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作者：ADI产品应用工程师Christine C. Bernal，ADI产品应用工程师Janchris Espinoza，ADI产品应用工程师Aprille Hernandez-Loyola

输入/输出缓冲器信息规范(IBIS)是一种行为模型，作为生成器件模型的标准格式而在全球受到欢迎。器件模型的精度取决于行业提供的IBIS模型的质量。因此，为信号完整性仿真提供高质量、可靠的IBIS模型是对客户的坚定承诺。

生成IBIS模型的一种方法是通过仿真，但在某些情况下，设计文件不可用，因而无法从仿真结果生成IBIS模型。在这种情况下，通过基准测量生成IBIS模型是解决这一问题的方法，它能提供高质量和更真实的器件行为模型。图1显示了通过基准测量生成IBIS模型的完整过程。使用实际芯片，提取器件的接收器和驱动器缓冲器行为以表示电流与电压(I-V)数据和电压与时间(V-t)数据。

图1.通过基准测量生成IBIS模型的过程

然后使用实际试验台设置在完整负载条件下验证模型。此程序提供质量等级2b的IBIS模型。为了实现更高质量等级（3级）的模型，生成的IBIS模型还将针对器件的晶体管级设计进行验证，同样采用推荐的负载条件。

为了表征质量，IBIS质量任务组制定了一种包含五个QC（质量控制）阶段的质量控制流程。表1为定义不同质量等级的清单。

表1.IBIS质量规范中的质量等级

表1中列出的质量等级提供了IBIS模型质量标准，该标准因供应商而异。制定IBIS模型精度标准将能确保客户获得准确可靠的模型。模型的质量等级越高，其数据就越准确，因为更高的质量等级需要更多的验证。

根据《半导体建模：用于信号、电源和电磁完整性仿真》一书（Roy Leventhal和Lynne Green撰写），IBIS正确性检查清单有5个公认的质量等级。

质量等级0—通过IBISCHK

质量等级0要求至少应通过IBIS解析器检查。IBISCHK必须产生零错误；如果无法消除所有警告，则必须对其进行解释。理想情况下，不应有任何警告，但人们认识到，有些警告是无法消除的。解析器检查产生的“错误”、“警告”和“注意”消息可作为IBIS模型制作商识别错误并轻松纠正错误的指南。IBIS模型解析器检查参见图2。

图2.IBIS模型通过IBISCHK

质量等级1—达到检查清单文件中规定的完整性和正确性

质量等级1的IBIS模型不仅要通过质量等级0检查，还要通过基本仿真测试的正确性和完整性检查。封装寄生参数、引脚配置和负载参数应正确定义。斜坡速率和典型值/最小值/最大值必须符合器件规格。另外，可以参考这里列出的质量等级1下的详细要求。

质量等级2a—与仿真相关

质量等级2a将IBIS模型的性能与器件的晶体管级设计进行比较。连接到负载时的IBIS模型性能与相同负载下器件的晶体管级设计进行相关处理。然后比较两个仿真设置的结果，并检查模型是否达到了质量等级2a。细节将在“验证和结果”部分讨论。

质量等级2b—与实际芯片测量相关

质量等级2b将IBIS模型的性能与器件的实际单元进行比较。与质量等级2a一样，在相关期间必须将相同的负载连接到两个设置。根据相关结果判断模型是否达到质量等级2b。细节将在“验证和结果”部分讨论。

质量等级3—晶体管级仿真与IBIS基准测量的相关

质量等级3要求根据晶体管级设计和实际单元验证IBIS模型。要使模型达到质量等级3，它必须通过质量等级2a和2b的相关性检查。此外，模型必须通过IBIS解析器测试（质量等级0），并通过IBIS质量检查清单的检查（质量等级1）。细节将在“验证和结果”部分讨论。

应用案例

本文研究的案例是ADuM4146，它是一款专门为驱动碳化硅(SiC) MOSFET而优化的隔离式栅极驱动器。ADuM4146有三个输入引脚（VIP、VIN和RESET）和两个开漏引脚（READY和FAULT），但本文针对每种缓冲器类型仅讨论一个引脚。这是因为，对于缓冲器类型相似的引脚，构建和验证IBIS模型的过程是相同的。VIP引脚将作为输入缓冲器的用例，FAULT将作为开漏缓冲器的用例。

需要注意的是，尽管相似的缓冲器类型具有相同的IBIS建模和验证过程，但这并不一定意味着它们具有相同的IBIS数据。本文对每种缓冲器类型仅讨论一个引脚，以简化对IBIS模型构建和验证过程的解释。

ADuM4146采用标准小型宽体封装(SOIC_W)，封装在验证过程中以寄生电阻、电感和电容(RLC)的形式表示。封装工程师通过仿真提取封装RLC值。专用印刷电路板(PCB)与封装寄生的情况类似，也是由寄生RLC表示，其值由PCB工程师提取。

图3.ADuM4146功能框图

表2显示了ADuM4146引脚配置和每个引脚对应的缓冲器类型。此信息将用于IBIS模型的[Pin]关键字。

表2.ADuM4146引脚排列及其对应的缓冲器类型

IBIS基准测量步骤

通过基准测量收集数据可能会受到不同外部因素的影响。应补偿这些因素以满足相关并提供高质量模型。

为了最大限度地减少外部因素的影响，待测器件(DUT)放置在专用夹具上，以减小可能导致被测器件行为不准确的干扰电容，如图4所示。寄生电容是实际硅片测量中的一个重要问题，并且常常是限制器件模型工作频率和带宽的因素。

图4.IBIS基准测量专用夹具

通过基准测量生成IBIS模型的步骤：

准备设置

表3显示了基准测量的IBIS预建模阶段要求，表4显示了定义缓冲器行为的不同模型类型和模型组成。模型类型在文章“IBIS建模—— 第1部分： 为何IBIS建模对设计成功至关重要”和“IBIS 建模——第2部分： 为何以及如何创建您自己的IBIS模型”中有详细讨论。您也可以参考IBIS建模手册。

表3.IBIS基准测量建模前阶段

表4.IBIS基准测量缓冲器类型选择

试验台设置

了解器件的运行方式对于IBIS模型的数据收集至关重要。如图1所示，这是第一阶段，通过提取I-V数据和V-t数据来完成。两者都以表格形式表示。

I-V数据包括ESD箝位行为和驱动器强度，而V-t数据表示从低/高电平状态到高/低电平状态的转换。切换行为是通过将负载连接到输出引脚来测量，这个负载与输出缓冲器将要驱动的值相等。然而，通常的负载值为50Ω，代表典型的传输线阻抗。

对于I-V测量，使用能够吸收和提供电流的可编程电源和曲线跟踪器来扫描电压并收集缓冲器的电流行为。建议在–V_DD至2×V_DD的电压范围内以及典型值、最小值和最大值拐角处获取数据。V-t测量需要使用具有适当带宽和低电容探头的示波器。

DUT安装在专用工具上，使用温度强制系统在不同温度条件下进行测试，以获取最小、典型和最大性能。在这种情况下，最小（最弱驱动强度、最慢边沿）数据是在125°C下获取，最大（最强驱动强度、最快边沿）数据是在–40°C下获取。

基准数据提取

一旦验证试验台设置已准备就绪，就可以开始收集所需I-V和V-t数据的过程。输出和I/O缓冲器需要I-V表和上升/下降数据，而输入缓冲器只需要I-V表。

• I-V（电流与电压）数据测量

I-V曲线测量涵盖四个IBIS关键字——[Pullup]表示驱动高电平时上拉元件的I-V行为，[Pulldown]表示驱动低电平时下拉元件的I-V行为，而[Power Clamp]和[GND Clamp]表示高阻抗状态下ESD保护二极管的I-V行为。

要测量I-V特性，请将器件安装在专用板上，并将电源和接地引脚连接到电源。准备温度强制系统，调整到所需温度，等待其稳定。在推荐范围内扫描电压，然后使用曲线跟踪器测量所需缓冲器的电流。

用于上拉和电源箝位数据的扫描设备的正节点应连接到电源电压，负节点应连接到引脚，而用于下拉和接地箝位数据的扫描设备以地为参考。当曲线跟踪器无法扫描整个范围时，可能需要外推。

图5显示了输入缓冲器(V_I+) I-V接地箝位测量的试验台设置，而图6显示了其测量行为。当输入降低到地以下导致负电流时，接地箝位电路被触发，使电流接近并稳定为零。输入引脚(VIP)没有电源箝位元件，因此其模型不会有电源箝位数据。

图5.用于I-V箝位测量的ADuM4146试验台设置

图6.ADuM4146输入缓冲器试验台测量的接地箝位

对输出缓冲器的ESD箝位、上拉和下拉数据实施相同的方法。但在这种情况下，ADuM4146 READY和FAULT引脚为开漏缓冲器。因此，它们没有上拉元件，只需要下拉数据。

图7.ADuM4146开漏缓冲器下拉结果

图7显示了ADuM4146开漏缓冲器的下拉数据结果。下拉曲线从负电流开始，然后穿过零到达正象限，也在–V_DD至2×V_DD的范围内。

• 缓冲电容(C_comp)提取

根据IBIS建模手册（IBIS 4.0版），“每个焊盘的总裸片电容或C_comp参数是从焊盘向缓冲器看到的电容，用于完全布局布线的缓冲器设计，不包括封装效应”。获得C_comp值的一种方法是使用以下公式。

其中：

CIN = 器件输入电容

C_pkg = 器件封装电容

• V-t（输出电压与时间）数据测量

V-t曲线测量也涵盖了四个IBIS关键字——[Rising Vddref]和[Falling Vddref]与以电源为参考的负载的从低到高和从高到低的转换有关，而[Rising Gndref]和[Falling Gndref]与以地为参考的负载的从低到高和从高到低的转换有关。与这些相关的是关键字[Ramp]，它定义了从一种状态变为另一种状态时的转换速率，取波形的20%到80%。

测量上升和下降时间数据需要在驱动所需负载的缓冲器上使用示波器。在这种情况下，使用一个50Ω电阻来表示传输线阻抗。对于开漏型，将负载连接到缓冲器和电源电压以测量切换行为（以VDD1为基准）。务必使用温度强制系统以根据需要稳定温度，从而捕获最小、典型和最大范围。图8显示了ADuM4146 READY和FAULT引脚切换行为的实际试验台设置。ADuM4146数字输出引脚为开漏型，因此只需要以电源电压为基准的上升和下降行为。

图8.ADuM4146 READY/FAULT切换行为的试验台设置

图9和图10显示了在晶体管级仿真和实际芯片测量中捕获的FAULT引脚上升和下降波形。两种设置使用相同的负载条件，即50Ω连接到VDD1，跨越典型值、最小值和最大值拐角。

图9.ADuM4146 FAULT引脚上升波形（以VDD1为基准）

图10.ADuM4146 FAULT引脚下降波形（以VDD1为基准）

构建IBIS模型

创建IBIS模型的下一阶段是处理收集的数据并构建模型本身。在此阶段，在必要的关键字之后以IBIS文本格式插入原始数据表，包括器件参数。详细过程参见文章“IBIS建模—— 第1部分： 为何IBIS建模对设计成功至关重要”。

图11.从基准测量生成的ADuM4146 IBIS模型

图11显示了从基准测量生成的ADuM4146 IBIS模型。该模型应通过IBIS解析器检查，包括基本检查，例如I-V和V-t表之间的匹配以及检查表格数据的单调性。在继续验证过程之前，应完全解决所有错误、警告和注意事项。此外，模型应通过IBIS质量检查清单的检查。

验证和结果

本文的验证过程将遵循本系列的第二篇文章“IBIS建模——第2部分：为何以及如何创建您自己的 IBIS模型”中说明的步骤，其中讨论了有关IBIS模型验证过程的更多详情。

图12.IBIS模型质量等级3验证过程流程图

模型首先必须通过解析器测试，这可以使用集成了IBISCHK的软件来进行检查，或使用来自ibis.org的开源可执行代码进行检查。通过解析器测试后，模型必须与其晶体管级原理图或实际芯片单元相关联。本文旨在实现质量等级为3级的模型，因此ADuM4146的IBIS模型将与其晶体管级原理图和实际单元相关联。设置品质因数(FOM)值以确定IBIS模型是否会通过这两种相关性检查。在这种情况下，两种相关性的FOM值必须大于或等于95%才能通过质量等级3 IBIS模型验证。图12显示了IBIS模型达到质量等级3所必须通过的验证过程的流程图。

曲线度量下方的面积将用于计算两种相关性的FOM值。须将相同的负载条件放置在这两组相关性上。在验证过程中，建议按照数据手册中指示的负载条件来测试设备的正常运行。

为了根据参考正确验证IBIS模型（例如，IBIS与基准测量的相关性），必须把信号在基准测量设置中经过的PCB走线添加到IBIS仿真设置中。

以下是实现质量等级为3级的IBIS模型的两个条件。

IBIS质量等级2a验证

图13.IBIS模型质量等级2a验证过程

图13显示了IBIS模型质量等级2a验证过程。该相关处理旨在评估IBIS模型数据将在何种程度上产生与晶体管级仿真结果相匹配的仿真。图14显示了ADuM4146的输入和开漏缓冲器的IBIS模型仿真设置以及负载条件。

图14.ADuM4146输入和开漏缓冲器仿真设置

图15.ADuM4146晶体管级设计仿真设置和负载条件（输入缓冲器）

图16.ADuM4146晶体管级设计仿真设置和负载条件（开漏缓冲器）

图15和16分别显示了输入和开漏缓冲器的晶体管级设计仿真设置以及负载条件。器件的封装RLC值添加在缓冲器和负载之间，以再现IBIS设置中的封装寄生效应。

图17.晶体管级设计与IBIS模型验证结果的关系（输入缓冲器）

图18.晶体管级设计与IBIS模型验证结果的关系（开漏缓冲器）

图17和图18分别显示了IBIS模型在标准负载下运行并将结果与使用相同负载下的晶体管级参考仿真进行比较时，输入和开漏缓冲器的相关结果。一个50Ω电阻用作开漏缓冲器的IBIS与晶体管级相关性设置的负载。使用10μs脉冲输入对两种设置进行瞬态分析。

表5显示了两个缓冲器模型在与晶体管级原理图相关时计算出的FOM值。两个缓冲器模型的FOM值均大于95%，因此IBIS模型达到了质量等级2a。

表5.输入和开漏缓冲器的质量等级2a验证FOM值

IBIS质量等级2b验证

IBIS质量等级2b要求模型与基准测量相关，因此需要考虑可能影响基准测量性能的因素。执行基准测量的主要挑战是信号衰减，大部分是由走线寄生效应引起的。利用实际单元测量数据时，最好使用带有低电容探头的专用板，以尽可能减少走线寄生效应的影响。在这种情况下，IBIS试验台专用板是信号完整性问题的解决方案，可减少混入目标信号的干扰信号所引起的衰减。图19显示了IBIS质量等级2b的验证过程。

图19.IBIS模型质量等级2b验证过程

IBIS模型相关性的主要目标是获得尽可能接近参考的结果。在示波器中捕捉上升/下降时间数据时，最好使用负载极低的探头，以减少信号衰减。探头和仪器组合引入的误差会对目标信号产生重大影响。根据Tektronix，“使用特殊滤波技术和正确选择工具以去除测量系统对信号的影响、显示边沿时间以及其他信号特性，是测量实际芯片性能时要考虑的关键因素”。

图20和图21分别显示了使用输入和开漏缓冲器并考虑负载条件的IBIS模型的仿真设置。串联到缓冲器的RLC值是来自电路板走线的寄生值。添加负载以复制实验室设置时，重要的是要考虑其对模型性能的影响。

图20.实际IBIS仿真设置和负载条件（输入缓冲器）

图21.实际IBIS仿真设置和负载条件（开漏缓冲器）

图22.试验台设置和负载条件（输入缓冲器）

图23.试验台设置和负载条件（开漏缓冲器）

图22和23分别显示了负载条件下输入和开漏缓冲器的试验台设置的示意图。5V脉冲信号用于驱动连接到50Ω负载的开漏缓冲器。图24和图25分别显示了输入和开漏缓冲器的IBIS仿真与基准测量的相关结果。

图24.实际芯片单元与IBIS模型验证结果的关系（输入缓冲器）

图25.实际芯片单元与IBIS模型验证结果的关系（开漏缓冲器）

表6显示了输入和开漏缓冲器的FOM值与实际芯片基准测量的相关性。FOM值大于95%，这意味着两个缓冲器的IBIS模型达到了质量等级2b。由于该模型通过了质量等级2a和质量等级2b检查，因此现在可以将其视为质量等级3 IBIS模型。

表6.输入和开漏缓冲器的质量等级2b验证FOM值

结论和要点

通过基准测量构建高质量IBIS模型时，提取硬件与模型相关所需的数据是最具挑战性的步骤之一。通过仔细关注细节并了解I/O电路的行为，可以实现实验室测量与IBIS仿真结果的密切相关。在相关处理中，尽可能多地消除衰减是获得高FOM值的关键。考虑到这一点，建议使用专用测试平台以及匹配良好的设备和配件，以确保信号的完整性。

同时须记住，在相关处理中，IBIS模型和试验台设置在信号经过的走线方面必须完全相同。这将能减少相关性引起的误差，从而提高FOM值。

拥有质量等级为3级的IBIS模型对半导体供应商和客户来说都是一个优势，有助于确保模型从硅前验证到实际芯片测量时获得更高的精度水平。

致谢

感谢ADI设计工程师、ADGT测试开发工程师和ISO团队全力支持完成本项目。此外，感谢ADGT系统集成经理对项目赞助的支持。

关于ADI公司

ADI是全球领先的高性能模拟技术公司，致力于解决最艰巨的工程设计挑战。凭借杰出的检测、测量、电源、连接和解译技术，搭建连接现实世界和数字世界的智能化桥梁，从而帮助客户重新认识周围的世界。详情请浏览ADI官网www.analog.com/cn。

关于作者

Christine C. Bernal于2007年6月加入ADI，担任产品工程师。2016年，她在新技术集成团队为各种ADI产品开发IBIS模型。Christine于2015年毕业于马尼拉马普阿大学，主修微电子，获电子与通信工程硕士学位。

Janchris Espinoza是ADI公司新技术集成团队的产品应用工程师。主要负责对ADI产品进行IBIS建模和仿真。他于2019年在ADI的Analog Garage团队实习，并于2020年9月正式加入ADI。他于2020年2月毕业于德拉萨大学，获电子工程学士学位。

Aprille Arjhilynne Hernandez-Loyola于2015年8月加入ADI。她是新技术集成团队的产品应用工程师。她主要从事建模和电路仿真工作，尤其是ADI产品的LTspice^®和IBIS。她毕业于德拉萨大学（达斯马里尼亚斯分校），获电子与通信工程学士学位。

霍尼韦尔（纳斯达克代码：HON）智能建筑科技集团今日宣布与腾讯云计算（北京）有限责任公司（以下简称"腾讯云"）达成战略合作，携手打造"霍尼韦尔—腾讯云微瓴智慧空间联合解决方案"，为共同创建智慧建筑领域数字化转型标杆项目奠定基础，推动建筑行业智慧化发展和数字化升级转型。

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"作为在智能建筑领域拥有百年积淀的数字工业高科技企业，霍尼韦尔在全球范围内致力于引领智慧建筑的建设和转型。依托软硬件一体、强弱电一体、云边一体的一站式端到端解决方案，霍尼韦尔也在不断研发和推出面向中国楼宇建筑的数字化节能产品和成熟解决方案。"霍尼韦尔智能建筑科技集团全球副总裁兼中国总经理李烨表示，"我们很高兴此次与腾讯云携手打造智慧空间联合解决方案，共同为中国建筑的数字化转型贡献力量。"

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腾讯云副总裁、数字孪生业务负责人万超表示，腾讯云致力于成为各行各业的数字化助手，推动数实融合。最近，公司成立了数字孪生产品部，专门为建筑、园区、工业制造、城市道路等空间领域的智慧化提供解决方案。霍尼韦尔是一家有着百年发展历史的全球性企业，在建筑行业拥有深厚专业知识和经验沉淀，基于本次合作，腾讯云将利用技术和生态优势，基于物联网类操作系统微瓴打造智慧空间底座，期待双方的联合解决方案可以引领行业创新，塑造智慧建筑标杆。

腾讯云副总裁、离散制造行业负责人曹磊表示，在制造业企业数字化转型的道路上，生产空间的智慧化管理逐渐成为一条必经之路。此次双方强强联手，相信通过微瓴物联网类操作系统的技术助力，腾讯云可以与霍尼韦尔这样的工业百年企业，在工厂车间、生产园区等生产空间数字孪生应用上激发出更多火花，帮助更多制造业企业实现数字化、智慧化转型。

作为智慧建筑领域的引领者，霍尼韦尔智能建筑科技集团致力于通过创新的数字化平台、以及软硬件一体的楼宇自控成熟解决方案，助力客户旗下建筑资产的低碳、健康与可持续运营。腾讯云是腾讯旗下的云计算服务商，面向全世界各个国家和地区的政府机构、企业组织和个人开发者，提供全球领先的云计算、大数据、人工智能等技术产品与服务。

双方此次强强联手，将着力以创新的联合解决方案赋能智慧建筑生态圈，共同推动建筑行业的数字化升级转型，塑造建筑可持续发展的未来。作为此次战略合作的促成者，全球领先的管理咨询公司普华永道也见证了此次的签约仪式。

关于霍尼韦尔智能建筑科技集团

霍尼韦尔智能建筑科技集团不断运用前沿科技革新建筑物的运营方式，帮助提升居用者的生活、工作和使用体验。我们的产品、软件、技术和服务已在全球超过1,000万栋建筑中使用，致力于帮助楼宇业主和运营者打造更加健康、安全、节能和可持续发展的设施。在中国，霍尼韦尔智能建筑科技集团的解决方案涵盖消防、安防、楼宇自控、智能生活、智控电气以及建筑智能一体化；广泛应用于商业楼宇、机场、地铁、医院、数据中心、酒店、政府与公共设施等各个行业。我们还提供定制化的软件以及楼宇运营全生命周期服务，通过数字化的解决方案助力建筑的健康、低碳与专家式运营。

关于霍尼韦尔

霍尼韦尔是一家《财富》全球500强的高科技企业，为全球提供行业定制的航空产品和服务、楼宇和工业控制技术、以及特性材料，致力于为现代社会的可持续发展提供广泛的工业技术和数字解决方案。霍尼韦尔始创于1885年，在华历史可以追溯到1935年在上海开设的第一个经销机构。霍尼韦尔秉持深耕中国谋求长期发展的理念，贯彻"东方服务东方"和"东方服务世界"的战略，以本土创新推动增长。目前，霍尼韦尔所有业务集团均已落户中国，上海是霍尼韦尔亚太区总部。欲了解更多公司信息，请访问霍尼韦尔中国网站www.honeywell.com.cn，或关注霍尼韦尔官方微博和官方微信。

稿源：美通社

订单总估值自2021年11月以来增长超一倍

骁龙数字底盘赋能未来汽车

高通公司（NASDAQ：QCOM）在其首届汽车投资者大会上宣布，得益于骁龙^®数字底盘^™解决方案在汽车行业的广泛采用，其汽车业务订单总估值已增长至300亿美元¹。这代表自高通公司公布2022财年第三季度财报以来，其汽车业务订单总估值实现了超过100亿美元的增长。高通技术公司正成为汽车行业打造下一代汽车的优选合作伙伴，持续增长的订单总估值是高通技术公司与汽车制造商和一级供应商达成重要合作的成果。

高通公司总裁兼CEO安蒙表示：“高通公司是提供智能网联边缘所需关键技术的领先厂商。公司‘统一的技术路线图’涵盖了包括汽车在内的几乎所有行业。骁龙数字底盘以及我们和汽车制造商良好的合作关系，共同推动实现了300亿美元的汽车业务订单总估值。高通正在拥抱汽车行业的数字化未来。”

在汽车投资者大会上，高通公司宣布了几项重要动态：

• 到2030年，公司汽车业务的潜在市场规模预计将增长至1000亿美元

• 公司汽车业务订单总估值达300亿美元

• QCT汽车业务营收增长势头强劲，从2021财年的9.75亿美元增长至2022财年的13亿美元（预期收入）

• 上调2021年11月发布的QCT汽车业务营收增长预测——2026财年营收将超过40亿美元（预期收入），2031财年营收将超过90亿美元（预期收入）

• 推出业内首个集成式超级计算级别的汽车SoC——Snapdragon Ride^™ Flex SoC

高通技术公司还与梅赛德斯-奔驰宣布合作，即将推出的梅赛德斯车型将搭载骁龙数字底盘解决方案。

高通公司在汽车行业具有领先优势，其推出的骁龙数字底盘是行业独有的、面向下一代汽车打造的开放、可扩展和可升级的平台。

欲获取高通汽车投资者大会的活动回放、演示文档和其它相关资料，请访问活动页面。

1. 截止至2022年9月22日。业务订单总估值反映了已获得的汽车制造商项目在未来的收入预估值，基于汽车制造商和一级供应商直接提供的预测。

关于高通公司

高通公司是全球领先的无线科技创新者，也是5G研发、商用与实现规模化的推动力量。把手机连接到互联网，我们的发明开启了移动互联时代。今天，我们的基础科技赋能了整个移动生态系统，每一台3G、4G和5G智能手机中都有我们的发明。我们将移动技术的优势带到汽车、物联网、计算等全新行业，开创人与万物能够顺畅沟通和互动的全新世界。

高通公司包括技术许可业务（QTL）和我们绝大部分的专利组合。高通技术公司（QTI）是高通公司的全资子公司，与其子公司一起运营我们所有的工程、研发活动以及所有产品和服务业务，其中包括半导体业务QCT。

灵机随行，跟上好时光

（2022年9月22日深圳）DJI大疆今日正式发布新一代智能防抖手机云台Osmo Mobile 6，多种设计巧思融入日常拍摄场景，完善的产品性能帮助用户回归手机拍摄本质，以科技之美重塑生活想象力。

Osmo Mobile 6作为手机拍摄伴侣，与上一代相比，在机身设计与智能功能方面持续优化，为用户带来更好、更轻松的拍摄体验。延续前代可折叠机身、磁吸快拆设计，按键交互简单高效，新增快速开拍功能缩短三倍拍摄准备时间，精彩时刻不容错过。同时，Osmo Mobile 6继承大疆优秀的三轴云台增稳技术，智能跟随5.0再度升级，拍摄指导进一步降低用户拍摄门槛，可实现低角度拍摄、跟拍快速移动对象、一个人拍vlog、轨迹延时等手机无法单独拍摄的场景，更有多种剪辑模板、一键成片功能加持，随时随地成就大片。

大疆高级产品线经理Paul Pan表示：“Osmo Mobile 6蜕变于前代产品的经验积累，进一步强化智能功能，产品设计贴近用户真实需求，为用户在多样场景下的自由创作与表达提供无限可能，让用户在记录、分享精彩的同时，感知创新与科技的力量。”

灵动设计，时刻拍出吸引力

Osmo Mobile 6在继承上一代轻巧可折叠的外观基础上，更多人性化设计让拍摄轻松上手。新增快速开拍功能省去更多拍摄前准备过程，云台展开即开机，连接手机后DJI Mimo App可自动弹出^[1]，从开机到开拍一气呵成，为创作留取充裕时间。新增侧面拨轮带来舒适的操控体验，能够自由切换对焦与变焦，搭配内置延长杆可轻松完成更多角度、场景下的拍摄，构图灵活，炫酷大片随手可得。

此外，Osmo Mobile 6外观全新升级，暗岩灰配色凸显高级。机身新增状态显示面板，使用过程中方便查看电池电量、系统指示灯状态及当前云台模式，配合M按键可快速切换云台跟随、俯仰锁定、FPV及旋转拍摄四种云台模式，满足不同场景、不同角度下的运镜需求，让镜头语言更加丰富饱满。

智能升级，轻松记录质感生活

Osmo Mobile 6作为手机视频“拍摄私教”，致力于帮助用户定格每一个灵感绽放时刻，拍出手机视频得意之作。集成大疆优秀的三轴增稳技术，暗光环境下依旧保持拍摄画面清晰稳定，避免手机增稳可能会带来的画面裁切、画面模糊问题，即使夜晚也能高质量成片。智能跟随5.0全面升级，跟随更稳、距离更远^[2]，在主体移动过程中能够精准识别目标，侧脸、回头、背影等场景也能一一捕获，无论在跳舞、户外运动或外出旅行等场景下，拍摄主角始终处于C位。

DJI Mimo App内置更多拍摄模板满足用户在自驾、露营、居家、运动等不同场景下的需求。升级后的拍摄界面分布更加贴心，各个功能入口内嵌教学指导，即使新手用户也能快速上手。同时还可解锁多种智能拍摄功能，延时摄影、动态变焦、全景摄影、Story模式随心选择，手机拍摄也玩出花样。

畅片作为DJI官方推荐的视频剪辑应用软件，可以智能识别拍摄指导所拍素材，帮助用户快速成片。无需连接设备即可从Mimo App直接跳转，支持AI一键成片，更有海量专属视频模板与拍摄教学，做你的专属剪辑策划师，让灵感时常相伴，剪辑更轻松。

售价与服务

Osmo Mobile 6售价999元，包含手机云台以及磁吸手机夹、手持三脚架、束口袋、充电线等配件，即日起，DJI 大疆官方商城、京东、天猫、北京旗舰店、上海旗舰店、南京旗舰店、杭州旗舰店以及全国线下授权体验店等渠道现货发售。

适用于 Osmo Mobile 6 的保障计划 DJI Care 随心换同步上线，提供全方位意外保障解决方案，仅需支付一定置换费便可一键极速换新，无惧自然磨损、磕碰变形、进水等意外状况导致的机器损坏。并享受安全奖励、全球联保、双向免邮等多种专属服务权益。

DJI Care 随心换 1 年版 (Osmo Mobile 6) 售价 49 元，提供 1 年内 2 次低价置换权益。DJI Care 随心换 2 年版 (Osmo Mobile 6) 售价 79 元，提供 2 年内 3 次低价置换权益和第二年官方延保服务。

大疆天空之城社区现已开启Osmo Mobile 6 新品体验官招募活动，报名参与即有机会抢先体验全球首发新品。如需了解更多详情，请访问：https://www.skypixel.com

了解 DJI Care 随心换，请点击：https://www.dji.com/service/djicare-refresh

更多关于Osmo Mobile 6请访问：http://www.dji.com/osmo-mobile-6

关于大疆

大疆致力于成为持续推动人类进步的科技公司。自 2006 年成立以来，因开创民用无人机行业并持续创新而享誉全球，在多个智能技术领域长期领先。

大疆在智能无人机系统及数字影像领域追求极致，让所有人都能轻松拍摄卓越创意；不断刷新飞行与影像体验，为世界带来全新视野，让科技之美超越想象。

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^[1] DJI Mimo app 通知自动弹出功能仅适用于iPhone手机，请以实际情况为准。首次使用时，请先完成设备配对，并在 DJI Mimo 内启动“快速开拍”,并按照提示在手机设置中完成“通知”授权。

^[2] 测试环境为单人跟随场景。