个应用如图26所示:在一个数据采样系统中,多个SHA级联起来以产生模拟延迟。在SHA 1的保持间隔时间快要结束之前,SHA 2被置于保持模式。因此,总流水线延迟时间大于采样周期T。这种技术常常用于多级流水线式分级ADC中,以提供连续多级的转换延迟。在流水线式ADC中,50%占空比的采样时钟很普遍,因而可以利用交替的时钟相位来驱动流水线中的各SHA(流水线式ADC详见教程MT-024)。

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26:用于产生模拟流水线延迟的SHA

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科技是国家强盛之基,创新是民族进步之魂。习近平总书记高度重视科技创新,强调“创新是引领发展的第一动力,保护知识产权就是保护创新”,知识产权保护工作关系国家治理体系和治理能力现代化,必须全面加强知识产权保护工作,激发创新活力推动构建新发展格局。

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历时4个多月的第三届上海知识产权创新奖评选活动圆满落幕。2021年10月19日,第十八届上海知识产权国际论坛在沪开幕,论坛开幕式上,举行了第三届上海知识产权创新奖颁奖典礼。中共中央政治局委员、上海市委书记李强,国家知识产权局局长申长雨等出席论坛开幕式并致辞,世界知识产权组织总干事邓鸿森通过视频致辞,上海市副市长陈群和世界知识产权组织总干事特别授权代表、中国办事处主任刘华为9家获奖单位颁奖。华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”或“公司”)凭借领先的技术创新实力,从众多参评单位中脱颖而出,喜获第三届上海知识产权创新奖(创造)。

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上海知识产权创新奖由国家知识产权局、世界知识产权组织(WIPO)和上海市人民政府共同主办,上海市知识产权局承办,意在表彰在知识产权创造、保护、运用方面具有突出成就的企事业单位,为营造一个尊重知识价值、健康积极的创新营商环境及上海的高质量发展提供有力支撑。

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华虹宏力致力于先进特色工艺技术的持续创新,始终高度重视自主知识产权的保护。公司建立了积极的防御性知识产权战略体系,通过对知识产权的统一规划和集中管理,着眼于行业重点领域的专利布局,以知识产权为抓手,围绕嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等“8英寸 + 12英寸”特色工艺平台打造研发核心竞争力,积累了丰富的自主知识产权。公司申请中国专利累计6593项,获得国家发明专利授权3575件、国际专利授权147件。此外,公司曾获得国家科技进步二等奖1次、上海市科技进步一等奖3次、2015年“上海市知识产权优势企业”称号、2016年全国企业发明专利授权量排名第十位、2017年中国专利优秀奖等荣誉。

华虹宏力执行副总裁王鼎代表公司领奖,他表示非常荣幸能获得如此殊荣,这是政府部门对华虹宏力自主创新能力、知识产权工作所取得成果的充分肯定。尊重知识产权、保护知识产权是华虹宏力持之以恒的目标,公司在科研创新方面将持续发力,认真贯彻国家“十四五”规划“加强知识产权保护,大幅提高科技成果转移转化成效”,不断提高公司的核心竞争力,为客户提供更优异的技术和创造更好的价值。

关于华虹宏力

华虹集团是以集成电路制造为主业,拥有8+12英寸生产线先进工艺技术的企业集团。集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”或“公司”)自建设中国大陆第一条8英寸集成电路生产线起步,现已成为全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业。华虹宏力专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等“8英寸 + 12英寸”特色工艺技术的持续创新,先进“特色IC + Power Discrete”强大的工艺技术平台有力支持物联网等新兴领域应用,并拥有多年成功量产汽车电子芯片的经验。

公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂(华虹一厂、二厂及三厂),工艺技术覆盖1微米至90纳米各节点,月产能约18万片,在北美、中国台湾、欧洲和日本等地均提供销售与技术支持

华虹宏力和国家集成电路产业投资基金股份有限公司、无锡锡虹联芯投资有限公司等在无锡高新技术产业开发区内,合资设立了华虹半导体(无锡)有限公司。其一期项目有一座覆盖90~65/55纳米工艺节点、月产能4.8万片的12英寸晶圆厂(华虹七厂),不仅是中国大陆领先的12英寸特色工艺生产线,亦为全球第一条12英寸功率器件代工生产线。

如欲取得更多公司相关资料,请浏览:www.huahonggrace.com

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作者:泰克科技技术大咖 Andrea Vinci

半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状,以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如,2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。

在为半导体器件电气特点编制准确的报告时,比如特殊的NANO-FETs,业内的科研人员、科学家和工程师都面临着一个共同的问题。当需要证明能够实际上以简便的、可重复的方式控制这些参数时,这个问题会变得更糟。

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从触摸屏显示器控制的4200A电气参数表征系统

低电流范围内电气表征的典型问题是:必需确定低功率/低漏流MOSFET在不同条件下可实现的器件性能。

测量至关重要,因为它们识别具体指标(FoM),而这些指标会证实或否认特定应用内的有效行为。例如,n型FETs要求评估不同源极、漏极和栅极电压值上的打开和关闭漏极电流。FoMs可能会在不同应用间变化,但获得指标的方式基本相同:提供精确受控的以一定方式变化的电压或电流,同时准确地获得电压和电流测量,并与每个具体可变变量相关联。

在实践中,通过使用一定数量的源测量单元(SMUs),也就是能够在测量电流和电压的同时提供电流或电压的专门仪器,可以解决这个问题。但实用的解决方案看上去准备妥当时,许多隐藏的“细节”可能会导致问题和误导性结果,我们来看一下。

这些应该自问的关键问题

越来越常见的是,工程师会落入忘了从整体上仔细查看测试系统的陷阱。或者更好一点,他们清楚地看到自己的器件,他们清楚地看到自己的仪器,但看不到两者之间的东西。例如,我经常看到示波器用户忘了使用探头到达特定测试点,来测量电路板。对那些被提醒考虑探头对信号影响的工程师,他们一般仍会忘记探头引线对测量的影响,以及与信号耦合有关的问题。

那么,这真有关系吗?”他们会问。遗憾的是,确实有关系,我们必需考虑这些影响。

对DC表征应用,风险是类似的。即使我们使用复杂昂贵的探测站系统器件来完成物理探,SMUs仍须强制施加电压、测量电流,通过电缆连接到探头卡上。这是否意味着我们应该认为电缆可能影响我们的测量结果呢?

不管答案是什么,重要的是在继续处理前你都要自己问一下这个问题。更重要的是,要确保回答是正确的。

CMOS制造中的精密测量,是说明连接能力重要性的典型实例。事实上,连接能力意味着在测试系统中增加电容。由于当今MOSFETs是在较宽的扩展频率范围内表征的,因此必须认真考虑增加的电容导致的任何影响。

我们先看一下连接对电容的影响。参数(自动化)测试设备一般使用三同轴电缆连接,这是源测量测试单元与被测器件之间非常典型的低噪声连接实例。三同轴电缆是一种特殊的同轴电缆,它通过一个额外的外部铜缆法拉第屏蔽层来绝缘传导信号的部分。即使法拉第屏蔽层降低了电缆的分布式电容,但在电缆总长变得有意义时,电缆增加的电容仍会影响测量。

我们看一个实际应用,比如测试系统必须表征n-MOSFET晶体管。在这个应用中,我们使用基于SMU的测试系统,追踪所谓的I-V曲线,这有时也称为“输出特点” 或“传递特点”。我们把栅极电压编程为前向和后向扫描(如前所述,使用SMU),同时测量漏极电流(也使用SMU)。

通过这些曲线,我们可以采集有用的数据,精确建立晶体管传导力激活和去激活模型,分析这些特征什么时候体现线性度或进入饱和行为,确定自热效应对这些参数和曲线可能会产生多大的位移。

当表征需要建立载流子、电子或孔眼(在状态之间跳动,根据多种条件修改其迁移性)的行为模型时,测量系统会以四线(或远程传感)配置连接DUT,并使用三同轴电缆。

看一下四线配置的三同轴电缆连接,总长度对应Force Hi和Sense Hi电缆长度之和。根据三同轴电缆的电容/米(pF/m)指标,我们可以计算出,用两条三同轴电缆把SMU连接到器件端子上,长度为20米(10米+ 10米),保护电容约为2 nF,屏蔽电容约为6 nF。

在这些情况下,SMU的灵敏度在测量弱电(一般在纳安级)的传递特点时没有意义,因为电容电缆负载会导致振荡。SMU不仅要有灵敏度,还必须能够保持电缆负载导致的有效电容,或者把SMU连接到DUT的任何引线的负载。

否则,灵敏度就没有用,SMU只会产生有噪声的振荡读数。

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使用两个SMU与使用两个4211-SMU通过开关矩阵测得的FET的Id-Vd曲线对比。

能够确定测试电容是否影响测量正变得越来越关键。在这些情况下,吉时利应用工程师可以提供宝贵的咨询服务,确保客户避免陷阱。在设置中有长连接电缆时,或者在测量系统和DUT之间有开关矩阵时,或者DUT或卡盘要求进行纳安级测量时,最好复核设置,寻求顾问和建议。

为关键量程提供的最新解决方案

面对这些极具挑战性的特殊情况,必需在测量中使用特定的SMUs模块。吉时利推出了一种专用版SMU,可以用于类似4200A-SCS参数分析仪的参数分析系统中。

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SMUs特别适合连接LCD测试站、探头、开关矩阵或任何其他大型测试仪或复杂的测试仪。

4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU(选配4200-PA前置放大器)支持稳定的弱电测量,即使是在长线缆连接导致较高的测试连接电容时。

事实上,这些模块可以供电并测量容性超过当今1,000倍的系统。例如,如果电流电平为1 ~ 100 pA (微微安),那么最新的吉时利模块会稳定在1 µF (微法拉)的负载电容上。相比之下,最大负载电容竞品在测量稳定性劣化前只能容忍1,000 pF (微微法拉),换句话说,比吉时利模块差1,000倍。

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高阻抗应用C-V测量

总结

持续改进测量技术必不可少,以优化半导体材料,在集成晶体管中实现低接触电阻、专门的形状和独特的结构。GaN晶体管在未来功率电子中的成功,与铸造工艺中采用的纳米结构紧密相关。一方面,栅极宽度结构中的电容较低,所以要考虑任何其他有意义的电容影响,比如电缆和连接产生的电容。另一方面,通过改善SMU耐受高电容的能力,提供更高的测量稳定性,它们也克服了这些问题。

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市,致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案,解决各种问题,释放洞察力,推动创新能力。70多年来,泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅,敬请登录:tek.com.cn

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近日,瓴盛科技再获两大行业头部企业的投资青睐。格科微电子(上海)有限公司(以下简称“格科微”)、电连技术股份有限公司(以下简称“电连技术”)与北京建广资产管理有限公司、上海瓴煦企业管理中心(有限合伙)共同合作,投资设立建广广辉(成都)股权投资管理中心(有限合伙),联合对瓴盛科技进行股权投资,获得7.042%股权。瓴盛科技将携手格科微、电连技术在相关业务展开深入合作,共同引领移动通信、人工智能物联网技术进步,构建芯片产业健康生态。

本次合伙企业认缴出资总额为人民币227,378,712.50元,其中:格科微作为有限合伙人以自有资金出资人民币86,573,642.56元;电连技术作为有限合伙人以自有资金出资人民币21,643,410.64元。

瓴盛科技新闻稿配图.jpg

瓴盛科技成立3年来,持续在移动通信、人工智能物联网两大赛道高研发投入,潜心积淀芯片核心设计能力,打造包括芯片、硬件元器件、整机设计、软件和上层应用在内的整体解决方案,是目前国内少数同时具备移动通信及人工智能物联网主芯片SoC设计资质的企业。

格科微作为中国领先的CMOS图像传感器芯片、DDI显示芯片设计公司,旗下产品广泛应用于全球手机移动终端及非手机类电子产品。瓴盛科技则在芯片技术研发、工程化、落地应用等方面拥有的深厚技术积累和经验。未来,格科微与瓴盛科技将在芯片产品上进行多个业务领域的战略合作,并通过此次投资双方加快产品研发协同,组成灵活的系统级定制化解决方案,以响应手机厂商差异化功能需求。

电连技术微型射频连接器在中国智能手机市场拥有领先的份额,在全球市场上占有重要的地位。通过本次投资,电连技术将形成与瓴盛科技广泛而紧密的研发和业务协同互动,增强公司技术能力和水平,扩大业务规模,拓展更多的行业应用。在5G不断深入的市场环境下,两者的强强结合,将对引领未来移动芯片高频高速连接方式的技术升级和迭代有着十分重要的战略意义。

去年9月,瓴盛科技成功发布首颗自研四核AIoT SoC JA310,采用三星11nm FinFET工艺制程,集成双路通道专业级别监控ISP。目前该芯片已经应用在包括AI智能摄像头、扫地机器人、智能门禁等广泛的AI智能硬件领域。与此同时,手机智能SoC作为瓴盛科技的另一战略重点,目前公司首颗4G 11nm FinFET智能手机芯片已一次流片成功,预计将于今年年底推出。在全球缺芯严重制约产业发展的大背景下,瓴盛科技不断谋求突破创新,在移动通信和人工智能物联网两大核心赛道稳步前进,为产业的未来提供更多可能性。

当前,瓴盛科技正步入关键发展阶段,朝着世界级IC企业的目标前进。来自格科微、电连技术等业界领先企业对瓴盛科技的接连战略投资,不仅是对瓴盛科技发展潜力和技术实力的肯定,更夯实了公司的战略投资者基础,为未来发展插上腾飞的翅膀。在全球芯片市场格局的巨大变革中,瓴盛科技将不断谋求创新,同时与产业链上下游紧密合作,推动技术创新与产业升级,积极打造芯片产业发展的健康生态,加速中国半导体产业的进步与发展。

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  • 实现了30㎛以下的细微电路印刷

  • 用于显示屏装置、次世代汽车的玻璃加热器等

  • 可期提高电子装置的穿透性及进一步实现柔性化

田中贵金属集团旗下经营制造事业的田中贵金属工业株式会社(总公司:东京都千代田区、执行总裁:田中 浩一朗)宣布开发了较适合丝网印刷(※1)用的"印刷电路用低温共烧纳米银膏材(https://tanaka.com.cn/products/detail/sintering-agpaste-for-print/)",并开始提供样品。

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本产品在印刷电子技术(※2)领域作为主流工艺的丝网印刷中,实现了配线的细微化,以及比以往具有更加优异的弯曲耐性的配线。因此,可期应用于要求一定弯曲耐性的智能手机及可穿戴设备等柔性装置,以及提高随着电动汽车等的普及预计会进一步增加需求的玻璃加热器等的穿透性。

<本产品的优点>
■适合30㎛以下的细微印刷的膏材

・通常在丝网印刷中,50㎛左右的线宽被认为是印刷极限,但是通过将适用本膏材的印刷机和网版进行组合,不仅可在被认为较难进行细线印刷的玻璃上,还能在PET薄膜(※3)及绿片(※4)等其他基材上直接印刷细微配线(30㎛以下)。因此,有助于用于次世代汽车的玻璃加热器、用于5G的透明天线等要求具有穿透性的电子装置的较高性能化和提高生产性。

■印刷电路的屈曲耐性

・在PET薄膜等可弯曲有机基材上印刷的配线(印刷线宽100㎛)在弯曲半径0.5mm的屈曲测试中,证明了即使进行10万次的弯曲也不会断线,可期适用于同时要求柔性化和耐用性的智能手机及可穿戴设备等柔性装置。

■10μΩcm以下的低阻值

此外,在加热温度90℃左右烧结的配线中,实现了阻值低于10μΩcm等在低温烧结型的纳米银膏材中也非常罕见的低电阻化。

■较适合丝网印刷用的纳米银膏材

本产品是一种使用适合在印刷电子技术中较普通工艺的丝网印刷用的纳米、次微米级银粒子的印刷用膏材。由于较适合丝网印刷用,通过控制粒径、选定溶媒、添加高分子化合物等,提高丝网印刷性能,成功开发了弯曲性能较强的配线用膏材。通过采用使用通用制程的丝网印刷的细微配线,可期提高生产性。

本产品根据以上的优点,今后可期用于有助于实现IoT社会的各种电子装置,例如电动汽车等的普及预计带来需求增加的通过细微配线防止玻璃模糊的加热技术、健康护理相关的可穿戴设备、用于5G的不会破坏景观的透明天线等。

本产品已经开始提供样品,并计划在2022年内开始量产。

(※1)丝网印刷:
用于印刷电路板及电子零件、平板显示器、汽车仪表等的制程等,是电子领域必不可少的印刷工艺。

(※2)印刷电子技术:
使用功能性墨水和各种印刷技术在玻璃及高分子制的基板上生产电子装置的技术。可期作为实现IoT社会的基础技术在有机EL显示屏、可穿戴设备、传感器、数字标牌、电子纸进行有效应用等。

(※3)PET薄膜:
聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂。是一种耐热性及強度较优异的高分子薄膜,被用于液晶电视等的表面保护及笔记本电脑等的背光用反射薄膜、可穿戴设备的基材。

(※4)绿片:
是指用作电路板的陶瓷基板,是一种具有柔性的处于未共烧状态的薄片。

■关于田中贵金属集团
田中贵金属集团自1885年(明治18年)创业以来,营业范围以贵金属为中心,并以此展开广泛活动。在日本国内,以高水准的贵金属交易量为傲,长年以来不遗余力地进行产业用贵金属制品的制造和销售,以及提供作为宝石饰品及资产的贵金属商品。并且,作为贵金属相关的专家集团,国内外的各集团公司进行制造、销售以及技术一体化,携手合作提供产品及服务。

2020年度(2021年3月期)的连结营业额为1兆4,256亿日元,拥有5,193名员工。

■产业事业全球网站
https://tanaka-preciousmetals.com/

■产品咨询表
田中贵金属工业株式会社
https://tanaka-preciousmetals.com/jp/inquiries-on-industrial-products/

■新闻媒体咨询处
田中控股株式会社
https://tanaka-preciousmetals.com/jp/inquiries-for-media/

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该计划提供超过100家可信赖合作伙伴的软件构建模块;解决方案开箱即用,显著加速产品上市

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团(TSE:6723)今日宣布,推出全球化技术合作伙伴网络——“Renesas Ready合作伙伴网络(Renesas Ready Partner Network)”,为广泛的MCU产品线提供商业级构建模块。该网络所带来的广泛解决方案面向下一代物联网设计所需的重要技术,包括人工智能与机器学习、安全与加密、连接性与云、人机界面、传感与控制、工具与用户体验,以及新兴或特定的应用技术。

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强大的软件生态系统构建模块可加速开发进程

Renesas Ready合作伙伴网络让用户轻松获得具有沉浸式技术内容的广泛解决方案;每款解决方案均包含方案简介,列出第三方产品与瑞萨产品相结合的优势。客户还可通过网站访问相关视频、网络研讨会和技术文档。

瑞萨电子战略合作关系和全球生态系统事业部总监Kaushal Vora表示:“Renesas Ready合作伙伴网络与瑞萨的产品配合,在复杂的物联网应用中帮助用户更简单地选用和部署核心技术构建模块。我们现在已拥有超过100款解决方案来简化和加速设计过程,并在不断添加更多战略性技术,这些技术同瑞萨基础产品相结合,构成独特、互补和差异化的价值。”

第三方合作伙伴解决方案需要与瑞萨的一个或多个产品系列相结合,开箱即用并通过验证,才可获得Renesas Ready合作伙伴网络认证。在该网络中,每款第三方解决方案将根据其搭配的不同MCU产品,获得“RA Ready”、“RX Ready”或“RL78 Ready”徽章。

瑞萨电子物联网及基础设施事业本部高级副总裁Roger Wendelken表示:“Renesas Ready合作伙伴网络为客户创造了通用环境与方法,来访问用于瑞萨不同MCU产品线的第三方解决方案。我们相信,这一计划可与瑞萨以硬件为中心的‘瑞萨首选合作伙伴计划(Renesas Preferred Partner Program)’相辅相成,进一步为客户提供完整的软硬件解决方案。”

供货信息

Renesas Ready合作伙伴网络现已上线,用户可访问以下网址:http://www.renesas.com/Renesas-Ready。其中,合作伙伴按MCU生态系统分类;在每个MCU生态系统中,解决方案则依照关键技术的重点进行分类。更多信息,请访问官方博客Renesas Ready合作伙伴网络

关于瑞萨电子集团

瑞萨电子集团 (TSE: 6723) ,提供专业可信的创新嵌入式设计和完整的半导体解决方案,旨在通过使用其产品的数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。作为全球微控制器、模拟、电源和SoC产品供应商,瑞萨电子为汽车、工业、家居、基础设施及物联网等各种应用提供综合解决方案,期待与您携手共创无限未来。更多信息,敬请访问renesas.com。关注瑞萨电子微信公众号领英官方账号,发现更多精彩内容。

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儒卓力聚焦威世汽车级产品线,作为汽车行业计划的重要部分

儒卓力专家将与威世汽车产品团队携手合作,于10月28日至30日在深圳举办的慕尼黑华南电子展展示其丰富的汽车零部件产品组合。威世针对汽车行业的战略不止于标准或流程,该公司与汽车客户合作以确保满足其需求,并达到零缺陷、零事故和零故障。

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儒卓力亚太区市场总监CC Lim评论道:“威世提供种类繁多的优质组件以及出色的支持服务,因而成为我们非常重要的合作伙伴。恰逢此时,中国的汽车行业表现出强劲的发展韧性。我们期待在今年的慕尼黑华南电子展12E46展位与新的合作伙伴和朋友会面。”

威世:严格实现高可靠性

威世中国区销售副总裁Eric Lo评论道:“慕尼黑华南电子展将是威世客户了解‘汽车级’产品之真正含义的重要机会,这象征着为现今汽车中的各种电子系统提供最佳组件的设计规则。随着中国经济从疫情中强劲复苏,我们认为今年的展会将吸引众多行业人士参观,我们期待与大家在展会相见。”

通过遵守严格的设计规则,威世确保通过严格的制造和组装过程生产出坚固耐用的汽车级产品。威世所有的汽车级产品均符合最新的 AEC 认证标准,并已提交 PPAP Manufacturing审批。

2021年得益于新能源汽车政策和全球消费者对新车的强劲需求,中国汽车行业延续了2020年下半年的复苏势头。与此同时,称为“大湾区”的粤港澳高科技产业中心有望成为所有工业领域的创新技术驱动力,其中的深圳是乘着数字化转型浪潮从而快速实现高增长的标志性典范。

威世的汽车产品与大湾区的强势崛起完美契合,威世汽车零部件产品系列重视品质和可靠性,可满足广泛的汽车应用需求,涵盖从信息娱乐、导航、音频、舒适度、车门、车窗控制和充电,直到先进驾驶辅助系统和安全性范围,包括:

•发动机控制单元(ECU)和电池管理系统(BMS)

•电子助力转向 (EPS)装置和带有接近传感器的触觉反馈设备

•集成启动发电机、内部手势控制、暖通空调气候控制以及 LED 和激光照明

•板载充电器

•DC/DC 转换器

•用于 12 V / 48 V HEV 和 MHEV 输出转换器的大电流滤波器

如要了解更多信息,请访问网页:威世 — 威世汽车级是什么?

关于儒卓力 (www.rutronik.com.cn)

儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)是欧洲第三大分销商(资料来源:European分销报告2017) 以及世界第十一大分销商 (资料来源:SourceToday,2018年5月)。作为宽线产品分销商,儒卓力可提供半导体、无源和机电组件以及显示屏、嵌入式主板、存储解决方案和无线解决方案等。公司的主要目标市场是汽车、医疗、工业、家用电器、能源和照明业。

儒卓力通过RUTRONIK EMBEDDEDRUTRONIK SMARTRUTRONIK POWERRUTRONIK AUTOMOTIVE系列提供定制的综合性产品和服务,为客户满足其应用的需求。对产品开发及设计的专业技术支持、物流和供应链管理解决方案,以及综合服务使得儒卓力的服务日趋完善。

儒卓力由Helmut Rudel先生在1973年于德国伊斯普林根创立,目前在欧洲、亚洲和美洲拥有超过80家子公司,在全球雇用超过1,900名员工,并在2019财年达成10亿8000万欧元的集团销售收入。

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