来源：意法半导体博客

VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器，可在宽范围工作电压（9 V至23 V）中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。我们还推出了EVLVIPGAN100PD，这是我们首款用于USB-PD应用的VIPERGAN100评估板。VIPerGaN器件使用650V氮化镓（GaN）晶体管，这意味着在自适应突发模式开启时，待机模式下的功耗低于30 mW。QFN 5 mmx6 mm封装也使其在业内同等功率输出中拥有较小的封装尺寸。

虽然器件相似，但由于GaN晶体管的RDS(ON)较低（VIPERGAN50为450 mΩ；VIPERGAN65为260 mΩ；VIPERGAN100为225 mΩ），因此输出功率可能更高。VIPERGAN100在欧洲电压范围（185-265VAC）内可提供100W的输出功率。其他情况下，则将提供75 W（85-265 VAC）的功率。此外，所有器件均可实现引脚兼容，工程师无需大幅改变PCB布局或设计即可快速互换。因此，我们的团队希望通过更实用的产品组合来降低GaN的门槛。

为何选择QR ZVS反激式转换器？

• 应用不断对功率密度提出更高要求

【越来越小的充电器】

在2002年11月的AN1326（L6565准谐振控制器）应用笔记中，我们解释了工程师经常在电视和其他电器的开关模式电源(SMPS)中使用准谐振(QR)零电压开关(ZVS)，也称为开启时谷底开关。其拓扑结构至今依然适用，并已出现在更多产品中。其原因在于，功率包络的密集度每过十年就会显著增加。例如，现在像素更高的电视，其功耗要求也更为严格。同样，虽然50 W充电器并非新产品，但消费者需要的是外观轻便，且能给笔记本电脑、平板电脑、手机和其他设备快速充电的产品。

• QR ZVS反激式转换器不断需求更高效率

业界经常选用准谐振转换器，主要原因在于其较高的效率。传统PWM转换器中，在电压最高时开启器件，会导致功率损耗随开关频率的增加而上升。工程师可使用缓冲电路缓解此类情况，但提高效率的有效途径是软开关，即在电压或电流为零时进行开关。为此，通过谐振（电感-电容或LC）将方波信号转换为正弦波形。在ZVS中，启动发生在曲线底部或谷底。多年来，工程师试图提高QR ZVS反激式转换器效率，而GaN恰巧可以满足这一需求。

为何选择VIPERGAN50、VIPERGAN65或VIPERGAN100？

• GaN晶体管

【VIPerGaN器件】

VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100使用与MASTERGAN系列相同的650 V GaN晶体管，因此具有类似优势。例如，GaN高电子迁移率意味着器件可适用于高开关频率。因此，器件可承受更大负载，同时减少损耗。有鉴于此，GaN可用于制造可输出更高功率，同时整体尺寸更小的电源。从时间来看，VIPERGAN50率先问世。此后，意法半导体陆续发布了具有更大输出功率的型号来展示其对GaN的承诺。

• 多模式操作

新器件可通过多模式操作优化其性能。简言之，VIPERGAN50、VIPERGAN65或VIPERGAN100可根据负载调整其开关频率。在重负载期间，准谐振电路可将GaN的导通与变压器去磁（ZCD引脚）同步，显著减少损耗。同样，重负载载或中等负载会触发跳谷。概括而言，负载降低时，晶体管可跳过一个或多个谷底。在这种情况下，开关频率会降低以限制损耗。同样，频率折返模式可在中等和轻负载期间降低频率，但确保其保持在某个阈值以上以防止噪声。最后，在轻载或空载时，突发模式可将开关频率限制在几百赫兹，同时保持恒定峰值电流以防止噪声。在最后一种模式中，VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100的静态电流仅为900µa。因此，新器件可助力满足要求更高能效以节省全球资源的新环境法规。

【VIPERGAN50多模式操作】

• 保护功能

传统上，工程师添加外部器件以提供安全功能并保护其电路。VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100可极大提高效率，这意味着意法半导体有空间容纳更多的安全功能。因此，设计师在电路板上需要更少的组件，从而减少所用材料。举例而言，新器件是VIPer Plus系列中首款提供输入过压保护(iOVP)以防止突然电压尖峰的器件。同理，brown-in/brown-out功能通过设置启动运行和停止运行的最小输入电压监控电源电压，以保护系统免受不可靠电源的影响。这些功能的优先级高于更常见的过温和过载/短路保护。

如何入门？

【EVLVIPGAN100PD】

建议入门者从评估板开始熟悉。我们即将推出EVLVIPGAN100PD，这是一款采用了Power Delivery 3.0的100W USB-C应用参考设计。该板具有五种电源传输模式：5V-3A,9V-3A,12V-3A,15V-3A,20V-5A.团队可由此打造一个带原理图的硬件平台，用于启动其自定义PCB和配置文件，这些PCB和配置接近其在应用中使用的配置文件。无论电源电压是115 V还是230 V，即使在50%的负载下，系统的峰值效率依然超过90%。该板还使用基于L6564的功率因数校正系统来限制失真。

ST已经发布了两个带VIPERGAN50的PCB。

EVLVIPGAN50PD将帮助工程师开发45 W USB Power Delivery应用。该板甚至附带功率配置文件，可作为参考设计。团队还可以使用EVLVIPGAN50FL，用于实现15 V/50 W反激式转换器。因此，与USB系统专用平台相比，该板支持通用性更强的应用，也使得工程师能够快速启动应用。最后是带VIPERGAN65的评估板EVLVIPGAN65PD，其同样面向USB Power Delivery电源。

旨在以SiC功率半导体为核心扩大罗姆集团的产能

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布与Solar Frontier Co., Ltd.就收购该公司原国富工厂资产事宜达成基本协议。

此次收购计划于2023年10月完成，此后国富工厂将成为罗姆集团的主要生产基地。

在实现无碳社会的过程中，罗姆的主要产品——半导体所发挥的作用越来越大。

尤其是在汽车和工业设备市场，为了减轻环境负荷并实现碳中和目标，围绕电动化的技术创新日新月异，市场对功率半导体和模拟半导体的需求也日益高涨。

预计半导体市场将会进一步扩大，为了满足市场需求，罗姆集团计划以SiC功率半导体为中心继续扩大产能，以确保对客户的稳定供应。

* 预计Solar Frontier将继续使用其中的部分场地和建筑物作为办公场所（租赁）

【关于罗姆（ROHM）】

罗姆（ROHM）成立于1958年，由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展】

销售网点：起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有技术中心和QA中心，在北京设有华北技术中心，提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

全球多元化化工企业沙特基础工业公司(SABIC)宣布其用于高级驾驶辅助系统（ADAS）的特种材料产品线再添新成员，继续为车辆和行人的安全保驾护航。此次推出的两款新型LNP^™ STAT-KON^™改性料非常适用于ADAS雷达吸波器件，有望推动毫米波雷达的应用，大幅提高传感器的精度和传输范围。毫米波雷达能够针对远程物体提供可靠、高分辨率的信息，有助于提高驾驶安全性，助力自动驾驶应用的发展。

全新LNP STAT-KON WDF40RID和WDF40RI改性料解决了毫米波雷达的一个关键挑战——不断增加的信噪比。为了尽可能减少干扰关键雷达信号传输的噪音，这两款改性料具有高耗散系数（Df），以此实现了噪音的高效吸收。与其他半结晶玻纤填充材料相比，SABIC的新型玻纤增强牌号产品具有更高的吸收率和更低的反射率。此外，其超高流动性和极低的翘曲度赋予客户更大的设计灵活性，助其开发新型内外部单层吸波件设计，或对传统金属背衬吸波件进行优化。

SABIC特材部LNP和NORYL业务管理总监赵藩篱表示：“ADAS技术精度和可靠性的稳步提高有助于改善车辆安全性。为加快ADAS技术的进步，SABIC持续致力于开发具有出色性能的新型特种材料，从而改进毫米波雷达、激光雷达和摄像头组件等ADAS传感器生态系统的设计和性能。我们的新型LNP STAT-KON改性料非常适用于雷达吸波器件，有望推动更高频率毫米波雷达的应用，实现更好的图像分辨率和更大的传输范围。这些全新解决方案也再次展现出SABIC在ADAS和整个交通出行领域的丰富经验。”

提高雷达性能

屡获殊荣的LNP STAT-KON WDF40RID改性料具有高吸收率（在77GHz时高达75%）和可控反射率（在77GHz时低至25%）两大特性，两者结合起来可显著降低噪声。在平面部件设计中，这款创新材料比现有材料的吸收率高出10%，反射率低10%，并且可以通过合适的设计形状进一步对性能进行优化。LNP STAT-KON WDF40RID改性料在用于ADAS雷达的各种毫米波频率（76-81 GHz频段）中表现出稳定的性能。通过最大限度地提高噪声耗散，这种新改性料能够尽可能减少重影和侧波干扰，从而提高ADAS雷达的分辨率和精度。

LNP STAT-KON WDF40RI改性料则是专为金属背板雷达吸波件所开发。LNP STAT-KON WDF40RI改性料可将无线电波吸收率提高至80%左右，同时将反射率降低到20%以下，并在使用金属背板时提供全面屏蔽。这两款牌号材料在75-110GHz频段具有相同的噪声屏蔽性能。

出色的流动性使新型设计成为可能

现有雷达吸波材料通常具有高粘度特性，并由于使用导电添加剂而导致流动性较低。高粘度限制了ADAS制造商设计薄壁型内部吸波件或雷达传感器周围的大型外部吸波件。LNP STAT-KON WDF40RID改性料具有更高的流速，能够减少内部雷达吸波件的壁厚（低至1毫米），降低侧叶噪声，并为额外的电子装置腾出空间。在加工性方面，高流动性意味着可大幅减少因欠注而产生的废品，提高整体产量。这款新型改性料在较长的流动长度（最长达20厘米）下也具有出色的尺寸稳定性。其低翘曲性可支持大型、弯曲的外部吸波件设计，从而减少相邻金属部件的噪音。

SABIC特材部亚太区研发和应用总监王勤表示：“凭借丰富的技术专长和深厚的经验，我们的开发团队在新型LNP STAT-KON改性料中平衡了导电性和流动特性，同时确保出色的噪音耗散性能。这些新产品弥补了目前可用材料的一系列关键不足，为新型内外部吸波器件的设计和加工性能改进带来了可能。采用这些新型改性料有望助力ADAS雷达技术迈上一个新的台阶。”

丰富的产品线有望推动ADAS应用

SABIC日益丰富的高性能材料产品线可用于雷达、LiDAR和摄像头组件等各类应用。这些材料包括ULTEM^™、NORYL^™和EXTEM^™树脂以及LNP^™ FARADEX^™、LNP^™ KONDUIT™和LNP^™ THERMOCOMP^™改性料。除雷达吸波材外，SABIC的特种材料还可用于盖板和外壳、镜头和镜头组件、红外（IR）透明雷达罩、电磁屏蔽板和支架等部件。

如需获得更多关于新型改性料以及SABIC其他先进材料的详细信息，请访问SABIC Material Finder网站。

关于 SABIC

沙特基础工业公司（SABIC）是世界知名的多元化化工企业，总部位于沙特利雅得。公司旗下制造工厂遍布全球，包括美洲、欧洲、中东和亚太在内多个国家和地区，产品涵盖化学品、通用及高性能塑料、农业营养素和钢铁。在建筑、医疗设备、包装、农业营养素、电子电器、交通运输和清洁能源等关键终端应用市场，SABIC长期致力于助力客户发掘潜在机遇。

SABIC业务遍及全球约50个国家，拥有逾3.1万名员工。秉持创新精神和独创思维，SABIC旗下各类专利和待批申请已达 9,948项。公司拥有丰富科研资源，并在美国、欧洲、中东、南亚和北亚五大核心区域设有创新中心。

沙特基础工业公司(SABIC)的两款新型LNP^™ STAT-KON^™改性料WDF40RID 和WDF40RI非常适用于ADAS雷达吸波器件，解决了毫米波雷达的一个关键挑战——不断增加的信噪比，有望推动毫米波雷达的应用，大幅提高传感器的精度和传输范围。

2023年7月13日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于高通（Qualcomm）QCC5181芯片的LE Audio应用模组（CW5181）方案。

图示1-大联大诠鼎基于Qualcomm产品的LE Audio应用模组方案的展示板图

自LE Audio规格问世以来，各大厂商便纷纷布局此市场，并已经推出了相应的产品。因此，对于新跨入蓝牙领域或者希望产品能快速投入量产的公司来说，采用LE Audio模组创新产品是快速追赶市场的有效途径之一。对此，大联大诠鼎基于Qualcomm QCC5181芯片推出了LE Audio应用模组（CW5181）方案，可帮助蓝牙厂商快速进行产品创新，缩短产品上市时间。

图示2-大联大诠鼎基于Qualcomm产品的LE Audio应用模组方案的场景应用图

本方案采用的QCC5181是Qualcomm旗下的超低功耗单芯片音频平台，其通过了SIG BluetoothV5.4认证，集成了LE Audio和Auracast™广播音频功能、第三代高通^®混合有源噪声消除（ANC）和Snapdragon Sound™技术功能，可以为True Wireless Stereo（TWS）earbuds、stereo headset、speaker、助（辅）听器的设计与开发提供支持。

图示3-大联大诠鼎基于Qualcomm产品的LE Audio应用模组方案的方块图

为了满足不同的成本需求，本方案还可以将QCC5181替换为QCC3081制成CW3081模组，以供应对价格比较敏感的产品使用。

无论是CW5181模组还是CW3081模组均由圆扬科技设计与制造。作为高通模组方案供应商，圆扬科技在蓝牙领域已经深耕十余年，终端产品遍及全球。公司除了在蓝牙模组设计方面有出色的成绩之外，还具有出色的软件支持及整合能力，可以为厂商提供客制化方案，协助客户开发更多的app应用。

核心技术优势：

2麦克风耳机cVc/1麦克风扬声器cVc；

aptX自适应；

aptX无损；

高通Snapdragon Sound（QSS）；

Multipoint；

USB高清音频；

高通蓝牙高速链路；

A2DP低延迟游戏模式；

蓝牙低能耗音频单播音乐接收器（UMR），带游戏模式；

蓝牙低能耗音频广播音乐接收器（BMR）；

蓝牙低能耗音频游戏模式，带语音反馈通道。

方案规格：

CW5181规格：

尺寸：13.7mm×20.6mm×2.9mm；

BR发射功率：15dBm（最大）；

BR灵敏度：-97dBm；

EDR发射功率：11.5dBm；

EDR灵敏度：-96.5dBm（2M）-90分贝（3M）；

BLE发射功率：15dBm；

BLE灵敏度：-100dBm（1M）-975dBm（2M）；

外部充电器模式：快速充电电流高达1.8A。

如有任何疑问，请登陆【大大通】进行提问，超过七百位技术专家在线实时为您解答。欢迎关注大联大官方微博（@大联大）及大联大微信平台：（公众账号中搜索“大联大”或微信号wpg_holdings加关注）。

关于大联大控股：

大联大控股是全球领先、亚太区最大的半导体元器件分销商*，总部位于台北(TSE:3702)，旗下拥有世平、品佳、诠鼎及友尚，员工人数约5,000人，代理产品供货商超250家，全球78个分销据点，2022年营业额达259.7亿美金。大联大开创产业控股平台，专注于国际化营运规模与在地化弹性，长期深耕亚太市场，以「产业首选．通路标杆」为愿景，全面推行「团队、诚信、专业、效能」之核心价值观，连续22年蝉联「优秀国际品牌分销商奖」肯定。面临新制造趋势，大联大致力转型成数据驱动(Data-Driven)企业，建置在线数字化平台─「大大网」，并倡导智能物流服务(LaaS, Logistics as a Service)模式，协助客户共同面对智能制造的挑战。大联大从善念出发、以科技建立信任，期望与产业「拉邦结派」共建大竞合之生态系，并以「专注客户、科技赋能、协同生态、共创时代」十六字心法，积极推动数字化转型。(*市场排名依Gartner 2023年03月公布数据)