要点：

• 骁龙G系列游戏平台产品组合凭借G1、G2和G3，现已覆盖三个层级，其中第二代骁龙^®G3x是最新的旗舰级游戏平台。

• 骁龙G系列产品组合的扩展有助于满足游戏内容、功能和成本日益多样化的需求，从而赋能更广泛的手持游戏设备和终端形态。

• AYANEO、华勤技术、英业达和创通联达等企业正与高通合作，打造搭载骁龙G系列游戏平台的手持游戏设备。

高通技术公司宣布推出全新骁龙^®G系列手持游戏产品平台组合，旨在满足专用游戏设备的独特性能和特性需求。全新骁龙G系列游戏平台将解锁热门游戏的更多畅玩方式，支持玩家随时随地无限畅享喜爱的游戏。

• 骁龙G1系列旨在为无风扇手持游戏设备，提供本地和云游戏流媒体传输。骁龙G1专为无卡顿的连接和电池续航优化，助力玩家以出色品质更持久地畅玩喜爱的主机游戏和PC游戏。第一代骁龙G1游戏平台是骁龙G1系列的首款产品，拥有8核高通Kryo^™ CPU和高通Adreno^™ A11 GPU，支持高质量的手持游戏流传输设备。

• 骁龙G2系列旨在开启功能全面的移动游戏和云游戏体验，采用高度优化的处理器和高通FastConnect^™ 6700移动连接系统，带来先进的5G和Wi-Fi 6/6E连接。第一代骁龙G2游戏平台是该系列的首款产品，能够提供随时随地畅享顶级移动游戏和云游戏的体验。该平台采用最新8核Kryo CPU、面向游戏优化的Adreno A21 GPU和骁龙X62 5G调制解调器及射频系统，让玩家能够尽情探索移动游戏和云游戏支持的全部体验。

• 骁龙G3系列是专门面向顶级特性和性能打造的旗舰级产品，充分发挥了高通技术公司卓越的游戏创新能力。搭载第一代骁龙G3x游戏平台的Razer Edge 5G备受认可，在此基础上，采用骁龙G3系列游戏平台的设备经过持续打磨，将跨越广泛游戏生态系统，提供业内领先的游戏体验。第二代骁龙G3x游戏平台是旗舰级骁龙G3系列的最新产品，采用8核Kryo CPU和Adreno A32 GPU，与前代平台相比，CPU性能提升超30%，GPU性能翻倍[1]。最新平台带来跨越代际的性能提升以及众多高端游戏特性，包括硬件加速光线追踪、游戏超级分辨率、XR眼镜连接、支持Snapdragon Sound^™骁龙畅听技术套件的顶级低时延蓝牙音频，以及通过Wi-Fi 7高频并发(HBS)技术和5G sub-6GHz与毫米波实现的响应极快的无线连接速度。

为了帮助更多高端专用游戏设备快速推向市场，并加速面向下一代手持游戏设备的客户产品开发进程，第二代骁龙G3x手持游戏参考设计现已推出，并正在向部分OEM和ODM厂商出样。有关客户的产品信息将在后续发布。

高通技术公司产品管理高级总监Mithun Chandrasekhar表示：“专用手持游戏设备是体验移动游戏的最佳方式。玩家希望能够在不同终端和生态系统上畅玩他们所喜爱的游戏，

无论是游戏主机、PC，还是云服务。新一代骁龙G系列游戏平台赋能的设备将成为游戏玩家畅玩心仪大作的绝佳选择，即便在移动状态下，玩家也能够随时随地尽享云端、游戏主机、Android或PC端游戏。”

欲了解更多骁龙G系列产品组合赋能的顶级技术和体验，请访问产品页。

关于高通公司

高通公司正在赋能人与万物智能互联的世界。基于“统一的技术路线图”，我们将驱动智能手机变革的众多技术——包括先进的连接、高性能低功耗计算、终端侧智能等，高效地扩展至不同行业中的下一代智能网联终端。高通和骁龙平台带来的创新将助力实现云边融合，变革众多行业，加速数字经济发展，并改变我们体验世界的方式，创造更加美好的生活。

高通公司包括技术许可业务（QTL）和我们绝大部分的专利组合。高通技术公司（QTI）是高通公司的全资子公司，与其子公司一起运营我们所有的工程、研发活动以及所有产品和服务业务，其中包括半导体业务QCT。骁龙和高通品牌产品是高通技术公司和/或其子公司的产品。高通专利技术由高通公司许可。

[1] 与第一代骁龙G3x游戏平台相比

作者：电子创新网张国斌

目前，中国已经成为开源指令集RISC-V重要推动力量，各种媒体、大学、芯片公司、工具厂商、第三方组织都在传播RISC-V，仅在8月23日这一周，就有三场关于RISC-V的盛会召开，8月21日，RISC-V中国峰会暨第二届厦门源芯片产业生态论坛在厦门召开，8月23日，第三届RISC-V中国峰会在北京召开，8月28日，第三届滴水湖中国RISC-V产业论坛在上海滴水湖召开。

在今天的第三届滴水湖中国RISC-V产业论坛开幕式上，中国 RISC-V 产业联盟理事长，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民在开幕式致辞中表示，目前中国有两个RISC-V联盟，本次会议主办单位中国RISC-V产业联盟重在RISC-V在中国的产业推广和应用。

他表示，去年有超过1万人通过线上线下形式观看了第二届滴水湖中国RISC-V产业论坛，在那次论坛上共推介了11款RISC-V产品，这些产品大多瞄准物联网应用，大部分都有量产。其中泰凌微电子推介专为物联网应用打造的无线连接SoC芯片TLSR9出货已有近千万颗，TLSR9是泰凌首颗采用RISC-V内核的芯片产品，该芯片内置32位RISC-V MCU，集成DSP和浮点运算扩展指令，并搭载了独立的低功耗AI引擎对传感器和语音信号进行实时处理。支持多种先进的IoT连接技术规范，包括经典蓝牙、蓝牙低功耗、蓝牙Mesh、Zigbee、Apple HomeKit、Apple Find My、Thread、Matter、2.4GHz专有协议及各类RTOS，并且能够实现部分多协议并行操作。

其他公司推介的芯片出货量在数十万到数万之间，不过也有一些车规级产品还未量产，戴伟民解释说这是车规级芯片从测试到量产需要较长的周期。

戴伟民表示目前中国是RISC-V的重要推手，在RISC-V超过百亿的出货量中，中国公司占据一半以上。

在今天的第三届滴水湖中国RISC-V产业论坛上，十家本土公司推介的芯片已经扩展到多核服务器、高能效数据存储及I/O管理基础设施芯片、边缘大算力AP级边缘SoC、4G Cat1广域物联网芯片等，更进一步拓展了RISC-V的应用边界。

与安川电机公司合作取得的这项成果，充分利用了 Transphorm常关型平台的基本优势。

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日－新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑，证明 Transphorm 的氮化镓器件能够满足伺服电机、工业电机和汽车动力传动系统等传统上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的坚固型功率逆变器所需的抗短路能力 --- 氮化镓在这类应用领域未来五年的潜在市场规模(TAM)超过 30 亿美元。

该项目的开发得到了安川电机公司的支持，安川电机是Transphorm的长期战略合作伙伴，同时也是中低电压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导者之一。与现有解决方案相比，氮化镓可以实现更高的效率和更小的尺寸，也让氮化镓成为伺服系统应用中极具吸引力的功率转换技术，为此，氮化镓必须通过该领域要求的严格的稳健性测试，其中最具挑战性的是需要承受住短路冲击，当发生短路故障时，器件必须在大电流和高电压并存的极端条件下正常运行。系统检测到故障并停止操作有时可长达几微秒时间，在此期间，器件必须能承受故障带来的冲击。

安川电机公司技术部基础研发管理部经理 Motoshige Maeda 说：“如果功率半导体器件不能承受短路，那么系统本身很可能发生故障。业界曾经有一种根深蒂固的看法，认为在类似上述重型电源应用中，氮化镓功率晶体管无法满足短路耐受要求。安川电机与Transphorm 合作多年，我们认为这种看法是毫无根据的。今天也证明我们的观点是正确的。我们对Transphorm团队所取得的成果感到兴奋，并期待能展示我们的产品设计是如何受益于这一全新的氮化镓器件特性。”

这项短路技术已在Transphorm新设计的一款15mΩ 650V 氮化镓器件上进行了验证。值得注意的是，在 50 kHz 的硬开关条件下，器件的峰值效率达到 99.2%，最大功率为12kW , 不仅展示了器件的优良性能和高可靠性，也符合高温高电压应力规格要求。

Transphorm 联合创始人兼首席技术官 Umesh Mishra 表示：“标准的氮化镓器件只能承受持续时间为几百分之一纳秒的短路，这对于故障检测和安全关断操作来说太短了。然而，凭借我们的cascode架构和关键专利技术，在不增设外部组件的情况下，Transphorm实现了将短路耐受时间延长至5微秒，从而保持器件的低成本和高性能特点。Transphorm了解高功率、高性能逆变器系统的需求，Transphorm超强的创新能力有着悠久的历史沿革，我们可以自豪地说，这些经验帮助我们将氮化镓技术提升到新的水平，这再次证明了Transphorm在高压氮化镓稳健性和可靠性的全球领先地位，在氮化镓于电机驱动和其他高功率系统应用上改变现有局势并扮演关键的角色。”

对SCWT成果的完整介绍、演示分析以及更多的相关内容，将在明年的大型电力电子会议上发表。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormchina.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。

作者：Andreea Pop，系统设计/架构工程师，以及

Antoniu Miclaus，系统应用工程师

目标

本次实验的目标是利用磁场生成和检测原理去构建简单的接近检测器，并观察检测器输出电压是如何随着电磁体越来越靠近传感器而增加的。

背景知识

简单的接近传感器可检测物体对象之间的距离，可用于多种应用，从简单的门窗开关检测到复杂的高精度绝对位置检测器，应用广泛。接近传感器可采用多种方式设计，其中一种涉及检测磁体（通常为永磁体，但也可能是电磁体）产生的磁场强度。在本次实验中，我们使用铁氧体磁芯螺线管产生磁场。螺线管是一种以圆柱形方式缠绕着磁芯（通常用于制造具有特定电感值的电感）或电磁体的线圈。

ADALP2000模拟部件套件中的100 μH电感用于产生足够强的磁场，并且能够被该套件中集成的AD22151磁场传感器检测到。AD22151是一款线性磁场传感器，其输出电压与垂直施加于封装上表面的磁场成比例。AD22151磁场传感器的工作原理基于霍尔效应。在磁场环境下，当电流流经某个导体时，导体两端就会产生电压（霍尔电压），这种现象就是霍尔效应。运动电荷在磁场中受洛伦兹力作用会发生偏转，从而形成电场，产生霍尔电压。

材料

►ADALM2000主动学习模块

►无焊试验板和跳线套件

►四个100 Ω电阻

►一个100 μH电感

►一个AD22151磁场传感器

►两个470 Ω电阻

►一个100 kΩ电阻

►一个0.1 μF电容

►一个10 μF电容

►一个200 kΩ电阻

►一个LED

硬件设置

首先，在无焊试验板上构建图1所示的电磁体电路。

图1.电磁体电路。

将包含AD22151磁场传感器的霍尔效应传感器电路（图2）添加到无焊试验板中。

图2.霍尔效应传感器电路。

试验板连接如图3所示。

图3.磁性接近传感器试验板连接。

程序步骤

使用信号发生器W1生成一个恒定的5 V信号，作为AD22151的V_CC输入。打开至5 V的正电源，为电磁体供电。当电磁体远离芯片且传感器附近不存在磁场时，示波器的通道1将显示AD22151的输出。

此电压相当于零高斯点，理想情况下为中点电源电压，采用5.0 V电源时为2.5 V，但由于传感器和运算放大器中的直流偏置要乘以运算放大器的闭环增益，所以该电压与中点电源电压不同。

图4.输出失调电压。

如果将电磁体更靠近芯片，输出电压随磁场强度成比例地增加。在图5中，可以看到电压如何随电磁体越来越靠近芯片而增大。当电磁体离芯片较远时，电压将再次降低，直至达到零高斯失调电压。

图5.输出电压变化。

我们可以在5.0 V电源和引脚6的运算放大器求和节点之间添加一个电阻R4，以改变输出失调电压。这样在无外加磁场的情况下，能够使传感器输出电压尽可能接近其线性范围的下限。接下来，我们来计算R4值。

我们指定V_CC为AD22151的电源电压，V_MID为中点电源电压。

在通道2使用电压表工具测量V_CC。要计算R4，必须清楚运算放大器求和节点的输入和输出电流。通过R2的电流定义为I_R2。在理想情况下，此电流为零，因为其每侧的电压为V_MID，但零场内部霍尔效应传感器输出电压与内部缓冲电压V_REF之间会存在一个较小的失调电压。对于低增益电路，此电压在许多情况下可忽略不计，但在高增益电路中（如本例）我们必须加以考虑。

使用电压表测量并记录引脚7处的电压，并将其定义为V_REF。使用电压表测量并记录引脚6处的电压，并将其定义为V_CM；此为运算放大器输入端的共模电压，并且由负反馈驱动至非常接近内部霍尔效应传感器的输出。计算R2两端的电压：

V_R2 = V_REF – V_CM                                                     (1)

流经R2的电流为：

I_R2 = V_R2/235 Ω                                                         (2)

计算流经反馈电阻R3的电流时可考虑电磁体远离芯片时的传感器输出电压，相当于传感器的零高斯点。将此电压定义为V_OUT,Z，然后计算电流：

I_R3 = (V_CM – V_OUT,Z)/100 kΩ                                     (3)

计算将V_OUT,Z从其当前电平降至较低电平（本例中为0.5 V）所需的电压偏移量。请注意，这是一个负值，计算公式如下：

V_SHIFT = 0.5 V – V_OUT,Z                                             (4)

通过反馈电阻R3使V_OUT,Z偏移至0.5 V所需的额外电流I_SHIFT的计算公式如下：

I_SHIFT = V_SHIFT/100 kΩ                                                 (5)

请注意，这是一个负值，因为V_SHIFT为负数。通过R4（用于产生所需失调电压）流入求和节点的电流(I_R4)与I_SHIFT的方向相反，因此可以写成I_R4 = –I_SHIFT，为正值。

计算R4的值，注意R4两端电压为V_CC与V_CM之差，计算公式如下：

R4 = (V_CC – V_CM)/IR4                                                                     (6)

图6.包含电阻R4（可改变失调电压）的电路。

从套件中选择一个最接近R4计算值的电阻。四舍五入产生的误差会导致更高的输出电压。将R4置于电路中，如图6中的原理图所示。此外，图8中也显示了如何将此电阻置于试验板中。在这种情况下，套件中可用的最接近阻值为200 kΩ。在示波器的通道1，可以看到输出失调电压已降至其线性范围的下限，接近所需的0.5 V电平。

图7.输出失调电压已降低。

带LED指示灯的磁性接近传感器

可将接近传感器输出端的LED用作视觉指示器。可按照图8中所示进行连接。将100 Ω电阻置于LED的阳极和传感器输出端之间。这可以限制通过LED的电流。将阴极连接至GND。您会发现，电磁体越靠近芯片，LED灯越亮，因为磁场会使传感器的输出电压升高。

图8.带LED指示灯的磁性接近传感器。

问题：

1.如果改变电感值，电路响应将如何变化？

2.为什么要降低输出失调电压？您可以在学子专区论坛上找到问题答案。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司，致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁，以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案，推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展，应对气候变化挑战，并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2022财年收入超过120亿美元，全球员工2.4万余人。携手全球12.5万家客户，ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息，请访问www.analog.com/cn。

关于作者

Andreea Pop自2019年起担任ADI公司的系统设计/架构工程师。她毕业于克卢日-纳波卡理工大学，获电子与通信学士学位和集成电路与系统硕士学位。

Antoniu Miclaus现为ADI公司的系统应用工程师，从事ADI教学项目工作，同时为Circuits from the Lab^®、QA自动化和流程管理开发嵌入式软件。他于2017年2月在罗马尼亚克卢日-纳波卡加盟ADI公司。他目前是贝碧思鲍耶大学软件工程硕士项目的理学硕士生。他拥有克卢日-纳波卡科技大学电子与电信工程学士学位。