新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有硅基生产线量产。目前，50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样，预计将于 2024 年一季度供货上市。
一千瓦及以上功率级的数据中心、可再生能源和各种工业应用的电源中，Transphorm 的 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项，也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能，从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中，与导通电阻相当的 SiC MOSFET相比，35 毫欧 SuperGaN 4 引脚 FET 器件在 50 千赫兹（kHz）下，损耗减少了 15%，而在 100 kHz 下的损耗则降低了 27%。
Transphorm 的 SuperGaN FET 器件所具有的独特优势包括：
业界领先的稳健性：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。
更优的可设计性：减少器件周边所需电路。
更易于驱动：SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驱动器。
新发布的TO-247-4L 封装器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性，其核心技术规格如下：
器件型号 | Vds (V) 最小值 | Rds(on)(mΩ) 型 | Vth (V) 型 | Id (25°C) (A) 最大值 | 封装 |
TP65H035G4YS | 650 | 35 | 3.6 | 46.5 | 配有源极端子 |
TP65H050G4YS | 650 | 50 | 4 | 35 | 配有源极端子 |
Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能够帮助客户充分利用SuperGaN平台的性能优势。四引脚 TO-247 封装的SuperGaN为设计人员和客户带来提供极佳的灵活性——只需在硅或碳化硅器件的系统上做极少的设计修改（或者根本不需要进行任何设计修改），就能实现更低的电源系统损耗。Transphorm正在加速进入更高功率的应用领域，新推出的这两款器件是公司产品线的一个重要补充。”
供货情况
如需索取 35 毫欧和 50 毫欧 TO-247-4L FET 器件样品，请联系 Transphorm 销售团队：wwsales@transphormusa.com。点击以下链接，查阅每款器件的产品资料：
TP65H035G4YS 产品数据表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
TP65H050G4YS 产品数据表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。请访问官网www.transphormusa.cn了解更多信息，欢迎关注微信公众号：TransphormGaN氮化镓
SuperGaN是Transphorm, Inc.的注册商标，所有其他商标均为其各自所有者的财产。
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