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当前，已量产的机械硬盘中，单盘容量最大2.2TB，要想继续提高存储密度，需要开发新型盘片技术，希捷、西数已经纷纷把主要精力投入HAMR（热辅助磁纪录）。不过，昭和电工、TDK和东芝硬盘日前联手，开发出基于MAS-MAMR（微波转换磁记录）技术的新硬盘盘片，使得30TB容量成为可能。

昭和电工（SDK）是当前最大的独立硬盘盘片制造商，MAS-MAMR严格来说是微波辅助磁记录的子集，之前西数也很看好，但两年前开始雪藏，前不久已经表态暗示放弃。

按照SDK的说法，MAS-MAMR可以改变矫顽力，使得磁道更窄，从而增加存储密度，虽然没有明确参数，但看起来单盘应该至少是3TB的样子。

基于MAMR，东芝已经推出最大18TB的机械硬盘，主要用在近线存储和NAS产品上。

来源：快科技

全新ClockMatrix2提供具有超低抖动时钟输出的单芯片网络同步器和抖动衰减器，同时支持所有IEEE1588操作模式

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）宣布，推出了用于400/800Gbps光传输和有线网络的ClockMatrix2高性能、多通道、精密时钟产品。基于2019年推出的用于5G无线和100/200Gbps有线网络的ClockMatrix产品，此次推出的第二代产品进一步提升了性能，相位抖动低至88fs-rms。

业界超低抖动IEEE1588网络同步器和抖动衰减器

高度集成的产品提供了部署IEEE1588时钟解决方案所需的所有功能，并具有抖动衰减能力，可为数据速率高达112Gbps PAM-4的同步以太网PHY提供超低抖动时钟输出，从而降低设计复杂性并节约物料清单(BOM)，同时还允许客户将时钟产品应用于各种网络应用。

瑞萨电子时钟产品事业部副总裁Bobby Matinpour表示：“5G升级推动网络速度和精度的极限，提高了时钟抖动和同步能力的标准。新型ClockMatrix2在高度集成的单芯片解决方案中可提供低抖动、高精度及广泛的同步功能等优势。”

ClockMatrix2产品家族的关键特性

• 高度集成的6通道精密时钟源，无需额外的高速接口抖动衰减器

• 时钟输出上的88fs-rms相位抖动，输出超低抖动时钟，支持高速串行链路(高达112Gbps PAM-4 PHY）

• 支持多种标准和协议，包括同步以太网(Sync-E)和IEEE1588

• 遵守G.8262.1和G.8262电信边界时钟要求以及G.8273.2 C类和D类时间精度

ClockMatrix2系统同步器与其它互补且无缝协作的模拟和电源产品相结合，打造面向各类应用的“成功产品组合”，例如，200/400/800G固定外形交换机解决方案。瑞萨现已推出适用于各种应用和终端产品的250余款“成功产品组合”。更多信息，请访问：www.renesas.com/win。

供货信息

RC32614 ClockMatrix2系统同步器现已上市。更多信息，请访问：https://www.renesas.com/clockmatrix。可选的PTP时钟管理器软件可在使用RC32614时免费提供。

关于瑞萨电子集团

瑞萨电子集团 (TSE: 6723) ，提供专业可信的创新嵌入式设计和完整的半导体解决方案，旨在通过使用其产品的数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。作为全球微控制器、模拟、电源和SoC产品供应商，瑞萨电子为汽车、工业、家居、基础设施及物联网等各种应用提供综合解决方案，期待与您携手共创无限未来。更多信息，敬请访问renesas.com。关注瑞萨电子微信公众号及领英官方账号，发现更多精彩内容。

出色的视觉处理方案为创新的屏幕体验保驾护航

12月15日 -- 领先的创新视频和显示处理解决方案提供商Pixelworks，Inc.（纳斯达克股票代码：PXLW）逐点半导体，与全球领先的智能设备制造商和创新者OPPO于今日共同宣布，OPPO首款可折叠智能手机Find N采用了Pixelworks的高效色彩与亮度校准技术，让用户在领略“手机变平板”的新奇屏幕体验的同时，享受始终如一的真实色彩和舒适观感。

可折叠手机的概念在前几年就已提出，也陆续有许多厂商推出相关产品。对于视频和游戏爱好者而言，可折叠手机不仅可以提供类似平板的大屏娱乐体验，而且方便携带，在真正意义上实现了手机和平板合二为一的愿景。然而可折叠手机从概念到技术的实现并不简单，需要克服不同的关卡，比如折叠的方式与屏幕保护的平衡，如何处理屏幕折叠后的折痕，以及折叠屏在颜色和亮度的呈现上如何始终保持真实和舒适的观感。此次OPPO Find N的推出, 也是对这些挑战所做出的一次应答。

新款OPPO Find N可折叠手机配备展开达7.1英寸的主显示屏,  采用LTPO 技术，拥有1Hz-120Hz自适应刷新率，支持分辨率达1792*1920 像素。该款手机搭载最新的高通® 骁龙TM 888移动平台，以及Pixelworks逐点半导体高效色彩校准技术，为折叠屏的优质视觉效果呈现提供强大支持。

Pixelworks逐点半导体的视觉显示技术为OPPO Find N在屏幕显示质量（含折叠屏及外侧小屏）上提供了以下卓越的性能：

绝对色彩准确性 --每部OPPO Find N可折叠手机的屏幕均采用Pixelworks专利的显示校准技术进行工厂校准，其平均Delta E<1，这意味着人眼无法感知到完美颜色还原的任何偏差。

专业的亮度校准 -- 人的肉眼以不成比例的方式捕捉亮度，人所感知的光线很多时候只是摄像机所捕捉的亮度的一部分。因此显示器在解读原图色彩并呈现于屏幕时，往往需要进行gamma校正以响应人类视觉的特性，从而更符合真实的观感。Pixelworks的亮度校准技术可通过在不同色彩模式下将gamma值维持在2.2（gamma 值为2.2的显示器可以产生几乎最佳的颜色，被用作图形和视频专业人员的标准）, 以保证肉眼在屏幕上所看的到颜色与真实世界所见几乎无异，以确保图像原意的精准表达。

低亮度下的色彩校正 -- Pixelworks的视觉显示技术可调用3D LUT进行精确的颜色校准工作，从简单的gamma值、颜色范围和追踪错误，到修正高级的非线性属性、颜色串扰、色相、饱和度、亮度，实现全立体色彩空间的控制，即使在环境光发生变化时，屏幕显示的色彩始终自然真实。

Pixelworks逐点半导体手机产品事业部总经理Leo Shen（沈磊）说道：“很高兴能参与并见证OPPO首款可折叠手机Find N 的推出。手机市场竞争激烈，头部玩家往往需要不断迭代、创新和颠覆，才能始终保持竞争优势。OPPO在影像领域的成绩有目共睹，在可折叠屏以及未来卷轴屏的探索也不断深入。我们很荣幸能够参与OPPO Find N的创新之旅，也希望将最佳的屏幕视觉体验带给每一位OPPO用户。”

上市时间

最新发布的OPPO Find N智能手机将于2021年12 月23日正式开售。  

OPPO简介

OPPO于2008年推出第一款“笑脸手机”，由此开启探索和引领至美科技之旅。今天，OPPO 凭借以Find X 和Reno系列手机为核心的多智能终端产品，ColorOS操作系统，以及 OPPO Cloud、OPPO+等互联网服务，让全球消费者尽享至美科技。OPPO 业务遍及全球40多个国家和地区，拥有6大研究所和4大研发中心，并在伦敦设有全球设计中心。超过4万名OPPO员工共同致力于为人们创造美好生活。

Pixelworks逐点半导体公司简介

逐点半导体成立于2004年，是纳斯达克上市公司Pixelworks Inc. （Nasdaq：PXLW）在中国的控股子公司。逐点半导体专注于手机视觉处理芯片，视频转码芯片和3LCD投影仪主控芯片及实施方案的开发和设计，是业内领先的创新视频和显示处理解决方案提供商。

Pixelworks提供业界领先的内容创作、视频传输和显示处理解决方案和技术，可在从影院到智能手机的所有屏幕上提供真实的视觉体验和卓越画质。该公司拥有20多年的历史，为领先的消费电子产品、专业显示器和视频流媒体服务的供应商提供图像处理创新方案。欲了解更多信息，请访问公司官网www.pixelworks.com。

敬请注意：Pixelworks以及Pixelworks标志是Pixelworks, Inc.的注册商标。高通和骁龙是高通公司在美国和其他国家/地区注册的商标。高通骁龙是高通技术和/或其子公司的产品。所有提及的其他商标均属于其各自所有者。

稿源：美通社

在 IEDM 2021 上宣布：确认在 16 nm FinFET 逻辑工艺嵌入式 STT-MRAM 测试芯片上降低功耗并提高写入操作速度

12月14日——瑞萨电子公司 (TSE:6723) 是先进半导体解决方案的主要供应商，今天宣布开发两种技术，可减少自旋转移矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM) 写入操作的能量和电压施加时间，以下简称 MRAM）。在 16 纳米 FinFET 逻辑工艺中嵌入 MRAM 存储单元阵列的 20 兆位 (Mbit) 测试芯片上，写入能量减少了 72%，电压施加时间减少了 50%。新技术有： 1）采用斜坡脉冲应用的自终止写入方案，根据每个存储单元的写入特性自动自适应终止写入脉冲；2) 用于优化位数的写入序列，同时向其施加写入电压。结合，

嵌入式STT-MRAM芯片照片

瑞萨电子于 12 月 13 日在 12 月 11 日至 15 日在旧金山举行的 2021 年 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上展示了这些成就。

近年来，随着物联网技术的加速普及，对降低端点设备中使用的微控制器单元 (MCU) 的功耗有着强烈的需求。与闪存相比，MRAM 用于写入操作所需的能量更少，因此特别适合数据更新频繁的应用程序。然而，随着 MCU 对数据处理能力的需求激增，改善性能和功耗之间的权衡的需求也在增加。因此，进一步降低功耗仍然是一个紧迫的问题。

下文描述了满足这一需求的新 MRAM 写入技术。

1. 使用斜率脉冲的自终止写入方案

二进制数据通过使用磁隧道结 (MTJ) 器件的高阻态 (HRS) 和低阻态 (LRS) 分别表示值 1 和 0 来存储在 MRAM 中。之前，已经提出了一种自终止写入方案来减少写入能量和电压施加时间，通过在固定写入电压施加期间通过监视存储单元电流来检测写入完成，并且自动停止写入电压的施加。然而，与诸如存储单元特性的变化和比较器电路检测写入完成的检测精度等因素相关的问题阻碍了稳定且一致的写入完成检测的成功实现。

为了解决这些问题，在传统的自终止写入中，MTJ 从 HRS 变为 LRS 的写入操作期间不施加固定电压，而是采用了随时间逐渐上升的斜率电压。这使得可以稳定且一致地检测写入完成。即使由于存储单元特性的变化和其他因素，存储单元电流在状态转变之后没有立即达到检测器电路的检测电平，随后写入电压的逐渐上升也会增加存储单元电流。这最终会超过检测电平，从而能够检测到写入完成并停止施加写入电压。

在状态转变为相反方向的写入操作期间，从LRS到HRS，存储单元电流从大电流变为小电流，因此使用斜率电压脉冲的写入完成检测是不可能的。因此，采用电流源电路以倾斜的方式增加写入电流，通过电压检测电路监测写入电压，判断是否超过预设判断电压来检测写入完成。

2. 同时写位数优化技术

以前，MRAM 写入电压是根据存储单元特性变化中最差的位写入特性来确定的。这意味着需要高写入电压，并使用电荷泵电路来产生它。为了减少电荷泵电路的面积和功耗，例如将MRAM宏的写入单元分成四组或更多组，依次施加每个写入脉冲。然而，这增加了分区数的写入电压施加时间。

为了解决这个问题，瑞萨专注于通过允许高达 10% 的写入失败位来大幅降低写入电压这一事实。首先，通过降压转换器电路使用从MCU的IO电压产生的低写入电压，同时向写入单元中的所有位施加写入电压。在这一步中，使用上一节中描述的带有斜坡脉冲的自终止写入方案，根据各个位的写入特性执行自终止写入操作。接着，利用电荷泵电路产生的高写入电压对剩余的10%的位执行写入操作。由于采用这种技术，写入电压的施加分两个阶段完成，与将写入单元分成四组或更多组的传统方法相比，整体写入电压施加时间可减少50%或更多。此外，对于绝大多数位而言，该技术在写操作时不需要耗电的电荷泵，而是使用降压转换器从外部电源电压获得的写电压。这有效地减少了写入能量的消耗。

在采用 16 nm FinFET 逻辑工艺的 20 Mbit 嵌入式 MRAM 存储单元阵列测试芯片上进行的测量中，证实上述两种技术的组合可将写入能量降低 72%，并将写入脉冲应用时间缩短 50%。

瑞萨不断开发增量技术，旨在将嵌入式 MRAM 技术应用到 MCU 产品中。展望未来，瑞萨将努力进一步提高容量、速度和电源效率，以适应一系列新应用。

关于瑞萨电子公司

瑞萨电子公司（东京证券交易所股票代码：6723）通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式。作为微控制器、模拟、电源和 SoC 产品的全球领导者，瑞萨电子为广泛的汽车、工业、基础设施和物联网应用提供全面的解决方案，帮助塑造无限的未来。在renesas.com 上了解更多信息。在LinkedIn、Facebook、Twitter、YouTube和Instagram 上关注我们。