7月27日——针对汽车BU高管苏箐被免职一事，华为回应称，因其在外部活动针对特斯拉发表了不当言论，造成了不良影响。华为今日发布的一封人事任免文件显示，免去苏菁智能驾驶产品部部长职务。外界对免职原因猜测纷纷。
华为方面对此回应称，苏箐在参加外部活动谈及自动驾驶技术与安全时，针对特斯拉，发表了不当言论，苏箐已就其个人不当言论进行了深刻检讨，但鉴于其言论造成的不良影响，公司决定免去苏箐智能汽车解决方案BU智能驾驶产品部部长职务。苏箐将去战略预备队接受训战和分配。
该争议事件发生在日前的世界人工智能大会上，在谈及特斯拉的事故时，苏箐使用了“杀人”的字眼，引发争议。“机器进入人类社会和人类共生的时候机器是一定会造成事故率的，讲难听点就是‘杀人’，只是说我们要把它的事故概率降到尽量低。从概率上来说，这就是一件有可能发生的事。”他说。
华为在回应称表示，尊重产业界每一个参与者在自动驾驶领域的努力与贡献，也希望与产业界共同推动自动驾驶技术的发展。
来源：新浪科技
2021年7月28日，在深圳举行的高工机器人集成商大会现场，图漾科技发布了新款3D工业相机FM813-L，这款产品优化了对表面高反射率物体的成像质量，适用于更多原来产品不能覆盖的高反物体应用场景。
图漾的3D工业相机目前已经在工业自动化、工业测量、物流科技和商业应用等多个应用市场大量部署，2020年的出货量超过1万套大关，今年的同比出货量达到去年的3倍，服务了工业和行业应用中的众多主流需求。
不过，在主流需求之外，每一个行业还存在多种多样的特殊需求，比如在工业机器人和自动化程度相对较高的工程机械领域，工作的对象物体多数为金属表面，而大部分金属表面材料的光学反射系数很高，导致视觉系统的成像质量不佳和数据缺失，标准产品对此类特殊需求的适应性不佳。
为了满足高反物体成像的行业共性需求，图漾在原有的高性价比标准产品线FM-IX基础上，扩展了新产品FM813-L。不同于传统思路，该款新产品不使用昂贵和精密的新光学器件，全部采用标准产品既有器件，通过系统优化方法，以极小的成本实现了优异的抗高反性能。新产品也因此继续保留了稳定可靠、即插即用、免标定免维护等传统优点，使用方法和软件SDK也保持完全兼容。这些都充分体现了图漾的技术能力和产品哲学。
FM813-L产品系列包含两个型号：FM813-L1和FM813-L2
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FM813-L系列技术参数 |
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FM813-L1 |
FM813-L2 |
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测量范围（距离） |
0.6 m – 1.5 m |
1.2 m – 3.5 m |
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测量范围（FOV） |
61 ° / 51 ° |
61 ° / 51 ° |
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3D测量精度 |
Z ：0.47 mm @ 0.6 m |
Z : 1.96 mm @ 1.2 m |
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3D数据帧率 |
3 fps |
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2D数据 |
RGB 分辨率 5M |
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数据接口 |
千兆以太网 M12 A-Code |
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相机工作功耗 |
4.8 W – 6.7 W |
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IP防护等级 |
全铝合金壳体 IP54 |
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相机尺寸 |
575.98 mm * 419.36 mm*53.0 mm |
703 mm * 511.9 mm * 53.0 mm |
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产品的持续演进和迭代能力是创新公司的核心竞争力，我们希望同广大合作伙伴一起，共同推动更多3D机器视觉应用场景的实现和普及。
来源：
作者：张国斌
7月27日——以工艺进展稳健著称的英特尔曾被业界戏称为“牙膏厂”，形容其在每次工艺更新迭代时如挤牙膏一样，但是，自从新一任CEO帕特·基辛格上任以后，英特尔风格有很大变化，他提出了英特尔要走IDM 2.0 战略，并要提供英特尔代工服务（IFS），由于以往英特尔曾两次提出要提供代工服务但最后都铩羽而归，所以对于此次提出的代工服务业界仍是充满疑虑，不过，从今天的发布看，这个疑虑可以打消了。
在7月27日“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特·基辛格发表了重要演讲，一口气发布了未来5年及更远的工艺演进路线。
此外，英特尔还公布了其近十多年来首个全新晶体管架构 RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia，同时透露英特尔将领先台积电率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机，凭借它英特尔将迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（High-NA）EUV。
这些发布向业界表明了其开展代工服务的决心，同时基辛格也透露AWS已经采用了英特尔的代工服务，而高通将获得英特尔的EUV工艺代工服务。
重新命名工艺节点
在今天的发布中，一个最大的亮点是，英特尔不再以纳米工艺来命名工艺节点，从10nm以后，英特尔的工艺节点名称将是Intel 7、Intel 4、Intel 3和Intel 20A，而且每个节点升级有精确的参数性能，说明英特尔在这方面已经投入了很大的研究，未来不会再挤牙膏了。几个节点的性能如下：
1、基于 FinFET 晶体管优化，Intel 7与 Intel 10nm SuperFin 相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采用Intel 7 工艺，之后是面向数据中心的 Sapphire Rapids预计将于 2022 年第一季度投产。
2、Intel 4完全采用 EUV 光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约 20% 的提升以及芯片面积的改进，Intel 4 将在 2022 年下半年投产，并于 2023 年出货，这些产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。
3、Intel 3凭借FinFET 的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。
4、Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET 是英特尔对Gate All Around晶体管的实现，该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia 是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。英特尔也很高兴能在Intel 20A 制程工艺技术上，与高通公司进行合作。
5、2025 年及更远的未来：从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃，据基辛格透露英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与 ASML 密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代 EUV。
英特尔研究院副总裁、英特尔中国研究院院长宋继强博士在接受采访时指出英特尔以前是隔年更新工艺，这次直接以“年”为单位的工艺更新，节奏很快。“我们为什么要对节点开始重新命名？其实对外界做了很多咨询，因为从20年前，从Donald law开始失效，从纯粹靠晶体管微缩去提高芯片晶体管密度的技术失效之后就采用了其他各种各样的技术来提高我们芯片上的晶体管密度，有3D的，有应变硅等等。它不再是通过简单的根据晶体管当中的栅极长度（gate length）去评估我的芯片生产工艺是几纳米。”他解释说，“2011年之后，市场上说的“几纳米”工艺变成了一个市场营销代名词。所以对于客户来讲，你说他现在接受了这样一个命名，是不是说这个命名未来就可以持续下去了？你也可以想象，如果说大家都把2纳米、3纳米用完了之后再往后怎么办？大家都说我是1纳米吗？你真的到了1纳米吗？按照这个速度很快就要前进到1纳米了该怎么办？英特尔和很多外界包括学术界、产业界的客户做了一些调研，大家希望重新恢复到正确的命名，包括怎么样去理清楚这些命名到底和制造工艺之间有没有直接的关系。”
他表示现在英特尔重新梳理了一下之后，觉得至少仍然可以用数字，用数字的递减代表工艺还在不断的向前发展，但是英特尔已经不再强调这个数字和纳米之间的关系。“因为本身行业内的人知道，它没有关系，或者说和栅极长度之间的关系。这是需要一个概念转换的过程的。”他指出，“同时我们的命名也为未来10年发展留下了空间，我们到Intel 3之后，没有到2到1，而是到了Intel 20。因为到了Intel 20之后可以预见到，到1中间还会有一些未来可能会发生的创新。其实我们现在并不清楚，你要给未来留下空间，所以到20的时候，我们叫20A，是给未来继续留下了空间。所以现在这个命名方案，对于英特尔，目标是一直要去推进半导体制造工业的，所以未来10年我们知道怎么样通过半导体技术去推进它的PPA（性能、功耗、面积），那就需要留下足够的空间。因此基于这些逻辑重新梳理一下这些，同时我们也趁着这个时候把封装技术给联系起来。因为以前太过强调我通过几纳米去缩小晶体管就好了，3纳米的工艺也没有真的把晶体管收缩到3纳米。”
封装技术继续创新
在后摩尔时代，异构集成成为芯片的主要发展方向，在这个领域，英特尔经过深入研发，推出了几个针对封装的总线技术（详见我2019年的一篇文章《英特尔发现一个大趋势，其他厂商会跟进吗？》），在今天的发布中，英特尔也更新了封装技术。
1.EMIB作为首个 2.5D 嵌入式桥接解决方案将继续引领行业，英特尔自2017年以来一直在出货EMIB产品。Sapphire Rapids 将成为采用EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）批量出货的首个英特尔®至强®数据中心产品。它也将是业界首个提供几乎与单片设计相同性能的，但整合了两个光罩尺寸的器件。继Sapphire Rapids之后，下一代 EMIB的凸点间距将从 55微米缩短至 45微米。
2.Foveros利用晶圆级封装能力，提供史上首个 3D 堆叠解决方案。Meteor Lake是在客户端产品中实现Foveros技术的第二代部署。该产品具有 36微米的凸点间距，不同晶片可基于多个制程节点，热设计功率范围为 5-125W。
3.Foveros Omni开创了下一代Foveros技术，通过高性能3D堆叠技术为裸片到裸片的互连和模块化设计提供了无限制的灵活性。Foveros Omni允许裸片分解，将基于不同晶圆制程节点的多个顶片与多个基片混合搭配，预计将于2023年用到量产的产品中。
4.Foveros Direct实现了向直接铜对铜键合的转变，它可以实现低电阻互连，并使得从晶圆制成到封装开始，两者之间的界限不再那么截然。Foveros Direct 实现了10微米以下的凸点间距，使3D堆叠的互连密度提高了一个数量级，为功能性裸片分区提出了新的概念，这在以前是无法实现的。Foveros Direct 是对 Foveros Omni 的补充，预计也将于 2023年用到量产的产品中。
Foveros Direct目前提供10微米的凸点间距，甚至比提供25微米微凸点的Foveros Omni也有很大的改进。对于Foveros Omni来说，在0.15 pJ/bit的情况下，这相当于约1600根线/mm²。对于Foveros Direct，这一数字增加到>10,000线/mm²。
宋继强表示异构集成是芯片未来发展的一条路径，封装工艺会和原来的半导体本身制造工艺相辅相成，
“EMIB大家已经听说过很多次了，我们已经在产品当中用了几代了。目前来讲，我们这一次有一个Sapphire Rapids，是业界首次把两个光罩尺寸器件通过EMIB连接在一起，最终它的性能和单片处理器是一样的。这样我们就更有信心通过先进封装能力做更大的芯片方案。”他解释说，“这次重点是讲了Foveros，Foveros是3D的封装能力，它在凸点的间距上完全优于EMIB，EMIB是从55降到45再降到40，差不多已经达到了EMIB可以做到的间距下限了。Foveros是直接从三十几um开始，它可以去做3D堆叠解决方案。 在Foveros方面我们继续推新的技术，一个是以前我们介绍过的ODI（Omni-Directional Interconnect），现在重新命名为Foveros Omni，这个实际上主要就是我们允许它在封装的时候能够把不同制程的多个顶片和基片，上下混合搭配去封装，它的连接方向上，包括连接层次上有上下层可以多对多互相连接，非常的灵活。EMIB或者是原来的Foveros有的时候还需要通过TSA过孔。Foveros Omni在边上有铜柱，铜柱可以让它去跨越上下层之间有些可能并不完全对齐，或者原来可能并不是完全align好的的芯片，也可以想办法把它封装在一起，这就可以有很大的灵活度，能够允许我们把这个技术应用在更多的厂商或者是合作伙伴一起提供的芯片当中。”
他表示这次提的Foveros Diret就是之前讲到的Hybrid Bonding技术，它能够把芯片直接连接起来并大幅度缩小凸点之间的间距。原来大家讲到的是几十um，EMIB是40um以上，Foveros是三十几um，二十多就差不多了。现在如果是用Foveros Diret可以降到10微米以下的间距。这样的话，它的互连的密度就提高了.
“因为在这个技术里完全不需要使用焊料。原来的技术还需要使用焊料，要先加热片，然后把焊料粘上去，再把两片粘在一起，这个本身要留给焊料余地，否则焊料和焊料直接接触就废掉了。而Hybrid Bonding完全不需要焊料，上下都是铜，铜之间处理的非常好，所以它可以在常温下先让它键合起来，然后再去加热让它们融合起来，这样就会非常稳固，不需要再给焊料留余地空间，这样可以把整个凸点之间的间距控制的更小。”他解释说，“这些把它混合起来之后，你可以看到我们可以把I/O密度做到很大，甚至可以做到以前做芯片silicon-level。”
英特尔搞代工服务谁最受伤？
从这次英特尔重新命名工艺以及在封装方面继续创新来看，英特尔是铁定要开展代工业务了，目前高通已经表示要采用英特尔的服务，包括应用材料、ASML、IMEC、IBM在内的多家公司对英特尔的这个服务前景看好，IBM研究院混合云副总裁Mukesh Khare表示：“IBM和英特尔在尖端的半导体逻辑和封装方面有着悠久的创新史。从人工智能到混合云再到下一代系统，两家知名公司的合作将继续推动技术的前沿进步。我们很高兴能与英特尔在关键研究方面进行合作，开发基础性技术，支持整个电子产业未来数年的发展。”
这样看来，未来台积电的代工生意将面临被英特尔部分截胡的危险了。
注：本文为原创文章，未经作者授权严禁转载或部分摘录切割使用，否则我们将保留侵权追诉的权利！
康宁公司当地时间7月26日宣布，推出智能汽车增强实境（智能挡风玻璃）抬头显示系统解决方案的关键产品“曲镜面解决方案”。据报道，康宁曲镜面解决方案（Corning® Curved Mirror Solutions）之前已经成为现代摩比斯全新增强实境抬头显示系统的核心零部件。
今年早些时候，随着现代汽车集团旗舰产品2021款IONIQ 5电动跨界车的亮相，上述抬头显示系统也完成首秀。
据统计，经过2020年一年时间的“培育式发展”，搭载智能抬头显示技术的汽车数量接近500万辆。到2025年，随着各家汽车制造商快速普及增强实境技术以提升车辆互联性能，支持抬头显示技术的汽车数量预计将增长一倍。
康宁公司此次推出的高质量、零失真解决方案将帮助车企打造当下最为拟真的驾驶体验。
相较于传统技术，康宁镜面产品可以打造一个横跨挡风玻璃、更大尺寸的显示区域，投影距离将扩大四倍。抬头显示系统使用镜面将驾驶信息（比如导航和车速等）投射到挡风玻璃上，由此使得这些信息可以直接出现在驾车人的视野中。而增强实境抬头显示系统通过将挡风玻璃变成一块拟真显示屏而提升技术先进程度，其可以将道路上的大型且动态画面投射到挡风玻璃上。
据悉，如果要求抬头显示系统达到上述水平的沉浸式和互动体验，该系统就需要高质量镜面玻璃作为支撑。康宁公司使用其在行业领先的玻璃科学和光学物理专业知识，确保现代摩比斯的产品能够为用户提供新的使用体验。
据了解，通过与康宁公司的合作，现代摩比斯已经发布了一系列使用康宁曲镜面解决方案的增强实境抬头显示系统，以满足车企对该类产品性能及可靠性的要求。（编译/良弼）
来源：凤凰网科技
Akasa 刚刚推出了一款高度仅 16 毫米的超薄 CPU 散热器，它就是仅支持 Intel 1200 / 115x 处理器插槽的 KS7 。对于喜欢打造小尺寸主机系统的 PC DIY 爱好者们来说，它至少提供了一个新的选项。外官方面，KS7 采用了相当简洁的设计、辅以低调的黑色外观。
在单体散热块中，是一把直径 64 毫米的风扇。得益于讨巧的设计，KS7 能够轻松装入几乎任何小尺寸或 mATX 机箱中。
4 针 PWM 调速风扇可通过系统 BIOS，在 2200 到 4000 RPM 之间进行转速调节，噪声最高 32.8 dBA 。
Akasa 表示，这款 CPU 散热器支持最大热设计功耗（TDP）为 35W 的处理器，比如英特尔酷睿 i9-10900T 。
考虑到单体散热块的高度仅为 16 毫米、且风扇直径只有 64 毫米，我们对此也并不感到意外。
最后，这款散热器的净重为 105 克，且 EBR 轴承风扇的标称使用寿命也长达 40000 小时。
遗憾的是，该公司尚未披露 KS7 超薄型 CPU 散热器的确切售价和上市日期。
来源：cnBeta.COM
研扬科技（AAEON）刚刚推出了 BOXER-8230AI 边缘计算机新品，特点是采用了英伟达的 Jetson TX2 NX 模块化系统。对于客户来说，其能够在不超出预算的情况下，提供强大的计算性能，辅以坚固的设计、以及多样化的 I/O 布局，比如五个千兆以太网端口。
（来自：AAEON 官网）
TechPowerUp 指出，BOXER-8230AI 提供了非常适合智能应用的解决方案，包括监控、智能工厂、以及智能零售。
该系列产品还提供了可满足各种客户需求的配置灵活性，可选 8230AI-A3 与 8230AI-A4 两款型号。
除了可连接 IP 摄像头或其它设备的五个千兆以太网（LAN）端口，还有四个 USB 3.2 Gen 1、以及两个 COM 串口。
存储方面，BOXER-8230AI 板载了 16GB eMMC 闪存、且带有 microSD 读卡器，此外 8230AI-A4 机型还可选装 2.5 英寸 SATA III 驱动器。
至于内置的英伟达 Jetson TX2 NX 模块化系统（System on Module）平台，其搭载了六核 ARM 处理器、集成了 256 个 CUDA 核心的 Pascal GPU 。
与 Jetson Nano 相比，Jetson TX2 NX 的性能是前者的两倍多，意味其能够实现高达 1.33 T-Flops 的算力，可为广泛的 AI 边缘应用程序提供支撑。
BOXER-8230AI 专为恶劣环境而设计，得益于无风扇式设计，该机还可防止灰尘与污染物的进入。
无论部署在何处，都可能相当可靠地运行，且工作温度范围相当宽泛（低至 -25℃、高达 75℃）。
此外研扬科技为客户提供了一系列的软件和定制支持，使得 BOXER-8230AI 能够做到开箱即用。
每套系统都预装了最新的英伟达 JetPack 4.5.1 软件开发套件（SDK），且无需刷机后再使用。AAEON 系统平台部门产品经理 Ken Pan 表示：
Jetson TX2 NX 扩展了英伟达的生态系统，并提供了广泛的系统阵容。凭借其 I/O 布局、宽工作温度、以及灵活的存储配置，开发者能够为智能安全、AI 驱动的视觉分析等一系列应用，均提供坚实的支持。
最后，今年晚些时候，BOXER-8233AI 还将为研扬科技的工业 AI Edge PC 系列（同样基于 Jetson TX2 NX），带来 POE PSE、HDMI 输入等功能支持。
来源：cnBeta.COM
通过业界超窄线宽实现高密度发光，有助于LiDAR应用产品支持长距离并实现更高精度
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR*1的工业设备领域的AGV*2（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
近年来，在扫地机器人、AGV和自动驾驶汽车等需要自动化工作的广泛应用中，可以准确测量距离和识别空间的LiDAR日益普及。在这种背景下，为了“更远”、“更准确”以及“更低功耗”地检测到信息，对提高作为光源的激光二极管的性能提出了更高要求。
ROHM已经拥有实现了更窄的激光线宽的自有专利技术，有助于LiDAR支持更远的距离并实现更高的精度。25W高输出功率激光二极管“RLD90QZW5”从2019年开始量产，在以消费电子设备领域为主的应用中越来越多地被采用。此次，为了将应用扩展到市场日益增长的工业设备领域，ROHM开发出75W高输出功率的激光二极管“RLD90QZW3”。
“RLD90QZW3”是一款红外75W高输出功率激光二极管，针对利用3D ToF系统*3进行测距和空间识别的LiDAR而开发。利用ROHM自有的元器件开发技术，在业界同等输出功率激光二极管中实现了225µm的超窄线宽。与线宽290µm的普通产品相比，线宽缩窄22%，实现了高光束性能。同时，通过使发光强度更均匀，并利用激光波长较低的温度依存性，可稳定发挥高性能，因此有助于LiDAR在各种环境下实现长距离应用和更高精度。此外，与窄线宽存在此消彼长关系的光电转换效率，也达到了与普通产品同等的21%（正向电流24A、75W输出时），因此在采用本产品时无需担心功耗会增加。
除此之外，为支持新产品快速引入市场，在ROHM官网上还免费提供评估和导入新产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路仿真和光学仿真用的模型等。
新产品于2021年6月开始出售样品（样品价格6,000日元/个：不含税），计划于2021年10月开始暂以月产20万个的规模投入量产。新产品在电商平台Ameya360和Sekorm上也已开售。
目前，ROHM正在开发具有120W高输出功率和车载级（符合AEC-Q102标准）激光二极管产品。未来，ROHM将继续为包括汽车领域在内的安全、便捷的LiDAR应用产品的开发贡献力量。
＜新产品特点＞
1．实现225µm业界超窄线宽，有助于支持长距离应用并实现更高精度
新产品“RLD90QZW3”利用ROHM激光二极管元器件开发相关的专利技术，作为LiDAR用的75W高输出功率激光二极管，实现了225μm的业界超窄线宽。通过高密度发光实现了高光束性能。此外，除了在整个线宽范围成功地使发光强度更均匀外，激光波长的温度依存性低至0.15nm/℃，不易受温度变化的影响，因此可稳定地发挥其性能。
与同等输出功率、线宽290µm、温度依存性0.25nm/℃的普通产品相比，线宽缩窄22%，激光波长的温度依存性也可降低40%，因此可支持LiDAR的长距离应用；而在测量距离相等的情况下，有助于实现更高精度。
2．具有出色的光电转换效率（PCE），采用本产品时无需担心功耗增加
新产品采用专利技术，在同等输出功率的产品中，不仅实现了业界超窄的线宽，而且，在与线宽存在此消彼长关系的光电转换效率方面，也实现了与普通产品同等的21%的效率（正向电流24A、75W输出时）。因此，在采用时无需担心功耗增加。
3．提供丰富的文档和设计数据，大力支持市场引入
为了加快本系列产品的市场引入，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列新产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路板开发用的数据和仿真用的模型（SPICE模型、Ray数据）等。
如欲了解更多信息，请访问RLD90QZW3产品页面：
https://www.rohm.com.cn/products/laser-diodes/high-power-lasers/rld90qzw3-product
＜LiDAR用高输出功率激光二极管产品阵容＞
＜ROHM在传感器光源领域的行动＞
一直以来，ROHM致力于开发并供应包括LED在内的FP激光二极管和VCSEL*4产品，最近此类产品在扫地机器人和监控摄像头等领域的ToF传感器光源等应用中日益普及。
同时，利用在推出各种产品过程中积累的光学元器件的开发经验和技术，持续推进旨在更大程度地发挥出元器件的性能并进一步提高输出功率的研发。
ROHM还通过元器件的开发及其在模块中的应用，开发出众多各具优势的传感器光源产品，为提高距离测量和空间识别系统的精度做出了贡献。
＜电商销售信息＞
起售时间： 2021年7月起
电商平台： Ameya360、Sekorm
销售产品名称： RLD90QZW3-00A
＜术语解说＞
*1) LiDAR（激光探测与测距）
Light Detection and Ranging的缩写，由ToF系统（光源和ToF传感器或图像传感器等）等组成，用来感测周围情况的一种应用。
*2) AGV
Automated Guided Vehicle的缩写。一种常用于工业应用的自动驾驶车辆，是一种无需人工驾驶操作也可自动行驶的搬运车。
*3) 3D ToF系统
ToF是“Time of Flight”的缩写，是一种通过测量作为光源的光的飞行时间来计算距离并感测空间的手法。ToF系统即使用了该手法的3D（三维）空间识别和测距系统。
*4) VCSEL
Vertical Cavity Surface Emitting Laser（垂直腔面发射激光器）的缩写。以往多用于通信领域，近年来也被用于感应系统发光单元的光源。
【关于罗姆（ROHM）】
罗姆（ROHM）成立于1958年，由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。
罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。
【关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展】
销售网点：起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州）。并且，正在逐步扩大分销网络。
技术中心：在上海和深圳设有技术中心和QA中心，在北京设有华北技术中心，提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。
生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。
社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。
罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。
晶圆升级到 200mm标志着扩大产能，以及支持汽车和工业市场实现系统和产品电气化的计划取得阶段性成功
服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了ST在这一开创性技术领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效，降低客户获取这些产品的总拥有成本。
意法半导体的首批200mm SiC晶圆片质量上乘，影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。低缺陷率的取得离不开意法半导体碳化硅公司(前身是Norstel公司，2019年被ST收购)在SiC硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀。除了晶圆片满足严格的质量标准外，SiC晶圆升级到200mm还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。
意法半导体先进的量产碳化硅产品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亚（意大利）和宏茂桥（新加坡）两家150mm晶圆厂完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中国）和布斯库拉（摩洛哥）的两家封测厂进行的。这个阶段性成功是意法半导体布局更先进的、高成本效益的200mm SiC量产计划的组成部分。SiC晶圆升级到200mm属于公司正在执行的SiC衬底建新厂和内部采购SiC衬底占比超40%的生产计划。
意法半导体汽车和分立器件产品部总裁Marco Monti表示：“汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程，SiC晶圆升级到200mm将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。随着产量扩大，提升规模经济效益是很重要的。在覆盖整个制造链的内部SiC生态系统方面积累深厚的专业知识，可以提高我们的制造灵活性，更有效地控制晶圆片的良率和质量改进。”
编辑参考信息
碳化硅是一种化合物半导体材料，在电动汽车和工业制造过程等重要的高增长的电力应用领域，与硅材料相比，碳化硅的本征特性可提供更高的性能和能效。ST 在 SiC 领域的领先地位归功于 25 年的专注和研发投入，拥有 70 多项专利。这项颠覆性技术可实现更高效的电能转换，更小的更轻量化的设计，节省更多的系统设计总体成本，这些都是决定汽车和工业系统成功的关键参数和因素。与 150mm晶圆相比，200mm晶圆可增加产能，将制造集成电路可用面积几乎扩大1 倍，合格芯片产量是150mm晶圆的1.8 - 1.9 倍。
关于意法半导体
意法半导体拥有46,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商，意法半导体与十万余客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和5G技术应用更广泛。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com。
支持调制解调器和设备厂商加速验证射频传输性能
是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布，该公司的测试例率先获得全球认证论坛（GCF）批准，将会用于在FR2验证支持 5G NR 独立组网（SA）模式的 5G NR设备的射频性能。是德科技提供先进的设计和验证解决方案，旨在加速创新，创造一个安全互联的世界。
此举意味着调制解调器和设备厂商可以使用是德科技的 5G 设备测试平台来加快 FR1 和 FR2（毫米波）中 3GPP 指定频段的 NSA（非独立组网）和 SA（独立组网） 模式射频验证。这项成就表明，无线通信行业的发展已经超越了对 4G LTE EPC极为依赖的 NSA 模式。将近 80 家移动运营商现正在进行 5G SA 部署投资，这类部署使用了 5G 核心网提供先进的连接服务。
是德科技设备验证解决方案事业部总经理 Muthu Kumaran 表示：“是德科技继续提供全面的 GCF 测试例，用于在单个 5G 无线测试平台上验证 5G 设备的射频和协议性能。通过尽早访问 FR2 频谱中的 5G 测试例，厂商能够抓住与需要大量数据的使用场景相关的收入机会，这些场景依赖高带宽提供高数据速率和吞吐量。”
根据全球移动供应商协会（GSA）的数据，目前有超过 11% 的商用 5G 设备正在同时支持 6GHz 以下频谱和毫米波频谱。SA 模式和 FR2 中的 5G NR 部署有望支持固定无线接入（FWA）等应用，FWA 通过CPE可以为家庭和企业提供有线宽带数据速度的网络服务。
是德科技面向 FR2 的 5G 网络仿真解决方案使用了其 UXM 5G 无线测试平台和 5G OTA紧缩场（CATR）暗室来应用各种 5G NR 测试例。在由芯片组和设备厂商、测试机构和移动运营商组成的生态系统中使用通用硬件和软件平台，可以加速和简化设备测试。
GCF 一致性协议组（CAG）会议于 2021 年 7 月 20 日至 23 日 举行。此次会议还见证了是德科技一如既往地支持着数量领先的 5G NR 射频/RRM 和协议一致性测试例。通过尽早应用已验证的测试例，设备厂商能够依按照最新规范不断升级，并以经济高效的方式及时满足市场需求。”
关于是德科技
是德科技（NYSE：KEYS）是一家领先的技术公司，致力于帮助企业、服务提供商和政府客户加速创新，创造一个安全互联的世界。从设计仿真、原型验证、生产测试到网络和云环境的优化，是德科技提供了全方位的测试与分析解决方案，帮助客户深入优化网络，进而将其电子产品以更低的成本、更快地推向市场。我们的客户遍及全球通信生态系统、航空航天与国防、汽车、能源、半导体和通用电子终端市场。2020 财年，是德科技收入达 42 亿美元。更多信息，请访问 www.keysight.com。
全球化AI软件公司及虚拟智能传感器行业的世界领导者 Elliptic labs (EuroNext Growth: ELABS.OL)日前宣布，其AI虚拟智能传感交互平台已通过美信半导体的 MAX98396 智能音频功放的运行认证。通过为用户打造诸如存在检测、3D无接触手势交互等关键的创新用户体验，Elliptic Labs和美信半导体正着眼于在下一代智能设备上运行美信的智能音频功放技术。
Elliptic Labs 的纯软件AI 虚拟智能传感交互平台利用设备现有的麦克风和扬声器来生成超声波，并将其转换为具有存在检测和无接触手势交互等功能的虚拟传感器。这些功能可被应用于智能电视、智能扬声器和笔记本电脑等设备之上，通过屏幕自动锁定和直观控制功能为欣赏音乐和视频的用户打造无懈可击的安全防护功能。
美信半导体的MAX98396是最先进的D/G类音频功放，拥有业界最低的静态功耗、最低的噪声和最高的热效率。与Elliptic Labs的AI虚拟智能传感交互平台一起携手，将带给笔记本电脑、智能手机和物联网市场的OEM们更多创新的用户体验，使他们的设备更智能、更节能。将Elliptic Labs的纯软件虚拟传感器与美信半导体的MAX98396智能音频功放相结合，在消除额外的单功能硬件传感器的同时，还可简化设计、降低功耗、节约成本，更缓解了OEM的供应链限制问题。
Elliptic Labs 首席执行官 Laila Danielsen女士解释说：“与美信半导体这样世界领先的技术公司合作，证明了我们AI虚拟智能传感交互平台的巨大市场需求和价值。通过此次与美信半导体的合作，Elliptic Labs通过使设备拥有感知用户状态及其周围环境的能力，真正地让设备变得更加智能。“
美信半导体音频解决方案业务经理Kevin Ko表示：“与Elliptic Labs合作，真正打破了我们智能功放给设计和开发人员带来的功能壁垒。Elliptic Labs的AI虚拟智能传感交互平台不仅拓展了我们的音频功放功能，还为我们的产品带来了独特的差异化优势。”
想要了解或订购美信半导体的MAX98396音频功放设备的相关问题，可访问：http://bit.ly/MAX98396Product.
关于Elliptic
Elliptic Labs 是一家面向智能手机、笔记本电脑、物联网和汽车市场的全球企业。公司成立于2006年，衍生自挪威奥斯陆大学(Oslo University)的一家分支研究机构。公司的AI专利软件结合了超声波和传感器融合算法，提供直观的3D无接触手势交互、接近感应和存在检测功能。其可扩展的AI虚拟智能传感器交互平台创造了可持续性的、生态友好的纯软件传感器，并已有上1.5亿台设备搭载其技术。Elliptic Labs是市场上唯一一家使用AI软件、超声波和传感器融合进行大规模检测的软件公司。于2020年10月正式向泛欧证券交易所（Euronext Growth Market )提交首次公开募股（IPO)申请。
Elliptic Labs公司总部设在挪威, 在美国、中国、韩国、 中国台北和日本均有分支机构。Elliptic Labs的技术和专利在挪威开发，归属公司专有。