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《中美日内瓦经贸会谈联合声明》是中华人民共和国政府和美利坚合众国政府制定的联合声明,于2025年5月12日发布 。双方在联合声明中达成多项积极共识。双方认识到双边经贸关系对两国和全球经济的重要性,认识到可持续的、长期的、互利的双边经贸关系的重要性,本着相互开放、持续沟通、合作和相互尊重的精神,继续推进相关工作。

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美方承诺取消根据2025年4月8日第14259号行政令和2025年4月9日第14266号行政令对中国商品加征的共计91%的关税,修改2025年4月2日第14257号行政令对中国商品加征的34%的对等关税,其中24%的关税暂停加征90天,保留剩余10%的关税。相应地,中方取消对美国商品加征的共计91%的反制关税;针对美对等关税的34%反制关税,相应暂停其中24%的关税90天,剩余10%的关税予以保留。中方还相应暂停或取消对美国的非关税反制措施。

以下是声明内容:

中华人民共和国政府(“中国”)和美利坚合众国政府(“美国”),

认识到双边经贸关系对两国和全球经济的重要性;

认识到可持续的、长期的、互利的双边经贸关系的重要性;

鉴于双方近期的讨论,相信持续的协商有助于解决双方在经贸领域关切的问题;

本着相互开放、持续沟通、合作和相互尊重的精神,继续推进相关工作;

双方承诺将于2025年5月14日前采取以下举措:

美国将(一)修改2025年4月2日第14257号行政令中规定的对中国商品(包括香港特别行政区和澳门特别行政区商品)加征的从价关税,其中,24%的关税在初始的90天内暂停实施,同时保留按该行政令的规定对这些商品加征剩余10%的关税;(二)取消根据2025年4月8日第14259号行政令和2025年4月9日第14266号行政令对这些商品的加征关税。

中国将(一)相应修改税委会公告2025年第4号规定的对美国商品加征的从价关税,其中,24%的关税在初始的90天内暂停实施,同时保留对这些商品加征剩余10%的关税,并取消根据税委会公告2025年第5号和第6号对这些商品的加征关税;(二)采取必要措施,暂停或取消自2025年4月2日起针对美国的非关税反制措施。

采取上述举措后,双方将建立机制,继续就经贸关系进行协商。中方代表是国务院副总理何立峰,美方代表是财政部长斯科特·贝森特和美国贸易代表贾米森·格里尔。协商可在中国、美国,或双方商定的第三国进行。根据需要,双方可就相关经贸议题开展工作层面磋商。

来源:央视新闻

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作者:Bart De Cock,安森美技术营销

随着车辆电子设备日益复杂,为系统中的所有元件提供正确且充分的保护对于安全性和可靠性至关重要。整车厂商逐渐摒弃传统的刀片式保险丝,转而青睐电子保险丝 (eFuse) 带来的优势。

本文将介绍如何以类似于传统保险丝的方式操作电子保险丝,并对未来通过编程使电子保险丝模拟传统保险丝的前景进行展望。

这些可编程器件旨在保护电源线免受过电流、过压和短路情况的损害。传统保险丝在故障出现时从物理上切断电路,而电子保险丝与之不同,它可以复位和重新配置,这使其成为一种更灵活且可重复使用的方案。电子保险丝通常用于现代电子设备,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,在这些设备中,精确可靠的保护至关重要。如今,电子保险丝越来越多地应用于更具挑战性的环境中,包括汽车领域。

事实上,电子保险丝很快将成为所有汽车系统的关键元件,保护器件及子系统免受过电流情况的影响,从而避免因损坏和可靠性而带来额外成本。

每个电子保险丝都有一条跳变曲线,该曲线定义电子保险丝断开负载的方式和时机。由于应用场景各异,因此跳变点需要调整,最常见的调整方法是在一个专用引脚上连接一个外部电阻。然而,正如本文将介绍的,电子保险丝所需的跳变方式可能很复杂,除了电流之外,还需要考虑其他因素。

为了让设计人员在部署电子保险丝时拥有更大的灵活性,安森美正在开发新一代器件,这些器件将允许以数字方式修改跳变曲线的形状和范围。 为了更好地掌握在设计中使用电子保险丝的方法,设计人员应深入了解为电子保险丝设计跳变曲线时应遵循的流程。

热阻抗分析:第一步是了解电子保险丝的物理属性及其部署环境。这是为了确保在条件可能大幅波动的环境中准确评估热响应。这一点至关重要,因为热应力超过器件(包括电子保险丝)的承受能力是电源系统最常见的故障模式之一。随着几何尺寸的持续微型化,如果不进行全面分析,发生此类故障的可能性将会增加。

理解热效应的关键是热传递阶梯(图 1),它通过构成电子保险丝的各层和材料,将半导体结与环境空气相连,另请参阅应用手册 AND9733 - 带模拟电流检测的高侧 SmartFET (onsemi.com)

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图 1 – 通用电子保险丝应用的热传递阶梯

这有助于理解大电流脉冲如何在整个系统中传递热能。简而言之,脉冲持续时间越长,热量传播距离越远。持续时间小于 10 ms 的脉冲会留在封装内,而持续时间更长的脉冲会传播到 PCB 上并在那里耗散。这是由器件和周围元件(例如 PCB)的热容所导致的。

PCB 的结构将因其布局和层叠方式对热性能产生显著影响。层数、铜层重量以及是否存在电源层和接地层等因素都会影响热性能,如图 2 中的仿真结果所示。 这些仿真描绘了 TSSOP14-EP 封装在不同热条件下的热阻:

  • 左图 1s0p_miniCu:TSSOP14 安装在单信号层 PCB 上,铜面积最小且无电源层

  • 中图 1s0p_1InCu:TSSOP14 安装在单信号层 PCB 上,铜面积为 1 平方英寸且无电源层

  • 右图 2s2p_1InCu:TSSOP14 安装在双信号层 PCB 上,铜面积为 1 平方英寸且有 2 个电源层

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图 2 – 电子保险丝应用中的热效应仿真

第一步,通过分析稳态电流,可根据热阻抗 (ºC/W)、环境温度和最高结温来确定电子保险丝的 RDS(ON)。据此,设计人员将能够计算出工作极限。

第二步是在施加各种持续时间更短且电流更大的脉冲时,对电子保险丝应用中的热效应进行仿真。 然后,可绘制热阻抗与电流脉冲时长之间的关系图:

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3 – 热阻抗具有瞬态性

图 3 清楚地展示了热阻抗如何随脉冲时长而变化,较短脉冲下的热阻抗显著降低。这里的性能与 PCB 的成本直接相关,例如通过增加层数、使用更厚的铜层或在外壳上添加散热焊盘等措施。 然而,对于较短的脉冲,RDS(ON) 和芯片尺寸等因素会影响曲线的形状,而对于较长的脉冲,PCB 的影响则更为显著。

必须针对每个应用单独定义并理解这个曲线,这对于为应用选择合适的电子保险丝至关重要。这就要求设计人员了解通过电子保险丝的电流特性,尤其是脉冲的幅度和持续时间。

应用热要求:热阻抗曲线反映了热阻抗与时间的关系,而保险丝需要时间与电流的关系。 电子保险丝的热限制曲线可以通过反转其热阻抗曲线得出,但需要一些假设条件,包括 RDS(ON) 和 ∆t(芯片温度可接受的变化量)。

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图 4 – 电子保险丝的热限制曲线

由此得出的曲线展示了将结温 (Tj) 的上升幅度限制在设计标准之内的最大电流脉冲持续时间。通常,良好的设计实践会采用绝对过电流保护,并预留几度的温度缓冲。

确定 I2t 与电流的关系:I2t 是电子保险丝相关讨论中常提及的一个重要参数。它主要与线束中的电流有关,如果电流过高,可能会造成损坏。对于传统保险丝,I2t 通常与标称保险丝电流值一起列为常数。 图 5 中的蓝线展示了恒定的 I2t 值。

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图 5 – 将 I2t 设为常数会限制应用

然而,采用这种方法意味着无法充分利用系统的全部散热能力,这可能导致性能下降。实际上,线束并不需要恒定的 I2t(直线),因为在较低电流下,较长的持续时间是可行的。

采用恒定的 I2t 会限制可连接到电子保险丝的负载,因此,在电子保险丝中将 I2t 设为近似曲线非常重要。这样一来,跳变点就会接近(但不会超过)电子保险丝的极限线。

如果我们看一下刀片式保险丝的典型曲线,就会更清楚地发现恒定 I2t 的局限性。

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图 6 – 典型刀片式保险丝特性曲线

虽然曲线的较低部分主要由 I2t 决定,但如果对 I2t 采用简单(直线)方法,则曲线的较高部分(即允许在较低电流下持续更长时间的部分)就不会存在。

展望未来

凭借对影响电子保险丝的热因素、跳变曲线以及与非恒定 I2t 关系的深入了解,安森美正在积极研发可针对特定应用编程的电子保险丝技术。

通过串行通信(I2C 或 SPI),可将所需的跳变曲线形状编程到电子保险丝中。虽然这通常是一次性的过程,但也可以在现场对保险丝进行重新编程,以适应系统配置的变化(例如负载的更改、添加或移除)。

新型电子保险丝将包含一系列跳闸曲线,用户可通过串行通信对其进行编程。

安森美积极与业内设计人员合作定义曲线,以覆盖尽可能多的当前和未来保险丝应用用例。

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全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG(以下简称SMA”)在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块Sunny Central FLEX是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台,旨在进一步提高电网的效率和稳定性。

罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示:“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实现简单且高效的转换器电路而设计的。该产品以高可靠性为目标进行开发,具备抗宇宙射线能力,因此能够满足太阳能发电领域严苛的环境条件和对延长转换器使用寿命的需求。而且,罗姆内置栅极电阻的SiC器件技术,不仅可使模块内的并联驱动更容易,也可简化高输出功率模块的设计。目前,该产品已进入量产阶段。

赛米控丹佛斯的SEMITRANS® 20是为大功率应用和高速开关工作设计的,属于下一代大型转换器用的功率模块的代表产品。并且,内置罗姆2kV SiCSEMITRANS® 20SMA Sunny Central FLEX的关键组件。赛米控丹佛斯工业部门高级副总裁Peter Sontheimer表示:赛米控丹佛斯与罗姆之间的合作已达十余年,之前双方主要致力于推动SiC技术在功率模块中的应用。最近,双方又围绕硅IGBT模块展开了合作。SEMITRANS® 20是为支持1,500V直流电压的应用提供的简便且高效的解决方案。该模块非常适用于太阳能发电和储能系统。未来,还有望应用于大功率电动卡车的充电器和风力发电用的转换器。

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SMA功率转换系统产品经理Bernd Gessner表示:“通过SMA、赛米控丹佛斯以及罗姆的合作,将三方各具优势的创新技术无缝融合在一起,我们共同致力于实现着眼未来的能源项目。而且,市场对这些解决方案的需求也达到了前所未有的高度。SMA凭借多年来积累的专业知识,使产品在性能、可靠性、耐久性和灵活性等方面均达到了超高水准。Sunny Central FLEX之所以在未来也能够持续保持高标准,得益于与志同道合的合作伙伴之间的紧密协作关系。”

关于SMA(艾思玛太阳能技术)

SMA集团作为太阳能发电和储能系统技术领域的全球领先专家,致力于成为未来的分布式能源和可再生能源供应商。SMA的产品组合包括适用于高效太阳能和蓄电池的PCS、适用于各种电力等级的太阳能和电池储能系统(BESS)的综合系统解决方案、能源智能管理系统、适用于电动汽车及Power-to-Gas应用的充电解决方案。另外,还提供包括数字能源服务、太阳能发电站的运营与维护服务在内众多服务。

SMA的PCS实际出货量已超过144GW,遍布全球190多个国家。在过去的20年间,通过SMA销售的PCS所节省的电力,助力减少了约6400万吨的二氧化碳排放量(CO2),这相当于防止了超过120亿欧元的环境损害。SMA的技术荣获了众多奖项,拥有1,600多项专利和实用新型并受到相应的知识产权保护。从2008年起,集团母公司SMA Solar Technology AG已在法兰克福证券交易所主板(代码:S92)上市,并被纳入SDAX指数。

了解更多信息,请访问SMA官网:https://www.sma.de/en/

关于赛米控丹佛斯

赛米控丹佛斯是电力电子领域的全球先进技术企业。提供功率半导体器件、功率模块、电力电子组件、系统等丰富的产品。随着全球电动化进程的加速,赛米控丹佛斯的技术变得比以往任何时候都更加重要。通过为汽车、工业和可再生能源应用提供创新型解决方案,赛米控丹佛斯致力于提高全球能源利用效率并实现可持续利用,助力大幅削减当今世界面临的最大挑战之一——二氧化碳排放量(CO2)。为实现业内领先的业绩和可持续发展的未来,赛米控丹佛斯还为技术创新、科技研发、供应能力提升和服务优化投入大量资源,尊重员工并致力于为客户创造价值。赛米控丹佛斯是一家家族经营企业,由赛米控与丹佛斯硅动力于2022年合并而成。在全球28个地区拥有超过3,500名员工。公司在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、斯洛伐克和美国均设有生产基地,通过全球业务拓展,为客户和合作伙伴提供无与伦比的服务。

凭借在功率模块的封装、创新以及定制应用方面积累90余年的专业知识和经验,赛米控丹佛斯已成为功率电子领域的理想合作伙伴。

了解更多信息,请访问赛米控丹佛斯官网:www.semikron-danfoss.com

关于罗姆

罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。

了解更多信息,请访问罗姆官网:https://www.rohm.com.cn/

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中恒微推出Drive ED3 (EconoDUAL™ 3)封装的SiC功率模块,使用平面栅(planer gate)SiC MOSFET芯片技术,在高温下具有优异的RDS(ON)表现,标准封装具有良好的适配性。能够提供更高的可靠性、更高的转换效率、更高的频率应用以及更大的功率密度。主要应用于新能源汽车、储能变流器、电能质量、UPS等领域。可以替换市场上同类型、同等级模块,是中/大功率应用市场的可靠选择。

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01 产品型号

2E005E120T1P    2E003E120T1P

2E003D120T1P    2E002E120T1P

2E002D120T1P    2E003E120T2P

2E003D120T2P    2E002E120T2P

2E002D120T2P    2E004E170T1P

2E003E170T1P    2E002E170T1P

2E005E200T1P

拓扑结构:Half-Bridge

电压范围:1200V/1700V/2000V

电阻规格:1.8mΩ~5.3mΩ

02 产品特点

  1. 纳米银烧结

  2. 集成NTC温度传感器

  3. 功率端子超声波焊接

  4. 低开关损耗

  5. 低导通电阻

  6. 高功率密度

  7. 高开关速度

  8. Tvj op=175°C

03 应用优势

  1. 高频应用

  2. 高可靠性

  3. 高转换效率

  4. 降低成本,更高的经济效益

04 应用领域

  1. 新能源汽车

  2. 储能变流器

  3. 电能质量

  4. 不间断电源(UPS)

  5. 电机控制

关于中恒微

合肥中恒微半导体有限公司是一家专业从事IGBT、SiC功率半导体器件的研发、制造、销售及服务的高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业,公司的功率器件产品的电压等级涵盖600V-3300V,电流等级涵盖10A-1400A, 产品主要应用于新能源汽车、光伏储能、工业控制等领域。

中恒微拥有3条车规级功率器件封测净化生产线,配备专业的应用试验室和器件可靠性试验室,年产能达2000000只功率模块。公司已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001等管理体系认证,并完成了IATF16949汽车行业质量管理体系认证。是安徽省第一家能够独立量产车规级高功率IGBT、SiC模块的公司,产品性能优越,合作客户广泛。

中恒微致力于通过“驱动创新、工匠精神、协作共赢、自信真诚”的核心价值观,不断为客户提供高品质的产品及服务,为客户赋能,为员工创造价值,为股东创造更好未来! 

来源:中恒微半导体

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微波单片集成电路(Microwave monolithic integrated circuit,MMIC)以其体积小、重量轻、一致性好和可靠性高等优点在微波毫米波领域得到了迅速的发展。基于氮化镓(GaN)技术的单片集成功率放大器芯片(MMIC PA)凭借其高功率密度、宽频带、高效率等优势,成为5G通信、雷达、卫星通信、电子战等领域的核心器件。GaN MMIC PA采用先进的异质结HEMT结构,结合优化的单片集成工艺,实现卓越的射频性能和可靠性,满足现代高功率、高频率应用需求。

近期,我司开发的基于金刚石衬底热管理的GaN单片集成功率放大器芯片(Diamond-GaN MMIC PA),全部验收通过,成功交付客户投入使用。结合超高导热金刚石(>2000 W/mK)与宽禁带GaN的高功率特性,突破传统SiC/GaN器件的热管理瓶颈。在与传统钼铜热沉的对比中金刚石热沉实现了更高功率密度、更高效率、更低热阻、更长寿命,有效解决5G/6G通信、相控阵雷达及卫星载荷中的热管理难题,为客户提供更高功率、更高效、更可靠的射频前端解决方案。

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1 交付客户的功率放大器实物

来源:科之诚

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产品概述

百信华工MITX-5201作为一款高性能、低功耗的国产工控主板,凭借其超低功耗、丰富的接口资源以及卓越的环境适应性,广泛应用于能源、轨道交通、电力等场景。

产品外观

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1 百信华工—智领边缘计算

高性能国产芯

  • 百信华工MITX-5201工业主板搭载飞腾E2000Q处理器,该处理器集成飞腾自主研发的高能效处理器内核2*FTC664和2*FTC310,能够适应不同的工作负载,兼容64位ARMV8指令集并支持ARM64和ARM32两种执行模式,支持单精度、双精度浮点运算指令、ASIMD处理指令以及硬件虚拟化,可赋予MITX-5201强大的计算能力。

  • 飞腾E2000Q处理器支持PSPA安全标准1.0,支持基于域隔离的安全机制,集成ROM作为可信启动根,可满足复杂应用场景下的安全可信需求。

2 百信华工—智领边缘计算

超大内存+高速存储

  • 支持 ‌16GB DDR4 2400MT/s‌ 内存扩展,应对多任务处理更从容。

  • 配备 ‌M.2 NVMe SSD接口‌,数据读写速度飙升,系统响应快如闪电。

3 百信华工—智领边缘计算

全场景接口覆盖

  • 显示扩展‌:VGA+HDMI+LVDS三显示接口,适配工业多屏需求。

  • ‌网络互联‌:双千兆网口(RJ45)+ M-PCIE扩展(WiFi/4G),灵活组网无压力。

  • ‌工业通信标配‌:5x COM串口、2x CAN总线(可切换RS485/RS232),兼容复杂设备通信。

  • ‌丰富扩展性‌:PCIE x4插槽、USB3.0/2.0、SATA 3.0、16x GPIO,满足多样化外设接入。

4 百信华工—智领边缘计算

严苛环境稳如磐石

  • 工作温度 ‌-10°C~60°C‌,存储温度 ‌-20°C~70°C‌,从容应对高低温挑战。

  • 湿度范围覆盖 ‌10%~95%RH‌(工作)及 ‌5%~95%RH‌(存储),防潮防尘更耐用。

5 百信华工—智领边缘计算

国产化生态支持

  • 全面适配 ‌麒麟/UOS‌/开源鸿蒙等国产操作系统,助力信息安全与自主可控。

6 百信华工—智领边缘计算

行业应用广泛

  • 专为工业场景打造,适用于能源、轨道交通、电力、政企信息化等领域。

产品尺寸

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来源:百信华工

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多模态传感信号AI处理为智算中心和边缘智能开启感知智能的新篇章

全球领先的边缘AI和智能音频专家XMOS宣布:公司已推出端侧多模态AI传感器融合接口(AI Sensor Hub),该接口利用XMOS的xcore软件定义系统级芯片(SoC)上灵活的接口和高效的算力,在边缘对来自不同接口的包括音频、图像、视觉和其他多种传感器输出的多模态信号进行融合以及AI计算,既可支持本地设备独立地对各种传感器信号进行AI推理计算,也可作为智算系统的输入前端并执行相应的功能。该方案可立即实施的应用包括大模型、云服务和专用网络及系统的智能接入,以及智能视频门铃、视频监控设备、多模态传感器集中器、车牌识别等边缘智能设备。

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与那些装备精良、耗费靡多的云服务和计算机系统不同,XMOS利用其集AI、DSP、控制和I/O于一体的xcore软件定义SoC,结合诸如深度神经网络(DNN)等模型,可以超小型化和低功耗的单芯片就实现了这些多种传感信号的多模态AI处理。XMOS的多模态技术已经取得了突破性进展,合作伙伴通过使用xcore这样的嵌入式SoC不仅运行了DNN模型,还开发了实现人脸检测、特征提取、身份验证、安防报警、车牌识别和图像分类等功能的系统解决方案,而且还根据平台需求开发了实时数据预处理智能前端。

xcore.ai之所以能够在各种AI应用中成为一种可以提供低延迟和高度确定性的AI功能的处理器,得益于独特的多线程微架构。每个 xcore.ai 具有 16 个逻辑内核,分属两个多线程处理器功能块,而每个功能块配备 512kB 的 SRAM 和一个提供整数和浮点 ALU 的矢量单元。强大的处理器间通信基础设施为每个集成处理器和多个 xcore.ai SoC 之间提供高速通信,不仅可以实现最终的可扩展性,而且还实现了并行多线程、多核矩阵计算。

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系统架构

XMOS解决方案的优势

  • 可以无需联网,持续工作,始终可用

  • 无需外部存储,完成实时图像等信号的处理

  • 绝对保护隐私,可设置为离线解决方案,不将数据传递到云端

  • 边缘AI提供低延迟响应

  • 将所有代码和模式的大小缩减到仅有0.6MB

XMOS xcore.ai处理器如何支持边缘AI?

  • 可开发和训练你自己的模型

  • 使用XMOS的“AI工具”进行转换

  • 生成最优化的、矢量化的xcore代码

  • 可同时运行多个模型

  • 用C或C++语言定义您自己的应用程序

对于AI芯片的开发来说,友好的开发环境极为重要。为了帮助设计师更好地开发各种边缘AI应用,XMOS把所有计算资源及其调度管理都放在同一个易用和强大的开发环境中。这为开发人员提供了完善的技术支持、工具支持和其他支持。XMOS提供完善的开发工具链与丰富的软件库,如免版税的软件、强大的XTC开发工具套件,以及专门设计的评估平台。通过使用这些工具,显著降低了开发难度,帮助工程师快速将产品概念转化为实际应用,并缩短了产品上市时间。

“XMOS的多模态AI模型处理功能可在最具挑战性的应用场景中,实现实时的、持续工作的AI应用,同时保护个人数据和隐私,” XMOS亚太区市场和销售负责人牟涛说道。“当然,该方案也可以根据需要,灵活地作为大模型、云和网络的智能输入接口,对传感信号进行数据格式转换提供给下一级平台处理,或者进行本地AI处理后只将关键信息提供给平台。同时,XMOS提供的集成开发环境和第三方软件可以很方便地开发出商用的边缘AI解决方案”

与XMOS面对面交流

第23届广州国际专业灯光、音响展览会(以下简称“广州展”)将于5月27 – 30日在中国进出口商品交易会展馆A、B、D区盛大启幕!XMOS作为全球领先的数字音频及多媒体AI处理芯片及解决方案提供商,将携其分销商晓龙国际、威健实业和瑞致科技,以及增值分销及设计公司飞腾云和其它方案公司共同参加本届广州展,届时将展出先进音频接口、AI降噪及空间音频、DSP音效、Hi-Fi解码器参考设计和麦克风阵列参考设计等技术和方案。欢迎莅临XMOS展位:5.2A66。

如希望了解XMOS全球领先的音频解决方案、边缘计算解决方案、软件定义SoC及其在其他垂直行业的应用,或与我们合作共同开发面向全球的创新性产品,以及预约在广州展期间的见面交流,请发送邮件到:ThomasMu@xmos.com

关于XMOS

作为一家匠心独到的半导体科技企业,XMOS一直站在智能物联网技术的前沿,致力于满足市场对灵活计算不断演进的需求。XMOS开发和提供了集AI、控制、DSP和IO于一颗芯片的平台化SoC,让各行各业的客户能够仅用软件编程的方式,自己就能定义和实现高性能、高确定性和智能化的软件定义SoC,使客户和伙伴的工程师能够充分地发挥其创造性,同时其解决方案还能够更完美地适用于各种场景,包括消费电子、工业和汽车等重要支柱性领域。

更多详情,请访问:www.xmos.c

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予先科技GY-B2409是一款标准 3.5 寸板型的全国产化主板,采用“最新一代”飞腾D3000M作为主处理器,处理器内部集成GPU,主板搭载国产 EC芯片。主板有丰富的板载、背面和前面板接口,可以满足多种场合的系统应用。

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主板在设计过程中,在保证功能和性能指标的前提下,全部采用国产化芯片。GY-B2409 为标准 3.5 寸板型,搭载的主处理器功耗不超过20W,适用于工业嵌入式一体机、无风扇工业BOX、工业加固手持PAD等多种机型。

❶高性能超低功耗,完美上解决国产芯片散热难题,适合装配工控一体机、无风扇,迷你主机等机型。

❷性能优异,D3000M搭配LPDDR5,6400的速率让性能拉满,配合PhyFusion加持,直接可以安装运行X86下的windows软件,打通生态支持。

❸主板接口丰富,拥有多个USB、232、422、485、CAN等接口,支持双屏异显,支持9-36V宽电压输入,支持NVME、EMMC存储。

来源:北京予先科技

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全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗SIXAMS)今日宣布,推出最新专为生命科学领域研发的蓝绿光激光二极管——PLT5 488HB_EP,扩充其大功率激光器产品线。该二极管发射488nm波长激光,且亮度较前代产品提升五倍,在性能与能效方面较早期型号实现显著突破。这些性能指标的提升在DNA测序、流式细胞术等生命科学研究和诊断应用的可靠分析至关重要。其高性能还可助力快速精准的检测,极大拓展了大型实验室的诊断可能。该产品为半导体激光技术的突破,将助力医疗机构、医院及护理中心构建更紧凑、更具成本效益的诊断系统。

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艾迈斯欧司朗最新推出的蓝绿光激光二极管专为生命科学领域研发,其核心用例包括DNA测序等(图片:艾迈斯欧司朗)

艾迈斯欧司朗研发的PLT5 488HB_EP蓝绿光激光二极管实现300mW输出功率,其光学性能较前代产品提升五倍,电光转换效率提高逾40%。光输出功率的显著提升可实现更高测量精度,并加快生物样本处理速度。488nm激光二极管是现代诊断与科研领域的关键器件,广泛应用于血液、血清、血浆分析,以及流式细胞术和DNA测序等场景。在基因诊断应用中,依托激光穿透生物样本,利用DNA构成单元核苷酸的特异性光吸收与发射特性实现其序列精准测定。更高性能的激光二极管可显著提升分析结果的时效性和准确性。

艾迈斯欧司朗市场部经理Winfried Schwedler强调:“我们的488nm波长激光二极管以卓越光学性能实现可靠的精准分析,同时有效降低功耗,成为实验室级基因检测、临床诊断场景及法医物证分析等高精度需求的优选方案。该器件凭借低噪声特性、宽调制带宽及顶尖光束质量,在同类产品中脱颖而出。”

蓝绿光谱段对流式细胞仪及血液检测设备等诊断设备中常用荧光染料具有高效激发效能。PLT5 488HB_EP专为±2nm的精准波长调控与300mW的高光强输出而设计,完美契合生命科学领域对超卓显色性能与精密测量的严苛要求。其具备的高调制带宽特性可实现光强度的精细调控,大幅提升信号品质的同时能提升分析进程时效性。

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艾迈斯欧司朗PLT5 488HB_EP新型蓝绿光激光二极管实现300mW突破性输出功率(图片:艾迈斯欧司朗)

新型激光二极管还具备低热阻特性,即使在高温工况下仍能保障稳定运行。该器件集成式光电二极管实现输出功率监控,内含ESD防护二极管,有效地强化产品的耐用性和高可靠性。

除生命科学研究外,该蓝绿光激光二极管在多元化应用场景中展现出卓越潜力。例如,通过扩展舞台及场馆照明的色域范围,可产生极具视觉冲击力的动态光效;在荧光显微技术领域,其488nm特定波长能显著提升成像对比度,突破传统光源对微观结构的解析极限。这些尖端性能使PLT5 488HB_EP成为艾迈斯欧司朗高功率激光二极管产品矩阵的战略性补充。

目前,艾迈斯欧司朗在全球激光二极管领域拥有逾2,000项有效专利资产,始终保持行业领导地位*

点击PLT5 488HB_EP专题页了解更多产品信息。

*PatentSighthttps://www.lexisnexisip.com/solutions/ip-analytics-and-intelligence/patentsight/),2025327

关于艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗集团(SIXAMS)是智能传感器和发射器的全球领导者。我们为光赋予智能,将热情注入创新,丰富人们的生活。

我们拥有超过110年的发展历史,以对未来科技的想象力为引,结合深厚的工程专业知识与强大的全球工业产能,长期深耕于传感与光学技术领域,持续推动创新。在汽车、消费、工业、医疗健康,我们致力于为客户提供具有竞争力的解决方案,在健康、安全与便捷方面,致力于提高生活质量,推动绿色环保。

我们在全球范围拥有约19,700名员工,专注于传感、光源和可视化领域的创新,使旅程更安全、医疗诊断更准确、沟通更便捷。我们持续开发突破性的应用创新技术,目前已授予和已申请专利超过13,000项。

集团总部位于奥地利Premstaetten/格拉茨,联合总部位于德国慕尼黑。2024年,集团总收入超过34亿欧元。ams-OSRAM AG在瑞士证券交易所上市(ISINAT0000A3EPA4)。

艾迈斯半导体艾迈斯欧司朗股份公司的注册商标。此外,我们的许多产品和服务都由艾迈斯欧司朗集团注册或有艾迈斯欧斯朗集团备案商标。此处提及的所有其他公司或产品名称可能有其各自所属者的商标或注册商标。

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2025512 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售ams OSRAM Mira016 CMOS图像传感器。Mira016图像传感器是一款紧凑型 (0.16MP) 增强型近红外 (NIR) 全局快门图像传感器,专为2D3D工业机器人、消费类可穿戴设备和机器视觉应用而设计。

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ams OSRAM Mira016 CMOS图像传感器采用先进的背照式传感器 (BSI) 技术,是一款高灵敏度、2.79 µm像素尺寸的传感器。Mira016尺寸小巧 (1.8 mm2)、可配置,在可见光和近红外波长下均具有高灵敏度,非常适合许多2D3D应用,包括增强现实和虚拟现实 (AR/VR) 中的眼睛、头部、手和环境跟踪。

Mira016传感器具有MIPI CSI-2接口,可轻松连接各种处理器和FPGA,其低功耗和高灵敏度的近红外 (NIR) 特性可扩大测量范围,并优化整体系统功耗,这对于移动设备和支付点的人脸认证等电池供电消费和工业应用至关重要。

可编程寄存器、上下文切换、片上处理、先进的电源和温度管理以及照明同步触发器,使Mira016成为身份验证、3D传感、可穿戴设备和电池供电扩展应用的理想选择。

如需更多信息,请访问https://www.mouser.cn/new/ams-osram/ams-osram-mira016-sensor/

作为全球授权代理商,贸泽电子库存有丰富的半导体、电子元器件以及工业自动化产品。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计,贸泽网站提供了丰富的技术资源库,包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、设计工具以及其他有用的信息。

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关于贸泽电子 (Mouser Electronics)

贸泽电子是一家授权半导体和电子元器件代理商,专门致力于向设计工程师和采购人员提供各产品线制造商的新产品。作为一家全球代理商,我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持,提供超过1200品牌制造商的680多万种产品。我们通过遍布全球的28个客户支持中心,为客户提供无时差的本地化贴心服务,并支持使用当地货币结算。我们从占地9.3万平方米的全球配送中心,将产品运送至全球223个国家/地区、超过65万个顾客的手中。更多信息,敬请访问:http://www.mouser.cn

关于ams OSRAM

ams OSRAM集团是光学解决方案的知名供应商。ams OSRAM为照明赋予智能,将激情注入创新,丰富人们的生活。这正是“传感即生活”的要义所在。在超过110年的历史中,ams OSRAM素以丰富的想象力和深厚的工程专业知识而闻名,在传感器和照明技术方面具有满足各种工业需求的能力。激动人心的创新,使该公司在消费电子、汽车、医疗保健和工业领域的客户能够保持竞争优势,同时推动创新,在健康、安全和便利方面有意义地提高生活质量,同时减少对 环境的影响。

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