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作者：Ling Jiang，高级经理

Wesley Ballar，高级工程师

Anjan Panigrahy，产品应用工程师

Henry Zhang，ADI公司院士

摘要

许多电源转换应用都需要支持宽输入或输出电压范围。ADI公司的一款大电流、高效率、全集成式四开关降压-升压型电源模块可以满足此类应用的需求。该款器件将控制器、MOSFET、功率电感和电容集成到先进的3D集成封装中，实现了紧凑的设计和稳健的性能。这款µModule®稳压器支持非常宽的输入和输出电压范围，拥有高功率密度、优越的效率和出色的热性能。本文重点介绍了该款器件的多功能性，展示了它在各种拓扑中的应用，包括降压拓扑、升压拓扑和适用于负输出应用的反相降压-升压配置。

四开关降压-升压拓扑用作降压型稳压器

ADI公司推出了多款40 V降压型µModule稳压器。图1重点展示了最大负载电流在 4 A以上的几款现有稳压器，但这些降压型稳压器支持的电压和电流范围有限。采用新推出的四开关降压-升压型µModule稳压器LTM4712作为降压转换器，可以显著拓展工作范围，从而简化客户的系统设计。

图1.40 V_IN (>4 A)降压型µModule稳压器。

该款四开关降压-升压转换器可以轻松配置为降压转换器，无需任何特殊调整。当V_IN > V_OUT时，内部控制器会让功率FET M3保持关断，而M4保持导通。M1和M2会调节输出，就像标准降压转换器一样运行，如图2所示。与之前的降压稳压器LTM4613相比，尽管M4引入了额外的传导损耗，但新器件仍然实现了更高的能效比，如图3所示。这一改进是MOSFET和电感技术进步的结果。

表1显示了无强制散热措施下的热性能比较，凸显了降压-升压转换器的效率优势。新器件提供的功率虽然比降压调节器高得多，但工作温度反而更低，而且尺寸相似

图2.用作降压型稳压器。

图3.降压模式效率和电流能力比较：(a) 5 V_OUT效率，(b) 12 V_OUT效率。

表1.降压模式热性能比较，TA = 25°C，无强制散热措施

四开关降压-升压拓扑用作升压型稳压器

如图4所示，ADI公司之前已经发布了一款40 V升压型μModule稳压器。LTM4656支持最大4A电流，而新发布的四开关降压-升压转换器在用作升压调节器时，可以处理更高的负载电流。

图4.ADI 40 V升压型稳压器系列。

在V_IN < V_OUT的应用中使用该款四开关降压-升压转换器时，内部开关M1保持导通，而M2保持关断。M3和M4会自然地调节输出，就像典型升压转换器一样，如图5所示。与缺乏输出短路保护的标准升压转换器不同，该款四开关降压-升压转换器具备固有的短路保护功能。如果输出短接到地，M1和M2将像降压转换器一样切换，限制从输入流到输出的电流。最大短路电流受输入或输出路径中的R_SENSE电阻或峰值电感限流值（以较低者为准）的限制。此外，在初始V_IN快速上升阶段，常规升压转换器通常会有不受控制的高冲击电流通过升压二极管，对C_OUT充电。该款四开关降压-升压转换器在V_OUT较低时始终以降压模式启动，因此其输入冲击电流受到电感电流软启动的严格控制和限制。总之，相比常规升压调节器，该款四开关降压-升压转换器可实现更可靠的升压转换器。

图5.用作升压调节器，具备固有的输出短路保护功能。

图6和表2比较了该款四开关降压-升压型µModule稳压器与降压型µModule稳压器的效率、功率能力和热性能。第一款器件表现出优越的效率、更大的电流处理能力和明显更好的热性能。两款稳压器尺寸相同，均为16 mm × 16 mm。

图6.升压模式效率和电流能力比较：(a) 24 V_OUT效率，(b) 36 V_OUT效率。

表2.升压模式热性能比较，TA = 25°C，无强制散热措施

四开关降压-升压拓扑用作反相降压-升压型稳压器以提供负输出电压

与标准降压转换器类似，该款四开关降压-升压转换器也可配置为反相降压-升压拓扑，以用于负输出应用。如图7所示，M1和M2以互补方式切换；在此操作期间，M3关断，M4导通。请注意，最大电压V_MAX = |V_IN|+|V_OUT|必须小于40 V，即该器件的最大额定电压。流过电感的直流电流I_L的幅度计算公式为I_L = I_OUT/(1-D)，其中D是包含M1和M2的相位臂的占空比，M1是主开关。

图7.配置为反相降压-升压型稳压器。

图8为反相配置的电路示例，该电路设计为24 V输入和-12 V输出，支持高达10 A的负载电流。图9显示了从基准平台测试获得的效率曲线。

图8.反相配置的电路示例。

图9.基准平台测试的-12 V_OUT效率曲线。

在反相降压-升压转换器中，输出电压在启动期间可能会略微上升至零伏以上。将该款四开关降压-升压型稳压器配置为反相模式时，也观察到同样的行为。

图10展示了启动期间输出电压反向的原理。在输入电源接通后，但在所有四个MOSFET开始切换之前，输入电流开始通过两条路径反向对输出电容充电：其一是通过跨接在M1和M2上的C_IN去耦电容，其二是通过INTV_CC电容路径。如果C_IN或C_INTVcc明显大于C_OUT，则可能出现更高的反向输出电压。

然而，µModule稳压器内部存在固有的箝位电路，如图11所示。V_SD3和V_SD4分别表示M3和M4的源漏电压。当-V_OUT > V_SD3 + V_SD4时，M3和M4的体二极管导通，接管充电电流。这两个体二极管形成一个自然箝位电路。换句话说，最大反向输出电压为V_SD3 + V_SD4。

图12显示了启动期间基准平台测试的反向输出电压波形。在图12a中，反向-V_OUT的幅度约为+0.75 V，与C_OUT (330 µF)相比，电路中的C_IN (50 µF)有限。将C_IN增加至350 µF时，观察到反向-V_OUT升高至+1.5 V，如图12b所示。

C_IN与C_OUT的比率可以调整，以使正输出电压最小。在达到内部箝位电压V_sd3 + V_sd4之前，比率越小，正输出电压越低。此外，输出端可以添加一个外部低正向压降箝位肖特基二极管，以将正电压限制在所需水平，如图8所示。

图10.启动期间的充电电流流动路径。

图11.四开关降压-升压转换器中的自然箝位电路。

图12.启动期间的反向-V_OUT波形：(a)与C_OUT (330 μF)相比，C_IN (50 μF)相对较小；(b)与C_OUT (330 μF)相比，C_IN (350 μF)相对较大。

结语

该款四开关降压-升压型稳压器可以直接用作降压或升压型稳压器，无需任何特殊配置。基准测试已验证，与现有其他降压或升压型µModule稳压器相比，新推出的降压-升压型µModule拥有更高的效率、更好的热性能和更强的电流处理能力。此外，该款四开关降压-升压转换器可以轻松配置为反相降压-升压型稳压器，以满足负输出应用的需要。该款器件的效率也非常高，在基准测试中得到了证实。此外，本文讨论了瞬时反向输出电压行为背后的机制，并提供了应对此类问题的设计指南和解决方案。

若要全面了解如何正确使用这款新推出的四开关降压-升压型μModule稳压器，建议参考数据手册和相关的评估套件设计。该款器件还受到LTpowerCAD^®设计工具和LTspice^®仿真工具的支持。这些资源提供了宝贵的见解和技术规范，对于用户在不同应用中优化性能至关重要。

参考文献

Ling Jiang、Wesley Ballar、Anjan Panigrahy、Henry Zhang，“µModule Regulator Achieves Highest Power Efficiency”，Electronic Products，2024年10月。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司，致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁，以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案，推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展，应对气候变化挑战，并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2024财年收入超过90亿美元，全球员工约2.4万人。ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息，请访问www.analog.com/cn。

作者简介

Ling Jiang于2018年毕业于田纳西大学诺克斯维尔分校，获电气工程博士学位。毕业后，她加入了ADI公司电源产品部，工作地点位于美国加利福尼亚湾区。她目前是一名应用经理，负责支持针对多市场应用的μModule^®产品。

Wesley Ballar是多市场应用部门的高级产品应用工程师，主要负责µModule^®产品支持工作。自2016年加入ADI公司以来，他在不同岗位上为µModule团队提供支持。Wesley于2015年毕业于加州州立理工大学，获电气工程学士学位。

Anjan Panigrahy于2023年毕业于德克萨斯大学奥斯汀分校，获电气与计算机工程学位，主修电力电子学。他现担任ADI公司多市场应用部门的产品应用工程师，从事μModule^®稳压器支持工作。

Henry Zhang是ADI公司院士。他于1994年获得中国浙江大学颁发的电子工程学士学位，分别于1998年和2001年获得弗吉尼亚理工学院暨州立大学（黑堡）颁发的电子工程硕士学位和博士学位。他于2001年加入凌力尔特（现在已成为ADI的一部分）。

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稿源：美通社

CFP15B封装为DPAK封装的MJD系列提供更紧凑、更具成本效益的替代方案

Nexperia今日宣布扩展其双极性晶体管(BJT)产品组合，推出12款采用铜夹片封装(CFP15B)的MJD式样的双极性晶体管。这款名为MJPE系列的新产品旨在满足工业与汽车领域对更高功率效率、更具成本优势设计方案的持续需求。与传统DPAK封装的MJD晶体管相比，采用CFP15B封装的MJPE系列产品在保证性能不受影响的前提下，能显著节省电路板空间并带来成本优势。

该新品系列包含6款车规级产品（如MJPE31C-Q）和6款工业级产品（如MJPE44H11），其V_CEO额定值包括50 V、80 V和100 V，集电极电流(I_C)包括2 A、3 A和8 A，同时提供NPN与PNP两种型号。这些BJT进一步丰富了Nexperia广泛的CFP产品组合，该组合已涵盖多种肖特基二极管与恢复整流功率二极管。此举是推动多产品类别封装尺寸标准化的又一举措，将助力简化PCB设计并优化供应链。

CFP15B封装的BJT应用场景广泛，包括电池管理系统(BMS)电源、电动汽车(EV)车载充电器及视频显示器背光驱动等，其热性能与传统产品相当（车规级产品可在高达175℃的环境下工作），但焊接面积缩减53%。此外，CFP15B封装的铜夹片技术不仅赋予器件优异的机械稳定性，还能提升其电气与热性能。

Nexperia功率双极分立器件产品组经理Frank Matschullat表示：“随着高性能微控制器日益普及，业界正在向多层印刷电路板转变，封装因此成为散热系统中的关键部分。现代CFP封装技术专为多层PCB设计，能在大幅缩小的尺寸下实现同等电气性能，有助于降低器件及整体系统成本。市场对CFP封装产品的需求不断增长，而这类产品对汽车与工业应用的前瞻性发展至关重要。为满足这一需求，Nexperia已显著提升各项产能，包括MJPE系列BJT。

欲了解有关Nexperia双极性晶体管产品组合的更多信息，请访问：nexperia.cn/MJPE

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF  16949、ISO 9001、ISO  14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

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