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加速自动化项目和提高工业生产力的关键产品现已备货

安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟通过引入TE Connectivity (TE) 的全新产品，进一步扩展了工业自动化解决方案产品组合。作为全球连接和传感器解决方案的领导者，TE为工程师们提供了广泛的先进产品，旨在提升现代自动化系统的智能性、可靠性和效率。

随着工业环境催生对更快、更智能、更互联的解决方案的需求，TE 的先进产品为高性能工厂自动化提供了关键支撑。

该产品系列主要涵盖工业自动化系统的中枢神经系统。从帮助实现 25 Gbit/s 数据传输的高速连接器，到可在切换前进行思考的精密继电器，再到先进传感器和智能电源解决方案，TE Connectivity 先进的解决方案为您的机器赋予智能沟通、自主适应与卓越执行的能力。

无论是设计先进的机器人，还是集成高压电源系统，亦或是扩展工业物联网，e络盟广泛的 TE Connectivity 产品系列均可确保客户获得更牢固的连接、更智能的控制以及卓越的可靠性。

新产品系列中的明星产品包括：

ERNI SMC 连接器：这款高度可靠且接触密度高的连接器适用于 BtB（板对板）和 WtB（线对板）连接，配备小型多极连接器，提供多种形状以支持不同的连接配置。

力导向继电器和 RT/RZ 系列继电器：这些继电器专为安全电路而设计，可与光幕、互锁开关、急停开关和控制输出等设备配合使用。

AMPMODU 2mm 连接器：AMPMODU 2 mm 互连系统能够可靠且经济高效地契合对当今微型、精密电子设备的需求。该系统非常适合空间受限的环境，其设计特点可确保在要求严苛的应用中实现可靠的信号传输。

高压电池断连开关：KISSLING 高压(HV) 电池断连开关是坚固耐用的安全解决方案，现提供多种版本：250A（无高压互锁）和 400A/500A（带高压互锁）。

了解有关 e络盟提供的全系列 TE Connectivity 解决方案的更多信息，欢迎访问TE Connectivity 自动化控制解决方案。

关于e络盟

e络盟隶属于Farnell集团。Farnell是全球电子元器件以及工业系统设计、维护和维修产品与技术的分销商，专注快速与可靠交付。从原型研究与设计到生产，Farnell全天候为客户提供可靠的产品与专业服务。凭借逾80年行业经验、48个本地化网站以及3300多名员工的专业团队，Farnell致力于为客户提供构建未来技术所需的各类组件。

Farnell在欧洲经营Farnell品牌，北美经营Newark品牌，亚太地区经营e络盟品牌。同时，Farnell还通过CPC公司直接向英国地区供货。

自2016年起，Farnell加入了全球技术分销商安富利公司（纳斯达克代码：AVT）。如今，双方的合作赋能Farnell支持客户整个产品生命周期，提供独特的分销服务、端到端交付和产品设计专业知识。

欲了解更多信息，敬请访问：http://cn.element14.com。

器件通过AEC-Q200认证，能够与多种液体永久接触，而无需昂贵的线对线连接器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q200认证的新款NTC浸入式热敏电阻---NTCAIMM66H。Vishay BCcomponents NTCAIMM66H采用小型化设计，配有紧凑的传感器端头和细绝缘线，非常适合液冷汽车系统的小空间使用，可在短至1.5秒内对温度变化做出快速响应。

日前发布的这款坚固耐用的器件由安装在316L不锈钢外壳中的微型NTC热敏电阻（外壳带有无铅黄铜环）和0.35 mm2 AWG#22绝缘导线组成，绝缘导线采用牵引力大于30 N 的FLR2X结构。这些导线可直接与汽车连接器压接，无需使用昂贵的线对线连接器，而不锈钢外壳可与水或其他液体永久接触。 

除太阳能加热系统、储能系统、工业驱动器和工具以及服务器外，NTCAIMM66H还可用于液冷汽车系统的温度测量、传感和控制，例如如混合动力汽车/电动汽车车载充电器（OBC）、充电头和插座。器件可采用不同的电缆和剥线长度、规格和导体电镀材料进行定制，以满足特定应用的需要，这样，Vishay客户就能够将热敏电阻集成到混合动力汽车/电动汽车热管理系统（TMS）的完整传感器解决方案中。

这款浸入式传感器在+25 °C (R25)时的电阻值为10 k，误差为± 2 %，B25/85值为3984 K，误差为± 0.5 %。该器件的最大功耗为100 mW，工作温度范围为-40 C至+125 C。

NTCAIMM66H现可提供样品并已实现量产，供货周期为12至14周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ^®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成本，同时最大限度地降低风险并支持多源采购——设计人员不断面临这些经常相互矛盾的挑战。

Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力。这些电源可再生能源、工业电机控制和车辆电气化等快速增长的市场变得越来越重要。依托 Wolfspeed 可靠的第三代碳化硅技术，并在行业领先的 200 mm 制造工厂独家制造，该产品系列使得工程师能够重新考虑如何解决低功耗辅助电源系统设计时的各种权衡取舍的问题。

除了 TO-247-3 (D) 和 TO-263-7 (J) 封装外，Wolfspeed 产品组合还增加了一种新型的用以支持工业应用全模塑封装 TO-3PF (M)。此封装通过避免使用绝缘热界面材料，从而降低了组装成本和发生错误的风险。另外，TO-3PF (M) 封装通过将引脚之间的最小爬电增加到 4.85 mm，并且避免了外露的漏极板，从而提高了产品在恶劣环境下的稳健性。

更高的性能和即插即用能力

相比先前的 C2M 1700 V 系列和竞品，Wolfspeed 的 C3M 和 E3M SiC MOSFET 技术带来了多项改进。在新推出的 C3M / E3M 系列中，栅极电荷从 C2M 等效器件中的 22 nC 降低至仅 10 nC，减少了栅极驱动的功率需求，简化了反激式电源中的启动操作。此外，还降低了输出电容，使得 E_oss  降低了 30%，从而减少了开关损耗。

实现系统级改进并非总是那么容易，因为更改设计可能需要集中时间和资源。在大多数现有低功耗辅助电源设计中，Wolfspeed 新系列 900 mΩ 碳化硅 MOSFET 都具备即插即用的兼容性，使您能够充分发挥新器件的优势，而无需进行大量的的重新设计工作。从封装角度来看，TO-247-3（通孔封装）和 TO-263-7（表面贴装）与当今市面上的其他碳化硅和硅器件兼容，无需更改 PCB 布局或散热器附件。

许多辅助电源都配有 12 - 15 V 输出，用于运行其他控制或负载。C3M / E3M 系列可以直接将此电压轨用于反激式控制器和由此产生的栅极电压，无需使用单独的辅助绕组或变压器分接头，即可提供前几代和某些竞品所需的更高 18 - 20 V 电压。

硅和碳化硅 MOSFET 竞品的栅极电压水平范围从 12 V 到 20 V 不等，加剧了设计人员在多源设计方面的挑战。幸运地是，Wolfspeed C3M0900170x 系列可直接支持 12 - 18 V_GS。得益于优化调整的内部栅极电阻，Wolfspeed 器件可在高达 22 V_GS 的电路条件下工作。在栅极电压 > 18 V 的设计中，可以使用齐纳二极管代替外置栅极电阻，将驱动电压降低至 12 - 18 V 范围以内。

将 R_{G_EXT} 替换为 3.3 V 齐纳二极管，以降低 MOSFET 栅极处的 V_GS

升级硅基系统时的性能改进

虽然高压 (1500 - 2000 V) 硅 MOSFET 也可用于此系统空间；但缺点是，由于1 - 2 Ω 器件每单位面积 R_DS(ON) 较高，造成价格往往比较昂贵，并且损耗较高。取而代之地是，可以利用双开关反激式拓扑来选择较低电压的硅器件。虽然此类器件比较便宜，但双开关拓扑的设计更加复杂，需要更多组件和空间。

碳化硅 MOSFET 非常适合此类电压等级，并可轻松实现适用于辅助电源应用的低 R_DS(ON) 和低开关损耗。设计人员能够利用单开关反激式拓扑，这可以消除了双开关设计所需的额外电路和设计复杂性。

双开关拓扑需要更多组件和额外的 PCB 面积

采用碳化硅 MOSFET 的简化单开关设计节省了空间和成本。

面向所有应用的耐用性设计

在许多需要长寿命和可靠运行的工业和汽车应用中，都能发现辅助电源的身影。C3M / E3M 系列额定工作结温为 -55 °C 至 +175 °C，使得其适用于极端温度条件。C3M0900170D、C3M0900170J 和 E3M0900170D 均通过 THB-80 (HV-H3TRB) 测试，其测试条件为85% 湿度、85 °C 环境温度下施加1360 V 阻断电压进行持续 1000 小时的测试。

在讨论半导体在不同应用中的耐受性时，必须考虑宇宙辐射引起的失效率（FIT）。Wolfspeed C3M / E3M 系列通过改进器件设计和减小芯片尺寸，进一步降低了旧有 C2M 系列本已很低的失效率（FIT）。与上一代相比，使用 Wolfspeed 第三代器件的典型 1200 V母线电压反激电路在海平面连续运行 10 年后，失效率（FIT） 降低了 65%。

启动碳化硅系统开发的设计资源

Wolfspeed 在为工程师提供设计支持方面处于行业领先地位，而新推出的 1700 V 系列部件亦不例外。请查看下面的资源，使用这一新的 C3M / E3M 系列 900 mΩ 1700 V 器件加速您的设计。

CRD-020DD17P-J 参考设计：20 W 60 - 1000 V 输入参考设计，其中完整的设计文件可供下载。更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/products/power/reference-designs/crd-020dd17p-j/

KIT-CRD-025DD17P-J 评估板：25 W 60 - 1000 V 输入评估板（带设计文件）。该评估板采用与上述参考设计类似的电路，但布局更简单，以方便在实验室中进行测试和原型设计。更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/products/power/evaluation-kits/kit-crd-025dd17p-j/

器件模型：PLECS 和 SPICE 模型可供下载，帮助在测试之前进行仿真工作。更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/tools-and-support/power/ltspice-and-plecs-models/

产品样品：敬请访问我们的网站，申请样品，以开始您的设计，或在您现有的产品中试用样品，以评估性能。更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/tools-and-support/sample-center/

功率应用在线讨论平台：加入我们的技术社区，就您在设计中遇到的任何问题或面临的任何挑战咨询我们的碳化硅专家。更多信息，敬请访问，

https://forum.wolfspeed.com/

关于 Wolfspeed 1700V 碳化硅 MOSFET 更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-mosfets/1700v-silicon-carbide-mosfets/

英文原文链接如下，

https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/reimagine-auxiliary-power-supply-system-durability-cost-with-wolfspeed-1700v-mosfet-technology/

引言

数字集成电路设计中，单元库和IP库宛如一块块精心打磨的“积木”，是数字IC设计的重要基础。从标准单元库（Standard Cell）、输入输出接口（I/O Interface）、存储器单元（如 SRAM、ROM等），到大量数模混合 IP（如物理层接口 PHY、锁相环 PLL 等）——这些模块经过“K 库”流程，形成预先定义好、经过参数特征化的标准模块集合，方可被数字 IC 设计流程所调用。设计师无需从零开始，直接调用这些“积木”，即可高效搭建复杂的电路系统，从而大幅提升设计效率与可靠性。

K库，全称为“Library Characterization” （库特征参数提取），正是赋予这些“积木”生命力的关键步骤。它通过电路仿真，提取出单元在各种工况下的时序、功耗、噪声等核心特性参数，最终形成逻辑信息模型文件（如Liberty格式文件）。这些模型文件是后续数字设计流程——综合、布局布线、时序签核和功耗签核——不可或缺的输入，直接决定了芯片的性能、功耗和良率。可以说，没有高质量的K库，就没有成功的数字芯片。

在此背景下，华大九天Empyrean Liberal®应运而生，以其高效精确的特征化提取能力，AI智能化技术和全面的单元库质量验证功能，构建了业界领先的全栈式K库解决方案，为数字集成电路设计提供了强大的赋能体系。

• 全类型覆盖： 覆盖从标准单元库、输入输出接口、存储器Memory到复杂数模混合IP库，实现从基础单元到复杂设计的一站式支持；

• 双平台支持：不仅能够在CPU上运行，更提供CPU-GPU协同加速能力，恰似战斗机配备的双引擎发动机，凭借多元异构释放极致算力，大幅提升特征化效率；

• Signoff级全工艺认证：历经完整的系统级Certification流程，包括从成熟工艺到先进工艺节点，确保最终生成的Liberty文件严格满足业界签核（Signoff）级要求，为芯片设计质量筑牢根基。

挑战：工艺演进下的K库困境

1 模型复杂度爆炸

随着工艺节点的不断推进和设计复杂度的显著提升。K库的类型、数目急剧增加，特征化模型描述也愈发复杂：

• 对于90nm以上成熟工艺，NLDM（非线性延时模型）和NLPM（非线性功耗模型）即可满足基础标准单元需求，K库对象通常为普通基础单元。

• 进入40-90nm工艺后，需引入CCS（复合电流源延时模型），以应对电阻主导的互连效应。

• 当工艺发展至16-28nm先进节点，CCS全面替代NLDM，并扩展出CCSN（噪声模型）与CCSP（功耗模型）。同时出现了Multi-Bit Cell和PB/PM多电压域单元等复杂单元。

• 至16nm以下尖端工艺，模型不仅需要CCS/CCSN/CCSP，进一步叠加了LVF格式的统计时序分析内容。各种多元化、定制化的特殊单元库设计对K库能力要求甚高。

2 工艺角覆盖激增

PVT（工艺/电压/温度）组合从早期的几种扩展至数十种，先进工艺下更是常常多达上百种。多维参数组合，使得K库任务量呈指数级增长，对特征化工具的性能提出严峻挑战。例如：

• 电压范围：从0.6V到1.2V 的多电压域；

• 阈值电压：涵盖ULVT、LVT、SVT、HVT等多种阈值电压类型；

• MOS管长度：包含不同尺寸的MOS管；

• 温度范围：从-40℃到125℃的不同温度条件；

3 单元类型复杂多样

K库范围不仅包括常规的STD标准单元库，还涵盖了定制单元、I/O单元、Memory存储器单元以及IP库等。

• 定制单元：先进工艺条件下，为了追求极致性能和功耗，越来越多的定制化或特殊结构单元需要进行特征化提取。例如：高速CDC单元、脉冲锁存器、动态触发器等。

• I/O 单元：一些I/O 接口库，例如GPIO通用输入输出接口，LVDS低压差分信号、Flash-IO等。

• Memory：SRAM、ROM等存储单元规模庞大，结构规则但有大量重复单元，传统方法仿真效率低下；其读/写时序、功耗、稳定性的精确提取至关重要且计算密集。

• IP：物理层接口、通用串行总线、锁相环、低压差稳压器、数模转换器等复杂IP模块往往包含模拟/混合信号电路，其K库需要处理连续信号、混合仿真域、复杂的互作用和非理想效应，难度和耗时远超纯数字单元。

华大九天Liberal家族：高效精准的K库Signoff工具

面对以上严峻挑战，Liberal家族推出了从标准单元库、I/O、存储器到混合信号IP等四大品类。除了K库本身，华大九天更构建了业内领先的“特征化-验证”一体化闭环流程，建立了强大的单元库质量验证工具链，包括Qualib（单元库/IP质量验证工具）、XTime（高精度时序仿真分析工具）以及Liberty API（Python API接口）等。这种“K库+验库”的深度整合与无缝衔接，正是Liberal作为真正完整解决方案的核心竞争力所在。Liberal家族产品本身具有以下特点：

1 Signoff签核级别的高精度单元库特征化提取

• 高精度引擎：内置高性能电路仿真引擎ALPS，提供快速且具有SPICE级签核精度的仿真数据，确保模型准确性是设计的坚实后盾。

• 全面模型支持：支持业界所有主流时序/功耗模型格式，包括NLDM, NLPM，CCS, CCSN, CCSP, LVF等，满足不同工艺设计的签核要求。

2 AI加速的单元库特征化提取

Liberal AI基于给定PVT条件下的特征库作为训练数据，利用机器学习算法构建特征化模型，预测其余PVT工艺角下的单元库，而无需依赖SPICE仿真。Liberal AI能够以比传统流程快10-100倍的速度产生满足设计精度的新PVT工艺角下的单元库，为设计人员提供了极大的便利。

3 单元库质量验证

• 工具内部丰富的单元库质量验证功能：可以比较两个单元库的数据、属性和结构一致性，检查不同模型之间（例如CCS和NLDM）的数据精度，进行电压/温度敏感性分析和内差值的精度校验，以及约束时间的检查与更新等。

• 全生态的“K库+验库”工具链：Liberal结果通过Qualib实现签核级单元库/IP模型质量验证（涵盖语法规则、时序/功耗模型一致性、电学约束完整性等）；利用XTime进行关键时序路径SPICE级时序仿真比对，确保Liberty模型与晶体管级电路行为严格一致；同时提供Liberty API开放接口，支持用户基于Python灵活开发定制化验库脚本。这套“K库+验库”工具链，为Signoff签核提供可追溯的验证依据。

4 高性能并行适配与多元异构加速

• 高性能并行：采用高效的分布式并行调度技术，最多可支持高达 200,000核并行运算，将海量的仿真任务并行处理，满足K库特有的多任务并行计算与协同的需求。

• 国产化生态适配：深度兼容鲲鹏处理器生态系统。

• 异构计算赋能的加速：Liberal不仅支持在CPU上运行，还支持GPU和DCU（深度计算处理器）等异构计算平台，从而进一步大幅提升K库效率，缩短研发周期。

技术创新推动产业发展

Liberal的高精度也得到了实际的客户端验证。某国内知名半导体公司采用Liberal作为K库方案，在14nm工艺K库开发项目中，Liberal的CCS模型精度如下图所示，其最大延迟误差严格控制在0.7%以内，大部分数据更分布在0.3%以内，高精度特性充分满足了客户对时序分析的要求。

先进工艺下Liberal K库之CCS模型精度

实测结果显示，Liberal 单元库特征化提取精度契合业界Signoff签核标准。其提供的高精度数据，为最终芯片设计在时序收敛及可靠性方面筑牢根基，成为强有力的保障支撑。

结语

在先进工艺与AI芯片爆发的双重机遇下， K库已不单是一个必经的技术环节，而是一把直接决定产品上市速度和最终竞争力的钥匙。Liberal作为华大九天的代表工具，正在以“效率+精度+智能”全新范式重塑单元库特征化流程，以精准K库数据筑牢数字设计基石，高效赋能用户团队。我们坚信，在Liberal的助力下，数字集成电路设计行业必将迎来更加辉煌的明天。

来源：华大九天