All Node List by Editor

作者  Xavier Xiong

在模拟的世界里，微弱电流信号的测量通常是工程师需要面对的棘手挑战。随着各种仪器仪表的产品性能迭代以及各种新应用的层出不穷，对于微弱电流的测量范围已经从微安级（μA）提升到了皮安级（pA），提升了足足一百万倍。

为了测量微弱的电流，通常工程师将运放进行跨阻方式连接，见图1所示。

图

理想运算放大器的反相输入端处于虚地，输入端所有电流流经反馈电阻 R _f ，因此输出电压V_out = R _f × I _d 。

所以工程师只需要选择一个R_f为10GΩ的电阻，就可以将1pA的电流信号变换成10mV的电压信号了吗？答案是否定的。工程师会面临非常多的挑战：来自运放自身的偏置电流误差，环境温度与湿度的变化，PCB板的泄漏电流，输入端与线路噪声，电磁干扰等等，这些都是摆在精密测量方面的难题。

选择一款超低偏置电流的放大器成为了工程师挑战系统性能的关键。1987年，一款JFET放大器AD549横空出世，成为了精密电流测量应用三十年来经久不衰的经典产品。光谱仪，气相色谱仪，静电计应用中处处可见其身影。其低至100-250fA的输入偏置电流（图2）以及优异的温漂曲线以今天的眼光来看，都是几无对手。

图2 摘自AD549数据手册

以超越致敬经典，这成为了ADI人对技术的一种追求。2015年底，ADA4530-1正式亮相。以CMOS的工艺实现了JFET的性能挑战。其失调电压最大50μV，偏置电流在−40°C 至+85°C范围内均不超过20fA —— 高温性能比AD549提升了几百倍。

图 3  摘自ADA4530-1数据手册

  图4 ADA4530-1与AD549对比表

有了优异的器件，如何将其性能发挥出来，从系统设计的角度去满足皮安级电流测量的性能要求？针对中国工程师的需求，与ADI合作三十多年的技术分销商Excelpoint世健挑战难关，它的上海技术团队在原有设计的皮安级电流计量评估套件的基础上做了大幅度的改进，于2020年10月正式发布了可商业化的超高精度皮安计模块 EPSH-PAM2.0 （以下简称PAM2.0模块）。

世健技术支持部的高级副总裁戈一新向我们介绍道：“精心的模块设计，严格的工艺制作，保证了PAM2.0模块的性能与质量。50µV（相当于5fA）的RMS底噪，能满足绝大部分微弱电流信号测量用户的需求。”

图5 外观与软件界面

PAM2.0模块采用4层板布局及FR-4 PCB板材。工程师巧妙的采用了AD549国内经典的反相端悬空柱接方式，使得FR-4板材的效果依旧可以媲美ROGERS4350板材，而成本大大降低。PAM2.0模块的输入端子为SMA接口。模块套件包含了一根BNC转SMA高性能屏蔽线，便于与各种电流输入源对接。模块采用了双金属屏蔽罩降低各种噪声和干扰。在设计和生产过程中，工程师对不同供应商的10GΩ电阻进行了全方位的评估测试，从中挑选出性能优异的电阻确保模块的性能。PAM2.0模块简化了电源设计，使用LTC3260 双路低噪声LDO为ADA4530-1供电。在次级信号的放大选择上，客户既可以使用ADA4522-1与ADG1608的组合进行硬件电路放大，亦可使用AD7124-4片内PGA软件程控放大，从而灵活的比较两种方式的性能和成本。ADC选择了最新的AD7124-4, 它具有24位19.2KSPS最高输出数据率，并提供三种功耗模式（低/中/全性能），从而让客户在设计便携式测量应用时无需更改硬件。若客户需要更高的采样率ADC，亦可从TP2端与各种ADC评估板进行对接。精心设计的LABVIEW GUI提供了模块配置、实时波形显示、直方图和统计分析、测试数据导出成Excel文件等功能。

图 6 系统框图

匠心设计的收获是显而易见的：使用Keithley 6220源表进行测试，PAM2.0模块在0-20pA的I-V曲线测试中，线性度达到了0.9999x；在0-100pA的测试中，线性度达到了0.999999x。PAM2.0每款模块均进行出厂线性度评估并配发85点测试报告。

图7  0-100pA 21点I-V线性度测试图

这款超高精度皮安计模块旨在从系统设计角度出发，提供给客户快速设计原型，让产品迅速推向市场。

据悉该模块将会在11月16-18日，于上海新国际博览中心的慕尼黑上海分析生化展上展出，并在世健网店(www.excelchips.cn) 出售。

关于世健——亚太区领先的元器件授权代理商

世健是完整解决方案的供应商，为亚洲电子厂商包括原设备生产商(OEM)、原设计生产商(ODM)和电子制造服务提供商(EMS)提供优质的元器件、工程设计及供应链管理服务。

世健与供应商及电子厂商紧密协作，为新的科技与趋势作出定位，并帮助客户把这些最先进的科技揉合于他们的产品当中。集团分别在新加坡、中国及越南设有研发中心，专业的研发团队不断创造新的解决方案，帮助客户提高成本效益并缩短产品上市时间。世健研发的完整解决方案及参考设计可应用于工业、无线通信及消费电子等领域。

世健是新加坡的主板上市公司，总部设于新加坡，拥有约750名员工，业务范围已扩展至亚太区40多个城市和地区，遍及新加坡、马来西亚、泰国、越南、中国、印度、印度尼西亚、菲律宾及澳大利亚等十多个国家。世健集团在2018年的年营业额超过12亿5千万美元。世健于1993年开始发展中国业务，中国区总部设于香港，并拥有11个分公司及办事处、研发中心及物流中心，业务遍及中国多个城市和地区。

十年前，他作为“唯二”的特区特聘“柔性技术专家”从海外回到深圳，开启了将先进科研成果进行产业转化的低调创业之路。

十年后，其首创的“柔性MEMS”产品已出货5000万套，以材料技术结合应用创新，开启了压感技术赋能多维融合人机/物机交互创新未来的广阔前景！

这个“他”就是美国马里兰大学材料科学博士、纽迪瑞科技开发有限公司（简称“纽迪瑞科技”或“NDT”）创始人兼CEO 李灏博士，在创办NDT之前，曾担任摩托罗拉实验室的主任工程师达十年之久。

图1：NDT公司创始人兼CEO 李灏博士

在最近的一次媒体交流会上，李博士指出：“人机/物机交互的一个创新方向将围绕让机器更易懂、让人更易操作展开。我们认为在高精度、多维度的融合交互中一定会用到压力这样一个维度。对此，NDT开发出了‘柔性MEMS’技术，它能真正地把人机、物机的交互联系起来传感万物，同时带来更精准、简便的操作体验。”

何谓“柔性MEMS”？一种颠覆式、原创性的压感技术创新

“力的交互和电的交互或者声的交互是不一样，它有一个作用表面，想要把表面的信息准确地传达到传感器，传感器本身一定要是柔性的。”李灏博士道出了NDT压力触控方案的关键——柔性传感器（MEMS），这是一种全新的独创技术，也正是NDT压感技术的核心。

图2：柔性MEMS的特性与优势

李灏博士解读NDT柔性MEMS技术

据李灏博士介绍，NDT柔性MEMS是基于压阻材料的微压力应变器技术，可同时检测拉伸和压缩应变，在较大应变范围内线性输出，其最小工作压力为30g（基于0.8mm厚的不锈钢面板）、最小可检测面板形变＜1μm。NDT压感方案基于可印刷高精度应变感应材料，即贴即用、易于集成，并配备了定制化自有算法。相比传统电容式方案，NDT柔性MEMS由于柔性的特质，其对终端产品的结构和内部空间要求较低，能够有效降低组装成本，具备出色的适应性和广泛的应用市场。

作为全球首家将柔性MEMS概念成功商业化落地的公司，NDT拥有70多项国内外核心技术专利，涵盖了材料、结构、方案、量产等多个环节。此外，NDT还开发了从材料、印刷电路到模组一体化的实现和量产工具，实现了全产业链的高度垂直整合，使得NDT的生产线持续保持非常高的良率，能够为客户保障稳定的供货能力。

柔性MEMS商业化蓝图：瞄准三大主线应用市场

智能产品时代，大众的科技需求及审美均大幅提升，而传统按键年久易损，电容按键湿水无法操作、日常使用易误触等问题已无法满足用户的产品体验追求，厂商纷纷化繁为简投入无框或窄框产品的研发，无按键、无孔化的一体式设计是市场趋势，交互维度也正发生新的变化，传统的交互方式正随着智能手机和TWS耳机等市场的持续火爆而不断被进化取代，可以说压感触控技术是千呼万唤始出来。

经过十年艰苦创业，NDT在压感触控应用市场取得了骄人的成果和市占率，按照李博士对媒体的说法，“占据压感触控技术应用市场主要就是两家公司，一家是苹果，另一家就是NDT。”防误触、集成简单、满足轻薄的设计、压力分级是关键，这正是NDT重要的竞争优势。

2015年7月，中兴发布了首款安卓压力屏手机Axon Mini。这款手机采用压力触控技术，配合相应软件与服务实现了比传统手势交互更为广泛的应用扩展，提升屏幕利用效率的同时也让人机互动更加真实、自然，可谓移动终端人机交互的一次跃进。促成安卓阵营首款压力屏手机诞生的背后，NDT扮演了重要的角色。

图3：NDT基于柔性MEMS的压感触控技术在手机中的应用

“手机在加入触摸屏后使得人对机器的输入变得非常简单。”李灏博士认为，“而想要让机器充分理解人的意图，还需要考虑压力这个交互维度。”NDT独家柔性MEMS技术，赋能了包括手机在内的众多电子设备一个全新的感知维度——压感触控，这能在避免电容按键弊端的同时带来更精准的操作体验。

由于压力的传导仅需一个作用面，因此无论是手机屏幕还是边框都成为了NDT压感触控方案施展的舞台。得益于集成NDT压感触控方案，谷歌Pixel 2实现了“Active Edge”边缘触控功能，可在来电时握持静音、或在主页握持呼出谷歌语音助手等，让手机边框也成为智能交互区域；vivo NEX3系列则依托NDT压感方案解决了瀑布屏手机取消实体按键后调节音量的难题。

如今，NDT Mobile压感触控方案在智能手机市场得到了越来越多的应用。自2015年以来，包括中兴、小米、vivo、Google在内的众多厂商先后发布了30多款搭载NDT压感触控技术的智能手机，其中更有小米MIX Alpha这样的顶级旗舰，开创性地对“无按键、一体化”的次世代智能手机形态进行探索与创新。

李博士指出：“经过十年的摸索和努力，NDT将传感器做得像创可贴一样，真正地开创了一个发展领域，我们相信在这个领域里面还会长出非常多的果实。”目前，围绕柔性MEMS 的技术优势，NDT锁定了三大应用市场主线：除了前文提到的Mobile（智能手机）之外，NDT也在不断拓展可穿戴（Wearable）和可测量（Measurable）市场。

图4：AIoT时代，压感触控交互无处不在

比如在可穿戴市场，不久前华为推出的旗舰级TWS耳机FreeBuds Pro正是NDT打造的典型客户案例。这款TWS耳机采用NDT“贴合式电容+压感”方案，将二合一模组贴合于耳机手柄内壁即可工作，解决了切歌、调节音量、模式切换、接听电话等TWS耳机的交互痛点，交互功能比AirPods Pro更加完善，实现了TWS交互语言的自洽。此外，全球第三款支持耳机柄压感操控的TWS耳机——紫米PurPods Pro，其背后亦集成了NDT压感触控方案。

第三大领域则是Measurable（力测量）这一块。以往力测量主要针对工业应用或者是医用，NDT目前提供了一个低成本的、装配简单的、可以用在各个场景的力测量系统方案。比如，Windows笔记本的触控板体验远不及MacBook，这是由于前者的交互语言不足，而MacBook触控板在交互上增加了压感的维度，让交互更加全面且自然。“加上压感后，触控板实际上相当于一个秤，四个点支撑着这个秤。每一次指尖的交互都能准确测量，操作简单而又丰富，从而带来用户体验的提升。秤在我们生活中应用场景非常多，比如一个压力笔就是倒过来的秤，牙刷是横过来的秤，现在好一点的牙刷都是有‘秤’的功能，可测量刷牙的力度，这样不会把牙龈刷坏。无人零售货柜和扫地机器人等都可以利用‘称重’原理来弥补视觉影像的不足，提升智能化，确保人机/物机的交互体验。“李博士举例道。

“埋头苦干，亦抬头看路。”在最有挑战性的消费类市场耕耘，立足柔性MEMS稳扎稳打三大应用领域之余，NDT亦在不断修炼内功。

“现有的产品方案持续地迭代升级，未来我们要做到更低成本和更高性能。”据李灏博士透露，以高性能、低成本和功能电路整合为核心的全新ISSG平台已在路上，而实现“多功能传感器融合”将会是NDT下一阶段的目标。

不做束之高阁的科研，以“木匠精神”打造普惠大众的产品

时光倒流至千禧年，刚入职摩托罗拉的李灏博士开始从事包括柔性交互触控在内的一些前沿科技研究，并带领团队在2009年斩获华尔街日报的“科技创新奖”。“15年前就在做柔性显示研发，当时还带了一个团队做交互触控的东西，但最后这些东西都没有落地，就觉得做这些还不如做木匠出活实在。”他自嘲道。结束摩托罗拉十年的工作历程后，2011年李灏博士回国创立NDT公司，决心将多年的科研积累转化为一个真正能被千家万户使用的产品。

图5：NDT以“木匠精神”驱动交互市场创新

讲起压感交互技术，李灏博士滔滔不绝，在与媒体的对话中总不自觉拿起身边的产品给大家展示，试图将技术细节讲得尽可能透彻、清晰。这种敬业、精益、专注、讲究实际产出的“木匠”精神还体现在其日常工作生活的各个方面。据悉，有一次NDT的柔性MEMS方案在导入客户产品时遇到难题，李灏博士带领团队连续数月奋战在一线，最终攻克技术难关，帮助客户顺利量产。

“十年磨一剑”，从材料科技的创新开始钻研，到最后开花结果实现商业化，没有执着、极致的“木匠精神”难以实现这样的壮举。“NDT从人机交互开始探索，我们希望驱动市场创新，为终端用户带来更加便捷、简单、直观、自然的交互体验。”展望未来，李灏博士希望未来无论是人机交互、物机交互，还是万物互联，用户使用的设备里都有NDT的身影，提供灵活、多维度的交互，“这就是我们最大的愿景！”

英特尔近日宣布将收购位于旧金山的SigOpt，一家为AI软件模型进行大规模优化的领先平台供应商。SigOpt的AI软件技术能够在包括深度学习、机器学习和数据分析方面的软硬件参数、使用场景和工作负载层面提升生产力和性能。英特尔计划在其AI硬件产品中使用SigOpt的软件技术来帮助加速、增强以及扩展英特尔为开发者提供的AI软件解决方案。

“在全新的智能时代，AI正在驱动未来的计算需求。在扩展AI模型的同时能够自动提取最佳计算性能，对软件而言尤为重要。SigOpt的AI软件平台和数据科学人才，将能够增强提升英特尔的软件、架构、产品和团队实力，并为英特尔提供宝贵的客户洞察。我们欢迎SigOpt团队及其客户加入英特尔大家庭。”

– Raja Koduri，英特尔高级副总裁、首席架构师兼架构、图形与软件部门总经理

SigOpt首席执行官兼联合创始人Scott Clark（左）与首席技术官兼联合创始人Patrick Hayes将加入英特尔的机器学习性能团队。（图片来源：SigOpt）

SigOpt的软件技术与英特尔的硬件相结合，可以为数据科学家和开发者带来竞争优势和差异化的价值，且这些技术完善了英特尔现有的AI软件产品组合。

SigOpt首席执行官兼联合创始人Scott Clark表示：“我们很高兴加入英特尔，并籍此充分实现我们的使命——增加、放大世界各地模型师的影响力。通过将我们的AI优化软件同英特尔数十年来在AI计算和机器学习性能领域的领导力相结合，我们将得以为模型师解锁全新的AI能力。”

这项交易预计在本季度末交割。交易条款未对外公布。SigOpt的团队，包括Clark和首席技术官兼联合创始人Patrick Hayes，将加入英特尔架构、图形与软件部门的机器学习性能团队。他们带来了英特尔所迫切期待的技术人才，来帮助解决某些客户所面临的最严峻挑战。

SigOpt的客户群包括在各行业的财富500强公司以及领先科研机构、大学和联盟。SigOpt的软件技术将继续面向数据科学家及开发者开放，以在处理现实用例时提高生产力和性能，为客户创造商业价值。

英特尔始终相信AI有能力提升业务成果，英特尔的AI战略即根植于此。这要求广泛的软硬件技术的组合以及全面的生态系统支持。英特尔预测，截至2024年，AI芯片市场的规模将超过250亿美元1。AI解决方案已经为英特尔带来了大量收入：2019年，英特尔由AI驱动的收入超过了38亿美元。SigOpt的软件技术与英特尔的硬件相结合，预计将推动AI的进一步采用。英特尔的AI软件战略旨在优化英特尔的硬件性能，提供加速AI工作流程的工具，以及通过oneAPI为开发者创造统一的体验。

1英特尔预测AI芯片市场的总规模截至2024年将超过250亿美元，其中数据中心AI芯片市场的规模预计超过100亿美元。

关于英特尔

英特尔（NASDAQ: INTC）作为行业引领者，创造改变世界的技术，推动全球进步并让生活丰富多彩。在摩尔定律的启迪下，我们不断致力于推进半导体设计与制造，帮助我们的客户应对最重大的挑战。通过将智能融入云、网络、边缘和各种计算设备，我们释放数据潜能，助力商业和社会变得更美好。如需了解英特尔创新的更多信息，请访问英特尔中国新闻中心newsroom.intel.cn 以及官方网站 intel.cn。

太阳能、电动汽车充电桩、储能、不间断电源(UPS)等能源基础设施，工业控制、人机接口、机器视觉等自动化控制，工业伺服、变频驱动、暖通空调(HVAC)等电机驱动，以及机器人和电动工具等工业细分领域是当前市场的热门应用。在设计这些应用时，工程师都要求更高能效、功率密度和可靠性。作为全球第二大功率分立和模块半导体供应商，安森美半导体以丰富的电源专知提供广泛的产品阵容，从硅到碳化硅(SiC)，从分立器件到电源模块，以及门极驱动器、运算放大器、光耦等，乃至完整的参考设计、在线设计工具WebDesigner+、云平台开发工具Strata Developer Studio和现场应用支援，帮助工程师解决设计挑战，从而更快设计出具竞争优势的方案。

太阳能方案

随着能源和环境问题日益凸显，太阳能作为一种清洁的可再生能源，前景可期。太阳能发电本质上是直流(DC)技术，需要逆变器(DC-AC)来发电。从硅转向SiC半导体可实现能效和性能的飞跃。随着成本的优化，越来越多的厂商开始采用SiC替代原来基于硅的逆变电路，以实现更快的开关速度、更低的损耗、更低的电感/电容成本、更紧凑的尺寸。安森美半导体除了提供各种基于硅的涵盖5 kW至250 kW输出功率的3电平逆变器模块和升压模块，也提供大量SiC MOSFET和SiC二极管方案阵容，以及门极驱动、运算放大器等产品。

其中，NXH40B120MNQ系列全SiC升压功率模块已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器，实现高达98.8％的峰值能量转换能效。SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性。

以下是安森美半导体推荐的升压及逆变器模块。这些模块都集成高速IGBT、Si/SiC二极管，实现高能效、紧凑的设计，内置热敏电阻，提供高可靠性，采用焊接/压合引脚，易于贴装。

表1：推荐的升压及逆变器模块用于太阳能发电

高性能IGBT、智能功率模块(IPM)和功率集成模块(PIM)助力工业驱动控制

无人化和智能化正成为趋势，电机驱动系统往往是实现节能的核心。安森美半导体提供包括分立IGBT、IPM和PIM在内的产品助力提升工业系统能效，满足不断提升的能效需求。

工程师评估一个IGBT性能，通常从饱和压降、关断损耗和抗冲击力三方面评估，需要根据应用的不同对IGBT做权衡设计。安森美半导体最新的IGBT工艺技术是用于950 V、750 V和650 V的场截止型第四代沟槽IGBT工艺，带来业界最优的饱和压降设计和开关性能设计，同时超场截止(UFS)工艺的1200 V第三代场截止型IGBT工艺代表了全球最好的工艺水平，抗冲击能力大幅提高，并且开关性能和饱和压降水平都领先于竞争对手。

安森美半导体用于驱动控制的分立IGBT产品系列抗冲击力强，可支持从3 A到160 A在内的电流等级，包含从DPAK到Power 247在内的各种封装。而全塑封的IGBT系列采用TO-3PF封装设计，不需要绝缘垫片，降低安装成本提高工作效率，同时可降低因为绝缘垫片带来的热阻损耗，提高功率密度。

IPM将IGBT、高低压驱动芯片和外围阻容器件、二极管封装在一个模块中，实现了更灵敏准确的保护功能，更简单的外围元器件设计、更简化的生产工艺和更好的散热性能。安森美半导体提供1200 V和650 V/600 V全系列的IPM产品，最高功率等级7.5kW，采用不同的基板技术（直连铜基板(DBC)、陶瓷基板、绝缘金属基板(IMST)），满足工业逆变、HVAC、泵、工业风扇、空调、白家电乃至新兴的工业机器人等不同应用及成本需求。

图1：安森美半导体的IPM阵容

在中大功率工业控制领域，为支持驱动电路的多种选择，安森美半导体推出PIM模块，如最新的压铸模功率集成模块(TM-PIM)，广泛运用于中央空调、变频控制和伺服控制领域。TM-PIM集成3相转换器、逆变器和制动器，采用创新工艺、可靠的基板和环氧树脂压铸模技术,比普通的凝胶填充电源模块热循环使用寿命提高10倍，功率循环使用寿命提高3倍。它将助推客户终端逆变器系统长的使用寿命及高可靠性。该模块采用先进的厚铜基板，省去底板，比普通模块减小57%的体积，且提高30%的热阻，大大增加功率密度。

表2：安森美半导体已发布的TM-PIM

电动汽车充电桩方案

受政府节能和环保法规以及新基建等一系列政策驱动，汽车正迅速迈向电动汽车发展，市场期待充电桩达到更高的峰值能效以节省充电时间和增加续航里程。充电桩按充电能力分为4级。现有充电桩多为1级或2级。而消费者最感兴趣的是直流快充。随着功率增加和速度要求的提高，对MOS和SiC的需求越来越强。采用SiC方案将比硅方案小10倍，充电时用电量少60%，达到99%的峰值能效。

表3：电动汽车充电桩按充电能力分为4级

安森美半导体为充电桩提供宽广的方案，包括高性能MOSFET、IGBT及SiC产品阵容，实现更高能效、更环保、更快、更小、更轻、更高性价比和更快冷却的优势，其MOSFET和SiC阵容如下：

表4：充电桩MOS – Easy Drive：用于硬/软开关，易驱动，实现低EMI和电压尖峰，优化内部Rg和电容

表5：充电桩MOS – FRFET：用于软开关拓扑，更小的Qrr和Trr实现更高的系统可靠性

表6：充电桩SiC二极管

表7：充电桩SiC二极管：第1.5代减小正向压降（第1代正向压降 = 1.5 V）和Qc

表8：充电桩SiC MOSFET

下面是一个15 kW/20 kW电动汽车充电桩方案：采用PFC + LLC拓扑，含6个Easy Drive MOSFET FCH040N65S3/FCH029N65S3，6个SiC二极管FFSH20120A/FFSH30120A，8个FRFET MOSFET NTHL040N65S3F/NTHL033N65S3HF，输出端用16个SiC二极管FFSH2065B/FFSH3065B。SiC二极管能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性，无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使系统具备更高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

图2：电动汽车充电桩典型应用框图

服务器和工业电源市场

5G、云数据中心电源都对高能效和功率密度有非常高的要求。SiC器件高达98%的能效，完美契合5G和云电源市场的发展，SiC二极管用于无源PFC级，而氮化镓(GaN)/SiC成为图腾柱和LLC级的选择。在输入电压220 V至230 V、输出电压400 V的条件下，普通的硅PFC方案采用连续导通模式(CCM)、双升压、全桥拓扑，能效不到95%，2个电感使得开关频率有限，且器件数多，占位大，而SiC赋能的PFC方案采用反激图腾柱，实现更高能效(98%)、频率、功率密度和双向功率流，更少器件数。图腾柱PFC是构建80PLUS®Titanium标准电源的一种高性价比方案，用于数据中心、计算应用和车载电池充电器。如Solantro的SA8000-N TP-PFC控制器结合安森美半导体的SiC MOSFET帮助实现超过99％的能效，并提供优化的开关模式、可靠的启动、高功率密度和更低的功率损耗。

辅助电源方案

无论是能源基础设施，电动汽车充电桩，还是服务器，都需要辅助电源。反激转换器是最流行的辅助电源拓扑，因为它具有更少的器件数量和物料单(BOM)成本。对于小于30 W的输出功率水平，内置高压MOSFET的AC - DC开关电源是易于设计和紧凑尺寸的首选方法。安森美半导体提供从3 W到30 W的广泛的内置高压MOSFET的AC – DC电源开关产品阵容，包括NCP107x、NCP1067x和FSL5x8等。对于> 30W的输出功率水平，通常采用AC - DC控制器IC加外部MOSET方法，以提供设计灵活性并简化热管理。为了提高功率密度和转换能效，安森美半导体提供采用NCP1342的高频准谐振(QR)反激方案和采用NCP1568的零电压开关(ZVS)有源钳位反激方案。变压器设计是反激设计的关键。为帮助电源设计减少开发工作量，安森美半导体提供一系列交钥匙参考设计和设计电子表格工具。

安森美半导体的宽禁带生态系统

宽禁带可以实现太阳能逆变器、服务器电源、电动汽车充电桩等设计的能效和性能飞跃，安森美半导体具备独一无二的宽禁带生态系统，包括650 V、1200 V、1700 V SiC二极管，650 V、750 V、900 V、1200 V、1700 V SiC MOSFET(全都符合车规认证)，GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，SiC和GaN驱动器及集成模块，乃至方案、仿真模型及设计软件等，并与整个供应链中的多家公司合作以降低价格并加快上市时间，其基于物理的模型平台，可以在工程师测试器件前提供其在整个温度范围内的性能。

总结

安森美半导体广泛的产品阵容从IGBT和功率MOSFET，到门极驱动器、运放、光耦、电源模块，包括先进的碳化硅及宽禁带生态系统，乃至完整的参考设计、现场应用支援和线上辅助设计的资源及工具，都可帮助工程师解决太阳能、工业驱动、电动汽车充电桩、服务器等应用领域不断提升的能效、功率密度和性能需求，推进创新。

关于安森美半导体

安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON）致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片（SoC）及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，一套强有力的守法和道德规范计划，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。