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2021年12月20日，以“链上中国芯 成就中国造”为主题，由中国电子信息产业发展研究院举办的第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会在广东珠海国际会展中心成功举办。国民技术股份有限公司（以下简称“国民技术”）N32G455系列通用MCU产品凭借出色的市场表现，从数百款产品中脱颖而出，荣膺2021中国芯“优秀市场表现产品奖”。
作为中国集成电路产品和技术发展的风向标，本届“中国芯”评选活动，是在工业和信息化部电子信息司指导下实施开展的全国性集成电路行业盛会，也是国内集成电路领域极具影响力和权威性的行业会议之一。该奖项旨在鼓励和肯定国内集成电路领域的产品与技术创新，影响和带动集成电路行业的快速发展，此次获奖印证了国民技术产品和技术的领先性和市场影响力。
优秀市场表现产品奖
本次获奖的国民技术N32G455系列通用MCU集合多项优势技术于一体，基于业内领先的40nm eFlash工艺平台，融合公司多项领先技术，在高集成度、高可靠性、高性能、高安全性、低功耗等应用方面表现优异，已经批量应用于工业机器人、电梯控制器、IPC、工业无人飞行器、LED屏幕控制、磁悬浮直线电机等工业应用；数字电源、PLC、UPS、光伏逆变、BMS等能源应用；冰箱、扫地机器人、智能照明等智能家居家电应用；TWS、教育机器人、家用医疗设备、运动相机、摄影器材等消费电子产品应用；以及在汽车电子、新能源电动车、金融、安防、医疗电子等方面得到广泛应用，累计具有超过100个产品应用案例。
近年来，中国半导体产业的发展遇到前所未有的发展机遇，在国际贸易新形势、国产替代、市场应用快速发展方面，国产半导体企业砥砺前行。
国民技术将以更领先、更高效、更安全的技术践行创新服务全民的理念，不断强化研发实力、聚集尖端人才、精进技术，不断为市场与客户提供更优质的产品与服务，以实际行动助力中国“芯”事业的快速发展。
关于国民技术
国民技术股份有限公司于2000年源于国家“909”集成电路专项工程成立，2010年创业板上市（股票代码:300077），是中国安全芯片、通用MCU领军企业，国家级高新技术企业，拥有国内首个企业独立安全芯片攻防技术实验室，博士后科研工作站。总部位于深圳，在北京、上海、武汉、西安、香港、新加坡等地设有分支机构。主营产品包括：安全芯片、通用MCU、可信计算芯片、智能卡芯片、非接读写芯片、蓝牙芯片、RCC创新产品等，广泛应用于网络安全认证、电子银行、电子证照、移动支付与移动安全、物联网、工业联网及工业控制、智能家电及智能家庭物联网终端、消费电子、电机驱动、电池及能源管理、智能表计、医疗电子、汽车电子、安防、生物识别、通讯、传感器、机器自动化等应用方向。
来源：国民技术
一、复杂的电子环境
汽车、工业和航空电子设备所处的供电环境非常复杂，在这种恶劣的供电环境中运行，需要具备对抗各种浪涌伤害的能力。以汽车电子系统供电应用为例，该系统不但需要满足高可靠性要求，还需要应对相对不太稳定的电池电压，具有一定挑战性；与车辆电池连接的电子和机械系统的差异性，也可能导致标称12 V电源出现大幅电压偏移。
事实上，在一定时间段内，12 V电源的变化范围为–14 V至+35 V，且可能出现+150 V至–220 V的电压峰值。这种很高的瞬态电压在汽车和工业系统是常见的，可以持久从微秒到几百毫秒，这将带来巨大的能量。这其中有些浪涌和瞬变在日常使用中出现，其他则是因为故障或人为错误导致。
无论起因为何，它们对汽车电子系统造成的损害难以诊断，修复成本也很高昂。为避免出现故障风险，系统内的电子器件，要么本身必须具备承受这些浪涌的能力，要么就必须被谨慎得保护起来。
图1 工业现场常见的浪涌形式
二、传统的应对方式
传统的过电压（OV）和过流（OC）保护系统往往包括：用于过滤低能量尖峰的电容器和电感、用于过电压保护的瞬态电压抑制器（TVS）、用于直流过流保护的保险丝、用于电池反向保护的系列二极管等。
图2 传统保护架构
尽管这些器件也在不断改进，但这些分立的解决方案体积庞大、不够精密，并且在持续故障期间会烧断保险丝，可能引起以下这些更大范围的停机和故障：
（1）吸收同样的能量，分立器件需要更大的体积。
（2）参数离散，例如同样是SMB封装的78V TVS，其齐纳击穿电压的范围可达1V。
（3）持续或直流的瞬变，可能会烧断保险丝或TVS，需要人工维修。
（4）用于反向保护而串联在功率通路上的二极管，会增加损耗并且带来热的问题。
三、ADI的革新技术——SURGE STOPPER
技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Alex Yang介绍了ADI的革新技术——SURGE STOPPER，SURGE STOPPER能够实现怎样的功能呢？
图3 浪涌抑制器在汽车中的应用
其功能的核心，就是能够保护负载端的电子系统免受高压冲击。并且在电涌施加在系统前端时，能够确保系统不间断运行。当系统的前端供电出现持续的或是直流故障时，能够断开负载连接，直至前端供电重新正常，保护系统自动恢复供电。另一方面，假如后级出现故障，例如过载和短路，那么SURGE STOPPER也同样可以保护前端供电不会被故障的负载所拖垮，可以干净利落地切断故障通道直至其恢复正常。
在实现核心功能的基础上，SURGE STOPPER在设计中考虑了很多细节。例如，工程师可以对嵌位电压进行高精度的微调，而不需要被动地去TVS选型表中选出最接近自己需求的器件。这样既便于工程师设计的更改和迭代，也可以最大限度地减少过度设计，降低成本。
根据市场需求，ADI革新性地针对浪涌问题研发了三类产品，包括：线性浪涌抑制器，开关浪涌抑制器，以及防护控制器。除此之外，ADI仍在不断尝试用新的思路解决浪涌问题。
线性浪涌抑制器
在正常运行期间，一个线性浪涌抑制器完全打开MOSFET的沟道，为负载电流提供一个低电阻路径。
当输入电源电压出现波动时，输出电压会被线性地调节到一个由电阻分压器设置的安全电压，从而实现保护后级负载电路的目的。
在保护状态下，后级电路会保持工作状态。
图4 线性浪涌抑制器
开关浪涌抑制器
在正常运行期间，开关浪涌抑制器完全打开外部MOSFET，让功率顺利通过保护级，从而为后级负载供电。
当输入电压浪涌发生时，立刻切换工作模式，将外部MOSFET作为一个高效率的BUCK稳压器的一部分，通过限制输出电压和电流来保护关键的下游组件。
在保护状态下，后级电路会保持工作状态。
图5 开关浪涌抑制器
保护控制器
保护控制器在供电电压出现异常时立即断开连接，从而达到保护后级电路的目的。
在保护状态下，后级电路会停止工作。
以LTC4368为例，它可以实现过压（OV）、欠压（UV）、过流（OC）、反向输入（RI）四种保护，基本覆盖了应用现场会出现的各种工况，为后级电路提供了完善的保护解决方案。
图6 LTC4368框图
四、产品举例
Alex分享了ADI的一款线性浪涌抑制器LT4363。
图7 LT4363的电路架构
LT4363简介
它能通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，以在过压过程中（比如：汽车应用中的负载突降情况）调节输出电压。输出被限制在一个安全的数值上，从而允许负载持续运作。
LT4363还监视SNS和OUT引脚之间的压降，以防止遭受过流故障的影响。
不管在哪种故障条件下，定时器的起动均与 MOSFET 应力成反比。在定时器终止操作之前，FLT 引脚将被拉至低电平，以发出“即将断电”的警告。如果该条件一直持续，则 MOSFET 将关断。在复位之前，LT4363-1 保持关断，而LT4363-2则在一个冷却周期之后重新起动。
两个高精度比较器能监视输入电源的过压（OV）和欠压（UV）情况。当电压低于UV门限时，外部MOSFET保持关断状态。假如输入电源电压高于OV门限，则不允许MOSFET重新接通。可以采用背对背MOSFET来代替肖特基二极管以提供反向输入保护，从而减少压降和功率损失。一个停机引脚负责将停机期间的静态电流减小至7μA以下。
设计要点
过压故障
在过压情况发生时，LT4363会通过控制MOSFET栅极电压，使得MOSFET工作在可 变电阻区，以保证输出电压采样引脚FB上的电压维持在1.275V。从而达到，将电压嵌位在我们所设定的电压上的目的。同时，如果过电压现象持续存在，则定时器会控制MOSFET关闭。
过流故障
当出现短路或过流情况，LT4363会控制GATE引脚，以限制SNS和OUT引脚之间电流检测电压为50 mV。在输出严重短路的情况下（一般指输出电压低于2V），电流检测门限会由原来的50 mV降低至25mV，以降低MOSFET上的功率应力。如果故障仍然持续，则定时器会控制MOSFET关闭。
MOSFET的选型
LT4363通过驱动一个N沟道MOSFET来导电负载电流。MOSFET的重要参数是导通电阻RDS（ON），漏源极电压的最大值V（BR）DSS、栅极阈值电压V（BR）GS以及SOA。
V（BR）DSS漏源极电压的最大值:
V（BR）DSS漏源极电压的最大值必须高于最高电源电压。如果在出现输出短路接地或在过压事件期间，MOSFET的源漏极会承受全部供电电压。
V（BR）GS栅极驱动电压：
对于VCC供电在9V以上的应用，通用型的所需的栅极驱动电压范围在10V和16V之间；对于VCC供电在9V以下的应用，N沟道MOSFET的栅极驱动电压，不能低于4.5V。
MOSFET的SOA：
SOA（Safe Operation Area）是所有MOSFET中的一个参数，以图标形式体现在规格书中。其中体现出相关联的三个参数的关系：Vds、Id，以及时间T。以典型应用的中的N-MOSFET:FDB33N25为例：
图8 场效应管FDB33N25 的SOA曲线
在选择MOSFET的SOA时，必须考虑所有故障条件下的情况；
在正常工作中，沟道是完全开着的，所以损耗在MOSFET上的功率非常小；
在出现过压或是过流故障时，GATE引脚就会开始控制MOSFET上DS两端所承受的电压或是流过MOSFET的电流。此时高电压和大电流会同时存在于MOSFET当中，因此必须谨慎地依照SOA数据来确定故障定时器的设置。
五、结语
LT4363只是ADI众多浪涌抑制控制器系列中的一款，在汽车、工业等复杂供电环境中，世健提供的ADI浪涌抑制器能够帮助产品抵御恶劣的供电环境，让产品具备对抗各种浪涌伤害的能力，为产品的可靠运行保驾护航。
关于世健——亚太区领先的元器件授权代理商
世健是完整解决方案的供应商，为亚洲电子厂商包括原设备生产商(OEM)、原设计生产商(ODM)和电子制造服务提供商(EMS)提供优质的元器件、工程设计及供应链管理服务。世健与供应商及电子厂商紧密协作，为新的科技与趋势作出定位，并帮助客户把这些最先进的科技揉合于他们的产品当中。集团分别在新加坡、中国及越南设有研发中心，专业的研发团队不断创造新的解决方案，帮助客户提高成本效益并缩短产品上市时间。世健研发的完整解决方案及参考设计可应用于工业、无线通信及消费电子等领域。世健是新加坡的主板上市公司，总部设于新加坡，拥有约650名员工，业务范围已扩展至亚太区40多个城市和地区，遍及新加坡、马来西亚、泰国、越南、中国、印度、印度尼西亚、菲律宾及澳大利亚等十多个国家。世健集团在2020年的年营业额超过11亿美元。1993年，世健在香港设立区域总部——世健系统（香港）有限公司，正式开始发展中国业务。目前，世健在中国拥有十多家分公司和办事处，遍及中国主要大中型城市。凭借专业的研发团队、顶尖的现场应用支持以及丰富的市场经验，世健在中国业内享有领先地位。
Analog Devices, Inc (ADI)今日推出一款高效多相同步升压控制器，用于调节汽车信息娱乐系统中的高功率D类放大器。MAX25203具有可编程栅极驱动电压和限流屏蔽时间，以及高精度电流均衡，工作在高开关频率，以降低材料清单成本并将PCB空间减小36%。MAX25203加入ADI的汽车级升压控制器家族，其中包括MAX25201和MAX25202单/双路升压控制器，两者均为较低功率应用而设计。
通过工程师论坛EngineerZone™与ADI数字隔离专家联系： https://ez.analog.com/interface-isolation
MAX25203控制器利用4.5V至42V电池输入电压启动，启动后可工作在低至1.8V。器件可维持高达70V的绝对最大输出电压，并具有5µA低关断电源电流。MAX25203可用于产生背光和D类音频放大器电压，提供I2C总线诊断，包括管芯温度、相电流监测和可选的真关断，提高系统稳定性。输出电压可通过PWM输入或I2C接口进行缩放，同步输出功能支持附加相，以支持更高功率的系统。
MAX25203同步升压控制器主要特性：
5.5V至10V工厂可编程栅极驱动电压，通过降低MOSFET Rdson损耗提高功率密度，实现较高效率和较低成本
可编程限流屏蔽时间支持短峰值电流事件，避免电源过度设计，降低方案成本。
+/- 5%相间均流精度，减小电感尺寸
高达2.1 MHz的电阻可编程开关频率改善EMI及降低外部元件的尺寸和数量
供货与价格
产品 | 全面生产 | 封装 |
MAX25203 | 现已供货 | 32引脚TQFN-CU |
现已供货 | 评估板 |
关于Analog Devices
Analog Devices, Inc以现代化数字经济为中心，凭借在模拟和数字信号、电源管理、射频(RF)以及数字和传感器技术领域的全方位专业知识，将现实世界的现象转换为具有可操作性的洞察力。ADI服务于全球125,000家客户，拥有超过75,000种产品，涵盖工业、通信、汽车和消费市场。ADI公司总部位于美国马萨诸塞州的威尔明顿市。敬请访问https://www.analog.com/cn/
第四份年度 DEI 报告体现了美光对责任与透明原则的高度重视，并首次披露 EEO-1 多元化与薪酬数据
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 近日发布第四份多元、平等和包容 ( DEI ) 年度报告。报告显示，美光切实践行去年提出的六项 DEI 承诺，并在多个方面取得重大成就，其中包括实现员工团队多元化、促进薪酬与福利平等、深化包容性文化、为所有人创造平等的话语权等。此外，公司还首次公开披露了平等就业机会 ( EEO-1 ) 综合数据。[1]
美光首席人力资源官 April Arnzen 表示：“我们近乎圆满地实现了各项既定目标，在 DEI 承诺的所有方面均取得重大进展，对此我们深感自豪。这项工作对美光而言至关重要，我们坚信 DEI 有助于激发创新活力，推进实现公司使命，并提高市场竞争力，是惠及所有人的正确之举。”
美光 “2021 年 DEI 年度报告：惠及所有人”亮点
美光全球范围内各个职级的女性成员比例均有增加。在印度、马来西亚和中国台湾，美光的女性员工比例已超过半导体行业的基准值。美光董事会也已实现性别比例均等。
今年 3 月份，美光实现了包括全部弱势群在内的全球员工薪酬平等，显著消除了女性和残疾团队成员在基本工资、奖金、股票奖励等方面的待遇差异。
美光将 DEI 目标纳入了员工与高管的年度奖金激励计划。这一变化首次将美光的整体 DEI 目标和承诺与员工及高管的薪酬直接挂钩。这些目标推动美光不断进步，持续增加弱势群体代表比例，实现全面薪酬平等，提高参与度调查中包容性的指数评分。
美光还实现了员工资源团体 ( ERG ) 成员人数翻一番。ERG 由员工主导、志愿者推动，由具有相同身份或经历的员工组成。美光在世界各地新增了 20 个 ERG 组织，其中包括在亚洲的 5 个 PRIDE+ Allies 团体，以及疫情期间在发生针对亚太裔群体的暴力事件之后成立的亚太裔团体 ( AAPIN )。
除了实行有针对性的计划以加强美光在全球范围内的 DEI 表现之外，美光还在公司业务之外确定了若干关键领域，这些领域对于建设更加包容的经济具有深远且长久的意义。美光在 2021 财年 ( FY21 ) 拨款 3 亿美元交由多元化公司管理，其中包括 Ramirez & Co.，Seelaus Asset Management, LLC ( R. Seelaus & Co. 的全资子公司)，以支持影响力投资计划与战略。该项资金在 2022 财年增至 5 亿美元，服务范围扩大至股份回购。美光还将对多元化供应商的年度支出增加至 2.12 亿美元[2]，比 2020 财年的 1.04 亿美元增加一倍以上。
查看美光完整版 “惠及所有人：2021 年 DEI 年度报告”，可登录 micron.com/dei。
关于 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）
美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商，致力于通过改变世界使用信息的方式来丰富全人类生活。凭借对客户、领先技术、卓越制造和运营的不懈关注，美光通过 Micron® 和 Crucial® 品牌提供 DRAM、NAND 和 NOR 等多个种类的高性能内存以及存储产品组合。我们通过持续不断的创新，赋能数据经济发展，推动人工智能和 5G 应用的进步，从而为数据中心、智能边缘、客户端和移动应用提升用户体验带来更大机遇。如需了解 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）的更多信息，请访问 cn.micron.com。
[1]EEO-1 报告是一项以收集数据为目的的调查。此前，员工数量大于或等于 100 的美国私营企业雇主，须每年向美国公平就业机会委员会提交人口统计数据，包括按种族/族裔、性别和岗位类别划分的数据。此项要求于 2020 年被取消，但美光仍然坚持统计此类数据，以持续提升透明度。
[2] 支出范围：1 级多元化供应商总支出。
随着半导体信息技术的发展，汽车领域的创新已经由传统的机燃油领域转向数字化、联网信息化电气化、自动化等领域，数据成已经成为汽车智能化中最关键的基础信息。据研究机构Counterpoint预测，到2025年，全球约30%的销售汽车将支持2级或以上的自动化。
要让汽车有更多的智能功能，就必须收集更多的汽车数据，而车辆将越来越多地设计为本地收集、处理和存储数据，并在适当时候有选择地上传数据。这将在车内以及云端产生对数据存储和计算基础设施的需求。
研究报告指出，自动驾驶汽车会产生海量数据，而并不是所有的数据都会存储在车里，其中一些将被丢弃或转移到云端，很难精确地测量生成的数据量。传感器产生的数据取决于其应用和规格。例如，根据分辨率、颜色深度、帧速率和压缩级别，前置摄像头生成的数据可能在70 GB/hr到300 GB/hr之间。
汽车要存储的数据来源
可以说，存储是汽车行业持续发展过程中的一个关键组成部分，从上图可以看出，汽车要存储的数据类似于手机或者数据中心的数据，有冷数据也有热数据，所以对于汽车存储而言，不但要研究数据存储量增长趋势，也要研究其数据存储的特点以确保汽车系统的数据存储满足所需要的耐久度和使用寿命，以满足新应用程序需求，提供更好的用户体验。
2021年4月7日，中国工业和信息化部发布了《智能网联汽车生产企业及产品准入管理指南（试行）》（征求意见稿）要求“在我国境内运营中收集和产生的个人信息和重要数据应当按照有关规定在境内存储。因业务需要，确需向境外提供的，应向行业主管部门报备”，因此，更需要对汽车数据的存储做深入研究，以应对数据分析、调用和存储的需求。
做为存储领域领先的老牌企业，西部数据公司早就注意到汽车数据的存储差异化，已开发出相关工具和分析方法，旨在为当前和未来独特的工作负载提供合适的解决方案，支持不断增长的汽车存储市场，并避免因过度写入造成存储过载，从而导致产生昂贵的召回费用。
近日，西部数据联合IDC发布了《汽车行业工作负载分析》白皮书，对汽车数据存储与工作负载做了深入的分析与解读。白皮书指出，实际工作负载分析对于了解汽车目标系统的需求和存储要求至关重要，例如通过考量目标系统中每天读取和写入多少数据、是否有意外或特殊的数据模式、潜在的写入放大因素等等。
存储工作负载分析可以实现主动监控，并预防软件问题，帮助客户确定所需要的容量来防止存储空间耗尽。通过使用寿命预测、存储产品设计和验证考量来确定产品基准。此外，它还可以用作未来存储以及系统优化和创新的基础。
西部数据的分析工具能够基于持续产品升级换代和不同设置，重复执行工作负载分析，这样可以识别不断变化的趋势和意外模式。在实际测试导航应用程序的过程中，可以发现，它的行为和模式在20分钟的导航内可产生约150-300 MB 的内存。但是，在最近的设置上分析此应用程序时，令人意外的是，它在完全相同的使用概况下生成了1.5 GB的数据。地址范围上的操作分析显示了一个特定的地址区域，该区域吸收了大部分写入操作。通过使用高级分析工具功能来放大此区域，可以发现有密集日志记录活动以循环方式不断重写相同的 1 MB 文件。
此外，工作负载分析还能够预测产品使用寿命，主要是基于写入放大因子 (WAF) 和总写入字节数 (TBW)。
WAF是写入闪存的数据量与主机写入的数据量之间的比例。写入放大 (WA) 是与闪存相关的一种现象，即写入缓存的实际物理信息量通常多于主机打算写入的数量。WA 的主要原因在于闪存属性，它只能擦除固定大小的块，不能覆盖已编程的数据，而且在某些情况下需要刷新数据。提供了闪存容量和写入周期；因此，更低的 WAF 有助于实现更长的产品使用寿命。
产品TBW是产品在其使用寿命内可以支持的主机写入总量，以TB为单位。TBW直接受工作负载WAF影响。预期使用寿命预测基于产品TBW计算得出，而预期典型/繁重日常写入基于工作负载分析。
在白皮书中，西部数据也通过使用存储诊断主动监控现场问题，即基于直接从存储设备读取的统计数据和诊断信息。此类诊断信息的示例包括使用寿命统计数据和寿命结束通知，可以在 eMMC、UFS 和 NVMe 中通过简单和标准方法从存储设备读取，来实现主动识别现场问题，以防意外过度使用存储、缺陷或系统中的任何其他异常。尽早识别现场问题，可以在设备达到使用寿命以及可能因故障而需要召回之前采取预防措施。
除了监控现场使用情况，此类设备诊断还可在实验室中用作一种额外的分析工具。在工作负载分析期间，这些诊断可用于微调测试和认证，识别设置问题，以及分析产品行为。这对于提升汽车的安全性可靠性都是非常重要的。
总结
汽车不同于其他移动设备，它关乎到人的生命，并在各种各样的严苛、极端环境中使用，这就要求汽车存储需要支持要求越来越严苛且具有多用途的应用程序。随着应用程序不断变化和工作负载日益密集，存储对整个系统的可靠性、耐久度和用户体验越来越重要。
使用西部数据的先进诊断和监控工具执行工作负载分析，是系统验证路径的一个必要阶段，旨在识别意外行为，应用预防性措施，并确保存储规范的兼容性，从而满足系统需求和应用案例的需求。西部数据在工具和方法上进行了大量投入，旨在实现深入而彻底的工作负载分析。借助这些工具，西部数据可以帮助OEM和一级公司对预期存储行为和使用寿命实现更高的可预测性，并为其最终用户提供更出色的解决方案。
目前，汽车行业正在经历‘新四化’的深刻变革，5G、车路协同、人工智能等创新技术的普及对智能化汽车的数据存储、计算、分析带来了多样化挑战。西部数据公司深耕存储领域，在HDD和Flash领域都有着深入的积累，同时对车载存储需求保持着密切的关注。
西部数据公司中国区汽车电子事业部销售总监王剑松
西部数据公司中国区汽车电子事业部销售总监王剑松表示：“我们将不断整合丰富的行业经验、出色的垂直整合能力以及广泛的产品组合，提供高性能、高耐用、高容量的车载存储解决方案，以创新数据架构赋能自动驾驶领域端边云协同发展。未来，西部数据将持续携手汽车领域合作伙伴与本土自主品牌，共同推进国内汽车行业的发展进程。”
国内EDA和滤波器行业领导者，芯和半导体科技（上海）有限公司（以下简称“芯和半导体”）宣布，在刚刚召开的2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会上，芯和半导体喜获“中国芯”EDA优秀支撑服务企业奖。
“中国芯”集成电路产业促进大会是由中国电子信息产业发展研究院举办的全国性集成电路行业盛会，是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一。大会同期举办的“中国芯”优秀产品征集活动旨在对国内集成电路领域产品创新、技术创新和应用创新的成果进行表彰，发挥示范效应，影响和带动行业发展，已成为国内集成电路产品和技术发展的风向标和大检阅。
作为国内EDA行业的领导者，芯和半导体通过十一年的研发形成了一整套从芯片-封装到板级、覆盖半导体全产业链的仿真EDA解决方案。以系统分析为驱动，芯和半导体的仿真EDA打通了后摩尔时代IC设计的所有仿真节点，全面支持先进工艺和先进封装。
在先进工艺端，芯和半导体通过了各大晶圆厂的主流工艺的认证，提供了业界顶尖的片上芯片建模和仿真能力，保障芯片级的PPA。2021年，全球第二大晶圆厂三星宣布芯和半导体正式成为其SAFE-EDA生态系统合作伙伴，芯和半导体的片上无源电磁场（EM）仿真套件已成功通过三星晶圆厂的8纳米低功耗（8LPP）工艺技术认证。
在先进封装端，芯和半导体的仿真分析方案从传统封装延伸到2.5D/3DIC异构集成封装领域，提供了完善的仿真分析能力。2021年，芯和半导体牵手全球EDA排名第一的新思科技，发布了全球首个3DIC先进封装设计分析EDA平台。
此外，跟随着后摩尔时代以系统集成设计为发展的方向，芯和半导体在支持好先进工艺和先进封装的同时，构建了“电子系统”建模仿真分析EDA平台，包括射频系统分析平台和高速数字系统分析平台等，从系统集成设计和分析的角度来帮助设计师提升各种电子产品的PPA，缩短产品上市周期。
这些自主创新的产品，快速缩小了与国际领先EDA的差距，为国内外新一代高速高频智能电子产品的设计赋能和加速，为缓解国内半导体行业卡脖子的现状提供了优秀的支撑服务。
芯和半导体联合创始人、高级副总裁代文亮博士表示：“我们非常荣幸得到“中国芯”组委会和评选专家的认可，评选芯和半导体为2021年度“中国芯”EDA优秀支撑服务企业奖。芯和半导体将继续打磨差异化的EDA仿真求解技术、丰富的半导体合作伙伴生态圈以及云计算等一系列前沿技术，围绕5G移动通信、物联网、数据中心和汽车电子等领域推出更多强有力的EDA与芯片解决方案，服务国内半导体产业的蓬勃发展。”
关于芯和半导体
芯和半导体是国产EDA行业的领军企业，提供覆盖IC、封装到系统的全产业链仿真EDA解决方案，致力于赋能和加速新一代高速高频智能电子产品的设计。
芯和半导体自主知识产权的EDA产品和方案在半导体先进工艺节点和先进封装上不断得到验证，并在5G、智能手机、物联网、人工智能和数据中心等领域得到广泛应用，有效联结了各大IC设计公司与制造公司。
芯和半导体同时在全球5G射频前端供应链中扮演重要角色，其通过自主创新的滤波器和系统级封装设计平台为手机和物联网客户提供射频前端滤波器和模组，并被Yole评选为全球IPD滤波器领先供应商。
芯和半导体创建于2010年，前身为芯禾科技，运营及研发总部位于上海张江，在苏州、武汉设有研发分中心，在美国硅谷、北京、深圳、成都、西安设有销售和技术支持部门。如欲了解更多详情，敬请访问www.xpeedic.com。
日前，伟创力（纳斯达克股票代码：FLEX）宣布，伟创力中国自动驾驶团队凭借MARS II自动驾驶域控制器，斩获由业内权威杂志《汽车与配件》颁发的“2021中国汽车及零部件行业发展创新技术奖”，为伟创力在智能汽车领域再添殊荣。该奖项的评选自2013年起已连续举办8年，旨在对汽车工业领域做出杰出贡献的企业给予认可与表彰。
MARS II自动驾驶域控制器基于TI TDA4 SOC，通过灵活架构设计支持L2+行车域及RPA（机器人流程自动化）、AVP泊车域功能。在中国智能汽车行业迅速发展，L2、L2+自动驾驶技术应用快速增长的当下，MARS II自动驾驶域控制器能够解决多个市场痛点。MARS II自动驾驶域控制器具备人工智能运算功能的系统芯片（SOC），在满足算力要求的同时保证了小巧的体积，不需要风扇，更不需要液冷，软硬件平台全部开放, 客户可以在此基础上做定制开发。
MARS II自动驾驶域控制器已受广大客户认可，定点项目将在今年年底量产，产品生命周期订单超过300万套。同时，伟创力也持续投入MARS II自动驾驶域控制器的产品升级，将在2022年推出下一代产品MARS III域控制器平台，在算力提升到32TOPS、100K DMIPS的同时，保持软件的兼容性，大量节省目前客户的平台升级开发时间和研发成本。
伟创力汽车事业部在2005年成为独立事业部，在全球15个国家拥有30多个工厂和研发中心，为全球车企提供高质、柔性的制造服务体验，助推汽车工业转型升级。自动驾驶是伟创力的全球战略重点之一，凭借其在自动驾驶领域先进的产品开发制造与供应链经验，伟创力助力多个行业领先的自动驾驶项目开发与量产的快速落地实现。例如，伟创力与百度进行的深度合作，为其量身定制并量产了全球首个自动驾驶计算平台ACU(Apollo Computing Unit)，该产品荣获第六届中国汽车“铃轩奖量产— 智能驾驶类优秀奖”。双方通过资源、技术互补，实现了智能化与工业化的高度融合。
伟创力汽车事业部亚洲研发总经理唐心悦表示，“汽车行业正经历着IT、电子、电气技术与汽车技术相结合的技术洗礼，以及产品形态改变、产业链分工改变引发商业模式变革的阶段。所有汽车行业企业都面临这些前所未有的挑战和机遇。伟创力基于自身硬件设计与制造优势，积极探索创新技术，为智能、清洁的汽车行业发展添砖加瓦。”
伟创力汽车事业部将一如既往地秉持“扎根中国，深耕中国”的战略，通过强大的合作伙伴关系和创造性协作，不断助力中国汽车工业技术及生态的创新发展。
关于伟创力
伟创力是众多企业首选的制造合作伙伴，致力于为客户设计和制造让世界变得更美好的多元产品。通过遍布全球30个国家的人才团队，以及我们可靠和可持续的运营管理，伟创力为各个行业和终端市场提供创新技术、供应链和制造解决方案。更多信息，欢迎访问cn.flex.com，或关注我们的官方微信公众号：伟创力Flex（FlexChina）。
稿源：美通社
满足全方位工业应用范畴
全球专业内存和存储解决方案的领导品牌SMART Modular世迈科技（NASDAQ： SGH）宣布扩充旗下DuraFlash™ ME2 SATA SSD产品线，正式推出M.2 2242 SATA、mSATA（MO-300A）与 Slim SATA （MO-297A）等三款新品，借以补足M.2 2280 与 2.5" SATA SSD 以外的规范，让DuraFlash™产品线更趋完整。
SMART Modular世迈科技 ME2 SATA SSD 配备 M.2 2242、mSATA 和 Slim SATA，为各种工业应用最佳储存选项。 (照片：美国商业资讯)
全新ME2 SATA SSD系列为针对小尺寸或传统SSD规格需求的应用所设计，可为嵌入式运算、运输、医疗与工业应用之 最佳首选。 ME2系列产品使用3D TLC闪存技术，在商用温度（0°C~ 70°C）或工业宽温 （-40°C ~85°C） 情况下皆可正常运作;此外，ME2系列亦支持先进的LDPC调试校正机制，以及端对端数据路径保护功能， 可确保数据的高度完整性与可靠度。
ME2全系列产品皆搭载SMART Modular世迈科技独家开发的NVMSentry™固件技术，在发挥产品最佳效能的同时，更能提供完整的固件定制解决方案。 例如，固件算法可按照特定应用需求进行调整，附加其他专有功能，包括安全擦除和用户进阶安全性设置等，都能按不同应用情境来满足客户端之需求。
SMART Modular世迈科技闪存产品营销总监Victor Tsai表示，「藉由扩展ME2产品线，我们可为客户提供功能更强且完整的SATA 产品系列，让他们能从中挑选适合的品项去对应复杂多样的市场应用需求。」
此次添加的三款ME2 SATA SSD皆备有多种存储容量选择：M.2 2242提供60GB 至960GB 的容量，最高可支持560 MB/s读取及500 MB/s写入速度; mSATA 与Slim SATA则提供60GB至1920GB等容量，支持高达560MB/s读取与 520MB/s写入速度。
关于SMART Modular世迈科技
全球专业存储器与储存解决方案的领导者SMART Modular世迈科技于美国加州成立超过三十年，为美国纳斯达克挂牌上市公司（NASDAQ： SGH），致力于开发中高阶工业及企业级嵌入式存储器产品，包含DRAM 内存模块、SSD固态硬盘、混合式解决方案等，除了标准化与强固型规格外，更针对不同产业应用提供客制化服务，跨足电脑、网通、电信、储存设备、移动装置、军事、航空及工业应用等。 SMART Modular世迈科技提供高度定制的产品设计能力、严谨可靠的测试服务与实时专业的技术支持，并与全球领导OEM客户紧密合作，从产品设计到上市，均能提供高效可靠的解决方案，满足各类工控产业的需求。 更多信息请参考： www.smartm.com/ch
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TDK集团（东京证券交易所代码：6762）推出新的HVC43 (B88269X3**0C011) 系列产品，扩展了其无极性直流高压接触器的产品范围。新产品的连续工作电流为150 A DC 到 250 A DC，最高工作电压可达1000 V DC，可选12 V或24 V线圈，功耗为6 W。
新的HVC43系列产品为78 x 40.4 x 74.5 mm（长x宽x高）的紧凑尺寸，重300克。相比于针对1200 V DC 和500 A DC持续电流设计的HVC200、HVC300和HVC500系列产品，其尺寸和重量减少了30%。
新系列接触器配备一个密闭的气体填充型陶瓷电弧室，具有出色的灭弧性能，专为快速切断车载锂离子电池、充电站或储能系统中的大直流电流而设计。
主要应用
切断车载锂离子电池的大直流电流
充电站
储能系统
主要特点和优势
无极性设计
开关电压：高达1000 V DC；电流：高达250 A DC
配备气体填充型陶瓷电弧室，可快速切断大电流
尺寸小，重量轻
特点
型号 | 连续负载电流 [A DC] | 线圈电压 [V DC] | 订购编码 |
|---|---|---|---|
HVC43-150A-12 | 150 | 12 | B88269X3230C011 |
HVC43-150A-24 | 150 | 24 | B88269X3330C011 |
HVC43-200A-12 | 200 | 12 | B88269X3220C011 |
HVC43-200A-24 | 200 | 24 | B88269X3340C011 |
HVC43-250A-12 | 250 | 12 | B88269X3210C011 |
HVC43-250A-24 | 250 | 24 | B88269X3350C011 |
如需了解该产品的更多信息，请访问 www.tdk-electronics.tdk.com.cn/zh/hvc_presentation