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2023年11月30日，中国电子技术标准化研究院、存储产业技术创新战略联盟联合华中科技大学、中山大学、之江实验室、浪潮信息、天翼云等20多家学研机构、企业和用户代表，共同撰写的业界首个《分布式融合存储研究报告》（以下简称：《报告》）正式发布。《报告》首次系统梳理并深入分析了分布式融合存储的概念、技术架构和应用场景，为融合存储产业发展提供参考和指引。

中国电子技术标准化研究院领导表示，"数据成为重要的生产要素，数据存储和数据管理在信息技术变革中的作用更加显著。分布式融合存储作为存储新技术，在数据存储领域将会发挥更大作用。"

中国计算机行业协会信息存储与安全专委会会长、华中科技大学教授谢长生表示，"存储作为数字技术底座之一，既得到空前发展也面临巨大挑战，分布式融合存储就是迎接这种挑战的关键技术，该报告汇聚了学术界、产业界和用户的集体智慧和经验，描述了一副全景视图。"

《分布式融合存储研究报告》

分布式融合存储将成为智算时代的数据基石

中国工程院院士、清华大学教授郑纬民指出，"数字化和智能化催生数据量爆炸式增长，分布式融合存储技术的出现，不仅可以提供数据存储的效率和安全性，还可以实现数据的动态管理和智能优化，为各种应用场景提供更加全面和可靠的数据支持。"

《报告》指出，相较于传统的分布式存储技术，分布式融合存储是在传统的分布式存储架构的基础上，实现了同一存储集群同时提供多种存储服务，并且在非结构化数据协议间实现了协议融合、数据融合互通的存储技术，其能够提供跨模式/格式数据共享互通的能力，并支持块、文件、对象、大数据多协议接入以及多协议关联统一管理，满足多应用跨不同协议实现高效的数据互通访问。

该报告明确了分布式融合存储的四大关键技术：统一存储池，保证数据能够均衡地分布在各个存储节点中，支持存储池的横向扩展，以及数据自动修复能力；存储服务融合，在一套存储系统中同时提供文件、对象、大数据和块存储服务，同时具备丰富的多协议支持能力；数据管理融合，采用统一的非结构化数据和元数据管理架构，保证各协议的原生访问；存储协议融合，支持NFS、CIFS、HDFS、S3等非结构化数据协议的融合互通，保证了各种协议共享同一份数据和元数据。分布式融合存储通过对底层硬件资源进行高通用性且细粒度的管理，可极大地缓解智算时代数据急剧增长所导致的存储资源紧张问题。

分布式融合存储架构

为五大典型场景提供强大存力支撑

分布式融合存储在海量多源异构数据处理和"通信、感知、计算"一体化的边缘场景方面提供了强有力的存力支撑，使其能够满足不同场景对于存储的需求，为当前的数字化转型时代提供了高效、多维、贯通和定制化的生产要素，让数据驱动向全场景渗透。

《报告》总结了分布式融合存储的五大典型应用场景：

• 以自动驾驶为代表的深度学习场景：自动驾驶场景中数据量比较大，并且数据类型复杂。在整个数据生命周期中，根据不同阶段的应用，需要使用不同的协议。而分布式融合存储则实现多协议互访互通，并具备极致聚合性能，能够满足数据采集、数据标注、模型训练对于存储带宽、小文件处理、存储 IO 等方面的要求，使业务流程更加简洁高效；

• 以 AI/AIGC 为代表的大模型应用场景：模型的训练是AI开发的核心，这要求存储系统提供高带宽和高并发性能。分布式融合存储可避免因访问协议不同造成的数据拷贝，并提供海量多源数据、高性能、低延迟的存储基础设施，为AI应用的训练和推理提供强大存储能力的支撑；

• 以湖仓一体为代表的数据智能应用场景：湖仓一体的架构，数据来源多种多样，面向的服务和存储协议多种多样，所以融合存储是必然趋势。分布式融合存储为该场景提供了更高的计算扩展性，可为各类计算引擎同时提供存储需求，并实现协同合作和数据共享；

• 金融风控场景：金融风控场景的特殊性意味着，其对于存储系统的可用性、数据一致性、可扩展性、数据安全性、性能都提出了很高的要求。分布式融合存储通过高可用、高安全、高扩展、高性能设计，能够支撑系统实时数据访问和灵活扩容，满足大规模数据存储与分析的需求；

• HPC高性能计算场景：在高性能计算领域，分布式融合存储技术的应用作用愈发重要，它通过将多种存储业务资源集成为一个整体，以满足对文件、对象、块功能的需求，以及性能和容量的要求，并提供高可靠性和可扩展性，为科学计算和数据分析提供了可信赖的数据基础。

分布式融合存储正成为用户首选的存储底座

《报告》预测，分布式融合存储这一新兴技术目前正处于发展早期阶段，仍面临多服务融合的高性能挑战，新存储形态的标准化挑战和智能化的运维管理挑战。

同时，分布式融合存储拥有广阔前景，首先分布式融合存储有助于"存力"构建，符合政策方向；其次，分布式融合存储在一套存储架构有效组织管理不同存储介质、存储协议和存储服务，使得"一套存储架构支持一个数据中心"成为可能；以AI大模型为基础技术，未来涌现的各类新应用需要更强大的数据基础设施和数据平台能力，带来不可估量的市场空间，注定分布式融合存储未来大为可期。

存储产业技术创新战略联盟秘书长李仁刚提出，"云计算、大数据和人工智能等技术的快速发展，将推动分布式融合存储的进一步应用、推广，成为越来越多行业用户的首选存储底座。"

稿源：美通社

近日，IDC发布了《中国联络中心软件市场份额，2022：向云而生》报告。根据IDC数据，华为凭借智能云联络中心解决方案（AICC）在2022年再次位居中国联络中心市场份额第一，这已是华为自2014年以来，连续第九年荣登该评估报告榜首。

报告显示，中国联络中心市场继续向云方向演进, 市场规模在 2022 年持续稳健增长，达到 6.2 亿美元（约合 41.6 亿元人民币）。其中华为同比增长9.1%，在TOP10厂商中位居第一。

华为AICC解决方案是中国联络中心市场的领导者，截至目前，华为AICC已服务于18亿用户。华为将5G、AI、云、高清音视频编解码等技术应用到最新的AICC解决方案，并基于盘古大模型，使能AICC具有全渠道接入、全流程智能、可编排开放平台等特性。平台支持公有云、混合云、私有云多种部署模式，以满足不同客户业务需求，为企业带来更好的用户体验、更高的一次解决率、更低的营销/服务成本和更标准化的服务过程。

全渠道接入：原生视频，加速业务线上化

华为AICC解决方案是行业内首家提供原生5G高清视频通话能力，用户无需安装APP即可享受电信级高质量服务，实现音视频无缝切换不中断，支持视频客服、视频IVR等业务，加速线下业务线上化。

全流程智能：优化客户体验，提升工作效率

华为AICC解决方案助力全流程智能化，降本增效。智能机器人7*24小时不间断服务，智能座席助手完成情绪意图识别，话术推荐/答复润色，实时转写/案例自动生成，工单自动分类/自动填单，秒级完成知识库，综合提升工作效率。

可编排：开放生态联伙伴

华为坚持平台开放使能，开放北向和南向接口，供伙伴二次开发，提供多种开发工具和赋能课程，使能合作伙伴，共同服务好5G时代千行百业的个性化需求。

华为AICC解决方案在市场上的优异表现，正是产品竞争力的具体体现，更重要的是紧跟时代发展、立足客户需求、勇于创新，华为将持续聚焦优化用户体验，以创新的精神探索更多智能化、视频化服务模式，助力智能联络中心产业发展。

来源：华为

该系列继电器的隔离电压最高可达 3kV

高性能舌簧继电器的领先制造商Pickering Electronics宣布推出首款高压表面贴装舌簧继电器，称为 219 系列。该系列舌簧继电器有多种封装形式（尺寸相同，但引脚位置不同）。可以选择1 Form A (SPST)、2 Form A (DPST)或1 Form B (SPNC)触点配置。可切换高达1000V的电压；开关隔离电压高达3000V，而开关线圈隔离电压高达5000V。

219 系列表面贴装舌簧继电器是一系列高压应用的绝佳选择，包括混合信号半导体测试仪、医疗设备测试、EV（电动汽车）充电桩测试和监控太阳能电池光伏效率。

在 219 系列范围内，所有触点配置均提供三种线圈电压：3V、5V 或 12V。2 Form A封装中的开关隔离电压高达 1.5kV，1 Form B封装中的开关隔离电压高达2kV，1 Form A封装中的开关隔离电压高达3kV，而1 Form A封装中的开关线圈隔离电压高达5kV。1 Form A和1 Form B。开关电流高达0.7A，功率10W，工作温度范围为-40°C至+105°。

所有型号均提供内置续流二极管的选项。二极管安装在继电器内，以保护驱动继电器线圈的设备免受反电动势的影响。反电动势是在流向线圈的电流中断时产生的。电流下降会导致电压升高，这可能会损坏PCB板上的其他组件，例如线圈驱动器芯片。

“目前只有Pickering生产具有2 Form A和1 Form B封装的表面贴装高压继电器，”Pickering Electronics 产品开发经理 Robert King 说道。“2 Form A配置优化了电路板空间，在相同的占地面积内包含了两个开关。而1 Form B，是用户从前在市场上无法获得的常闭继电器产品。”

正如客户所期望的那样，Pickering 的 219 系列干簧继电器具有多种标准可选项，可根据您的特定应用进行定制。如果标准继电器或任何标准可选项都无法满足您的要求，公司还提供定制继电器的服务，以满足用户的特定应用。

与 Pickering 生产的其他继电器一样，新型219系列高压舌簧继电器使用最好的仪器级开关，并选用了高性能的触点涂层，以满足应用所需的电流和电压。另一项创新（尚未被某些竞争对手采用）是SoftCenter™技术，该技术可最大限度地减少舌簧开关的内应力，从而延长使用寿命并提高接触电阻稳定性。使用Mu-Metal磁屏蔽和静电屏蔽可有效防止外部干扰导致的误动作。

关于Pickering Electronics公司

Pickering Electronics 在50多年前成立，旨在设计和制造主要用于仪器和测试设备的高品质舌簧继电器。现今，Pickering的单列直插 (SIL/SIP) 系列为目前业界开发最好的继电器产品，比其它同类产品尺寸小25%。这些小体积SIL/SIP舌簧继电器广泛销往世界各地的大型自动测试设备（ATE）和半导体厂家。

Pickering私营集团由三家电子制造商组成：Pickering Electronics舌簧继电器公司，设计和制造模块化信号开关与仿真产品的Pickering Interfaces和设计和制造电缆和连接器的Pickering Connect。

作者：电子创新网张国斌

时至2023年年末，始于2022年下半年的全球性半导体衰退至今还未大规模复苏，这其中尤其以存储产业为甚，作为产业复苏的晴雨表，存储产业如何扭转颓势，成为引领数字产业的先锋？在近日召开的2024存储产业趋势峰会上，西部数据公司产品营销总监张丹发表以“重振市场信心，存储产业将迈向良性增长”为主题的演讲，对Flash市场、经济和技术进行了全方位的分析，她认为可以以“双新驱动”推动存储产业进入良性增长势态。

西部数据公司产品营销总监 张丹

一、存储行业健康良性需要新技术和新市场再塑平衡

回溯存储行业的发展，存储行业周期性受到了“双新”驱动带来的影响。一是新技术。新技术带来更多比特的输出，同时降低单比特的成本。在某一时间段，输出会大于产业需求，行业曲线会下降，出现供过于求、产品价格下跌的情况。二是新市场。新市场会采用或者吸收掉新制程带来的新产能，甚至在某一些应用场景里，新产能甚至不足以支撑新市场，这就会出现短期价格的上升，出现供不应求的情况。因此，行业周期上升的点，大都发生在某一个应用场景在爆量增长或者应用场景激增的年份。

“存储行业健康良性的发展就是再塑平衡，整个过程是以新技术为代表的供应端和新市场为代表的需求端达到或者再次达到动态平衡。”她强调，“NAND每一年的比特输出都会持续增长，未来长时间周期里面，我们可能还会遵循行业的周期，慢慢地回到相对平衡的水平里。”

二、存储行业需要不断创新

根据IDC数据，到今年为止，全球的边端云共同生成的数据已经达到了123ZB；同时，随着大量的AI技术成熟，预计在未来的2-3年生成式AI会进入很多行业进行试用，数据生成数据本身也会加速数据的增长。大量的数据增长需要大量的存储让数据落地。根据Gartner数据，预计在2024年-2025年之间，Flash存储行业会达到1ZB的水平。市场仍然会持续增长，预计到2026年会增长到一个接近甚至超过1.5ZB的水平。

张丹表示，作为持续创新的行业，西部数据一直在提双新引擎——新技术和新市场，这两个都离不开行业的创新，所以创新永无止境，也是Flash技术发展的一个方向。

她以西部数据今年发布的最新一代的3D制程的产品——BiCS8为例来说明存储创新优势，该产品是第八代3D制程产品，能够达到218层数，这个是水平扩容和垂直扩容结合的结果，西部数据可以在218层数上达到相对优化的单位比特容量。另外，西部数据也在这个产品里第一次引入了CBA技术，相当于存储单元和周边电路是分开生产的，然后再进行晶圆对晶圆的键合。

西部数据在四个维度全面地进行产品的优化，不但做垂直扩容，还会做水平扩容，也会对产品进行结构化优化，引入CBA技术。相比于上一代产品，这一代产品将位密度提高了约50%，其NAND I/O速度超过 3.2Gb/s，比上一代产品提高了约60%，同时写入性能和读取延迟方面改善了约20%。

BiCS8是第一代采用CBA技术的产品，周边电路和存储单元是分开两个Wafer（晶圆）的。从扫描图可以看到晶圆对晶圆的键合水平和键合精度已经非常高了，BiCS8今年已经面世，明年会进行大规模的量产。

她还表示 ，提到新技术很多人想到的是制程新技术，其实存储创新无处不在，在整个NAND Flash的生产过程中，生产流程的先进性也是可以创新的例如西部数据把机器学习、大数据分析和自动化等先进技术引入到生产线中，造就了灯塔工厂项目。西部数据位于上海的先进闪存产品封装测试工厂入选了世界经济论坛全球灯塔工厂网络，并成为了中国第一家‘可持续发展灯塔工厂’。

三、西部数据丰富创新的闪存解决方案，赋能多领域数字化发展

作为数据存储领域具有悠久历史和丰富经验的公司，西部数据在NAND闪存领域拥有创新技术、产能优势和纵向集成能力，并且具备强大的垂直整合能力。西部数据开发、制造并销售的内容囊括了从NAND、固态硬盘和平台在内的一系列品类，提供数据平台、连接平台、技术产品等丰富的产品组合，并在企业级SSD领域拥有三大核心技术优势，即集完全自主的NAND Flash、先进的SSD控制器和高性能固件于一体，这种纵向集成的能力能够让SSD实现性能和稳定性的极致优化，确保SSD生命周期稳定的I/O一致性，满足企业基础架构建设对于安全可靠、敏捷稳定、高效智能等多维度需求。

凭借着对市场的洞察和对客户需求的理解，结合先进的技术优势，西部数据公司提供了从云数据中心、汽车、到IoT等领域丰富的产品组合，满足新兴技术与应用带来的存储需求，助力每位用户发掘数据洞察、释放数据潜力。

西部数据Ultrastar DC SN655是一款垂直集成的SSD，提供了简单且可扩展的单端口或双端口路径，确保满足企业高可用性要求下的持续数据访问。容量从3.84TB扩展到15.36TB，可满足存储和混合工作负载计算应用的要求，并将SSD的可靠性提高到250万小时的平均故障间隔时间（预计）。此外，SN655还为大型非结构化工作负载提供了超过100万的最大随机读取IOPs和更高的服务质量 (Qos) 。SN655采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸，并向下兼容U.2。SN655还提供了更多企业级功能，如电源故障保护和端到端数据路径保护，以确保在必要时的数据可用性。

西部数据Ultrastar DC SN655 NVMe SSD

西部数据Ultrastar DC SN650 NVMe SSD采用BiCS5 3D TLC NAND和PCIe 4.0接口，通过增加单位SSD的虚拟化主机数量以及整合更大的数据集来提高存储资源利用率，容量高达15.36TB。同时，SN650可以用于大数据分析和AI/ML的数据集，缩短时延并提高数据吞吐量，从而实现更快的洞察和实时分析。更轻薄的E1.L规格尺寸增加了机架存储密度，在降低TCO的同时提高了存储的可管理性、可维护性和效率。DC SN650 NVMe SSD E1.L符合OCP云规范1.0a。

西部数据Ultrastar DC SN650 NVMe SSD 

还有一款是全新的西部数据车规级iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式闪存盘，其配备了3D NAND技术，专为满足驾驶舱解决方案和自动驾驶的恶劣环境与严苛需求而设计。其采用112层3D NAND闪存技术，顺序读取速度高达1,600MB/s，顺序写入速度高达1,200MB/s，适用于eCockpit, ADAS与自动驾驶解决方案。同时，该产品还拥有先进的内存管理固件功能，包含强大的ECC、读取刷新、磨损平衡和坏块管理功能，并具备汽车特定功能集，包括先进的健康状况监测，增强型意外掉电保护、快速启动、增强型SLC LUN。

西部数据UFS 3.1解决方案iNAND AT EU552 

存储产业的产值占据全球半导体市场的1/3以上，是全球半导体发展的排头兵，存储产业率先走出良性发展将对全球半导体助力良多，西部数据的“双新驱动”理论是多年来实践的总结，也对其他行业有指导意义，“阳光总在风雨后”2024年，我们将迎来全球半导体产业的复苏，在新技术和新市场的推动下，产业会迎来新一轮的增长，现在我们需要的就是像西部数据一样，持续不断地创新创新！以创新引爆新一轮增长！（完）

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