日前，浪潮云海超融合InCloud Rail通过工信部信息通信研究院“可信云·超融合”认证，产品的性能、功能、可靠性、安全性、稳定性、兼容性等得到全面认可。
“可信云认证”由工信部发起，信息通信研究院根据《面向云计算的超融合系统技术要求》测定，其测试项包含虚拟化计算能力、虚拟存储能力、虚拟网络能力、管理平台能力，安全性、可靠性、兼容、性能共8大指标、18个细分项，已经成为政企上云、上云就用超融合的产品选型重要参照。
超融合产品架构已经成为私有云、混合云主流技术路线，是基础设施云化、边缘计算云化优选之一。目前，浪潮云海超融合产品已经在政府、金融、企业、医院、教育等多行业实现客户突破。
未来，浪潮云海仍将继续优化产品创新，提升产品能力，持续推出满足云计算、大数据和人工智能场景需求的“云数智”解决方案，赋能客户数字化转型。
稿源：美通社
作者：Roland Saint Pierre，Power Integrations新产品定义总监
离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。低成本的无源网络可以有效地实现电压钳位，但在每个开关周期必须耗散钳位能量，这会降低效率。一种改进的方法就是对钳位和功率开关采用互补驱动的有源钳位技术，使得能效得以提高，但它们会对电源的工作模式带来限制（例如，无法工作于CCM工作模式）。为了克服互补有源钳位电路所带来的设计限制，可以采用另外一种更先进的控制技术，即非互补有源钳位。该技术可确保以更具成本效益的方式使用钳位能量。
本文将简要介绍反激式电源中对初级钳位电路的需求。然后比较和对比无源钳位方案、互补有源钳位方案以及非互补有源钳位方案的使用，最后介绍一款支持非互补钳位方案且可实现超高功率密度反激电源设计的芯片组。
在反激式变换器中，当初级侧开关关断时，电压(VOR)由次级侧反射至初级侧，存储的能量通过变压器传输到负载（图1）。VOR经变压器圈数比加以放大，叠加在VDC输入母线电压后会增大开关器件两端的电压应力。在传统电路中，会使用无源初级钳位电路来对这个电压加以限制。
图1：无源初级钳位RCD解决方案（高亮显示部分）需要耗散大量的热量，限制了反激式电源的效率和工作频率
除了电压应力(VIN + VOR)外，在初级开关管关断时还会产生很大的电压过冲,这是由初级绕组漏感中存储的能量造成的。钳位电路可对由此三个方面因素构成的电压过冲进行限制以保护初级开关（图2）。此外，在这种电路配置下，功率开关在漏极电压较高时开通。开关损耗与VDS2成正比，因此高VDS会增加开关的开通损耗，从而进一步降低效率。
图2：开通损耗和钳位损耗都与开关频率有关。
钳位电容吸收漏感能量，但该能量随后被钳位电阻所消耗。在每个开关周期中都会有能量损失，这样在现实当中就限制了开关频率的提高。而较低的开关频率，则需要使用更大的变压器。因此，使用无源钳位会增加损耗并不得不使用较低的开关频率，这两种情况都会增大电源尺寸。而使用有源钳位则可以突破这些限制。
互补有源钳位
有源钳位用一个开关代替RCD钳位中的电阻，这个开关通常是一个功率MOSFET（图3）。它不是用来耗散漏感能量，而是可以将漏感能量回传至变压器。在互补有源钳位中，当主MOSFET关断时，钳位开关开通，两者之间具有一小段死区时间。此时钳位电容被充电。而在下一次主MOSFET开通之前，钳位开关关断，钳位电容中的能量得以再循环至输出端。这种有源钳位被称为互补驱动方案，因为主MOSFET和有源钳位开关以互补方式工作。
图3：典型[互补]有源钳位方案的简化原理图
零电压开关可以使用复杂的自适应控制技术来实现，以实现漏感和钳位电容之间的谐振。当钳位开关关断时，漏感与钳位电容谐振产生的负向电流，在功率MOSFET开通之前对其COSS两端的电压进行放电，从而实现零电压开关。对于输出电容比较高的设计，将会导致谐振效果变差（输出电容会经过变压器反射至初级，进而增加钳位电容的容量）。通常变压器当中将会没有足够的漏感储能来适应这种钳位容量的变化。为了克服这个问题，电源输出端往往需要使用两级LC滤波器来确保低的初级反射电容，同时还要满足输出纹波要求。这种互补有源钳位方案是对无源钳位的改进，但仍存在以下限制：
1.需要在轻载下使用脉冲串模式，这会导致更高的输出纹波
2.两级输出滤波器
3.仅限于临界导通模式或非连续导通模式（CrM和DCM）；没有CCM工作模式，使输出电压范围宽的USB PD设计难以实现
使用非互补有源钳位提高性能
采用非互补控制方案，不是在主MOSFET关断后的一小段时间后立即开通钳位开关，而是在主MOSFET开通之前短暂开通钳位开关。非互补控制能够在连续导通模式以及非连续导通模式（和CrM）下操作，并且仍可实现零电压开关。这使得设计出的电源具有非常宽的输入电压范围和较宽的输出电压范围，后者是设计高效USB PD充电器所需要的。对于传统的控制方案，非互补钳位开关的驱动信号与初级开关以及同步整流开关的同步设计面临着挑战。而采用单个控制器来管理所有三个器件的开关操作，可大大简化电路并确保可靠操作。
图4：对于非互补模式开关，有源钳位开关仅在主开关开通之前开关一次
非互补有源钳位控制可以使用Power Integrations的Innoswitch™4-CZ/ClampZero™芯片组加以实现（图5）。InnoSwitch4-CZ器件采用InSOP™-24D封装，内部集成了可靠耐用的PowiGaN™ 750V开关以及用于控制主开关、钳位开关和同步MOSFET操作的次级控制器，同时内部含有满足安全标准的FluxLink™控制链路。InnoSwitch4-CZ IC包括两个专门用于ClampZero有源钳位非互补控制的引脚：用于开通和关断ClampZero开关的上管驱动(HSD)引脚，以及用于测量直流母线电压的V引脚。
图5：InnoSwitch4-CZ的HSD信号用于控制ClampZero有源钳位的开关，
V引脚用于检测高输入电压条件，进而使能非连续工作模式
次级侧控制器发出指令，启动HSD信号，将ClampZero PowiGaN开关开通，以便在初级PowiGaN开关换向前使漏感和钳位电容产生谐振。ClampZero器件的关闭和主开关的开通之间存在非常小的延迟，可以利用HSD引脚上的小电阻从外部进行调整，以帮助优化时序。
在连续导通模式下，HSD信号在漏感与钳位电容谐振周期的四分之一时间内保持开通。在很宽的工作范围内使用这种谐振模式所面临的一个挑战是，漏感通常是一个非常小的数值，在高压输入条件下主开关管两端的电压较高，这就需要更多的能量实现零电压开关。因而漏感的储能往往不够。这也是为何此时非连续导通控制模式需要介入的原因。
对于非连续导通模式（高输入电压工作），HSD信号脉冲宽度变为励磁电感（加上漏感，尽管漏感与励磁电感相比分量通常非常小）和钳位电容产生谐振的谐振周期的四分之一时间。V引脚的输入电压信息用于控制非连续导通模式的启动。当检测到高输入电压条件时，ClampZero关断驱动信号和主开关开通驱动信号之间的延迟也会增加。这为励磁电感（加上漏感）与钳位电容之间的谐振提供了更多时间，以降低主功率开关上的电压。这种工作模式不需要互补有源钳位电路所需的脉冲串工作模式，避免了互补模式控制带来的更高输出纹波和音频噪声的风险。
总结
离线反激式电源需要使用初级侧钳位电路来保护功率MOSFET。使用无源RCD钳位成本低，但性能较低。使用具有互补控制方案的有源钳位可以提高性能，但仍然存在局限性。InnoSwitch4-CZ IC产品系列可提供独特的控制架构，进而实现更复杂的非互补有源钳位控制，采用此方案可设计出具有非常宽的输入电压范围和较大的输出电压设定点变化的高效、超紧凑USB PD充电器。Power Integrations的InnoSwitch4-CZ/ClampZero芯片组可用于简化采用非互补控制的有源钳位方案，并加快上市时间。
有关详细信息，请访问网站www.power.com/innoswitch4-cz。
专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Würth Elektronik合作推出全新电子书，探索新的电子设计如何将高速数据传输、连接性、无线电源、电池管理和近场通信整合到单个设备中。在《Behind the Mystery of Electromagnetic Compatibility Design》（探秘电磁兼容性设计）书中，来自Würth Elektronik和贸泽的行业专家们详细介绍了电子元件设计中一些极为重要的突破性技术，并对这些解决方案如何改善电磁行为进行了分析。
伴随现代电子设计中涉及越来越多的组件和应用，但都面临着电磁环境的巨大干扰风险。《Behind the Mystery of Electromagnetic Compatibility Design》电子书包含四篇文章以及十多个Würth Elektronik解决方案的产品信息，有助于读者快速找到并了解高级电磁兼容性设计所需的组件。
WCAP-CSGP通用MLCC是适用于温度补偿、滤波、耦合、去耦和旁路应用的高性能陶瓷电容器。Würth Elektronik的WE-XHMI Xtreme大电流电感器采用可降低铜损耗的绝缘扁平线圈，以及可实现高饱和电流的复合磁芯材料。此电感器可用于各种设备，包括显卡、多相转换器、笔记本电脑和电池供电设备。
WE-CMB共模电源线电感器即使在低频范围内仍能对非对称干扰实现高抑制，同时还可通过低电容绕组技术实现宽带屏蔽。此电感器是电力电子系统及电机无线电干扰抑制的理想选择。
贸泽库存有丰富的Würth Elektronik产品，包括电容器、变压器、电源模块以及汽车级无源元件。如需进一步了解Würth Elektronik，敬请访问https://www.mouser.cn/manufacturer/wurth-elektronik/。如需阅读电子书，敬请访问https://www.mouser.cn/news/wurth-elektronik-Electromagnetic/Wurth-passive-design-ebook.html。
作为全球授权分销商，贸泽电子库存有极其丰富的半导体和电子元器件并支持随时发货™。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计，贸泽网站提供了丰富的技术资源库，包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、设计工具以及其他有用的信息。
工程师还可以一键订阅免费的贸泽电子报，及时了解业界新品动态和资讯。在订阅贸泽的电子报时，我们可以根据您不断变化的具体项目需求来提供相关的新闻报道和参考信息。贸泽充分尊重用户的权利，让您能自由掌控想要接收的内容。欢迎登陆https://sub.info.mouser.com/subscriber-sc 注册，及时掌握新兴技术、行业趋势及更多资讯。
关于贸泽电子 (Mouser Electronics)
贸泽电子隶属于伯克希尔哈撒韦集团 (Berkshire Hathaway) 公司旗下，是一家授权电子元器件分销商，专门致力于向设计工程师和采购人员提供各产品线制造商的新产品。作为一家全球分销商，我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持，分销超过1200家品牌制造商的500多万种产品。我们通过遍布全球的27个客户支持中心，为客户提供无时差的本地化贴心服务，并支持使用当地货币结算。更多信息，敬请访问：http://www.mouser.cn。
关于Würth Elektronik
Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG是电子领域的电子和机电器件制造商。该公司在欧洲、亚洲和北美的生产基地为越来越多地全球客户提供服务。公司产品计划包括 EMC 元件、电感器、变压器、高频元件、压敏电阻、电容器、电源模块、LED、插头、电源元件、无线电源线圈、开关、连接技术和保险丝座。Wurth Electronic eiSos GmbH ＆ Co. KG与其专业附属公司组成了 Wurth Electronic eiSos Group。
Radisys面向5G 物联网的Connect RAN软件为多个垂直行业的用例提供增强的功能和支持
开放式电信解决方案的全球领导者Radisys® Corporation今天宣布推出其Connect RAN 5G 物联网软件堆栈。该软件支持多种物联网使用案例，从超低成本、小电池装置驱动的部署（如计量和资产跟踪）到任务关键型、超低延迟、时间敏感的工业部署以及XR、视频监控和可穿戴装置部署。Radisys的Connect RAN 5G 物联网软件支持新用例快速上市，同时可以降低前期投资。由此改善的投资回报对整个5G生态系统都是一笔巨大的收益。对于移动运营商来说，5G物联网软件堆栈的增强功能体现在功能、覆盖范围、延迟、低功耗、可靠性和易于部署等方面。
新闻要点
Radisys的Connect RAN 5G 物联网软件通过为原始设备制造商(OEM)和服务提供商提供新的商业模式，在各个行业垂直领域提供各种物联网服务和用例，从而释放5G的整体潜力。它提供包括基于LTE波形的NB-IoT和eMTC/LTE-M以及基于NR波形的uRLLC、NR-lite / RedCap和eMBB在内的功能，实现不同的5G物联网用例。它还通过NR定位功能提供高级室内外定位支持。
这套Connect RAN 5G 物联网软件为地面和非地面(SATCOM)网络提供了 一份详尽的5G RAN技术赋能清单，以通过单一的RAN基础满足物联网解决方案的各种需求。
它还提供了软件部署的灵活性，包括不同的CU-UP部署（带或不带E1切分）、CU-DU架构切分选项（AiO、CU-DU Option-2/6切分、DU-RU Option-7.x切分），可搭配不同平台和计算机配置来提供室内外解决方案。
Radisys的Connect RAN 5G 物联网软件解决方案使OEM、原始设计制造商(ODM)和运营商能够经济高效地开发和部署物联网解决方案和网络，以满足工业、制造、医疗保健、农业、酒店、物流、楼宇自动化、智慧城市、公共事业（包括配电和计量）等各种业务领域的需求。
Radisys软件和服务高级副总裁兼总经理Munish Chhabra表示：“我们很高兴推出符合3GPP标准的Connect RAN 5G 物联网软件套件，为我们的客户提供行业领先、功能丰富的堆栈，满足5G物联网解决方案和网络的众多需求。推出该产品以后，Radisys将继续保持其领导地位，为客户提供多平台、符合标准的5G软件，并提供灵活的部署选项，使其能够应对多样化的物联网市场。”
关于Radisys
Radisys是开放式电信解决方案和服务的全球领导者。其分散式平台和集成服务利用开放式参考架构和标准以及开放式软件和硬件，使服务提供商能够推动开放的数字化转型。从数字终端到分散与开放访问和核心解决方案，再到沉浸式数字应用和参与平台，Radisys提供端到端的解决方案组合。其世界一流且经验丰富的网络服务组织提供全生命周期服务，帮助服务提供商以优化的总拥有成本构建和运营高度可扩展的高性能网络。如需了解更多信息，请访问www.Radisys.com。
原文版本可在businesswire.com上查阅： https://www.businesswire.com/news/home/20220222005290/en/
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。
碳化硅MOSFET性能如何？
650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3，随着技术的发展，元胞宽度持续减小，比导通电阻持续降低，器件性能超越Si器件，浪涌电流、短路能力、栅氧可靠性等可靠性问题备受关注。那么SiC MOSFET体二极管能抗多大的浪涌电流？其短路能力如何？如何保证栅极可靠性？
SiC MOSFET的体二极管抗浪涌电流大小与芯片的大小成正比。像派恩杰半导体采用自己搭建的10ms正弦半波浪涌极限测试平台和10us方波半波浪涌极限测试平台对其1200V的SiC MOSFET P3M12080K3进行抽样测试10ms IFSM >120A, 10us IFSM>1100A。
图1 10ms浪涌极限测试平台
图2 10us浪涌极限测试平台
至于短路能力，相较与Si IGBT，SiC MOSFET电流密度更高且栅极氧化层较薄，其短路能力要弱于Si IGBT，但其依然有一定的短路能力。
下表是派恩杰半导体部分产品短路能力：
表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量
No. | Value | Unit | Test Condition |
P3M12017K4 | 3.4 | μS | VDS = 800V, Rgon = 8.2Ω, Rgon = 7.5Ω, Vgs = -5/20V, Tj = 25℃ |
P3M12025K4 | 3.4 | μS | VDS = 800V, Rgon = 8.2Ω, Rgon = 7.5Ω, Vgs = -3/15V, Tj = 25℃ |
P3M12080K4 | 3.0 | μS | VDS = 800V, Rgon = 8.2Ω, Rgon = 7.5Ω, Vgs = -3/15V, Tj = 25℃ |
P3M06060K4 | 6.0 | μS | VDS = 400V, Rgon = 8.2Ω, Rgon = 7.5Ω, Vgs = -3/15V, Tj = 25℃ |
派恩杰半导体针对栅极的可靠性是严格按照AEC-Q101标准进行，在栅极分别加负压和正压（-4V/+15V）温度175℃下进行HTGBR和HTRB实验1000h无产品失效。除了常规AEC-Q101中要求的1000h小时实验，派恩杰半导体对于栅极寿命经行了大量研究。由于SiC/SiO2界面存在比Si/SiO2更大数量级的杂质缺陷，因此SiC MOSFET通常拥有更高的早期失效概率。为了提高SiC MOSFET的栅极可靠性，通过筛选识别并出早期失效非常重要。派恩杰半导体通过TDDB实验建立栅氧加速模型并建立筛选机制来消除潜在的失效可能性器件（可见往期推送）。
除了TDDB外，当正常器件使用时，由于半导体-氧化界面处缺陷的产生或充放电，SiC MOSFET的阈值电压会有漂移现象，阈值电压的漂移可能对器件长期运行产生明显影响。派恩杰半导体在高温条件下给SiC MOSFET施加恒定的DC偏压，观察其阈值电压的变化量。一般施加正向偏压应力时，阈值电压向更高的电压偏移；施加负向偏压应力时，阈值电压向更低的电压偏移。这种效应是由于SiC/SiO2界面处或附近的载流子捕获引起的，负向高压是MOS界面附近的空穴被俘获，产生更多的空穴陷阱；相反正向高压造成电子的俘获。 当然，也有的竞品产品在施加正向偏压应力时，阈值电压向更低的电压偏移；施加负向偏压应力时，阈值电压向更高的电压偏移。这是由于可移动离子在SiC/SiO2界面积累造成的，正向的偏压使得正性的可移动离子在SiO2/SiC界面积累，造成阈值电压负向漂移；负向的偏压使得正性的可移动离子在poly/SiO2界面积累，造成阈值电压正偏。为评估器件在使用过程中阈值电压漂移情况，派恩杰半导体进行了大量BTI实验，基于实验数据建立了PBTI&NBTI模型，借助模型可知晓器件在不同温度和栅压情况下的阈值电压漂移程度。以P3M12080K4产品为例，该产品在极端应用情况下(PBTI:Vgs=19V，TA=150℃)使用20年阈值电压的漂移情况（+0.348V）,该产品在极端应用情况下(NBTI:Vgs=-8V，TA=150℃)使用20年阈值电压的漂移情况（-0.17V）。
Cascode、平面栅、沟槽栅优缺点
为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响，该如何选择呢？
首先，Cascode是指采用Si MOSFET和常开型的SiC JFET串联连接，如图3所示。当Si MOSFET栅极为高电平时，MOSFET导通使得SiC JFET的GS短路，从而使其导通。当Si MOSFET栅极为低电平时，其漏极电压上升直至使SiC JFET的GS电压达到其关断的负压时，这时器件关断。Cascode结构主要的优点是相同的导通电阻有更小的芯片面积，由于栅极开关由Si MOSFET控制，使得客户在应用中可以沿用Si的驱动设计，不需要单独设计驱动电路。
图3 SiC Cascode结构示意图
派恩杰半导体认为，Cascode结构只是从Si产品转向SiC产品的一个过渡产品，因为Cascode结构完全无法发挥出SiC器件的独特优势。首先，由于集成了Si MOSFET限制了Cascode的高温应用，特别是其高温Rdson会达到常温下的2倍；其次，器件开关是由Si MOSFET控制，因此开关频率远低于正常SiC MOSFET器件，这是由于JFET和Si MOSFET的合封其dv/dt也只能达到10V/ns 以下，而SiC MOSFET的dv/dt通常可以到达30V/ns~80V/ns。这些缺点使得Cascode也无法减小无源元件的尺寸，从而达到减小整体系统体积和成本的需求；最后，虽然从Cascode结构上是由SiC 高压JFET器件来承受母线电压，但是在开关过程中，MOSFET和JFET的输出电容依然会分压，当回路中存在电压震荡时，低压Si MOSFET依然有被击穿的风险。
SiC MOSFET沟槽栅的主要优势来源于纵向沟道，这不但提高了载流子迁移率（这是由于SiC(11
)晶面的迁移率高于(0001)晶面）而且可以缩小元胞尺寸从而有比平面型MOSFET更低的比导通电阻。然而，由于SiC非常坚硬，想要获得均匀，光滑且垂直的刻蚀表面的工艺难度和控制要求都非常的高，这也是只有英飞凌和Rohm推出沟槽栅SiC MOSFET的原因。沟槽栅工艺不仅对工艺实现要求非常高，在可靠性方面也存在一定的风险。首先，由于沟槽刻蚀后表面粗糙度和角度的限制使得沟槽栅的栅氧质量存在风险；其次，由于SiC的各向异性，沟槽侧壁的氧化层厚度和沟槽底部的氧化层厚度不同，因此必须采用特殊的结构和工艺来避免沟槽底部特别是拐角部分的击穿，这也增加了沟槽栅栅氧可靠性的不确定性；最后，由于trench MOSFET的结构，使得trench栅氧的电场强度要高于平面型，这也是Infineon和Rohm要做单边和双沟槽的原因。
SiC MOSFET平面栅则是最早也是应用最广泛的结构，目前主流的产品均使用该结构。派恩杰半导体产品采用的是也是平面栅MOSFET结构。基于平面栅结构，派恩杰已经发布了650V-1700V各个电压平台的SiC MOSFET，而且已经顺利在新能源龙头企业批量供货，实现“上车”。
作者：Frederik Dostal，ADI 现场应用工程师
本文将介绍一类新的DC-DC转换器，其中一个例子是LTC3336。它在待机模式下仅消耗约65 nA的电流，非常适合电池供电系统。
转换效率是电源转换器的一个关键特性。用于降压转换的常见开关稳压器（降压转换器）的转换效率通常在85%到95%之间。能达到的效率很大程度上取决于可用电源电压、要生成的相应输出电压以及所需的负载电流。然而，许多应用需要特殊类型的转换效率，对此有特殊的开关稳压器解决方案。这些部署需要针对低输出功率进行优化的转换器。始终在线的电池供电系统在待机模式下需要消耗的电流量通常非常低。实例包括测量桥梁振动或检测森林火灾的传感器。在此类情况下，重要的是长时间保持低电量放电。这一特性在依赖能量采集器作为能源的系统中尤为重要。
这种传感器通常还通过无线电连接到其他设备。通常通过能量采集方式或电池供电的单个节点被链接起来，以跨越多个节点和长距离传输信号。这些单独的无线电节点必须始终以一种“睡眠模式”监听信号，当相应的信号出现时，它便切换到能耗较高的工作模式并传播相应的信号。
图1.一个带有传感器的系统，为传感器持续供电的能量很低——例如，能够检测森林火灾的传感器。
LTC3336代表了一类新的DC-DC转换器。当产生输出电压且输出端有低负载时，它在待机模式下仅消耗约65 nA的电流。图2显示了一个紧凑的电路例子，它从大约7 V的VIN产生2.5 V的输出电压。
图2.静态电流仅65nA的LTC3336降压型转换器产生2.5V的输出电压
此类电压转换器通常情况下其输出电压不是通过电阻分压器设置的，否则会浪费太多的能量。为了能够设置不同的输出电压，使用引脚OUT0到OUT3。根据这些引脚的接线，输出电压可以步进方式在1.2 V和5 V之间设置。
在许多能量采集应用中，必须保护能源免受过大电流负载的影响。有些电池或采集器只能提供有限的电流。如果超过这个特定的限流值，电压会下降，或者在某些情况下，甚至会发生损坏。因此，限制电源转换器的电流消耗是有意义的。LTC3336能以10 mA到300 mA的可调步长限制输入电流。此输入电流限制类似于输出电压，因为它可以通过IPK0和IPK1引脚的适当接线来设置。
图3.即使负载电流仅为1 µA，从7.2 V到2.5 V的电源转换效率也达到了大约70%
图3中的效率曲线显示了输出电流非常低（如1 µA）时可以达到的效率。这就节省了大量能量，尤其是在长时间工作和低负载的应用中。
结语
本文说明，LTC3336在待机模式下仅消耗65 nA的电流，因而是电池供电系统的出色选择。这意味着，电池大小固定的电路可以工作更长时间，或者能量采集器可以设计得更小，因而成本更低。
在MEMS 传感器上集成信号处理器和人工智能算法引入本地决策能力的同时显著节省空间和电能
服务多重电子应用领域、全球排名前列的微机电系统 (MEMS)制造商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 宣布推出智能传感器处理单元 (ISPU)。新产品在同一颗芯片上集成适合运行 AI 算法的数字信号处理器 (DSP)和 MEMS 传感器。
与系统级封装产品相比，除尺寸更小，功耗降低多达 80%外 ，传感器和人工智能融合方案还让电子决策功能走进应用边缘设备。在边缘应用领域，智能传感器可以促进Onlife 时代的来临，催生有感知、处理和执行功能的创新产品，实现科技与现实世界的融合。
Onlife 时代接受互联技术提供持续帮助的生活，享受自然、透明的人机交互和无缝转换，觉察不到在线和离线的区别。意法半导体ISPU处理器可以将智能处理功能迁移到传感器，支持“不再远离边缘，而是进入边缘”的生活方式，促进Onlife 时代的来临。
意法半导体的 ISPU 在功耗、封装、性能和价格四个方面提供实质性优势。专有超低功耗 DSP准许使用许多工程师熟悉的 C 语言编写算法，还允许量化 AI 传感器支持全位到一位精度的神经网络。在活动识别和异常检测等任务中，通过分析惯性数据，这个特性确保应用具有出色的感测准确度和能效。
意法半导体 MEMS 子部门执行副总裁 Andrea Onetti 表示：“虽然在技术上具有挑战性，但在同一颗硅片上集成传感器与ISPU，真地把基于传感器的系统从在线体验提升到Onlife体验。新产品可以减少数据传输量，加快决策速度，从而提高传感器的功能性，而本地保存数据可以增强隐私保护。新产品还降低了尺寸和功耗，有助于降低系统成本。此外，用商用AI 模型写ISPU算法很简单，基本上支持所有的主要的 AI工具。”
技术说明
这款ST 专有的可用C语言写算法的DSP是一个增强型 32 位精简指令集计算机 (RISC)，在芯片设计阶段可以扩展系统，增加专用指令和硬件。该处理器提供全精度浮点单元，采用快速四级流水线，支持16 位可变长度指令，并包括一个单周期 16 位乘法器。中断响应是四个周期。这款集成ISPU的智能传感器采用一个3mm x 2.5mm x 0.83mm 标准封装内，引脚兼容ST前代产品，方便客户快速升级换代。
单片整合传感器和 ISPU还是一个很好的省电方法。意法半导体的功耗计算显示，在传感器融合应用中，新产品功耗是系统级封装的五分之一到六分之一；在 RUN 模式下，功耗是系统级封装的二分之一到三分之一。
详情访问 www.st.com/ispu
关于意法半导体
意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商，意法半导体与二十多万家客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和5G技术应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com。
这些奖项旨在表彰e络盟社区成员的杰出成就
安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟公布其2021年度社区奖获奖者名单。e络盟本年度为杰出创新者、设计师和工程师设立了多个奖项，以表彰全球社区成员取得的不凡成就。 本年度社区奖还首次设立“年度明星成员”（5名）和“年度新锐成员”（10名）两个奖项。
e络盟社区和社交媒体全球主管Dianne Kibbey表示，“e络盟社区全球拥有80多万名社区成员。我们非常感谢每一位社区成员在过去一年中所做出的贡献。他们分享的各种项目、设计、创意、视频和评测内容让我们倍感震撼。为此，本年度社区奖特设立更多奖项。”
e络盟2021年度社区奖获奖者如下：
年度明星成员 - Jan Cumps、Don Bertke、Doug Wong、Shabaz Yousef和Frank Milburn在2021年积极参与e络盟社区活动并做出了巨大贡献。
2021年度新锐成员 – Gary Yohe、Scott Stobbe、Andrew Johnson、Sean D. Conway、Michael Zurek、Enrique Albertos Ciervide、Steve K. Kruglewlcz、Navadeep Ganesh U、Rushiraj Jawale和raspberrypitechguy不仅在2021年为社区做出了重大贡献，且都展示出了创客潜能。
年度设计挑战者 – Enrique Albertos Ciervide – Enrique Albertos Ciervide设计了一款物联网设备VenTTracker，可监控特定区域的气体密度并控制窗户，为对抗新冠病毒的传播提供了切实有效的方法。Enrique Albertos Ciervide凭借VenTTracker获得“Design for a Cause”设计挑战赛特等奖。
Project14年度最佳项目 - 使用测量放大器和仪器控制板查看噪声 - Shabaz Yousef构建的一款测量放大器和Andrew Johnson设计的一款仪器控制板，都是用于噪声测量的优秀设计，均被评为2021年度最佳Project14项目。
e络盟Presents年度最佳视频项目 - DIY 星际迷航三录仪 - 本奖项由e络盟社区成员投票评选，James Lewis制作的DIY星际迷航三录仪最终获得这一奖项。这个趣味性星际迷航主题视频也是2021年“盲盒元件制造”挑战赛的获奖项目。
2021年度最受青睐路测产品 - Rohde & Schwarz NGU401源测量单元、Digilent 1x1 USB软件定义无线电平台和Raspberry Pi Pico。该奖项由e络盟社区成员从2021年参与路测的众多产品中投票选出，以上三款产品分别位列第一、第二和第三名。
2021年度路测达人– 多位获奖者 – 本年度出现了很多优秀路测项目，因此特设立多个奖项，包括2021年学生路测达人、2021年新锐路测达人、2021年新兴技术路测达人，以及2021年综合路测达人。
Project14 2021年度决策者、创始人和影响力人物 - Frank Milburn、Jan Cumps和Gary Yohe。e络盟社区成员在Project14设计挑战赛中发挥着不可或缺的作用，包括提议并确定每月活动主题。为此，e络盟特评选出三位社区成员以表彰他们在项目评选工作、活动主题创意以及内容发表上的杰出表现。
2021年度最佳网络研讨会 - FPGA暑期活动 - e络盟每年都会举办多个网络研讨会及其他培训课程。“FPGA暑期活动”网络研讨会探讨了FPGA入门相关知识，吸引了研讨会观众的积极参与和互动。
年度社区奖是e络盟表彰其工程师和创客社区成员成就的众多方式之一，也是对他们利用电子设计给社区和世界带来积极影响的肯定。
了解e络盟2021年度社区奖的更多信息，请访问e络盟。
关于我们
e络盟隶属于Farnell集团。Farnell是全球电子技术产品领导者，致力于科技产品和电子系统设计、生产、维护与维修解决方案的高品质服务分销已逾80年。凭借其丰富的业界经验，Farnell向电子爱好者、设计工程师、维修工程师和采购人员等广泛客户群体提供强有力支持，同时与全球领先品牌和初创企业积极合作，共同研发高新产品并推向市场。公司还全力协助推动行业的发展以期培养出一批优秀的当代和下一代工程师。Farnell在欧洲经营 Farnell 品牌，北美经营 Newark品牌，亚太地区经营e络盟品牌。Farnell通过其广泛的分销网络及在英国的CPC公司直接向客户供货。
Farnell隶属于安富利公司（纳斯达克代码：AVT）。安富利是一家全球技术解决方案提供商，拥有庞大而完善的生态系统，可在产品生命周期的各个阶段为客户提供设计、产品、营销和供应链专业服务。
欲了解更多信息，敬请访问：http://www.farnell.com/corporate和https://www.avnet.com。
据国外媒体报道，LG电子（LG electronics）发布声明称，LG电子将退出全球太阳能电池板业务，22日LG董事会批准了这项决定。此前，LG 全面评估了材料和物流成本上升，以及严重的供应限制对太阳能业务的影响。LG电子表示，尽管面板生产将在今年春天结束，但LG将继续支持自己的品牌。
在业务关闭后的一段时间内，公司将在未来几年继续支持其美国太阳能客户。太阳能电池板生产本身将持续到今年第二季度，以维持足够的库存，为未来的服务提供支持。
LG Electronics北美总裁兼首席执行官Thomas Yoon表示：“在退出太阳能电池板业务的同时，LG正专注于能够产生更大影响的产品和服务。可持续发展是LG电子的核心业务原则，我们一直在评估LG如何释放出更大潜力，创造更大价值，和支持我们为所有人创造更美好生活的愿景。”公司将专注于增长领域，并通过包括储能系统和家庭能源管理在内的产品和解决方案进入可持续发展的新时代。
（来自：LG 官网）
业务战略的变化将影响到LG位于亨茨维尔的企业园区的员工，公司表示希望留住有才华、敬业的员工，正与其进行会面协商，确定分配到其他业务和制造部门的机会。
太阳能电池板业务预计将在6月30日前完成关闭。
来源：TechWeb
2月23日午间消息，联想集团发布最新财报。财报显示，2021/22财年第三财季营收201.3亿美元，同比增长16.7%，预估187.8亿美元；净利润6.40亿美元，同比增长62%，预估5.354亿美元。
第三财季业绩摘要：
ISG基础设施方案业务集团达致新的里程碑，实现在收购IBM x86服务器业务后的首次盈利，营业额123亿人民币，同比增长19%，运营利润1.08亿人民币；去年新成立的SSG方案服务业务集团在保持高增长的同时持续提升盈利能力，营业额同比增长25%达到95.8亿人民币，运营利润21亿人民币，大幅增长44%。
IDG智能设备业务集团营业额达1126亿人民币，同比增长16%，运营利润达到86.4亿人民币，同比增长21%。
集团净利润已连续6个季度同比增长超过50%。净负债则持续减少，净现金流5.2亿人民币，系5年来首次转正。
第三财季研发投入达到35.1亿人民币，同比增长38%。
财季业绩亮点
单季营业额1287亿人民币创历史新高，同比增长16%
净利润41亿人民币创历史新高，同比增长62%
季度研发投入达到35.1亿人民币，同比增长近40%
SSG 方案服务业务集团营业额95.8亿人民币，同比增长25%
ISG基础设施方案业务集团营业额123亿人民币，同比增长19%
IDG智能设备业务集团营业额1126亿人民币，同比增长16%
来源：新浪科技