作者：电子创新网张国斌
周一晚间传出消息，称全球第五大专业晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries也称格芯）正与全球第四大代工厂联华电子（简称联电）洽谈合并事宜。
受此消息影响，联电美股大涨9%！
而格罗方德股票只是小幅波动。
显示资本对于两家公司合并有相反的认知，据传，合并评估方案显示，格芯与联电合并后的总部将会设在美国，而生产基地将分布于亚洲、美国以及欧洲。根据评估结果，合并后的新公司计划在美国加大研发投入力度，未来有望成为全球最大的芯片代工企业台积电的主要竞争者。
合并的可能性
虽然两公司辟谣说没有合并可能，但是，目前在中国台湾地区，联电是仅次于台积电的第二大芯片制造商，近日台积电不断加码在美国的投资，昨晚台积电高级副总裁Peter Cleveland在美国表示，该企业在美子公司TSMC Arizona的第二座先进制程晶圆厂正在建设中，而台积电对第三晶圆厂的态度是希望尽快动工，这需要美国政府在环评认证流程上配合。
根据美国官方《芯片与科学法案》相关网页，TSMC Arizona第二晶圆厂将提供3nm FinFE 制程产能，预计将于2028年投产；而第三晶圆厂将深入2nm和A16的Nanosheet (GAA) 制程，有望在本十年末投产。
在这之前，芯片代工巨头台积电计划对美国工厂追加投资1000亿美元，以提升其在美国本土的芯片产能，并支持特朗普壮大国内制造业的目标。
美国要扩大芯片制造比重，仅仅靠先进制程还是不够的，而联电和格罗方德主要集中在成熟制程和特色工艺。据外媒报道拜登政府和特朗普政府都曾“多次敦促”联电在美国新建或收购现有生产设施、扩大产能，但都遭到联电回绝，称在美国运营工厂的成本过高。
据2025年2月消息，联电8英寸产能（.13/.18/.35等节点）的产能利用率为50%，整体需求较为疲软。2024年第三季度，联电12A厂的12英寸季产能在增加1.7万片后，达到40万片以上。此外，联电新加坡22nm新厂预计2025年初量产，其初期月产能上看3万片。
2024年第二季度，联电产能利用率为68%，2024年第三季度产能利用率约为70%，2024年第四季度产能利用率维持在70%左右。
2025年第一季度，联电预估晶圆出货量持平，产能利用率将维持在和2024年第四季相当的70%左右。
2024年第二季度，22/28nm晶圆营收占比持续上升，达到33%。2024年全年，22/28nm产品仍占营收主要贡献，年增15%。2024年第二季度，40nm制程占比从上季度的14%下降至12%。
而格罗方德（GlobalFoundries）专注于为客户提供广泛的半导体制造工艺技术。其成熟工艺主要集中在28纳米及以上制程，这些工艺在性能、功耗和成本之间取得了良好的平衡，广泛应用于多个领域。
主要成熟工艺节点
28HKMG（High-K Metal Gate）工艺：这是格罗方德在28纳米节点的高性能工艺，适用于高性能计算、移动设备和通信等领域。它采用了高K值介电材料和金属栅极技术，能够有效降低漏电流，提高晶体管性能。
28LP（Low Power）工艺：该工艺专注于低功耗设计，适用于对功耗敏感的应用场景，如物联网设备和移动设备。它通过优化晶体管结构和工艺参数，实现了较低的动态功耗和静态漏电流。
28SLP（Super Low Power）工艺：进一步优化了功耗表现，适用于超低功耗应用，如可穿戴设备和传感器。
40纳米工艺
40LP（Low Power）工艺：适用于中低端移动设备、嵌入式系统和物联网设备。该工艺在功耗控制和成本效益方面表现出色，能够满足对性能要求不高但对功耗和成本敏感的应用需求。
40GS（General Purpose）工艺：适用于一般用途的集成电路设计，提供了良好的性能和功耗平衡。
55纳米及更高制程
55纳米工艺：主要用于低功耗、低成本的嵌入式系统和传感器应用。该工艺在功耗和成本方面具有显著优势，适合大规模量产的低功耗设备。
90纳米和130纳米工艺：这些更成熟的工艺节点主要用于特定应用，如汽车电子、工业控制和模拟电路等。它们在可靠性、成本和功耗方面表现出色，适用于对性能要求不高的应用场景。
特殊工艺技术
22FDX（22nm Fully Depleted Silicon on Insulator）工艺
22FDX是一种22纳米的全耗尽绝缘硅（FD-SOI）工艺，具有高性能、低功耗和高集成度的特点。它通过在硅基底上增加一层绝缘层，减少了漏电流，提高了晶体管的性能和能效。
该工艺特别适用于物联网、汽车电子和5G通信等领域，能够满足这些领域对低功耗和高性能的需求。
RF-SOI（Radio Frequency Silicon on Insulator）工艺
格罗方德在RF-SOI工艺上具有丰富的经验，自2007年推出以来，已经交付了超过165亿件RF-SOI产品。该工艺主要用于射频前端模块，能够满足智能手机等移动设备对高性能射频器件的需求。
RF-SOI工艺具有高集成度、低功耗和高性能的特点，适用于5G通信、物联网和汽车电子等领域的射频应用。
应用领域
格罗方德的成熟工艺广泛应用于以下领域：
汽车电子：28纳米及以上的工艺被广泛用于汽车MCU（微控制单元）、自动驾驶雷达和汽车显示器等应用。
物联网：40纳米和55纳米工艺适用于低功耗、低成本的物联网设备，如传感器和可穿戴设备。
移动设备：28纳米和40纳米工艺被用于中低端智能手机和平板电脑等移动设备。
通信基础设施：22FDX工艺适用于5G通信基站和相关设备，能够提供高性能和低功耗的解决方案。
数据中心：格罗方德的硅光子技术用于数据中心的高速数据传输，替代传统的铜线。
从两公司代工的领域来看，可以形成良好的互补，如果合并，更可以和台积电在美国的先进制程形成互补，去年12月， 美国就启动了对中国造成熟制程芯片的301贸易调查，并审查成熟制程芯片应用于美国国防、汽车、医疗、航空航天、电信、电网等下游领域的具体情况。
美国官方预计，未来三到五年内，中国预计将占全球新增成熟节点半导体制造产能的几乎一半，并声称，这将导致美国在成熟半导体领域的供应链产生对中国的依赖。
所以为了覆盖完整端芯片制造以及对抗中国的成熟制程挑战，两公司合并的可能性很大。
目前，在全球芯片代工市场，联电与格芯的市场份额均接近5%，处于第二梯队的位置。联电在2023年的营收为2323亿新台币（约合72.1亿美元），净利润达到472亿新台币，展现了稳健的盈利能力。而格芯同期营收为67.5亿美元，但出现了2.65亿美元的净亏损，显示出公司在盈利方面的挑战依然存在。
根据2024年第四季度的最新数据，以下是全球晶圆代工厂的排名及市场份额情况：
全球晶圆代工厂排名（2024年Q4）
| 排名 | 公司名称 | 营收（亿美元） | 市场份额（%） |
|------|----------------|----------------|---------------|
| 1 | 台积电（TSMC） | 268.5 | 67 |
| 2 | 三星（Samsung）| 32.6 | 8.1 |
| 3 | 中芯国际（SMIC）| 22.0 | 5.5 |
| 4 | 联电（UMC） | 18.7 | 4.9 |
| 5 | 格芯（GlobalFoundries）| 18.3 | 4.8 |
| 6 | 华虹集团（HuaHong）| 未明确 | 约3.5 |
| 7 | 高塔半导体（Tower）| 3.87 | 1.0 |
| 8 | 世界先进（Vanguard）| 3.57 | 0.9 |
| 9 | 合肥晶合（Nexchip）| 未明确 | 约0.8 |
| 10 | 力积电（PSMC）| 未明确 | 约0.8 |
根据TrendForce的预测，到2025年，全球晶圆代工市场的份额将有所变化：台积电预计将继续占据主导地位，市场份额约为66%。三星预计市场份额约为9%。中芯国际、联电和格芯预计市场份额均为5%，并列第三。
所以如果两公司合并，合并后的两公司市场份额有望突破9%，有望超过三星位居全球第二，不过两公司均没有开发12nm以下高级工艺，所以虽然有份额，但仍属于全球晶圆厂第二梯队。
对此，大家怎么看？
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