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氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV1,400 cm2/Vs。因此,GaN的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,这就是说,与同尺寸的硅基器件相比,GaN器件可以处理更大的负载,能效更高,物料清单成本更低。

在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于GaN功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力。这些优势正是当下高功耗高密度系统、大数据服务器和计算机所需要的。

选用困境

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一方面,GaN器件的人气越来越高,频繁地出现在日常用品中,诸如手机充电器等终端产品的用户都开始探索、揭秘GaN,各类开箱、拆解视频在社交软件上层出不穷,许多大众科技媒体更是不遗余力地介绍GaN产品的好处。但另一方面,GaN器件的特性也意味着在使用它时,开发人员需要有更合理周密的设计,如更多地考虑栅极驱动,电压和电流转换速率,电流等级,噪声源和耦合布局考虑因素对导通和关断所带来的影响。因此,某些工业产品制造商仍会因担心潜在的PCB重新设计或采购问题而避免使用GaN

STExagan:把握先机的重要性

在看到GaN的发展潜力后,ST开始加强在这种复合材料上的投资和生态系统的开发。

20203月,ST收购了Exagan的大部分股权。Exagan是法国的一家拥有独特的外延层生长技术的创新型企业,是为数不多几家有能力在8(200 mm)晶圆上大规模部署并制造GaN芯片的厂商。STExagan的并购是其长期投资功率化合物半导体技术计划的一部分。此次收购提高了ST在汽车、工业和消费级高频大功率GaN的技术积累、有助于其开发计划和业务的扩大。通过与Exagan签署并购协议,ST将成为第一家产品组合有耗尽模式 / depletion-modeD模式)和增强模式 / enhancement-modeE模式)两种GaN器件的公司。D模式高电子迁移率晶体管(HEMT)采用常开芯片结构,具有一条自然导电通道,无需在栅极上施加电压。D模式是GaN基器件的自然存在形式,一般是通过共源共栅结构来集成低压硅MOSFET。另一方面,常开E模式器件具有一条P-GaN沟道,需要在栅极施加电压才能导通。这两种模式都越来越多地出现在消费者、工业、电信和汽车应用中。

同年9月,ST发布了业内首个600 V 系统级封装MASTERGAN1, 该系列产品采用半桥拓扑集成一个栅极驱动器和两个增强式GaN晶体管,为设计高成本效益的笔记本、手机等产品电源提供了新的选择,是目前市场上首个且唯一的集成两个增强式GaN晶体管的系统级封装。

STExagan加快GaN的大规模应用

更大的晶圆,更高的规模经济效益

一项新技术只有在保证生产效率的条件才能得到大规模应用。在本世纪初,半导体行业还在努力解决GaN晶体中的大量缺陷导致器件无法应用的问题,这的确在某种程度上取得了一些成就并改善了情况。然而,只有制造工艺不断改进,工程师才能切合实际地用GaN功率器件设计产品。Exagan的研发工作实现了这一点 ——在提高产品良率的同时还使用8吋晶圆加工芯片。

Exagan负责协调PowerGaN系统和应用生态系统的产品应用总监Eric Moreau解释说:当我们开始创办Exagan时,就已经掌握了生长外延层的专业知识。但是我们的目标是想超越行业标准。当时,大家都在用6吋(150mm)的晶圆。如果能够克服8吋晶圆的挑战,我们将领先业界,将能提供大规模市场渗透所需的产品良率和规模经济效益。

如何利用好现有CMOS晶圆厂

无论采用哪一种技术,工程师第一个考虑的都是先获得厂商的供货保证,尤其是在设计产量很大的产品时。在获得Exagan的技术、外延工艺和专业知识后, ST现在正在将这项技术融入现有晶圆厂,而无需投入巨资采购专门的制造设备。工厂可以获得更高的产品良率,更快地提高产能 —— 这意味着成本效益更高的解决方案和可靠性更高的供应链指日可待。

STExagan:技术的融合升级对行业的意义

厚积薄发

工程师想要说服管理者采用GaN,就必须证明GaN的价值主张。理论参数固然重要,但决策者更看重现实价值。展示电路性能是设计团队解决这一挑战的方法之一。事实上,GaN器件可以大幅降低导通和开关损耗,进而降低冷却系统的物料清单成本。此外,更好的开关性能意味着可以使用更小更轻的无源元件,即电容和电感。更高的功率密度能够让工程师开发出更紧凑的系统(尺寸缩小到四分之一)。因此,即使比硅器件(MOSFETIGBT)贵,GaN器件带来的好处仍然让其在竞争中处于优势。

通过并购Exagan公司,ST将拥有强大的GaN IP组合,将能够同时提供E型和D型两种GaN产品,制定明确的未来十年产品开发路线图。STGaN业务部门经理Roberto Crisafulli表示:通过引进Exagan独有的专业知识技术,ST进一步巩固了在GaN技术领域的地位。此举将有助于加强ST在新型复合材料功率半导体领域的无可争议的世界领先地位。

开路先锋

四十年前,随着半导体行业开始用硅制造晶体管,硅被广泛用于电子产品。正是有了这样一个基础,硅器件的创新至今方兴未艾。如果制造商还看不到一项技术的某些积极的成果,他们就不能找到合适的理由推进这一项技术。通过整合和Exagan的技术,ST有信心为未来的GaN投资和创新奠定这一坚实的基础。简而言之,今日的GaN就是40年前的硅,目前虽然还只是锋芒初绽,但其发展潜力不可小觑。

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TrendForce集邦咨询表示,在东奥赛事及欧洲国家杯等大型运动赛事的加持下,激励2021年大尺寸电视需求畅旺;此外,IT产品仍受惠远距教学与居家办公需求,加上车用半导体需求强劲以及资料中心需求回温等利多支撑,促使各家封测大厂调涨报价,推升2021年第二季全球前十大封测业者营收达78.8亿美元,年增26.4%。

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TrendForce集邦咨询指出,随着此波半导体缺货持续,与上游晶圆代工及IDM厂等产能逐步增加,全球封测业者亦相继提高资本支出水位并扩建厂房与设备,以应对不断增长的需求,然全球受到Delta变种病毒肆虐,加上封测重镇的东南亚仍处于疫情紧张的状态,故对于下半年封测产业仍存在不确定性。

第二季封测龙头日月光(ASE)安靠(Amkor)营收分别为18.6与14.1亿美元,年增35.1%及19.9%。两者同样受惠于5G手机、笔电、车用及网通芯片需求持续畅旺,加上日月光因支援京元电受疫情影响而导致测试产能降载,推升日月光营收攀升;而安靠也受惠于苹果及非苹手机品牌推出5G新机、车用及HPC芯片等产品需求助力,带动第二季营收上升,位居第二名。

矽品(SPIL)由于华为手机订单减少的缺口仍大,加上其他手机品牌厂产能尚无法完全填补,营收仅年增2.3%,达9.3亿美元;京元电(KYEC)因疫情影响导致部分测试产能降载,第二季营收仅达2.7亿美元,年增6.8%;力成(PTI)则逐步走出先前日本及新加坡子公司关闭阴霾,营收7.4亿美元,年增14.3%。

江苏长电(JCET)天水华天(Hua Tian),为应对国内5G通讯及基站、消费性电子及车用等终端需求加大产线供给,推升两家业者第二季营收分别达11.0与4.7亿美元,年增率25%、64.7%。值得一提的是,除了受上述终端需求带动,通富微电以68.3%的年增率作为第二季前十大业者中成长最多的企业,营收达5.9亿美元。主因是通富微电为AMD处理器芯片主要封测代工厂,在AMD拿下Intel部分市占的情况下,该企业营收因此受惠。

面板驱动IC芯片封测大厂颀邦(Chipbond)与南茂(ChipMOS),受惠于东奥及欧洲国家杯等大型赛事加持,在面板需求大幅提升的助力下,刺激TDDI及DDI等驱动IC芯片封装需求提升;而南茂又因封装材料紧缺,进一步拉抬存储器产品售价而使营收与毛利大增,推升上述两家业者营收皆达2.5亿美元,年增率分别为38.4%及49.6%。

文稿来:TrendForce集邦

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节能一直是芯片产业一个重要的命题,特斯拉率先在电动车中采用碳化硅芯片,促使芯片产业将芯片材料由硅转向碳化硅,更好地满足市场需求。以下为文章摘要:数十年来,凭借地壳中含量丰富、易于制造的优势,硅一直是芯片的材料。但电动车对更高能源效率的追求,在蚕食硅在芯片产业的主导地位。

特斯拉则是芯片产业放弃硅的催化剂。特斯拉在Model 3中采用了碳化硅芯片,成为第一个吃螃蟹者。此举提升了碳化硅在电动车供应链中的地位,对芯片产业产生了很大影响。日本芯片厂商罗姆首席战略官Kazuhide Ino说,“芯片厂商已经共同打造了碳化硅市场,现在到了彼此竞争的阶段。”

碳化硅由硅和碳两种元素组成,由于化学键比硅更强,其硬度排在第三位。碳化硅的加工要求更先进的技术,但稳定性和其他属性,使得其能耗比硅芯片低逾50%。碳化硅芯片散热性能还很好,有助于缩小电动车中关键零部件逆变器的尺寸。日本名古屋大学教授Masayoshi Yamamoto表示,“Model 3的空气阻力系数与赛车一样低,尺寸更小的逆变器,是它能采用流线性设计的前提。”

Model 3逆变器中的碳化硅芯片

特斯拉此举“惊醒”了芯片产业。6月份,德国英飞凌推出了一款电动车逆变器用碳化硅模块。英飞凌日本分部一名管理人员说,“碳化硅应用范围护套的时间早于我们的预期。”现代汽车将在新一代电动车中使用英飞凌的碳化硅芯片。据称,与硅芯片相比,碳化硅芯片可以使电动车续航里程提高5%。

法国市场研究公司Yole Developpement预测,2026年碳化硅能源芯片市场将比2020年增长6倍,达到44.8亿美元。

Yamamoto称,碳化硅和硅的价格差在不断缩小,量产和其他因素,使得两者的价格差由5年前的约10倍收窄至2倍。部分供应商开始生产尺寸更大的碳化硅晶圆,将进一步缩小两者的价格差。

罗姆一直是这一领域的领头羊,2010年量产了世界上第一款碳化硅芯片。2009年收购德国SiCrystal,使得罗姆具有完整的碳化硅芯片生产线。罗姆的目标是2025年占领30%的全球碳化硅芯片市场,最近,它在日本的一条生产线投产,这是其将产能提高5倍计划的一部分。罗姆表示,多款即将推出的电动车都将采用其碳化硅芯片。它还与吉利签订了协议。

碳化硅芯片市场的快速发展

硅并非是第一种芯片材料。自1947年问世后,半导体材料一直是锗。随着半导体产业发展壮大,锗在1960年代被硅取而代之。可能取代硅的并非只有碳化硅。氮化镓有潜力将芯片能耗降低约90%。虽然氮化镓芯片被应用在一些领域,例如充电设备,但由于主要与包括硅在内的其他材料联合使用,其潜力尚未完全展现出来。

现有芯片性能已逼近极限,是芯片产业寻求其他材料的一大原因。芯片制造工艺已发展到5纳米,摩尔定律面临前所未有的挑战。

节能也在推动芯片材料领域的创新。没有能源使用效率的提升,电动汽车的普及、数据中心的增多和数字经济其他领域的发展,将使电能供应捉襟见肘。

钻石被一些业内人士称作终极半导体,可能改变芯片产业的游戏规则,只是与硅相比,它的成本太高了。日本Adamant Namiki Precision Jewel开发出了利用钻石生产能源芯片的技术。从理论上说,钻石芯片能耗可以低至硅的五万分之一。但是,降低钻石芯片成本是一个关键难题,目前其价格是硅芯片的数千倍。

鉴于半导体对国家安全和经济竞争力的重要性,中国、美国和欧洲均在大力支持新芯片材料的研发。硅和钢铁“塑造”了20世纪,新一代半导体材料似乎将成为未来数十年国际竞争的主要领域。

来源:凤凰网科技

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在近日的 Linux 5.15 内核合并中,Linus Torvalds 介绍了一项重要更改 —— 所有内核构建将默认启用“-Werror”编译器标记。据悉,该标记会将所有警告都视作编译错误,以迫使开发者提起重视并优先处理,否则将中断编译过程。此前已有许多软件项目默认采取了相同措施来加强质量控制,但它们大多没有精细到 Linux 内核这样的程度。

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(来自:Kernel.org

Linus Torvalds 评论道:“我们切实需要一个始终纯净的编译环境,并将按需禁用特定的过于急切的警告”。

遗憾的是,尽管 Linus 在自己的树中严格遵循强制执行,但某些编译器还是会忽视相关警告,因而他才下定决定让“-Werror”标记被默认启用。

与此同时,该补丁添加了将 WERROR 作为 Kconfig 开关的选项。若新版编译器引入了内核无法立即修复的新警告、或其它选择性问题,开发者还是被允许禁用该标记的的。

Linus Torvalds 补充道:“但愿这么做会让我们受到更少的查询请求,因为它们总是包含了我们现有的各种自动化流程中没有留意到的新警告”。

来源:cnBeta.COM

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在上个月举行的 HotChips 33 上 ,IBM 公布了其下一代 Z 系列处理器 “Telum”。 这款处理器采用了全新的内核架构,针对 AI 加速做了优化。其配置了 8 核 16 线程,频率超过 5GHz, 采用了三星 7nm 工艺制造,核心面积为 530 平方毫米,集成了 225 亿个晶体管,拥有全新的分支预测、缓存和多芯片一致性互连。

IBM 的 Z 系列处理器以拥有大型 L3 缓存而出名,并有单独的全局 L4 缓存,可作为多个处理器之间的缓存。不过在 Telum 上,不但没有了 L4 缓存,而且 L3 缓存也没有了。要知道无论英特尔还是 AMD, 现在都尽可能增大 L3 缓存容量或增加 L4 缓存以提高性能,比如在 AMD 采用 3D 垂直缓存 (3D V-Cache) 技术的 Zen 3 架构桌面处理器,为每个 CCD 带来额外的 64MB 7nm SRAM 缓存。

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近日 ,Anandtech 发表了一篇文章,讨论了 Telum 的缓存架构。

现代的处理器普遍都有多级缓存,至于为什么会这样,可以看我们《超能课堂 (133): 为什么 CPU 缓存会分为 L1、L2、L3?》大概了解一下。简单来说,越靠近执行端口的缓存越小但越快(比如 L1), 缓存越多且越大那么访问所需的周期就越长(比如 L3)。 缓存除了大小,延迟也很重要,通常缓存越大延迟越大,缓存命中率也会更低。

为了更有效利用缓存,芯片设计公司需要分析这款处理器将用于哪方面的工作负载,以提高设计的效率 。IBM 的产品一般都是大型主机使用,大多是政府或银行这样的客户,对安全性和稳定性极高,这些产品都有故障安全和故障转移功能。

IBM 在上一代 Z15 产品上,基本单元是一个由五个模块构成的系统,其中四个是计算模块 (CP), 一个是控制模块 (SC)。 四个计算模块每个有 12 个内核和 256MB 共享的 L3 缓存,核心频率为 5.2 GHz, 面积为 696 平方毫米。四个计算模块两两配对,各自与控制模块相连。控制模块拥有 960MB 的 L4 缓存,并与四个计算模块共享 。Z15 采用了 IBM 和 GlobalFoundries 联合研发的 14nm FinFET SOI 特殊工艺制造 ,L1 和 L2 缓存与核心频率一样都是 5.2 GHz,L3 和 L4 缓存则是半速的 2.6 GHz。

这意味着单个 IBM Z15 系统是 25 块 696 平方毫米的芯片组成,共有 20 x 256MB 的 L3 缓存,还有 5 x 960MB 的 L4 缓存,以全对全拓扑连接。

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IBM 没有将新一代产品称为 Z16, 而且称为 Telum, 可能是因为对缓存的采用了不同的处理方法 。Telum 采用三星 7nm 工艺制造,单芯片拥有 8 个核心 。IBM 将两个芯片封装在一起,将四个同样封装的处理器组成一个单元,然后将四个同样的单元组成一个系统,整个系统共有 32 个芯片和 256 个核心。

IBM 为每个核心配置了 32MB 的 L2 缓存,这比一般的处理器大得多,而且取消了核心之间共享的 L3 和 L4 缓存。一般来说,这样的设计会使得缓存有很高的访问延迟 。IBM 采取的方法是,通过私有物理缓存里打造共享虚拟缓存的方法解决,意思是将平时需要放置在 L3 缓存里的部分标记为 L3 缓存线存在不同核心空余的 L2 缓存里。

L2 和 L3 缓存在物理上是一致的,可以根据工作负载的需要,包含来自不同核心的 L2 和 L3 缓存线的混合数据。这意味着一个芯片 8 个核心里 ,8 x 32MB 共 256MB 的 L2 缓存也可以视为“虚拟 ”L3 缓存,采用双向环形互连拓扑结构。

相似的方法 IBM 也用在了原来的 L4 缓存上 ,L2 缓存里也可以容纳 L4 缓存线。从单个核心的角度来看,在一个基于 Telum 打造标准的系统,可以访问 32MB 的 L2 缓存 ,256MB 的共享虚拟 L3 缓存,以及 8GB 的共享 L4 缓存 。IBM 表示,使用这种虚拟缓存的系统,每个核心的缓存相当于 Z15 的 1.5 倍,而且还改善了数据访问的平均延迟,性能提高了 40% 以上。

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在具体运行中如何降低延迟和保证命中率是一个非常复杂的操作,加上功耗、缓存在断电和空闲等状态下如何保证单核心工作负载的一致性,这都是 IBM 需要考虑的问题。可以思考一下,如果 AMD 使用 3D V-Cache 技术堆叠的不是 L3 缓存,而是 L2 缓存,同样采取虚拟 L3 缓存线的方式,这样的微架构对性能会有怎样的影响?

来源:Expreview超能网

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9月6日消息,据索尼中国官微消息,今日,索尼半导体宣布推出行业首创的直接飞行时间(dToF)堆叠式SPAD(单光子雪崩二极管)深度传感器IMX459,可用于汽车激光雷达。据悉,IMX459可助力高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶(AD),样品预计将于明年3月出货。

据介绍,该产品将尺寸仅为10平方微米的SPAD (单光子雪崩二极管)像素和测距处理电路封装在单个芯片上,形成了紧凑的1/2.9型外形尺寸,可进行高精度、高速度的距离测量。

索尼表示,在用于激光雷达测距的诸多方法之中,SPAD像素用作dToF传感器中的一种探测元素,它根据光源发射的光被物体反射后返回到传感器的飞行时间(时间差),来测量到物体的距离。

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IMX459 SPAD ToF深度传感器

索尼利用在CMOS图像传感器开发过程中创造的背照式像素结构、堆叠结构和Cu-Cu连接等技术,成功地构建了一种将SPAD像素和测距处理电路封装在单个芯片的独特元器件结构。

这种设计令微小至10平方微米的像素尺寸得以实现,在小型化的同时在1/2.9型尺寸规格上达到约十万有效像素的高分辨率。

同时,还能增强光子探测效率和提升响应能力,以每15厘米作为一个单位范围从远距离到近距离进行高速度、高精度的距离测量。

该产品符合汽车应用的功能安全标准,有助于提高激光雷达的可靠性,单芯片结构有助于实现更小型、低成本的激光雷达。

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SPAD ToF深度传感器的堆叠式结构(顶部:SPAD像素,底部:测距处理电路)

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成像示例(点云)

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来源:快科技

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NI和Seoul Robotics将在Velodyne展位上展示基于激光雷达的解决方案

Velodyne Lidar, Inc. (Nasdaq: VLDR, VLDRW)将于9月7日至12日在慕尼黑举办的IAA Mobility展会(B3展厅,A75展位)上展示其创新型激光雷达技术。Velodyne将展示其在激光雷达传感器和软件方面的技术领先地位和丰富的产品组合。Velodyne的解决方案可为自主应用提供支持,推动安全、可持续和无障碍的出行、基础设施和安防。

Velodyne将于9月6日下午1:15至1:30在其IAA Mobility展台举行新闻发布会,届时Velodyne公司领导将重点介绍Velodyne的解决方案如何提供优异的性能、范围和可靠性,以支持客户的下一代基础设施和移动应用。另外,他们还将介绍Velodyne的紧凑型固态传感器产品组合,这些传感器可以嵌入到时尚的车辆和机器人应用中。

Velodyne Lidar欧洲区副总裁Erich Smidt表示:“我们将借参加本次IAA Mobility展会的机会,展示Velodyne的传感器和软件如何满足广泛的客户需求,从而为全球安全出行和智能城市基础设施提供支持。我们还邀请了合作伙伴到场助阵,他们率先将未来的自动驾驶解决方案推向市场。NI和Seoul Robotics是业界公认领军企业,可提供优质解决方案,以改善人们的生活品质并提高所在社区的安全性。”

合作伙伴展示基于激光雷达的解决方案

自动化测试与自动测量系统开发商NI将在Velodyne展位上一起参展。NI将展示针对Velodyne激光雷达传感器的优化仿真,这种仿真可用于开发和测试高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶汽车(AV)功能。NI的仿真解决方案使Velodyne的传感器更容易集成到车辆解决方案中,能够加快上市时间并提高车辆安全性。NI还将展示其monoDrive AV仿真软件如何使用Velodyne的激光雷达技术来创建数字孪生体,并为Velodyne激光雷达传感器提供经过验证、基于物理学的各种型号传感器。

NI交通业务部营销总监Jeff Phillips表示:“对于使用Velodyne传感器的ADAS和AV解决方案,我们的ADAS和激光雷达仿真功能可以帮助加速系统开发和部署。NI monoDrive Real-to-Virtual技术提供了一种端到端解决方案,用于从相机、激光雷达和GNSS系统中收集真实数据以创建高保真数字孪生体,帮助加速ADAS和AV开发。Velodyne的高性能传感器与我们的仿真和验证功能相结合,使开发者能够在车辆上路之前,在可大规模扩展的多种条件下测试和验证解决方案。”

作为Automated with Velodyne计划的合作伙伴,Seoul Robotics将在Velodyne展位上展示其用于Velodyne激光雷达传感器的人工智能感知引擎,该引擎可为自主系统提供实时的物体检测、分类、跟踪和预测功能。人工智能引擎可以为自动驾驶汽车以及智能城市应用和先进的设施参数监测系统提供支持。Seoul Robotics的SENSR™感知软件搭载经过全面优化的人工智能引擎,可充分利用Velodyne的激光雷达传感器产品组合,包括Puck™Ultra Puck™Alpha Prime™等。

Velodyne展出亮点:高性能传感器和软件

在IAA Mobility上展出的Velodyne产品包括:

Velarray H800:固态激光雷达传感器,专为汽车级性能而设计,采用Velodyne的突破性专有微激光雷达阵列架构(MLA)。该传感器集远距离感知和广阔视野于一身,设计用于ADAS和自主移动应用中的安全导航和防碰撞功能。该产品可用于实现高级驾驶员辅助功能,如自适应巡航控制(ACC)、车道保持辅助(LKA)和行人自动紧急制动(PAEB)。Velarray H800采用紧凑、可嵌入外形设计,旨在整齐地安装在卡车、公共汽车或轿车挡风玻璃内侧,或无缝安装在车辆外部。

Velarray M1600:创新型固态激光雷达传感器,专为移动机器人应用而设计。该传感器使用Velodyne的MLA构建,可为安全导航提供出色的近场感知功能。Velarray M1600使无接触式移动和最后一英里送货机器人能够在没有人类干预的情况下安全自主地运行。这款耐用、紧凑的传感器可以部署在多种环境和天气条件下,几乎可以全年全天候使用。

Velabit™:Velodyne的超小尺寸传感器,大幅提升了3D激光雷达感知的多功能性和经济性。这种小巧的中程激光雷达传感器具有高度的可配置性,能够支持各种特殊用例,几乎可以嵌入车辆、机器人、无人机(UAV)和基础设施内的任何位置。固态Velabit产品助力Velodyne实现其使命——让所有人都可轻松使用高质量的3D激光雷达传感器。

Vella™:Velodyne基于定向视图Velarray传感器打造的突破性ADAS软件。与现有的利用摄像头加激光雷达的方法相比,Vella将彻底改变目前市场上的高级驾驶辅助功能,包括ACC、LKA和PAEB。Vella开发工具包(VDK)使企业能够在其自主解决方案中利用Vella软件的高级功能。通过减少将3D激光雷达传感器集成到应用中所需的时间和精力,VDK能够帮助企业更有效地利用其开发资源。

关于Velodyne Lidar

Velodyne Lidar (Nasdaq: VLDR, VLDRW)通过实时环绕视图激光雷达传感器的发明,开创了自动驾驶技术的新纪元。Velodyne是激光雷达的全球领先企业,并以其突破性的激光雷达技术的广泛组合而享有盛誉。Velodyne革命性的传感器和软件解决方案提供灵活性、质量和性能,可满足各行各业的需求,包括自动驾驶汽车、高级驾驶辅助系统(ADAS)、机器人、无人机(UAV)、智慧城市和安防。通过不断的创新,Velodyne致力于通过促进所有人的安全出行来改变生活和社区。如需了解更多信息,请访问www.velodynelidar.com


原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20210902005892/en/


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时隔两年,2021年中国闪存市场峰会(CFMS2021)将于9月14日在深圳华侨城洲际大酒店盛大举行。主办方中国闪存市场(China Flash Market)将会针对全球存储市场格局变化和中国存储产业发展机遇进行数据分析和报告。整个峰会以存储为核心,从芯片制造到终端应用,涵盖存储产品、存储生态链、存储标准等领域。届时,国内外存储产业链重量级嘉宾将会进行现场分享,与产业链同行共话全球存储格局与未来新机遇。

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此次CFMS2021峰会,深圳市江波龙电子股份有限公司将作为赞助商并携旗下行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar(雷克沙)双双亮相。公司董事长蔡华波将以“探索存储未知空间”为主题,在现场公开发布创新型存储形态产品,通过实际应用的案例分享,结合目前我国对于数据和个人信息保护的动态,全面解读用户、数据与存储的三方联系,直击市场痛点,并从技术投入、软件功能等多个角度向产业链同行展现该产品的价值和商业机会,分享公司从标准存储转向新型存储形态的探索历程和成果。

此外,江波龙电子还将对创新产品、研发技术、业务形态、市场供应等方面进行全方位展示和分享,并与业内人士共同讨论未来存储产业和市场的发展,请大家拭目以待。

稿源:美通社

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近日,由CVPR主办的MAI(Mobile AI Workshop)分会近期在线上举行。作为图像领域最具影响力的赛事之一,本届MAI 2021挑战赛由华为、OPPO、MTK、SAMSUNG、苏黎世理工共同主办。参赛队伍聚集了华为、百度、商汤、Horizon等国内外顶尖AI团队。大华股份图像算法部dh_isp团队提出的轻量化网络一举摘得ISP赛道冠军,充分展示了大华在图像增强领域的开拓创新的实力。

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大华股份轻量化AI技术斩获CVPR视觉顶会ISP赛道冠军

不同于部署于云端,由于存储空间、功耗及算力资源限制,神经网络模型在移动设备和嵌入式设备上的存储与计算是一个巨大的挑战。轻量化网络旨在保持模型精度基础上进一步减少模型参数量和复杂度。轻量化网络既包含了对网络结构的探索,又有例如知识蒸馏、剪枝等模型压缩技术的运用,推动深度学习技术在移动端,嵌入式的应用落地,在智能家居、安防、自动驾驶、智慧海洋等领域都有重要贡献。

Learned Smartphone ISP Challenge竞赛致力于促进业内使用深度学习的方法替代传统ISP模块,对相机获得的RAW数据直接转换为RGB图像,以获得更好的成像效果,同时也能够解决传统ISP模块依赖大量人工经验调参的难题。

在大赛中,大华dh_isp团队基于自身在ISP领域的积累,通过深入分析任务的特点和痛点,提出一款高效、高性能的网络,网络设计立足于图像重建任务特性,并基于图像任务采取了特殊的损失函数和训练方式,使网络在耗时最小的情况下,获得很好的主观效果,在综合排名中,以明显的优势获得桂冠,彰显了大华图像成像、图像增强、轻量化网络设计等领域的技术积累及开拓创新能力。

大华股份作为智慧物联行业头部企业,深耕ISP技术近十年,多年的产品迭代使大华的ISP团队积累了深厚的技术功底。伴随着AI相关技术的蓬勃发展,如何利用AI进行底层(low-level)图像处理以带来更好的图像质量深受行业研究关注。AI+降噪、插值、去模糊、超分辨率,乃至于AI+ISP在研究、竞赛中都带来了显著的进步。大华图像算法团队立足于自身在传统ISP领域的技术积累,开发了全图以及感兴趣区域的AISP图像处理技术,进一步提升了图像效果,为终端用户提供更优异的视觉体验。

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大华自研AI降噪技术,明显提升画面清晰度,还原细节和色彩
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日前,在中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区正式挂牌两周年之际,爱立信(中国)通信有限公司(后简称:爱立信)与佰电科技(苏州)有限公司(后简称:佰电科技)、苏州移动共同签署了5G联合创新合作协议,试水智慧工厂建设,助力佰电科技数字化转型。未来,爱立信将与苏州移动携手,为佰电科技打造集制造、维修、应用于一体的5G+工业互联网全连接工厂,全面提升工厂运转效率和安全性,降低生产成本,实现智能制造,加快数字化转型升级。

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苏州市高贸区管委会、佰电科技(苏州)有限公司、中国移动通信集团江苏有限公司苏州分公司、爱立信(中国)通信有限公司代表出席签约仪式

佰电科技是纽交所上市的美国电子制造服务公司,于2002年入住苏州工业园区,该公司主营印刷线路板及组装等业务,拥有先进的生产流水线设备,其苏州厂房面积占地44,941平方米。近年来,随着5G技术的发展,企业数字化转型被按下“加速键”, 佰电科技希望通过5G技术大带宽、低时延与高可靠的优势充分解决有线、Wi-Fi网络的技术局限,通过5G+企业专网的途径实现工厂的柔性化智能制造与数字化转型升级。合作开展后,爱立信将携手苏州移动,为佰电科技提供端到端的5G专网与应用解决方案,为佰电科技打造基于5G技术的完整生产环节与应用,如5G驱动的厂区物流AGV、5G超高清机器视觉质检等智能工业场景应用。

其中,采用5G技术驱动的AGV系统,将有效解决厂区内受限于Wi-Fi网络覆盖范围、AP切换频繁等因素的影响,充分发挥5G网络的高速率与低时延优势,最大限度发挥AGB高度自动化的特点,实现更加灵活的线路调度与更广的覆盖范围,从而达到降本增效的预期。

此外,佰电科技厂区内的超高清机器视觉质检系统将利用5G优势,有效保障大量图像数据处理的实时性和柔性,并通过提供统一的图像分析处理平台,方便质检算法的部署和维护。方案将充分发挥5G技术快速部署、高性能、简单易用、本地存活、与现网集成等特点,有效解决佰电科技在安全性、数据控制、网络管理、无线资源保障等方面的各种需求。

佰电科技(苏州)有限公司总经理王泳裁表示:“我们很高兴能与苏州移动和爱立信在此次合作中,共同探索基于5G工业场景创新应用的新模式、新机制,搭乘5G之风,全方位促进生产数字化、智能化,加快数字化转型步伐,提高生产效率和水平,共建5G+工业互联网全连接智慧工厂。”

爱立信东北亚区江苏移动业务部总经理丁恺表示:“5G正在加速融合千行百业,促进数字经济新时代的到来。我们十分期待此次能够与苏州移动携手,充分利用爱立信在5G技术及业务领域的全球经验和优势,帮助客户实现工厂的柔性化智能制造和升级换代,为各方在‘5G+’领域开创更美好的未来。”

中国移动通信集团江苏有限公司苏州分公司副总经理王利民表示:“我们很高兴此次能与爱立信、佰电科技共同探索5G+智慧工厂的创新应用,此次与爱立信携手助力佰电科技数智化转型的尝试将为我们未来实现更多垂直行业示范应用项目积累宝贵的经验。”

近年来,江苏自贸区苏州片区大力推进制造业智能化改造与数字化转型,今年以来,苏州工业园区实施“智改数转”项目844个,2家企业入选全球“灯塔工厂”。当前,制造业企业的数字化转型需求急剧增强,对制造业的企业而言,构建智能制造系统的核心优势在于降低成本、提高生产效率和重塑管理方式。5G的新特性和新优势正在数字化和智能化转型中大显身手,此次三方合作将通过“5G﹢工业互联网”的应用,持续为企业赋能、赋智,助力佰电科技实现柔性化生产,实现高效率低成本生产运营,提高企业竞争力,为其数字化建设提速。

关于佰电科技

佰电科技(Benchmark Electronics)成立于1979年,是一家总部设在美国亚利桑那州坦佩市并在纽约证券交易所上市的跨国公司。其下属的24家工厂及事业部分布在美洲、欧洲和亚洲的8个国家和地区,使其有能力为遍及全球的电信、电脑、工业、测试、医疗等电子行业提供高科技、全面和综合设计的一体化电子合约制造服务(EMS),包括工程、设计、制造、测试开发服务。2002年6月18日佰电科技在苏州高贸区注册成立佰电科技(苏州)有限公司。

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关于爱立信

爱立信助力通信运营商捕捉连接的全方位价值。我们的业务组合跨网络、数字服务、管理服务和新兴业务,帮助我们的客户提高效率,实现数字化转型,找到新的收入来源。爱立信持续投资创新,从固定电话到移动宽带,致力服务全球数十亿用户。爱立信在斯德哥尔摩纳斯达克交易所和纽约纳斯达克交易所上市。更多信息请访问www.ericsson.com

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稿源:美通社

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