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• TELUS和CIRA将为加拿大新的全国性物联网设备安全管理系统部署泰雷兹GSMA IoT SAFE解决方案。
• 泰雷兹解决方案允许设备与IoT Cloud Platform之间的相互验证，集成“芯片到云”的安全性，确保数据的机密性和完整性。
• 该创新系统可为能源、医疗保健、基础设施等众多物联网领域的互联设备提供简化的远程管理。

加拿大全新的物联网项目将为支持SIM/eSIM的物联网实现即时、安全和可扩展的云连接，其核心是泰雷兹技术。泰雷兹与加拿大领先的无线网络运营商TELUS，以及该项目的认证合作伙伴加拿大互联网注册管理局(CIRA)合作，提供均符合GSMA IoT SAFE规范的SIM卡和物联网服务器。

泰雷兹IoT SAFE服务提供了可实现物联网应用快速部署的可互操作框架。即插即用的SaaS模式只需很少的集成工作。它能为配备了SIM卡的设备云数据安全，创建可扩展的自动化环境，并带有远程管理功能。

TELUS在加拿大各地部署设备以继续其物联网扩张，为企业所提供的创新系统无需昂贵且费时的现场支持。例如，一个城市可以使用该平台来管理所有的联网停车收费表。此概念还将被用作其他商业物联网产品的基础，例如在医疗保健或能源等领域，由联网设备群负责处理需要保护的数据。

“安全SIM技术与IoT SAFE相结合，可以让利益相关者轻松地进行部署。还消除了移动运营商面临的集成挑战，以及设备制造商和服务提供商的合规性问题，并能通过泰雷兹物联网服务器为云提供商实现直接连接。这一点尤其重要，因为IoT SAFE已经符合即将到来的支持大规模物联网部署的5G框架要求。”泰雷兹移动连接解决方案副总裁Guillaume Lafaix

“我们管理的安全芯片，例如SIM和eSIM，现已成为快速增长的物联网生态系统中芯片到云之间安全性的‘信任根’。在泰雷兹和CIRA的支持下，我们成为全球首批为下一波颠覆性物联网解决方案提供基础设施的移动运营商之一。”TELUS首席技术官Ibrahim Gedeon

“我们相信，我们的Secure IoT Registry框架有助于在加拿大开启各种物联网应用。特别是对于医疗保健或关键基础设施等敏感服务，这种方法将非常有价值。在这些服务中，安全的设备身份管理至关重要。”CIRA首席安全和技术官Jacques Latour

关于泰雷兹

作为全球先进技术领域的领导者，泰雷兹（泛欧证券交易所：HO）致力于投资数字化和深度科技创新——互联互通、大数据、人工智能、网络安全和量子计算，构建对社会发展至关重要的自信的未来。集团为其所在的五大市场，包括航空、航天、轨道交通、数字身份与安全等领域的客户提供解决方案、服务及产品，帮助各类企业、机构和政府实现关键任务，并将人作为所有决策背后的主导力量。

泰雷兹全球 81000 名员工遍布 68 个国家，2020 年集团销售收入达170 亿欧元。

欢迎访问
泰雷兹集团

• 新冠病毒持久性病情研究基于患者独特的病史和遗传学，以进行个性化健康风险评分并提出药物治疗建议
• AI驱动的研究和数字孪生解决方案将为全球医院和研究中心提供支持，并有助于实现戴尔的愿景，即在2030年之前，利用公司技术和规模来推动10亿人的健康、教育和经济机遇

戴尔科技集团 (NYSE:DELL) 正在帮助非营利性开源研究机构i2b2 tranSMART Foundation调动大量全球去身份识别的患者数据，以创建患者的虚拟模型（也称为数字孪生解决方案），用于治疗新冠病毒持久性病情造成的影响。

i2b2 tranSMART社区将利用戴尔科技集团的现代基础架构，使用去身份识别的患者数据来制作数字孪生解决方案。随后，研究人员可以根据患者的遗传背景和病史，对数字孪生解决方案进行数百万计的个性化仿真治疗，以确定患者的最佳治疗方案。

为实现这一目标，并提供计算、人工智能、机器学习和先进存储等各项功能来生成数字孪生解决方案，戴尔科技集团建立了一块数据飞地（安全的数据存储网络），由Dell EMC PowerEdge、PowerStore和PowerScale存储系统，以及VMware WorkSpace ONE和Boomi集成服务组成。在这块数据飞地中，研究人员会收集、存储和分析散布在各种监测系统和电子健康记录中的数据，未来还可以通过呼吸机和心脏监护仪收集的实时临床数据来更新数字孪生解决方案。

戴尔科技集团战略捐赠和社会创新副总裁Jeremy Ford表示：“该项目是全球研究和技术界齐心协力支持新兴疾病患者的完美典范。通过与i2b2 tranSMART Foundation合作，我们将运用戴尔的专业知识和技术来构建数字孪生解决方案、共享数据，并进行模拟和分析，以便利用这些见解来协助理解和更好地治疗新冠长期症状。”  

最初，研究人员将使用数据飞地来协助对70,000名患者进行测试、模拟和分析，并将这些测试、模拟和分析与4CE Consortium（由超过200家医院和包括美国、法国、德国、意大利、新加坡、西班牙、巴西、印度及英国的数据合作在内的研究中心组成的国际联盟）共享。这项工作有可能在未来四年内扩展多达200万个数字孪生解决方案的数据。 

了解和治疗新冠持久性病情

估计每20名新冠患者中就有1人出现持久性病情，包括极度疲乏、头晕、头痛、心律失常、发热和呼吸急促。所谓的持久性病情就是急性SARS-CoV-2后遗症 (PASC) 所致。对于为什么有些人在病毒离开身体后依然受到影响，以及新冠病毒造成的长期影响，我们都知之甚少。

美国国立卫生研究院最近公布了首期PASC研究支持计划。整个计划为期四年、耗资10亿美元。

研究新冠持久性病情需要大量患者数据。i2b2 tranSMART Foundation直接与4CE Consortium合作，支持从全球超过200家机构网络中调集数据。为保护患者隐私，所有数据在提交给4CE Consortium之前都将去除身份识别信息。

i2b2 tranSMART Foundation董事Shawn Murphy博士表示：“在这一阶段，医护人员正在通过开发新冠病毒疗法并评估其疗效来拓展新的领域，这一新的AI驱动平台将帮助他们利用研究结果的爆炸式增长，为患者提供更好的护理和精准的治疗。通过创建这些数字孪生解决方案，我们将把临床研究提高到全新水平。”

Additional resources

其他资源

• 英文博客： AI如何帮助治疗新冠病毒持久性病情 
• 信息图：数字孪生解决方案针对“持久性病情”的研究
• Progress Made Real - 社会影响计划和2030年目标

关于戴尔科技集团

戴尔科技集团 (NYSE:DELL) 致力于帮助政府、企业和个人构建数字化未来，改进他们的工作、生活和娱乐方式，为客户提供面向数据时代业界全面、创新的技术及服务组合。

关于戴尔科技集团全球峰会（DTW）

欢迎加入于5月5日--6日举行的戴尔科技集团全球峰会（DTW）。作为年度旗舰活动，DTW聚焦全球新兴趋势，展示行业最新技术，云集各界权威专家。DTW期间，我们将向客户及合作伙伴展示包括IT基础架构、应用、设备及安全的互联生态系统。戴尔科技集团APEX“即服务”解决方案组合为客户扩展IT系统带来更高灵活性，以满足客户的业务需求和预算。了解更多，请点击此处注册。

Arm与新思科技扩展在EDA平台、IP和参考流程方面的战略协议，旨在为Arm下一代Neoverse V1和N2平台降低风险并优化PPA 

• 此项战略合作包括利用新思科技的所有平台解决方案、硅IP和参考流程来加速Arm的先进高性能处理器设计 
• 利用新思科技的Fusion Design Platform和Verification Continuum Platform，实现Neoverse V1和N2云端到边缘基础设施内核的快速开发和理想PPA指标 
• 通过Arm Neoverse处理器对新思科技DesignWare接口IP产品组合进行经Arm验证的互操作性测试，为Arm SystemReady提供高于同类的系统性能和合规性准备

新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）近日联合Arm宣布扩大战略合作，为基于Arm®的片上系统（SoC）（包括Arm Neoverse™ V1和N2平台）提供优化设计、验证、硅IP、软件安全、质量解决方案和参考流程，旨在协助共同客户加速其软件开发、硬件和软件的协同验证，以及基于Arm的节能、高性能计算和人工智能（AI）应用设计。

此外，根据战略合作协议，Arm可及早使用新思科技DesignWare®接口IP产品组合，以实现性能、互操作性以及IP与Arm Neoverse处理器的合规性验证，从而加快高性能计算和AI应用的Arm支持产品的上市时间。扩大战略合作也让Arm和新思科技的产品规划图密切关联，并将新思科技的接口IP解决方案与Arm Neoverse平台的特定计算能力相结合，从而尽可能提高系统性能。双方的共同客户已在芯片硅前验证期间利用公布的性能和互操作性分析报告成功实现预测设计。

Arm基础设施业务线高级副总裁兼总经理Chris Bergey表示：“过去十年中，Arm一直致力于成为HPC和数据中心领域的优选方案。心怀这一愿景，我们希望在这些市场中发挥领导作用。扩展与新思科技的合作，将为我们的生态系统提供可互操作和差异化的端到端解决方案，从而使Arm Neoverse平台能够针对功耗、性能、能力和面积目标进行优化。”

此次Arm和新思科技的合作涵盖设计实施、硅IP、功能验证、仿真、虚拟和FPGA原型设计以及软件安全。新思科技提供优化的流程、全面的方法和专业的服务，通过关键整合解决方案来满足不断增长的市场需求。新思科技的全流程解决方案包括新思科技Fusion Design Platform™、Custom Design Platform、Verification Continuum® Platform、DesignWare IP和Polaris Software Integrity Platform™，可让共同客户优化功耗、性能和面积，从而通过基于Arm的产品将高度差异化的SoC推向市场。

新思科技数字设计事业部总经理Shankar Krishnamoorthy表示：“半导体和系统公司依靠新思科技和我们的生态系统合作伙伴（如Arm）来满足其高性能计算、数据中心、边缘和人工智能的复杂设计需求。我们与Arm的全新协议将续写我们在技术驱动方法上的密切合作，并在下一代基于Arm的产品上利用协同优化设计、验证、IP、软件安全和质量解决方案，使我们的共同客户能够实现其具有挑战的设计目标并加快上市时间。”

其它资源 

通过及早采用流片的成功协作，QuickStart设计实现套件 (QiK) 可提供实现脚本、参考指南，并利用新思科技Fusion Compiler技术来交付增强型PPA和更快的转换。该联合开发的Arm特定核心QuickStart设计实现套件 (QiK) 可通过Arm支持中心索取或从Synopsys SolvNet下载。

关于新思科技

新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）是众多创新型公司的Silicon to Software™（“芯片到软件”）合作伙伴，这些公司致力于开发我们日常所依赖的电子产品和软件应用。作为一家被纳入标普500强（S&P 500）的公司，新思科技长期以来一直处于全球电子设计自动化（EDA）和半导体IP产业的领先地位，并提供业界最广泛的应用程序安全测试工具和服务组合。无论您是创建先进半导体的片上系统（SoC）的设计人员，还是编写需要更高安全性和质量的应用程序的软件开发人员，新思科技都能够提供您的创新产品所需要的解决方案。了解更多信息，请访问www.synopsys.com。 

稿源：美通社

• 全新Draco™硬掩模材料与Sym3® Y刻蚀系统协同优化，以加速DRAM电容器微缩
• DRAM制造商采用应用材料公司首创的低k介电材料Black Diamond®以克服逻辑节点中的互连微缩挑战
• 高k金属栅极晶体管现已被引入先进的DRAM设计中，从而在提升性能、降低功率的同时，通过缩小外围逻辑器件来减少面积、降低成本

应用材料公司宣布推出一系列材料工程解决方案，为存储客户提供三种全新进一步微缩DRAM的方法，并加速改善芯片性能、功率、面积、成本和上市时间（即：PPACt）。

应用材料公司全新的材料工程解决方案可助力DRAM性能提升30%、功率降低15%、面积减少20%

全球经济的数字化转型正在催生对DRAM创纪录的需求。物联网创造了数千亿台新的边缘计算设备，推动着数据上云处理的指数级增长。因而，行业迫切需要在DRAM微缩领域取得突破，以减少芯片面积和成本，同时提高运行速度、降低功率。

应用材料公司正与DRAM客户合作，将三种材料工程解决方案商业化。这三种解决方案不仅创造了新的微缩方式，也提升了性能和功率。这些解决方案针对的是DRAM芯片的三个方面：存储电容器、互连布线和逻辑晶体管。这些解决方案现已投入大规模量产，预计未来几年将为应用材料公司的DRAM业务带来显著营收增长。

推出应用于电容器微缩的Draco™硬掩模

在DRAM芯片中，超过55%的晶粒面积被存储阵列占据，提高存储阵列的密度是降低每比特成本的最有效手段。数据以电荷形式存储在垂直排列的圆柱形电容器中，要想容纳足够数量的电子，电容器需具备尽可能大的表面积。DRAM制造商在缩小电容器直径的同时也会拉长其高度，以将电容器表面积最大化。而这也给DRAM微缩带来了新的技术挑战：电容器深孔的刻蚀可能会超过“硬掩模”材料的极限。硬掩模作为确定每个孔洞位置的模板，如果因为太薄被蚀穿，图案就会被毁坏。可是较厚的硬掩模也不适用，因为当硬掩模和电容器孔洞的总体深度超出一定限度时，刻蚀副产品会残留，导致弯曲、扭曲和深度不均。

为此，应用材料公司推出了Draco™解决方案。这是一种新型硬掩模材料，已经过协同优化可与应用材料公司的Sym3® Y刻蚀系统在其PROVision® 电子束测量和检测系统监控的流程中配合使用，其中PROVision® 电子束系统每小时可进行近50万次测量。Draco硬掩模将刻蚀选择比提高了30%以上，使得掩模更薄。Draco硬掩模和Sym3 Y的协同优化包括先进的射频脉冲优化，可使刻蚀与副产品去除同步进行，从而令成像孔洞呈完美圆柱形且笔直均匀。PROVision 电子束系统可为客户提供硬掩模关键尺寸均匀性的大量、即时可执行数据，这正是电容器均匀性的关键所在。应用材料公司的解决方案为客户提供了50%的局部关键尺寸均匀性提升，并将桥连缺陷降低了100倍，从而提升了良率。

应用材料公司半导体产品事业部集团副总裁Raman Achutharaman博士表示：“与客户携手快速解决材料工程挑战的最佳方法是协同优化相邻步骤，并使用大量测量和人工智能来优化工艺变量。”

将Black Diamond®低k介电引入DRAM市场

DRAM微缩的第二个关键方法是减少互连布线所需的晶粒面积，互连布线用于在存储器阵列间来回传递信号。每条金属线被绝缘介电材料环绕，以防止数据信号之间产生干扰。在过去25年里，DRAM制造商一直将两种硅氧化物——硅烷或四乙氧基硅烷（TEOS）中的一种用作介电材料。尽管介电层不断减薄使得DRAM晶粒尺寸缩小，但这也带来了新的技术挑战：如今，介电层太薄，无法防止金属线之间发生电容耦合，信号产生相互干扰，导致功率升高、性能降低、热量提升和可靠性风险增加。

为此，应用材料公司提出了Black Diamond®解决方案，这是一种首先被用于先进逻辑器件的低k介电材料。伴随DRAM设计面临同样的微缩挑战，应用材料公司正在着力使Black Diamond®适应DRAM市场，并将其搭载在生产效率极高的Producer® GT平台上。适用于DRAM的Black Diamond®使得互连线更加纤小紧凑，能以数千兆赫的速度在芯片中传输信号，不受干扰并且功率更低。

高k金属栅极晶体管可优化DRAM的性能、功率、面积和成本

DRAM微缩的第三个关键方法是提升芯片外围逻辑器件中使用的晶体管的性能、功率、面积和成本，帮助驱动高性能DRAM（如基于新DDR5规范的DRAM）所需的输入输出（I/O）操作。

直至今日，DRAM仍使用基于多晶硅和氧化硅介电层的晶体管，这种晶体管在逻辑器件代工中为28纳米节点所淘汰，因为栅极介电层的极度减薄会导致电子泄漏，从而浪费功率并限制性能。逻辑芯片制造商采用高k金属栅极（HKMG）晶体管，用金属栅极代替多晶硅，用氧化铪代替氧化硅介电层（氧化铪是一种可改善栅极电容、漏电流和器件性能的材料）。如今，存储器制造商正在将HKMG晶体管设计用于先进的DRAM，以优化性能、功率、面积和成本。如逻辑器件一样，在DRAM中，HKMG将随着时间的推移而取代多晶硅晶体管。

这种DRAM的技术变革为应用材料公司创造了增长机遇。制造更复杂、更精细的HKMG材料堆叠颇具挑战，使用应用材料公司的Endura® Avenir™ RFPVD系统对相邻的工艺步骤进行不破真空的连续处理已成为行业首选解决方案。HKMG晶体管还受益于应用材料公司的外延沉积技术，如：Centura® RP Epi和薄膜处理技术（包括RadOx™ RTP、Radiance® RTP和DPN，这些技术用于微调晶体管特性以获得最佳性能）。

Achutharaman博士补充道：“Draco硬掩模和Black Diamond低k介电材料已被全球多个领先DRAM客户采用，第一批HKMG DRAM现已问市。随着这些DRAM解决方案成为主流，应用材料公司预计未来几年的营收将增长数十亿美元。”

关于这些技术增长前景的更多信息已在美国时间5月5日举行的应用材料公司2021年存储大师课上提供。欲了解更多信息，请访问https://ir.appliedmaterials.com网站的投资者页面。

关于应用材料公司

应用材料公司（纳斯达克：AMAT）是材料工程解决方案的领导者，全球几乎每一个新生产的芯片和先进显示器的背后都有应用材料公司的身影。凭借在规模生产的条件下可以在原子级层面改变材料的技术，我们助力客户实现可能。应用材料公司坚信，我们的创新必能驱动先进科技成就未来。欲知详情，请访问www.appliedmaterials.com。